3第三章集讲义成逻辑门

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数字电路讲义 第三章

数字电路讲义 第三章

是构成数字电路的基本单元之一
CMOS 集成门电路 用互补对称 MOS 管构成的逻辑门电路。
TTL 集成门电路 输入端和输出端都用 三极管的逻辑门电路。
CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor TTL 即即 Transistor-Transistor Logic 按功能特点不同分 普通门 输出 三态门 CMOS (推拉式输出) 开路门 传输门 EXIT
E
B UBE(sat) iB ≥ IB(sat) E C
三极管 截止状态 等效电路
UCE(sat)
三极管 饱和状态 等效电路
EXIT
逻辑门电路
开关工作的条件
截止条件 uBE < Uth 可靠截止条件为 uBE ≤ 0
VCC U CE(sat) RC VCC RC
饱和条件
iB > IB(Sat)
逻辑门电路
[例] 下图中,已知 ROFF 800 ,RON 3 k,试对应 输入波形定性画出TTL与非门的输出波形。
A 3.6 V 0.3 V
逻辑0 (a)
逻辑1
O Ya t
(b)
解:图(a)中,RI = 300 < ROFF 800 相应输入端相当于输入低电平, O 也即相当于输入逻辑 0 。 Yb 不同因此 TTLY 系列, R R 不同。 ON、 OFF UOH 。 a 输出恒为高电平 图(b)中,RI = 5.1 k > RON 3 k 相应输入端相当于输入高电平, O 也即相当于输入逻辑 1 。 Yb A 1 A 因此,可画出波形如图所示。
0. 3 O
t
EXIT
逻辑门电路
二、三极管的动态开关特性

GCT 逻 辑 讲 义-3 直言三段论

GCT 逻 辑 讲 义-3 直言三段论

第三章直言三段论1.三段论定义三段论是由包含着一个共同词项的两个直言命题为前提,推出另一个直言命题作为结论的推理。

如所有金属都是导电的,铜是金属,因此铜是导电的。

一个三段论都有并且只有三个不同的词项。

这三个词项分别叫做中项、小项和大项。

中项是指在两个前提中都出现而在结论中不出现的词项,用M表示,上例中的“金属”。

小项是作为结论主项的词项,用S表示,如上例中的“铜”。

大项是指作为结论谓项的那个词项,用P表示,如上例中的“导电的”。

三段论的两个前提,大前提和小前提。

大前提是指含有大项的前提,小前提是指含有小项的前提。

三个项:小项S:结论的主项;大项P:结论的谓项;中项M:两前提中的共同项;(或结论中没有出现的项)两个前提:大前提:大项在其中出现的前提;小前提:小项在其中出现的前提。

2.三段论的格从三段论的形式结构来看,大项、小项和中项在前提中的位置可以有几种不同的排列。

其中,只要中项的位置确定了,大项和小项的位置也就确定了。

三段论的格,就是由于中项所处的位置的不同而构成的三段论的不同形式。

三段论共有四个格。

第一格:中项在大前提中是主项,在小前提中是谓项。

第二格:中项在大、小前提中都是谓项。

第三格:中项在两个前提中都是主项。

第四格:中项在大前提中是谓项,在小前提中是主项。

3.三段论的式三段论的式是由组成三段论的直言命题的具体种类来决定的。

三段论的大前提、小前提和结论可以分别是六种直言命题中的一种。

组成三段论的三个命题的类型不同,就形成了不同的三段论形式,此称为三段论的式。

4.三段论推理规则(1)一个三段论中只能有三个项。

(2)中项在前提中至少应周延一次。

(3)在前提中不周延的项,在结论中仍不得周延。

(4)两前提不能都是否定的。

(5)两前提若有一否定,则结论否定;反之亦然。

(6)两前提不能都是特称的。

(7)两前提若有一特称,则结论特称。

直言命题的周延性判断规则(1) 全称命题的主项都是周延的;(2) 特称命题的主项都是不周延的;(3) 肯定命题的谓项都是不周延的;(4) 否定命题的谓项都是周延的。

第3章逻辑门电讲义路恢复

第3章逻辑门电讲义路恢复

二极管上产生的相应电流波形
图3.2.4 二极管的动态电流波形
(2-9)
§3.2.2 二极管与门电路
+12V
uA
逻辑变量
A
D1
B
D2
0V
F
0V
逻辑函数 3 V
3V
( uD=0.3V )
uB
uF
0 V 0 .3 V
3 V 0 .3 V
0 V 0 .3 V
3 V 3 .3 V
(2-10)
uA
uB
uF
0 V 0 V 0 .3 V
tr
集电极饱和电流Ics=Vcc/Rc
td
t
ts பைடு நூலகம்f
(2-15)
二、三极管反相器 钳位二极管
+12V +3V
R1
A R2
uA
uF
D
F
3V
0 .3
0V
3 .3
(2-16)
uA
uF
3V
0 .3
0V
3 .3
A
F
0
1
1
0
逻辑式: F A
逻辑符号: A
1
F
(2-17)
三、二极管、三极管电路与非门
+12V
3 V 3 V 2 .7 V
(2-12)
uA
uB
uF
AB
0 V 0 V -0 .3 V 0 0
0 V 3 V 2 .7 V
01
3 V 0 V 2 .7 V
10
3 V 3 V 2 .7 V
11
逻辑式:F=A+B
逻辑符号: A F
B

《逻辑门电路 》课件

《逻辑门电路 》课件
能:输入全为1时输出 为0,其他情况输出为1
符号表示:通常用"NAND"表 示
真值表:列出所有输入和输出 组合的真值表
应用:常用于实现逻辑运算, 如与、或、非等
逻辑功能:输入全为1时输出为0,其他情况输出为1 符号表示:输入端A、B,输出端Y 真值表:列出所有输入输出组合及其对应的输出值 应用:用于实现逻辑运算、控制电路等
实现逻辑运算:与、或、非等 基本逻辑运算
控制信号:控制电路的通断、 开关等
数据处理:处理二进制数据, 实现数据传输、存储等
构建复杂电路:通过组合逻辑 门电路,构建更复杂的电路系 统
PART THREE
功能:实现逻辑与 运算
输入:两个输入信 号
输出:一个输出信 号
真值表:当两个输 入信号均为1时, 输出为1;否则输 出为0。
低功耗技术的挑 战与机遇
低功耗技术的未 来展望
人工智能:逻辑门电路是实现人工智能的关键技术之一,未来将在智能机器人、智能语音识别等领域发挥重要作 用。
物联网:逻辑门电路是实现物联网的关键技术之一,未来将在智能家居、智能交通等领域发挥重要作用。
量子计算:逻辑门电路是实现量子计算的关键技术之一,未来将在量子通信、量子加密等领域发挥重要作用。
生物科技:逻辑门电路是实现生物科技的关键技术之一,未来将在基因编辑、生物制药等领域发挥重要作用。
汇报人:
小型化趋势:随着半导 体技术的发展,逻辑门 电路的尺寸越来越小, 提高了集成度和性能
技术挑战:如何实现 更高集成度和更小尺 寸的逻辑门电路,同 时保证性能和可靠性
应用前景:随着物联 网、人工智能等新兴 技术的发展,逻辑门 电路的集成化和小型 化将更加重要。
低功耗技术在逻 辑门电路中的应 用

《数字电子技术基础》第3章.组合逻辑电路PPT课件

《数字电子技术基础》第3章.组合逻辑电路PPT课件

3.4 典型组合逻辑电路及其应用
3.4.3 数据选择器
示意图数据选择器 (multiplexer,MUX)又 称多路选择器或多路开关, 是应用比较广泛的中规模 组合逻辑电路,尤其是电 子设计自动化技术发展成 熟的今天。
图3.4.19 数据选择器
3.4 典型组合逻辑电路及其应用
1.典型数据选择器
1)双4选1数据选择器74153
3.2.2 冒险现象的判断
1.代数法
2.卡诺图法
3.2 组合逻辑电路中的竞争冒险与消除方法
3.2.3 冒险现象的消除方法
1.增加冗余项
2.输出接滤波电容
3.增加选通信号
3.3 VHDL的顺序行为
3.3.1 进程语句
进程本身是并行行为,且存在于结构体中。进程内 部的语句要进入进程之后才能顺序执行。进入进程是靠敏 感信号发生变化的时候,称此时为“激活”进程。若敏感 信号同时激活多个进程,进程是按并行行为执行的。进程 语句的一般形式如下:
(1)第2号不能与第7号同时配用。 (2)第3号和第6号必须同时配用。 (3)同时用第4、9号时,必须配用11号。
请设计一个逻辑电路,在违反上述任何一个规定时,发出 报警指示信号。
解:(1)设置11种化学试剂为输入信号,2对应A,7对应B, 3对应C,6对应D,4对应E,9对应F和11对应G。设置F1、F2和F3 分别为违反3种规定的输出。
<进程标号> :PROCESS<敏感信号表> <进程说明区> BEGIN <语句部分> WAIT ON<敏感信号表> ; UNTIL<条件表达式> ; WAIT FOR<时间表达式> ; END PROCESS;

逻辑门ppt课件

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例2-2 : 向2输入与门输入图示的波形,求其输出波 形F。 解:
.
6
2.1.2 或门
实现“或”运算的电路称为或逻辑门,简称或门 。 逻辑或运算可用开关电路中两个开关相并联的例子
来说明
A
B
F AB
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
.
7
“或”运算的逻辑表达式为: F = A+B “或”运算真值表 :
第二章 逻辑门
内容提要:
(1)数字电路的基本逻辑单元——门电路,及其
对应的逻辑运算与图形描述符号 。 (2)三态逻辑门和集电极开路输出门 。 (3)TTL集成门的逻辑功能、外特性和性能参数 。 (4)CMOS集成门的逻辑功能、外特性和性能参数。
.
1
2.1 基本逻辑门
主要内容:
▪ 与、或、非三种基本逻辑运算 ▪ 与、或、非三种基本逻辑门的逻辑功能 ▪ 逻辑门真值表的列法 ▪ 画各种逻辑门电路的输出波形
“拉电流”工作状态 : “灌电流”工作状态:
扇入系数:指一个门电路所能允许的输入端个数。
扇出系数:一个门电路所能驱动的同类门电路输入 端的最大数目。
扇出系数的计算公式为:
扇出系数IOH或IOL
IIH . IIL
32
.
33
“异或”门真值表 :
A
B
F AB
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
.
17
2.2.3 同或门
“异或”运算之后再进行“非”运算,则称为“同 或”运算。实现“同或”逻辑运算的逻辑电路称为 同或门。

教育学原理,讲义第三章

教育学原理,讲义第三章

第三章教育与人的发展1.人的身心发展的涵义。

2.影响人的发展因素以及各自的发展规律。

3.青少年身心发展的规律。

4.认识人的可教育性和人对教育需要性的意义。

第一节人的身心发展的概念一、人的身心发展的涵义(识记)★★★人的身心发展包括两个方面:身体的发展(结构形态、生理机能)和心理的发展(认识能力和心理特性、知识技能和思想品德)。

1青少年身体的发展变化,是就机体的正常发育和体质的增强两个方面而言的。

2青少年心理的发展是指认识过程和个性心理发展两个方面,包括感觉、知觉、记忆、思维、想象、情感、意志、兴趣、气质、性格、能力等方面,是认识过程和个性心理统一的和谐的发展。

身体发展与心理发展相互联系。

一方面,由于心理是脑的机能,因此,身体的发展,特别是神经系统的发展支配着心理的发展;另一方面,身体的发展也受到人的认识、情感、意志等心理过程和特征的影响,其中,尤其是情感对人的身体发展影响最大。

人的身心发展的各方面因素存在着密切的相互关系,简要地说,存在以下几个方面的关系:(1)身体发展和心理发展的关系身体的发展,特别是神经系统的发展,制约着心理的发展。

身体的发展,也受到认识、情感、性格等心理过程和特性的影响。

(2)知识、技能和思想品德的关系知识技能的掌握有利于思想品德的提高。

这就是《中庸》讲的“尊德性而道问学”。

思想品德的提高也有利于知识技能的掌握。

二者不一定成正比,但从概率统计优势来看,二者是一定成正相关的。

(3)知识技能、思想品德与认识能力、心理特性发展的关系知识技能和思想品德的培养,必须在心理过程和认识能力基础上进行,必须借助于一定的心理意向或特性。

人的认识能力,心理特性或意向也要在掌握知识技能和培养思想品德的活动中得到发展。

二、关于人的发展的理论★★★1.“最近发展区”的理论前苏联著名心理学家维果茨基(1836—1934)早年曾专门研究过教学与发展的关系问题。

维果茨基所谈到的人的发展,主要是就儿童的心理和智力而言的。

判断推理系统课讲义(逻辑判断-5-组合排列)

判断推理系统课讲义(逻辑判断-5-组合排列)

判断推理系统课讲义第三章逻辑判断第五节组合排列一. 题目特征题目给出一组对象(如赵、钱、孙、李),并给出对象所具有的若干信息(如年龄、性别、职业、身高、专业等),需要对各类信息进行匹配。

例:某单位有五名业务骨干小张、小王、小赵、小丁、小李参加了一次技能测验,他们的测验成绩呈现为:小赵没有小李高,小张没有小王高,小丁不比小李低,而小王不如小赵高。

请问,小张、小王、小赵、小丁、小李测验成绩谁最高?A.小丁B.小王C.小赵D.小张(法一:张<王<赵<李≤丁;法二:排除法)二. 解题思路1.信息匹配关系:确定信息(……是……)和不确定信息(……不是……)一一匹配(对应)两者都不匹配(排除)(1)赵、钱、孙三个村子从南到北一字排开,赵村不在2 号位,钱村在3 号位请判断“孙村不在1 号位”的正误:正确(根据确定信息推不确定信息:赵1、孙2、钱3)(2)A、B、C、D、E 五人的性别为3 男2 女,A 与B 性别相同,C 与D 性别不同可知一定为女性的是:E(根据整体信息分析:A和B为男性→C、D一男一女→E为女性)(3)甲、乙、丙、丁的故乡恰好对应着中国的四个一线城市,且各不重复已知:甲或者是北京人,或者是广州人,二者必居其一北京是北方城市,深圳是南方城市如果乙不是上海人,那么甲是深圳人丁或者是广州人,或者是上海人请问丙是哪里人?2.涉及大小比较,最值信息是突破口大罗、小罗、C 罗三人分别从事的职业有医生、律师、公务员,律师年纪最大,C 罗比律师小,公务员比小罗大。

请问三人分别对应的职业为:大罗是律师,C罗是公务员,小罗是医生3.重复次数最多的信息是突破口(言多必失)(1)甲或者是北京人,或者是广州人,二者必居其一;北京是北方城市,深圳是南方城市如果乙不是上海人,那么甲是深圳人(甲非深圳人→乙是上海人)丁或者是广州人,或者是上海人人员:甲出现 2 次;乙只出现 1 次;丁只出现 1 次故乡:北上广深均出现 2 次(结果:甲是北京人,乙是上海人,丁是广州人)(2)律师年纪最大,C 罗比律师小,公务员比小罗大。

逻辑学导论(讲义)

逻辑学导论(讲义)

《逻辑学导论》教学讲义目录第一讲绪论第一节逻辑学的研究对象1�1关于“逻辑”一词1�2逻辑学是研究推理论证的学问1�3演绎与归纳第二节形式化——逻辑学研究方法的特点2�1命题、推理的形式与内容2�2推理的有效性只同形式相关2�3逻辑学研究的形式化特征第三节逻辑学理论的意义及其与相关学科的关系3�1逻辑学理论的重要意义3�2逻辑学与思维科学的关系3�3逻辑学与语言学的关系第二讲词项第一节词项概述1�1什么是词项1�2词项的逻辑特征1�3词项与语词、概念第二节词项的种类2�1单独词项与普遍词项2�2集合词项与非集合词项2�3实词项与虚词项2�4正词项与负词项第三节词项之间的关系3�1相容关系3�2不相容关系第四节明确词项的逻辑方法4�1概括与限制4�2划分4�3定义第三讲传统直言命题逻辑第一节命题概述1�1什么是命题1�2命题的逻辑特征1�3命题与语句、判断第二节传统直言命题2�1传统直言及其逻辑结构2�2直言命题的分类2�3直言命题的周延性2�4A、E、I、O之间对当关系2�5传统直言命题的文恩图解第三节直接推理3�1直言命题推理概述3�2对当关系推理3�3变形推理第四节三段论4�1什么是三段论4�2三段论的规则4�3三段论的格4�4三段论的式4�5非标准形式的三段论第四章复合命题与命题公式第一节复合命题概述1�1复合命题及其逻辑结构1�2复合命题的逻辑特征第二节复合命题的几种基本形式2�1负命题2�2联言命题2�3选言命题2�4条件命题2�5等值命题第三节命题公式与真值函数3�1命题公式3�2命题公式与真值函数第四节命题公式之间的逻辑等值关系4�1命题公式之间的逻辑等值4�2几个重要的重言等值式4�3命题公式的相互定义第五章命题逻辑第一节基本的有效推理式1�1有效推理与无效推理1�2基本的有效推理式第二节推理有效性的形式证明2�1推理有效性与命题演算2�2有效推理的形式证明2�3基本推导规则与等值替换规则2�4条件证明规则2�5间接证明规则2�6证明重言式第三节无效推理的判定3�1用真值表证明推理的无效性3�2用归谬赋值法判定推理的有效与无效3�3证明公式集合的协调性第六讲量化逻辑第一节简单命题的逻辑结构1�1个体词和谓词和单称命题1�2谓词模式、命题函数与量化命题1�3量化命题公式1�4量化命题公式的真假条件第二节量化命题的形式化2�1A、E、I、O命题的形式化2�2一般简单命题的形式化2�3多重量化命题第三节量化推理规则3�1全称例示规则�简记为U S�3�2存在概括规则�简记为E G�3�3全称概括规则�U G�3�4存在例示规则�E S�第四节无效量化推理的判定4�1量化公式的真值函项展开式4�2无效量化推理的判定第七讲规范逻辑初步第一节模态命题1�1模态词与模态命题1�2模态命题的逻辑性质第二节规范命题2�1规范命题概述2�2规范命题的逻辑形式2�3规范命题的逻辑特征第三节规范推理3�1规范对当关系推理3�2复合规范命题的推理第八讲逻辑思维的基本规则第一节同一律1�1同一律内容和要求1�2违反同一律要求产生的逻辑错误1�3同一律的作用第二节矛盾律2�1矛盾律内容和要求2�2违反矛盾律要求产生的逻辑错误2�3矛盾律的作用第三节排中律3�1排中律内容和要求3�2违反排中律要求产生的逻辑错误3�3排中律的作用3�4排中律与矛盾律的区别第一讲绪论在本讲中我们要讨论逻辑学的研究对象�逻辑学研究方法的特点�逻辑与一些相关科学的关系�以及逻辑学的学科性质及其重要应用价值。

数字电子技术基础 第3章 组合逻辑电路1PPT课件

数字电子技术基础 第3章  组合逻辑电路1PPT课件

2. 列真值表
3. 写输出表达式并化简
ABCY
YA B C A B CAC B ABC0 0 0 0 001 0
BC AB CAC B
010 0
B C A C AB 最简与或式 最简与非-与非式
011 1 100 0 101 1
YBC AC AB
110 1 111 1
BC AC AB
4. 画逻辑图 — 用与门和或门实现 YB C A C AB — 用与非门实现 YBC AC AB
统分析。
二、分析举例 [例] 分析图中所示电路的逻辑功能
A B
&
C
[解] 表达式
真值表
& ≥1 Y A B C Y A B C Y
000 1 100 0 001 0 101 0 010 0 110 0
011 0 111 1
YAB A C AB B C AB C C AB A C BC
ABC ABC
3. 列真值表
ABCD Y 0000 0 0001 1 0010 1 0011 0 0100 1 0101 0 0110 0 0111 1
ABCD Y 1000 1 1001 0 1010 0 1011 1 1100 0 1101 1 1110 1 1111 0
4. 功能说明: 当输入四位代码中 1 的个数为奇数时输出
第三章 组合逻辑电路
电子技术 数字电路部分
第三章
组合逻辑电路
第三章 组合逻辑电路
整体概况
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概况2
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概况3
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注安《安全生产管理》第三章第四五节讲义 学习笔记

注安《安全生产管理》第三章第四五节讲义 学习笔记

注安《安全生产管理》第三章第四五节讲义学习笔记全考点第四节安全评价方法一、安全评价方法分类(一)按评价结果的量化程度分类法1定性安全评价方法:根据经验?口直观判断能力对评价对象进行定性分析,如安全检查表、专家现场询问观察法、因素图分析法、事故引发和发展分析、作业条件危险性评价法(格雷厄姆-金尼法或1EC法)、故障类型和影响分析、危险可操作性研究等。

2.定量安全评价方法:运用实验结果和事故资料统计分析获得的指标或规律对评价对象进行定量的计算,如概率风险评价法、伤害(或破坏)评价法、危险指数评价法。

(记忆方法:破伤风指数)二、常用的安全评价方法(一)安全检查表方法(SCA)(定性方法)事先把检查对象加以分解,将大系统分割成若干小的子系统,以提问或打分的形式,将检查项目列表逐项检查,避免遗漏,这种表称为安全检查表,用安全检查表进行安全检查。

1安全检查表方法优点(1)检查项目系统、完整,可以做到不遗漏任何能导致危险的关键因素,因而能保证安全检查的质量。

(2)根据已有的规章制度、标准、规程等,检查执行情况,得出准确的评价。

(3)可采用提问的方式,有问有答,能使人知道如何做才是正确的,因而可起到安全教育的作用。

(4)编制安全检查表的过程,可使检查人员对系统的认识更深刻,更便于发现危险因素。

(5)对不同的检查对象、目的有不同的检查表,应用范围广。

2.安全检查表方法缺点针对不同的需要,须事先编制大量的检查表,工作量大且安全检查表的质量受(二)危险指数方法(RR)(定量方法)危险指数方法是通过对几种工艺现状及运行的固有属性(以作业现场危险度、事故概率和事故严重程度,对不同作业现场的危险性进行鉴别)进行比较计算,确定工艺危险特性、重要性,并根据评价结果,确定需要进一步评价对象的安全评价方法。

危险指数方法可以运用在工程项目的各个阶段(可行性研究、设计、运行等),可以在详细的设计方案完成之前运用,也可以在现有装置危险分析计划制定之前运用;也可用于在役装置。

数字电路教案-阎石 第三章 逻辑门电路

数字电路教案-阎石 第三章 逻辑门电路

第3章逻辑门电路3.1 概述逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。

简称门电路。

用逻辑1和0 分别来表示电子电路中的高、低电平的逻辑赋值方式,称为正逻辑,目前在数字技术中,大都采用正逻辑工作;若用低、高电平来表示,则称为负逻辑。

本课程采用正逻辑。

获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。

在数字集成电路的发展过程中,同时存在着两种类型器件的发展。

一种是由三极管组成的双极型集成电路,例如晶体管-晶体管逻辑电路(简称TTL电路)及射极耦合逻辑电路(简称ECL 电路)。

另一种是由MOS管组成的单极型集成电路,例如N-MOS逻辑电路和互补MOS(简称COMS)逻辑电路。

3.2 分立元件门电路3.3.1二极管的开关特性3.2.2三极管的开关特性NPN型三极管截止、放大、饱和3种工作状态的特点3.2.3二极管门电路1、二极管与门2、二极管或门3.2.4三极管非门3.2.5组合逻辑门电路1、与非门电路2、或非门电路3.3 集成逻辑门电路一、TTL与非门1、电路结构(1)抗饱和三极管作用:使三极管工作在浅饱和状态。

因为三极管饱和越深,其工作速度越慢,为了提高工作速度,需要采用抗饱和三极管。

构成:在普通三极管的基极B和集电极C之间并接了一个肖特基二极管(简称SBD)。

特点:开启电压低,其正向导通电压只有0.4V,比普通硅二极管0.7V的正向导通压降小得多;没有电荷存储效应;制造工艺和TTL电路的常规工艺相容,甚至无须增加工艺就可制造出SBD。

(2)采用有源泄放电路上图中的V6、R3、R6组成。

2、TTL与非门的工作原理(1)V1的等效电路V1是多发射极三极管,其有三个发射结为PN结。

故输入级用以实现A、B、C与的关系。

其等效电路如右图所示。

(2)工作原理分析①输入信号不全为1:如u A=0.3V,u B= u C =3.6V则u B1=0.3+0.7=1V,T2、T5截止,T3、T4导通忽略i B3,输出端的电位为:u Y≈5―0.7―0.7=3.6V输出Y为高电平。

数字电子技术基本教程 阎石 3逻辑门1

数字电子技术基本教程 阎石 3逻辑门1
t PHL-输出电压由高电平变为低电平时 的传输延迟时间。 t PLH-低电平变为高电平时的传输延迟 时间。 通常t PHL t PLH , 所以只给出一个tpd 参数
典型值:9nS
2.动态功耗
以反相器为例,静态时,CMOS反相 器工作在工作区AB和CD,总有一个MOS 管处于截止状态,流过的电流为极小的漏 电流。 所以静态功耗极低。
倒三角形“▽”表示逻辑门是三态输 出
EN’
A
Y
三态门的应用:
①作多路开关: E’=0时,门G1使 能,G2禁止, Y=A;E’=1时, 门G2使能,G1禁 止,Y=B。
G1 Y
②信号双向传输: E’=0时信号向右传 送,B=A;E’=1时 信号向左传送, A=B 。
③构成数据总线:让各门的控制 端轮流处于低电平,即任何时刻 只让一个TSL门处于工作状态, 而其余TSL门均处于高阻状态, 这样总线就会轮流接受各TSL门 的输出。
4000B系列部分器件
编号 CD4001B CD4002B CD4011B CD4012B CD4030B 说 明 四-2输入或非门 二-4输入或非门 四-2输入与非门 二-4输入与非门 四-2输入异或门 编号 CD4048B CD4050B CD4066B CD4069B CD4085B 说 明
六缓冲器 六双向模拟开关 六反相器 二-2-2与或非门
G (Gate):栅极 B (Substrate):衬底
以N沟道增强型为例:
当加+VDS时,
开启电压
VGS=0时,D-S间是两个背向PN结串联,iD=0 加上+VGS,且足够大至VGS >VGS (th), D-S间形成导电沟道 (N型层)
NMOS管的基本开关电路

宪法学讲义—第三章

宪法学讲义—第三章
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宪法的基本原则有四:人民 主权原则、基本人权原则、权力 制约原则和法治原则。其构成宪 法内在精神的统一体,成为现代 民主宪政体制的基本支柱,人民 主权是逻辑起点,基本人权是终 极目的,权力制约是基本手段, 法治是根本保障。
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第二节 人民主权原则
一、人民主权学说的历史发展

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种最高权力的特质,即在其不受任何人为的法律的限
制,而只受上帝的法律或自然的法律的限制
在欧洲中世纪内,封建制度盛行,教权又与君主争雄,
城市以及基尔特(职业团体)则往往享有极大的自主 权;所以政权分裂,在同一地域内,往往有数种相互 抗衡的机关或权力所在
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法国1789年《人权宣言》 (Declaration of the Rights of Man and of the Citizen) :在权利方面, 人们生来是并且始终是自由平等的。 任何政治结合的目的都在于保存人的 自然的和不可动摇的权利。这些权利 就是自由、财产、安全和反抗压迫。 凡权利无保障……的地方,就没有宪 法。
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第三节
基本人权原则
一、人权理论的历史发展
人权(human rights ; rights of man)是指作 为一个人所应该享有的权利,是一 个人为满足其生存 和发展需要而应当享有的权利。 就人权最原始的意义而言,它在本质上属于应有 权利、道德权利。 人权口号是由17、18世纪西方资产阶级启蒙思想 家最先提出的。“天赋人权”学说强调人人生而享有 自由、平等、追求幸福和财产的权利。
但也有学说认为:“国民”一般被理解为有别于具体
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半导体器件简介
• 三极管T(Triode)
– 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距 很近的PN结,两个PN结把半导体分成三部 分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和 集电区,排列方式有PNP和NPN两种
– 从三个区引出相应的电极,分别为基极b发 射极e和集电极c。
半导体器件简介
• MOS场效应管
精品
3第三章集成逻辑门
半导体器件的开关特性 和分立元件门电路
•半导体器件简介
•PN结 •二极管 •三极管 •场效应管
•半导体器件的开关特性 •第三章概述
半导体器件简介
• PN结
– 采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半 导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就 形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导 电性。
负逻辑:低电平表示 逻辑1,高电平表示0
逻辑1 +Vcc
逻辑0 +Vcc
逻辑0
0V
逻辑1
0V
获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件 的导通、截止(即开、关)两种工作状态。
1、二极管的开关特性
二极管符号: 正极
+ uD -
负极
理想开关
理想开关的特性: •开关S断开时,通过开关的电流i=0,这时开关两端点间呈现的电 阻为无穷大 •开关S闭合时,开关两端的电压v=0,这时开关两端点间呈现的电 阻为零 •开关S的接通或断开动作瞬间完成 •上述开关特性不受其他因素(如温度等)的影响
– MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效 应管,英文缩写为MOSFET(Metal-OxideSemiconductor Field-Effect-Transistor),属 于绝缘栅型。
– 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层 二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻。
场效应管
• 它也分N沟道管和P沟道管, • 它和三极管一样,也有三个引脚,分别
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PN结
• 在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一 边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电 子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电 流可以顺利通过。
• 如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则 空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区 变宽,电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。
– (PN junction)
PN结
• 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的 电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而 电离杂质(离子)是固定不动的 。
• N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。 • 当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半
导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导 体扩散。空穴和电子相遇而复合,载流子消失。因此 在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分 布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 。 • P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一 边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电 场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡。
– 必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通, 流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数 值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能 直正导通。
– 导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为 0.7V),称为二极管的“正向压降”。
• PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 , 区中电场增 强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增 大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结 烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。
半导体器件简介
• 二极管D(Diode)
– 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的 p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自 建电场。
iC R c
可变
饱和
iB> IBS 发射结正偏 集电结正偏 uBE> 0, uBC> 0
iC= ICS uCE = U CE S=
0.3V 很小, 相当开关闭合
三极管的稳态开关特性
基本单管共射电路
单管共射电路直流传输特性
二极管的稳态开关特性
二极管伏安特性
iDIseqD v /kT 1
理想二极管开关特性 二极管特性折线简化
Vi<Vth时,二极管截止,iD=0。 Vi>Vth时,二极管导通。
二极管的瞬态开、三极管的开关特性
NPN 型三极管截止、放大、饱和 3 种工作状态的特点
• 反向特性
– 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二 极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称 为反向偏置。
– 二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电 流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二 极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

– 栅极Gate,G – 源极Source,S – 漏极Drain,D
半导体器件的开关特性
逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电 路。简称门电路。
基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、 与非门、或非门、与或非门和异或门等。
逻辑0和1: 电子电路中用高、低电平来表示。
正逻辑:高电平表示 逻辑1,低电平表示0
工作状态 条件
偏置情况

作 集电极电流


ce 间 电 压
ce 间 等 效 电 阻
截止 iB= 0 发射结反偏 集电结反偏 uBE< 0, uBC< 0 iC= 0
uCE= VCC
很大, 相当开关断开
放大 0< iB< IBS 发射结正偏 集电结反偏 uBE> 0, uBC< 0 iC= β iB uCE= VCC-
– 当不存在外加电压时,处于电平衡状态。 – 当外界有正向电压偏置时,引起正向电流。 – 当外界有反向电压偏置时,形成在一定反向电压范
围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 – 当外加的反向电压高到一定程度时,产生了数值很
大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
二极管
• 正向特性
– 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极 管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
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