第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

第2章 半导体三极管及其基本放大电路

一、填空题

2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。

2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。

2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，

OB OA U U =；都接人负载L R 电阻时，测得OB OA U U 〈，由此说明，电路

A 的输出电阻比电

路B 的输出电阻 。

2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。

2．5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。

2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与DS u 基本上是 关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。

2．7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅

极电阻S R 一般阻值很大，这是为了 。

二、选择正确答案填写(只需选填英文字母) 2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度

(a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。

2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C = mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。

2．10用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个BJT 的类型(指NPN 型还是PNP 型)与三个电极时，以测出 最为方便(a ．各极间电阻，b ．各极对地电位，c ．各极电流)。

2．11 既能放大电压，也能放大电流的是 组态放大电路；可以放大电压，但不

能放大电流的是 组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是 组态放大电路(a ．共射， b ．共集，c ．共基)。

2．12 某FET 的I DSS 为6 mA ，而I DQ 自漏极流出，大小为8 mA ，则该管是 (a ．P

沟道JFET ， b ．N 沟道JFET ，c ．P 沟道耗尽型IGFET ，d ．N 沟道耗尽型IGFET ，e ．P 沟道增强型IGFET ，f ．N 沟道增强型IGFET)。

2．13 P 沟道增强型IGFET 的开启电压)(th GS U 为 (a 1．正值，b 1．负值，c 1．零值)，P 沟道耗尽型IGFET 的夹断电压)(off GS U 为 (a 2．正值，b 2．负值，c 2．零值)。 三、判断下列说法是否正确(用、／或×号表示)

2．14通常的BJT 在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。( )

2．15 有两个BJT ，其中第一个管子的1β=150，，I CEO1=200 μA ，第二个管子的2β=50，I CEO2=10μA ，其他参数一样。由于1β>2β，因此第一个管子的性能优于第二个管子的性能。( )

2．16 BJT 的输入电阻be r 。可以用万用表的“Ω”挡测出。( )

2．17 当输入电压为正弦波时，如果PNP 管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极电流i B 的波形将正半波削波；( )集电极电流i C 波形将负半波削波；( )输出电压u O 的波形将正半波削波。( )

2．18 由于JFET 与耗尽型MOSFET 同属于耗尽型，因此在正常放大时，加于它们栅、源极间的电压u GS 只允许一种极性。( )

2．19 由于FET 放大电路的输入回路可视为开路，因此FET 放大电路输入端的耦合电容C b 一般可以比BJT 放大电路中相应的电容小得多。( )

解答：

正向 反向 正向 正向 增大 增大 减小 大

共射 共基 共集 共基 输入信号电压 电压型控制 线性增加 可变电阻 耗尽型FET （含JFET ） 减小R g1、R g2的分流作用 增大放大电路的输入电阻 (a 1) (b 2) (b 3) (a 4) (b) (b)

(a) (c) (b) (c)

(b 1) (a 2) (×) (×) (×)

(×) (×) (√) (×) (√)

2．20测得放大电路中两个BJT中的两个电极的电流如图题2．20所示。

(1)求另一电极电流的大小，并标出其实际极性；

(2)判断是NPN管还是PNP管；

(3)标出e、b、c电极；

(4)估算 值。

解答：

（1）、（2）、（3）见图题解

（4）（a）=I C/I B= mA/ mA=60

（b）=I C/I B=2 mA/ mA=100

（a）（b）

图题解

用直流电压表测得放大电路中的几个BJT的三个电极电位如表题2．21所示，试判断它们是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并确定每个管子的e、b、c极。

解答：

解答见下页表中黑体字

ⅠⅡⅢⅣU1/V b b c b

U2/V e e b c

U3/V c c e e

管型NPN硅管NPN锗管PNP硅管PNP锗管

某BJT的极限参数，I CM=100 mA，P CM：150 mW，U(BR)CEO=30 V，若它的工作电压U CE=10 V，则工作电流I C不得超过多大若工作电流Ic=1 mA，则工作电压的极限值应为多少

解答：

若U CE=10 V，则I C P CM/U CE=150 mW/10 V=15 mA；

若I C=1 mA，则U CE=P CM/I C=150 mW/1 mA=150 V，此电压大于U(BR)CEO=30 V，故工作电压的极限值应为30 V。

2．23对于图题2．23所示固定偏流式放大电路，已知I C=1．5 mA，V CC =12 V，β =20，若要求A u=80，求该电路的R b和R c。设电路中的BJT为硅管。

解答：

I B=I C/= mA/20= mA

R b=(12– V/ mA=151 k

r be=300 +(1+20)×26 mV/ mA=664

R c=A u r be/=80× k/20= k

图题2．24所示放大电路中BJT为硅管，β=50，今用直流电压表测出了8组不同的U B、U E、U C值，如表题2．24所示，试分析各组电路的工作是否正常，若不正常，指出其可能出现的问题(如元件短路或断路)

解答：