半导体放电管T0-92直插
半导体放电管和气体放电管的基础知识
半导体放电管和气体放电管的基础知识气体放电管的结构及特性开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数,因而工作的稳定性得不到保证.为了提高气体放电管的工作稳定性，目前的气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术，从而保证了封接的外壳与放电间隙的气密性，这就为优化选择放电管中的气体种类和压力创造了条件，气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。
气体放电管的各种电气特性，如直流击穿电压、冲击击穿电压、耐冲击电流、耐工频电流能力和使用寿命等，能根据使用系统的要求进行调整优化.这种调整往往是通过改变放电管内的气体种类、压力、电极涂敷材料成分及电极间的距离来实现的.气体放电管有二极放电管及三极放电管两种类型.有的气体放电管带有电极引线，有的则没有电极引线。
从结构上讲，可将气体放电管看成一个具有很小电容的对称开关，在正常工作条件下它是关断的,其极间电阻达兆欧级以上。
当浪涌电压超过电路系统的耐压强度时，气体放电管被击穿而发生弧光放电现象，由于弧光电压低，仅为几十伏，从而可在短时间内限制了浪涌电压的进一步上升.气体放电管就是利用上述原理来限制浪涌电压，对电路起过压保护作用的。
随着过电压的降低，通过气体放电管的电流也相应减少.当电流降到维持弧光状态所需的最小电流值以下时,弧光放电停止，放电管的辉光熄灭。
气体放电管主要用来保护通信系统、交通信号系统、计算机数据系统以及各种电子设备的外部电缆、电子仪器的安全运行.气体放电管也是电路防雷击及瞬时过压的保护元件。
气体放电管具有载流能力大、响应时间快、电容小、体积小、成本低、性能稳定及寿命长等特点；缺点是点燃电压高,在直流电压下不能恢复截止状态，不能用于保护低压电路，每次经瞬变电压作用后，性能还会下降。
半导体放电管也称固体放电管是一种PNPN元件,它可以被看作一个无门电极的自由电压控制的可控硅，当电压超过它的断态峰值电压或称作雪崩电压时，半导体放电管会将瞬态电压箝制到元件的开关电压或称转折电压值之内。
三种类型的放电管性能比较
左右，在它未导通前，会有一个幅度较大的尖脉冲漏过去。
若要抑制这个尖脉冲，有以下几种方法：a、在放电管上并联电容器或压敏电阻；b、在放电管后串联电感或留一段长度适当的传输线，使尖脉冲衰减到较低的电平；c、采用两级保护电路，以放电管作为第一级，以TVS管或半导体过压保护器作为第二级，两级之间用电阻、电感或自恢复保险丝隔离。
2、陶瓷气体放电管击穿电压一致性较差，离散性较大，误差为±20%。
一般不作并联使用。
3、直流击穿电压（DC-Spark-over Voltage）的选择：直流击穿电压的最小值应大于被保护线路的最大工作电压的1.2倍以上。
4、脉冲击穿电压（Impulse Spark-over Voltage）的选择：脉冲击穿电压要考虑浪涌防护等级，例如采用10/700μs的波形试验电压4000V，GDT的脉冲击穿电压要小于4000V，这样在测试时GDT才能导通，起到保护作用。
单纯从线路保护来讲，脉冲击穿电压越低，线路保护效果越好。
实际上，选定了GDT的直流击穿电压，它的脉冲击穿电压也随之确定了。
5、冲击放电电流（通流量）的选择：要根据线路上可能出现的最大浪涌电流或需要防护的最大浪涌电流来选择。
6、续流问题：为了使放电管在冲击击穿后能正常熄弧，在有可能出现续流的地方（如有源电路中），可以在放电管上串联压敏电阻或自恢复保险丝等限制续流，使它小于放电管的维持电流。
二、玻璃气体放电管：SPG（Spark Gap Protectors），玻璃气体放电管，也称强效气体放电管。
1、反应速度快（与陶瓷气体放电管不同，不存在冲击击穿的滞后现象）。
SPG 内部由半导体硅集成，在动作时，当外加电压增大至超过惰性气体的绝缘强度后，由于半导体硅的不稳定性作用，会使两极间的放电发展更为迅速。
因此：玻璃气体放电管的反应速度比陶瓷气体放电管要快。
2、通流容量较陶瓷气体放电管小得多。
3、击穿电压尚未形成系列值。
4、击穿电压分散性较大，为±20%。
protel中常用元器件对应的封装库汇总
Protel 99 SE 常用元件原理库及封装属性对照Protel 99 SE 常用元件原理库及封装属性对照元件类别 元件形式原理图库中名称 封装属性 备注说明 电阻针插式RES1～RES4 AXIAL0.3～AXIAL0.7 后缀表示两焊盘间距（电阻的长度）一般用AXIAL0.4 表贴式 0603、0805、1206等 数值与电阻值无关，表示电阻尺寸，尺寸与最大功率有关（见附表一） 无极电容(瓷片电容) 针插式 CAP RAD0.1～RAD0.4 后缀表示两焊盘间距；一般用RAD0.1 表贴式 与表贴式电阻相同有极电容(电解电容) 针插式 ELECTRO RB.1/.2～RB.4/.8 “.1”为焊盘间距，“.2”为电容圆筒的外径。
一般电容值<100uF 时用RB.1/.2；100uF ～470uF 时用RB.2/.4,；>470uF 用时RB.3/.6。
表贴式 见附表二 由于其紧贴电路板，要求温度稳定性高，一般用钽电容为多电位器 POT1、POT2等VR1～VR5 二极管 表贴式 DIODEDIODE0.4和DIODE0.7 0.4和0.7指二极管的长短，与功率也有关系，DIODE0.4是小功率二极管，DIODE0.7是大功率二极管，一般用DIODE0.4。
肖特基二极管 DIODESCHOTTK Y隧道二极管 DUIDE TUNNEL 变容二极管 DIODE VARCTOR 稳压二极管ZENER1～3发光二极管 针插式 LED RAD0.1～RAD0.4或RB.1/.2 颜色有红、黄、绿、蓝之分，亮度为普亮、高亮和超亮三个等级 表贴式 0805、1206、1210三极管 普通三极管 NPN/NPN 1 PNP/PNP1 TO18 TO92A大功率的用TO-3，中功率的，如果扁平的用TO-220，如果金属壳的，用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5、TO-46、TO-92A 等大功率三极管 TO220H 大功率达林顿管TO3 场效应管 N 沟道J 型 JFET N与三极管封装相同P 沟道J 型 JFET P N 沟道MOS 型 M OSFETN P 沟道MOS 型 M OSEFTP 整流桥 BRIDGE1 D-44 D-37 D-46封装属性一般为D 系列（D-44、D-37、D-36） BRIDGE2 集成元件 单排多针插座CON 系列 CON1～CON60 SIP-2～SIP20 双列直插元件（针插式） DIP 系列(DIP8-DIP40) ８－４０指有多少脚 常用名称据功能不同而不同串并口类DB 系列 DB 和MD 系列 石英晶振CRYSTAL XTAL1 电源稳压块 78 和79 系列 TO －126H 和TO-126V 78 系列如7805，7812，7820 等79 系列如7905，7912，7920 等附表一：封装 尺寸（mm ） 对应功率（W ）0201 0.5× 1/200402 1.0×0.5 1/160603 1.6×0.8 1/100805 2.0×1.2 1/81206 3.2×1.6 1/4附表二：类型 封装形式 耐压A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V常用元器件都在protel DOS schematic 里此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件)protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件)protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类）protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类)protel DOS schematic Linear （一些线性器件如555等）protel DOS schematic TTL（74序列的元件）1. 电阻：电阻元件在原理图中名称为RES1、RES2、RES3、RES4。
防护器件(GDT TSS TVS)
4、根据防护电路工作频率确定TVS管结电容: 根据防护电路的速率来确定能够加在线路上的最大对地电容，一般来讲对于线路
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TVS管器件特性：
瞬态抑制二极管的特点是作用时间短.电压幅度高.瞬态能 量大,瞬态电压叠加在电路的工作电压上会造成电路的” 过电压”而损坏。TVS是半导体硅材料制造的特殊二极管, 它与电路并联使用,电路正常时TVS处于关断状态呈现高阻 抗,当有浪涌冲击电压时能以nS量级的速度从高阻抗转变 为低阻抗吸收浪涌功率,使浪涌电压通过其自身到地,从而 保护电路不受侵害。
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GDT工作模式
陶瓷气体放电管——一种开关型元件
外加过电压
正常高阻态
进入辉光状态
电流增加
进入弧光状态
外加过电压消 失；电流降低
进入辉光状态
无持续电流
恢复高阻状态
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V-t曲线图
G 辉光放电区(Glow mode range） A/B 弧光放电区(Arc mode range)
半导体放电管简介及特性
半导体放电管是一种小型化、快反应速度和高可靠性的电力电子半导体器件，它具有 五层双端对称结构的设计。 相对于其他浪涌抑制器件，半导体放电管的优势在于： 1）、反应速度快<1nS，残压低； 2）、可靠性高，参数一致性好； 3）、使用寿命长，可长时间重复使用； 4）、结电容相对较低，可应用在高速传输设备上。
放电管原理
放电管原理
放电管是一种用于控制电流的元件，它的工作原理主要是基于气体放电的现象。
当电压加在放电管两端时，气体中的自由电子会受到电场的作用而加速，当它们的能量达到一定程度时，就会与气体原子碰撞，使得原子内部的电子被激发出来，形成等离子体。
这种等离子体的存在导致了气体的电导率增加，从而使得电流得以通过。
放电管的工作原理可以分为导通和截止两种状态，下面将详细介绍这两种状态下的工作原理。
首先，当放电管处于导通状态时，电压加在放电管两端时，气体中的自由电子
会受到电场的作用而加速，当它们的能量达到一定程度时，就会与气体原子碰撞，使得原子内部的电子被激发出来，形成等离子体。
这种等离子体的存在导致了气体的电导率增加，从而使得电流得以通过。
这时放电管处于导通状态，电流可以顺利通过放电管。
其次，当放电管处于截止状态时，电压加在放电管两端时，气体中的自由电子
受到电场的作用，但它们的能量不足以激发气体原子内部的电子，导致等离子体无法形成，气体的电导率不会增加，电流无法通过放电管。
这时放电管处于截止状态，电流无法通过放电管。
总结来说，放电管的工作原理是基于气体放电现象的，当电压加在放电管两端时，会导致气体中的自由电子受到电场的作用而加速，形成等离子体，从而影响气体的电导率，使得电流能够通过放电管。
通过控制电压的大小和极性，可以实现放电管的导通和截止两种状态，从而实现对电流的控制。
在实际应用中，放电管被广泛应用于保护电路、气体放电灯、气体放电波导等
领域，其工作原理的深入理解对于电子工程师和电路设计人员来说至关重要。
希望本文所介绍的放电管工作原理能够对读者有所帮助，谢谢！。
放电管原理及选型使
放电管的原理及选型使１、产品简述陶瓷气体放电管（ＧaｓTuｂｅ）是防雷保护设备中应用最广泛的一种开关器件，无论是交直流电源的防雷还是各种信号电路的防雷,都可以用它来将雷电流泄放入大地。
其主要特点是:放电电流大,极间电容小（≤3pF）,绝缘电阻高（≥１09Ω）,击穿电压分散性较大（±２0%），反应速度较慢(最快为０.1～0．2μs）。
按电极数分，有二极放电管和三极放电管(相当于两个二极放电管串联）两种。
其外形为圆柱形,有带引线和不带引线两种结构形式（有的还带有过热时短路的保护卡)。
2、工作原理气体放电管由封装在充满惰性气体的陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成。
其电气性能基本上取决于气体种类、气体压力以及电极距离，中间所充的气体主要是氖或氩,并保持一定压力,电极表面涂以发射剂以减少电子发射能。
这些措施使得动作电压可以调整（一般是7０伏到几千伏),而且可以保持在一个确定的误差范围内。
当其两端电压低于放电电压时,气体放电管是一个绝缘体(电阻Roｈm＞1０0ＭΩ）。
当其两端电压升高到大于放电电压时，产生弧光放电,气体电离放电后由高阻抗转为低阻抗,使其两端电压迅速降低，大约降几十伏。
气体放电管受到瞬态高能量冲击时,它能以１0－６秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗，通过高达数十千安的浪涌电流。
3、特性曲线Vs导通电压，Vg辉光电压，Vf弧光电压,Va熄弧电压4、主要特性参数①直流击穿电压Vsdc：在放电管上施加1０0V/s的直流电压时的击穿电压值。
这是放电管的标称电压,常用的有90V、15０V、230Ｖ、３50Ｖ、４70V、6０0V、８０0Ｖ等几种，我们有最高３0０0V、最低70Ｖ的。
其误差范围：一般为±2０%,也有的为±1５%。
②脉冲(冲击）击穿电压Vsi：在放电管上施加1kV/μs的脉冲电压时的击穿电压值。
因反应速度较慢,脉冲击穿电压要比直流击穿电压高得多。
陶瓷气体放电管对低上升速率和高上升速率电压的响应如下图所示。
P0080TA半导体放电管
固体放电管（半导体放电管）是基于可控硅的原理和结构的一种二端负阻器件，用于保护敏感易损的集成电路，使之免遭雷电和突波的冲击而造成的损坏。
它采用了先进的离子注入技术，具有精确导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、可靠性高等特点;广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、电话机、传真机、配线架、XDSL、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域，以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。
在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天，固态放电管已成为世界通讯设备的首选器件。
SEMIWILL半导体放电管P0080TA(SMA封装)：1）产品优点：浪涌吸收能力强（10/700uS:2KV）⌝精确导通、快速响应耐压高，漏电流低⌝可靠性高标准SMA封装符合RoHS环保要求包装方式：卷盘包装4000PCS/盘12000PCS/箱2）应用领域：1、安防领域室内监控系统的雷击防护2、xDSL、Cable Modem、以太网等的雷击防护3、其他领域的雷击防护3）PXXXXTA全系列产品：P0080TA、P0300TA、P0640TA、P1300TA、P1800TA、P2600TA、P3100TA、P3500 TA、P4200TA等作为全球领先的专业半导体分立器件生产厂家，望爵半导体科技（SEMIWILL SEMICONDUCT OR INC.）为您提供最优质的元器件产品，包括半导体放电管（Thyristor Surge Suppressors）、陶瓷气体放电管(Gas Discharge Tubes)、瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressors)、静电保护器（EletroStatic Protection Devices）和可控硅产品（Thyristor）等，同时我们为您提供最新的行业解决方案以及免费的测试验证服务等。
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放电管介绍及选型(详解)
放电管特性及选用吴清海放电管的分类放电管主要分为气体放电管和半导体放电管，其中气体放电管由烧结的材料不同分为玻璃气体放电管和瓷气体放电管，玻璃气体放电管和瓷气体放电管具有相同的特性。
气体放电管主要有密封的惰性气体组成，由金属引线引出，用瓷或是玻璃进行烧结。
其工作原理为，当加在气体放电管两端的电压达到气体电离电压时，气体放电管由非自持放电过度到自持放电，放电管呈低阻导通状态，可以瞬间通过较大的电流，气体放电管击穿后的维持电压可以低到30V以。
气体放电管同流量大，但动作电压较难控制。
半导体放电管由故态的四层可控硅结构组成，当浪涌电压超过半导体放电管的转折电压V BO时放电管开始动作，当放电管动作后在返送装置，的作用下放电管两端的电压维持在很低（约20V以下）时就可以维持其在低阻高通状态，起到吸收浪涌保护后级设备的作用。
半导体放电管的保护机理和应用方式和气体放电管相同。
半导体放电管动作电压控制精确，通流量较小。
放电管动作后只需要很低的电压即可维持其低阻状态，所以放电管属于开关型的SPD。
当正常工作时放电管上的漏电流可忽略不计；击穿后的稳定残压低，保护效果较好；耐流能力较大；在使用中应注意放电管的续流作用遮断，在适当场合中应有有效的续流遮断装置。
气体放电管气体放电管：气体放电管由封装在小玻璃管或瓷管中相隔一定距离的两个电极组成；其电气性能主要取决于气体压力，气体种类，电极距离和电极材料；一般密封在放电管中的气体为高纯度的惰性气体。
放电管主要由：电极、瓷管(玻璃管)、导电带、电子粉、Ag-Cu焊片和惰性气体组成。
在放电管的两电极上施加电压时，由于电场作用，管初始电子在电场作用下加速运动，与气体分子发生碰撞，一旦电子达到一定能量时，它与气体分子碰撞时发生电离，即中性气体分子分离成电子和阳离子，电离出来的电子与初始电子在行进过程中还要不断地再次与气体分子碰撞发生电离，从而电子数按几何级数增加，即发生电子雪崩现象，另外，电离出来的阳离子也在电场作用下向阴极运动，与阴极表面发生碰撞，产生二次电子，二次电子也参加电离作用，一旦满足： r(ead-1)=1 时放电管由非自持放电过渡到自持放电，管气体被击穿，放电管放电，此时放电电压称为击穿电压Vs。
放电管工作原理范文
放电管工作原理范文放电管（Discharge Tube）是一种能够在抽空气体环境中产生放电现象的器件。
它由玻璃或金属封装的两个电极和一个装有特定气体的容器构成。
当加在放电管两极之间的电压超过一些阈值时，就会引发气体放电现象，产生亮光或发出特定的辐射。
放电管的工作原理可以从气体放电的过程中进行解释。
气体放电是一种电流通过气体时，气体分子发生碰撞而产生的离子化和电子的再结合过程。
当放电管两极之间的电压低于一些阈值时，气体中的分子相互之间的碰撞并不足以使气体分子电离。
此时，放电管处于非放电状态，电流十分微弱。
然而，当电压逐渐增加，当电场强度达到气体击穿电场强度时，气体分子会发生碰撞电离。
这些电离的电子和正离子形成了与电极之间的导电通道。
这个导电通道上的电子会沿着电场方向移动，并与气体分子发生碰撞。
在碰撞的过程中，电子会失去能量，当电子能量降低到激发态的能量级时，它们会释放出光子，这就产生了放电管中的亮光。
放电管中的亮光可以根据放电管内气体的种类和压强来产生不同的颜色。
例如，氖放电管中的亮光大多是红色的，氩放电管中亮光主要是蓝色的。
放电管还可以根据放电条件的不同，产生不同的辐射形式。
例如，在放电过程中，频率高速振荡的正、负离子也可以产生电磁波辐射，这种辐射被称为电离辐射。
此外，放电管还可以根据不同的工作方式分类。
常见的放电管有阴极射线管、气体放电管和高辐射放电管。
阴极射线管主要是利用电场控制电子的运动，通过操纵电场以及附带的镜片和阴极发射电子，从而控制阴极射线的位置和强度。
气体放电管主要是利用气体的电离辐射产生亮光效应。
而高辐射放电管则是通过气体中的正离子、电子的碰撞，使得放电管内的辐射强度达到很高的水平。
总结起来，放电管的工作原理是利用电场强度高于气体的击穿电场强度，使气体分子发生碰撞电离的过程，从而产生亮光和辐射。
放电管的工作原理不仅可以解释放电管产生亮光的原因，还可以用于制造各种不同种类的放电管，满足不同的应用需求。
2SK系列场效应管参数（18）
2SK系列场效应管参数（18）发布时间：2009-02-14 15:20:31 来源：资料室作者：WHGUY LOIU 更新20181224 210303 2SK N-CHANNELPOWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换型号Drain-to-SourceVoltage漏极到源极电压StaticDrain-SourceOn-StateResistance静态漏源通态电阻ContinuousDrainCurrent连续漏电流(TC=25℃)PD TotalPowerDissipation总功率耗散(TC=25℃）Package封装ToshibaReplacement替换东芝型号Note注意Vender供应商VDSS RDS(ON)ID PD(V)(ohm)欧姆(A)(W)2SK2700900 4.33TO-220IS2SK2700A Toshiba 2SK2717900 2.55TO-220IS2SK2717A Toshiba 2SK2718900 6.4 2.5TO-220IS2SK2718A Toshiba 2SK2719900 4.33TO-3P(N)2SK2719A Toshiba 2SK273390091TO-220AB2SK2733A Toshiba 2SK2741600.165SP2SK2741A Toshiba 2SK27421000.353SP2SK2742A Toshiba 2SK2744500.0245TO-3P(N)2SK2744A Toshiba 2SK2745500.009550TO-3P(N)2SK2745A Toshiba 2SK2746800 1.77TO-3P(N)2SK2746A Toshiba 2SK274990027TO-3P(N)2SK2749A Toshiba 2SK2750600 2.2 3.5TO-220IS2SK2750A Toshiba 2SK27765000.858TO-220FL/SM2SK2776A Toshiba 2SK2777600 1.256TO-220FL/SM2SK2777A Toshiba 2SK2782600.05520DP2SK2782A Toshiba 2SK27891000.08527TO-220FL/SM2SK2789A Toshiba 2SK28352000.85TPS2SK2835A Toshiba 2SK283660091SP2SK2836A Toshiba 2SK28375000.2720TO-3P(N)2SK2837A Toshiba 2SK2838400 1.2 5.5TO-220FL/SM2SK2838A Toshiba 2SK2839300.0410SP2SK2839A Toshiba 2SK28402501 4.5TO-220IS2SK2840A Toshiba 2SK28414000.5510TO-220AB2SK2841A Toshiba 2SK28425000.5212TO-220IS2SK2842A Toshiba 2SK28436000.7510TO-220IS2SK2843A Toshiba 2SK2844300.0235TO-220AB2SK2844A Toshiba 2SK284590091DP2SK2845A Toshiba 2SK284660052TPS2SK2846A Toshiba 2SK2847900 1.48TO-3P(N)IS2SK2847A Toshiba 2SK28591000.42SOP-8(Single)Sanyo 2SK286250032TO-220IS2SK2862A Toshiba2SK286560052POWER2SK2865A Toshiba2SK2883800 3.63TO-220FL/SM2SK2883A Toshiba 2SK2884800 2.25TO-220FL/SM2SK2884A Toshiba 2SK2886500.0245TO-220IS2SK2886A Toshiba 2SK28896000.7510TO-220FL/SM2SK2889A Toshiba 2SK29142500.58.5TO-220AB2SK2914A Toshiba 2SK29156000.416TO-3P(N)2SK2915A Toshiba 2SK29165000.414TO-3P(N)IS2SK2916A Toshiba 2SK29175000.2718TO-3P(N)IS2SK2917A Toshiba2SK29202000.85POWERMOLD2SK2920A Toshiba2SK29494000.5510TO-220FL/SM2SK2949A Toshiba 2SK29524000.558.5TO-220IS2SK2952A Toshiba 2SK29536000.415TO-3P(N)IS2SK2953A Toshiba 2SK2961600.272TO-92MOD2SK2961A Toshiba 2SK29621000.71TO-92MOD2SK2962A Toshiba 2SK29631000.71POWER-MINI2SK2963A Toshiba 2SK2964300.172POWER-MINI2SK2964A Toshiba 2SK29652000.2611TO-220IS2SK2965A Toshiba 2SK29662500.3210TO-220IS2SK2966A Toshiba 2SK29672500.0730TO-3P(N)2SK2967A Toshiba 2SK2968900 1.2510TO-3P(N)2SK2968A Toshiba 2SK2985600.005845TO-220IS2SK2985A Toshiba 2SK2986600.005845TO-220FL/SM2SK2986A Toshiba 2SK2987600.005870TO-3P(N)2SK2987A Toshiba 2SK2989500.155TO-92MOD2SK2989A Toshiba 2SK2991500 1.55TO-220FL/SM2SK2991A Toshiba 2SK2992200 3.51POWER-MINI2SK2992A Toshiba 2SK29932500.1120TO-220FL/SM2SK2993A Toshiba 2SK29952500.0730TO-3P(N)IS2SK2995A Toshiba 2SK2996600110TO-220IS2SK2996A Toshiba 2SK29978008 1.5DP2SK2997A Toshiba 2SK2998500180.5TO-92MOD2SK2998A Toshiba 2SK3017900 1.258TO-3P(N)IS2SK3017A Toshiba 2SK3051600.0345TO-220FL/SM2SK2266A Toshiba 2SK306760052TO-220IS2SK3067A Toshiba 2SK30685000.5212TO-220FL/SM2SK3068A Toshiba 2SK3085600 2.2 3.5TO-220AB2SK3085A Toshiba 2SK3088900 4.33TO-220FL/SM2SK3088A Toshiba 2SK3089300.0340TO-220FL/SM2SK3089A Toshiba 2SK3090300.0245TO-220FL/SM2SK3090A Toshiba 2SK31175000.2720TO-3P(SM)2SK3117A Toshiba 2SK3125300.00760TO-3P(SM)2SK3125A Toshiba 2SK31264500.6510TO-220IS2SK3126A Toshiba 2SK3127300.01145TO-220FL/SM2SK3127A Toshiba 2SK3128300.01160TO-3P(N)2SK3128A Toshiba 2SK31762000.05230TO-3P(N)2SK3176A Toshiba105来顶⼀下返回⾸页18/18⾸页2SK N-CHANNELPOWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压 Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current连续漏电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package封装Toshiba Replacement 替换东芝型号 Note 注意Vender 供应商VDSS RDS(ON) ID PD (V) (ohm)欧姆(A) (W)2SK11191000 3.8 4TO-220AB 2SK1119 AToshiba2SK11201000 1.8 8TO-3P(N) 2SK1120 AToshiba2SK13591000 3.8 5TO-3P(N) 2SK1359 AToshiba2SK13651000 1.8 7TO-3P(N)IS 2SK1365 AToshiba2SK14891000 1 12TO-3P(L) 2SK1489 AToshiba2SK19301000 3.8 42SK217360 0.017 50TO-3P(N) 2SK2173 AToshiba 2SK2200100 0.35 3TPS 2SK2200 AToshiba 2SK2201100 0.35 3POWER MOLD 2SK2201 AToshiba 2SK222960 0.16 5TPS 2SK2229 AToshiba 2SK223160 0.16 5POWER MOLD 2SK2231 AToshiba 2SK223260 0.046 25TO-220IS 2SK2232 AToshiba 2SK223360 0.03 45TO-3P(N) 2SK2233 AToshibaTO-220FL/SM 2SK2266 AToshiba 2SK226760 0.011 60TO-3P(L) 2SK2267 AToshiba 2SK2274700 1.7 5TO-220IS 2SK2274 AToshiba 2SK231160 0.046 25TO-220FL/SM 2SK2311 AToshiba 2SK231260 0.017 45TO-220IS 2SK2312 AToshiba 2SK231360 0.011 60TO-3P(N) 2SK2313 AToshiba 2SK2314100 0.085 27TO-220AB 2SK2314 AToshiba 2SK2350200 0.4 8.5 TO-220IS 2SK2350 A Toshiba200 0.18 15 TO-220IS 2SK2382 A Toshiba2SK238560 0.03 36 TO-220IS 2SK2385 A Toshiba2SK2389700 1.7 5 TO-220AB 2SK2389 A Toshiba2SK2391100 0.085 20 TO-220IS 2SK2391 A Toshiba2SK239860 0.03 45 TO-3P(N) 2SK2233 A Toshiba2SK2399100 0.23 5 POWER MOLD 2SK2399 A Toshiba 2SK2400100 0.23 5 TPS 2SK2400 A Toshiba2SK2401200 0.18 15 TO-220FL/SM 2SK2401 A Toshiba 2SK2417250 0.5 7.5 TO-220IS 2SK2417 A Toshiba2SK244020 0.038 6 SOP-8(Single) TPC8008 A Sanyo 2SK244120 0.032 7 SOP-8(Single) TPC8008 A Sanyo 2SK244230 0.029 7 SOP-8(Single) TPC8006-H A Sanyo 2SK244560 0.018 50 TO-3P(N) 2SK2445 A Toshiba2SK2466100 0.046 30 TO-220IS 2SK2466 A Toshiba2SK249316 0.1 5 POWER MOLD 2SK2493 A Toshiba 2SK250750 0.046 25 TO-220IS 2SK2507 A Toshiba500 0.85 8 TO-220IS 2SK2543 A Toshiba2SK2544600 1.25 6 TO-220AB 2SK2544 A Toshiba2SK2545600 1.25 6 TO-220IS 2SK2545 A Toshiba2SK254916 0.29 2 POWER-MINI 2SK2549 A Toshiba 2SK255050 0.03 45 TO-3P(N) 2SK2550 A Toshiba2SK255150 0.011 50 TO-3P(N) 2SK2551 A Toshiba2SK255630 0.04 6 SOP-8(Single) TPC8006-H A Sanyo 2SK255730 0.037 7 SOP-8(Single) TPC8006-H A Sanyo 2SK2598250 0.25 13 TO-220FL/SM 2SK2598 A Toshiba 2SK2599500 3 2 TPS 2SK2599 A Toshiba2SK2600500 0.85 8 TO-3P(N)IS 2SK2600 A Toshiba2SK2601500 1 10 TO-3P(N) 2SK2601 A Toshiba2SK2602600 1.25 6 TO-3P(N) 2SK2602 A Toshiba2SK2603800 3.6 3 TO-220AB 2SK2603 A Toshiba2SK2604800 2.2 5 TO-3P(N) 2SK2604 A Toshiba2SK2605800 2.2 5 TO-220IS 2SK2605 A Toshiba900 4.3 3 TO-220AB 2SK2608 A Toshiba2SK2610900 2.5 5 TO-3P(N) 2SK2610 A Toshiba2SK2611900 1.4 9 TO-3P(N) 2SK2611 A Toshiba2SK26131000 1.7 8 TO-3P(N) 2SK2613 A Toshiba2SK261450 0.046 20 DP 2SK2614 A Toshiba2SK261560 0.37 2 POWER-MINI 2SK2615 A Toshiba2SK263720 0.025 8 SOP-8(Single) TPC8008 A Sanyo2SK2661500 1.5 5 TO-220AB 2SK2661 A Toshiba2SK2662500 1.5 5 TO-220IS 2SK2662 A Toshiba2SK2679400 1.2 5.5 TO-220IS 2SK2679 A Toshiba2SK2698500 0.4 15 TO-3P(N) 2SK2698 A Toshiba2SK2699600 0.65 12 TO-3P(N) 2SK2699 A Toshiba' href='/diode/863_17.htm'>上⼀页2SK POWER MOSFET功率场效应管型号参数替换型号⼚家⽤途构造沟道漏源极电压(V)漏极电流(A)最⼤功耗(W)封装形式 2SK2251-01 富⼠电机 SW-Reg, UPS, DDC, A MOS N 250 2 20 4-234 2SK2252-01L, S 富⼠电机 SW-Reg, UPS, DDC, A MOS N 250 8 50 4-389 2SK2253-01M 富⼠电机 SW-Reg, UPS, DDC, A MOS N 250 8 20 4-390 2SK2254-01L, S 富⼠电机 SW-Reg, UPS, DDC, A MOS N 250 18 80 4-3892SK2255-01M 富⼠电机 SW-Reg, UPS, DDC, A MOS N 250 18 50 4-390 2SK2256-01 富⼠电机 SW-Reg, UPS, DDC, A MOS N 250 18 80 4-234 2SK2257-01 富⼠电机 SW-Reg, UPS, DDC, A MOS N 500 17 150 4-186 2SK2258-01 富⼠电机 SW-Reg, UPS, DDC, A MOS N 1000 4 100 4-186 2SK2259-01M 富⼠电机 - MOS N 60 40 40 4-390 2SK2264 ⽇⽴ LF/RF A, HS SW MOS N 350 5 100 4-149 2SK2265 ⽇⽴ LF/RF A, HS SW MOS N 400 5 100 4-149 2SK2266东芝 HS SW, DDC MOS N 60 45 65 4-341 2SK2267 东芝 HS SW, DDC MOS N 60 60 150 4-元 HS SW MOS N 60 10 15 4-290 2SK2282 新电元 HS SW MOS N 60 10 30 4-383 2SK2283新电元 HS SW MOS N 60 10 20 4-304 2SK2284 新电元 HS SW MOS N 60 15 40 4-3832SK2285 新电元 HS SW MOS N 60 15 25 4-304 2SK2286 新电元 HS SW MOS N 60 20 50 4-383 2SK2287 新电元 HS SW MOS N 60 20 30 4-304 2SK2288 新电元 HS SW MOS N 60 30 60 4-383 2SK2289 新电元 HS SW MOS N 60 30 40 4-304 2SK2290 新电元 HS SW MOS N 60 45 60 4-383 2SK2291 新电元 HS SW MOS N 60 45 50 4-304 2SK2311 东芝 HS SW, SW-Reg, DDC MOS N 60 25 40 4-341 2SK2312 东芝 HS SW, DDC MOS N 60 45 45 4-335 2SK2313 东芝 HS SW, DDC MOS N 60 60 150 4-184 2SK2315 ⽇⽴ HS PSW MOS N 60 ±2 1 4-2952SK2316 三洋 - MOS N 20 2 3.5 4-252 2SK2317 三洋 - MOS N 20 4 20 - 2SK2318 三洋 - MOS N 20 12 30 - 2SK2319 东芝 HS SW, SW-Reg, DDC MOS N 800 7 90 4-388 2SK2320 东芝 HS SW, SW-Reg, DDC MOS N 800 8.5 90 4-388 2SK2322(L)(S) ⽇⽴ HS PSW MOS N 60 15 50 4-294 2SK2328 ⽇⽴ HS PSW MOS N 650 7 75 4-116B 2SK2329(L)(S) ⽇⽴ HS PSW MOS N 30 10 20 4-377, 378 2SK2330(L)(S) ⽇⽴ HS PSW MOS N 500 15 100 4-379, 380 2SK2333 新电元 HS SW MOS N 700 6 50 4-304 2SK2334(L)(S) ⽇⽴ HS PSW MOS N 60 20 30 4-377, 378 2SK2341 NEC - MOS N 250 ±11 35 4-304 2SK2344 三洋 HS SW MOS N 20 7 2 4-3862SK2345 ⽇⽴ HS PSW MOS N 350 6 35 4-292 2SK2346 ⽇⽴ HS PSW MOS N 60 20 25 4-292 2SK2353 NEC - MOS N 450 ±4.5 30 4-304 2SK2354 NEC - MOS N 500 ±4.5 30 4-3042SK2355 NEC - MOS N 450 ±5 50 4-287 2SK2356 NEC - MOS N 500 ±5 50 4-287 2SK2357 NEC - MOS N 450 ±6 35 4-304 2SK2358 NEC - MOS N 500 ±6 35 4-304 2SK2359 NEC -MOS N 450 ±7 75 4-287 2SK2360 NEC - MOS N 500 ±7 75 4-287 2SK2361 NEC - MOS N 450 ±10 100 4-253 2SK2362 NEC - MOS N 500 ±10 100 4-253 2SK2363 NEC - MOS N 450±10 35 4-304 2SK2364 NEC - MOS N 500 ±10 35 4-304 2SK2365 NEC - MOS N 450 ±12 75 4-287 2SK2366 NEC - MOS N 500 ±12 75 4-287 2SK2367 NEC - MOS N 450 ±15 120 4-253 2SK2368 NEC - MOS N 500 ±15 120 4-253 2SK2369 NEC - MOS N 450 ±20 120 4-2532SK2370 NEC - MOS N 500 ±20 120 4-253 2SK2371 NEC - MOS N 450 ±25 160 4-2532SK2372 NEC - MOS N 500 ±25 160 4-253 2SK2373 ⽇⽴ HS PSW MOS N 30 0.2 0.15 4-185B 2SK2376 东芝 HS SW, DDC MOS N 60 45 100 4-341 2SK2390 ⽇⽴ HS PSW MOS N 60 12 20 4-376 2SK2393 ⽇⽴ HS PSW MOS N 1500 8 200 4-296 2SK2394 三洋 RF LN A J N 15 10m 200m 4-126A 2SK2395 三洋 RF LN A J N 15 10m 300m 4-157A 2SK2408 ⽇⽴ HS PSW MOS N 500 7 60 4-116B 2SK2418(L)(S) ⽇⽴ HS PSW MOS N 20 7 20 4-377, 3782SK2423 ⽇⽴ HS PSW MOS N 450 7 35 4-376 2SK2424 ⽇⽴ HS PSW MOS N 450 8 35 4-376 2SK2425 ⽇⽴ HS PSW MOS N 250 7 30 4-376 2SK2426 ⽇⽴ HS PSW MOS N 250 12 35 4-376 2SK2431 ⽇⽴ HS PSW MOS N 450 3 25 4-376 2SK2441 三洋 HS SW MOS N 20 7 2 4-385 2SK254 NEC CATV Tuner MOS N 18 25m 130m 4-352' href='/diode/863_16.htm'>162SK N-CHANNELPOWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压 Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current连续漏电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package封装Toshiba Replacement 替换东芝型号 Note 注意Vender 供应商VDSS RDS(ON) ID PD (V) (ohm)欧姆(A) (W)2SK11191000 3.8 4TO-220AB 2SK1119 AToshiba2SK11201000 1.8 8TO-3P(N) 2SK1120 A1000 3.8 5TO-3P(N) 2SK1359 AToshiba 2SK13651000 1.8 7TO-3P(N)IS 2SK1365 AToshiba 2SK14891000 1 12TO-3P(L) 2SK1489 AToshiba 2SK19301000 3.8 4TO-220FL/SM 2SK1930 AToshiba 2SK217360 0.017 50TO-3P(N) 2SK2173 AToshiba 2SK2200100 0.35 3TPS 2SK2200 AToshiba 2SK2201100 0.35 3POWER MOLD 2SK2201 AToshiba 2SK2229TPS 2SK2229 AToshiba 2SK223160 0.16 5POWER MOLD 2SK2231 AToshiba 2SK223260 0.046 25TO-220IS 2SK2232 AToshiba 2SK223360 0.03 45TO-3P(N) 2SK2233 AToshiba 2SK226660 0.03 45TO-220FL/SM 2SK2266 AToshiba 2SK226760 0.011 60TO-3P(L) 2SK2267 AToshiba 2SK2274700 1.7 5TO-220IS 2SK2274 AToshiba 2SK231160 0.046 25TO-220FL/SM 2SK2311 AToshiba60 0.017 45TO-220IS 2SK2312 AToshiba 2SK231360 0.011 60TO-3P(N) 2SK2313 AToshiba 2SK2314100 0.085 27TO-220AB 2SK2314 AToshiba 2SK2350200 0.4 8.5 TO-220IS 2SK2350 A Toshiba2SK237660 0.017 45 TO-220FL/SM 2SK2376 A Toshiba2SK2381200 0.8 5 TO-220IS 2SK2381 A Toshiba2SK2382200 0.18 15 TO-220IS 2SK2382 A Toshiba2SK238560 0.03 36 TO-220IS 2SK2385 A Toshiba2SK2389700 1.7 5 TO-220AB 2SK2389 A Toshiba2SK2391100 0.085 20 TO-220IS 2SK2391 A Toshiba2SK239860 0.03 45 TO-3P(N) 2SK2233 A Toshiba2SK2399100 0.23 5 POWER MOLD 2SK2399 A Toshiba2SK2400100 0.23 5 TPS 2SK2400 A Toshiba2SK2401200 0.18 15 TO-220FL/SM 2SK2401 A Toshiba250 0.5 7.5 TO-220IS 2SK2417 A Toshiba2SK244020 0.038 6 SOP-8(Single) TPC8008 A Sanyo 2SK244120 0.032 7 SOP-8(Single) TPC8008 A Sanyo 2SK244230 0.029 7 SOP-8(Single) TPC8006-H A Sanyo 2SK244560 0.018 50 TO-3P(N) 2SK2445 A Toshiba2SK2466100 0.046 30 TO-220IS 2SK2466 A Toshiba2SK249316 0.1 5 POWER MOLD 2SK2493 A Toshiba 2SK250750 0.046 25 TO-220IS 2SK2507 A Toshiba2SK2508250 0.25 13 TO-220IS 2SK2508 A Toshiba2SK2542500 0.85 8 TO-220AB 2SK2542 A Toshiba2SK2543500 0.85 8 TO-220IS 2SK2543 A Toshiba2SK2544600 1.25 6 TO-220AB 2SK2544 A Toshiba2SK2545600 1.25 6 TO-220IS 2SK2545 A Toshiba2SK254916 0.29 2 POWER-MINI 2SK2549 A Toshiba 2SK255050 0.03 45 TO-3P(N) 2SK2550 A Toshiba2SK255150 0.011 50 TO-3P(N) 2SK2551 A Toshiba2SK255630 0.04 6 SOP-8(Single) TPC8006-H A Sanyo 2SK255730 0.037 7 SOP-8(Single) TPC8006-H A Sanyo250 0.25 13 TO-220FL/SM 2SK2598 A Toshiba 2SK2599500 3 2 TPS 2SK2599 A Toshiba2SK2600500 0.85 8 TO-3P(N)IS 2SK2600 A Toshiba2SK2601500 1 10 TO-3P(N) 2SK2601 A Toshiba2SK2602600 1.25 6 TO-3P(N) 2SK2602 A Toshiba2SK2603800 3.6 3 TO-220AB 2SK2603 A Toshiba2SK2604800 2.2 5 TO-3P(N) 2SK2604 A Toshiba2SK2605800 2.2 5 TO-220IS 2SK2605 A Toshiba2SK2606800 1.2 8.5 TO-3P(N)IS 2SK2606 A Toshiba2SK2607800 1.2 9 TO-3P(N) 2SK2607 A Toshiba2SK2608900 4.3 3 TO-220AB 2SK2608 A Toshiba2SK2610900 2.5 5 TO-3P(N) 2SK2610 A Toshiba2SK2611900 1.4 9 TO-3P(N) 2SK2611 A Toshiba2SK26131000 1.7 8 TO-3P(N) 2SK2613 A Toshiba2SK261450 0.046 20 DP 2SK2614 A Toshiba2SK261560 0.37 2 POWER-MINI 2SK2615 A Toshiba 2SK263720 0.025 8 SOP-8(Single) TPC8008 A Sanyo 2SK2661500 1.5 5 TO-220AB 2SK2661 A Toshiba500 1.5 5 TO-220IS 2SK2662 A Toshiba 2SK2679400 1.2 5.5 TO-220IS 2SK2679 A Toshiba 2SK2698500 0.4 15 TO-3P(N) 2SK2698 A Toshiba 2SK2699600 0.65 12 TO-3P(N) 2SK2699 A Toshiba。
半导体放电管
一半导体放电管的应用概述半导体放电管是一种微型化、高频化和高可靠性的特殊新型电力电子半导体器件，它的结构是一种五层双端对称双向晶闸管，导通与关断只由外加电压或dv/dt决定，因此在线路的在线保护方面有着优越的性能而广泛地应用于通信电路系统中作为雷电浪涌保护器。
目前，完全由它代替气体放电管，用来保护程控交换机、电话机等免遭雷电和交流电源线感应的强脉冲干扰，是理想的换代产品。
管子的漏电流极小，相当于断路；当外电压继续加大时，开始发生击穿（类似与二级管）；外电压进一步加大后，管子两端变成通态，相当于短路，可泄放大的电流；当外电压撤去以后，管子可恢复断态，能重复使用且双向结构及电参数一致，可以泄放双向的过电压。
对称的伏安特性曲线如图一：图一半导体放电管的电路符号如图2：半导体吸收雷电浪涌示意如图3：图 2图 6对于低于200伏左右（振铃电路可能产生一百五六十伏的电压，在此正常工作电压下放电管应不动作）的电压，固体放电管不动作（对应参数：不动作电压），相当于断路（对应参数：绝缘电阻）外界引入的过电压经一级保护后，到达B点时最高只有两三百伏（对应固体放电管的最高限制电压），此电压经过二级保护区后到达D点后只有五六十伏，不会对用户接口卡造成损坏。
二级保护可以由低压放电管（标称58伏）构成，也可以由专用的二级保护电路来实现。
对电信终端的损害。
图7为二极管DO－15轴式封装的固体放电管示意图图8为外形图图8 图7二半导体放电管芯片的结构及原理半导体放电管的芯片结构如图8、平面图形如图9图8 图9 (表面金属EB短路)从结构可以分解如图10从上图可以看出，五层双端结构的半导体放电管芯片可以看作是两个无门极的晶闸管的组合，而每个晶闸管又可以看作是两个互相作用的三级管的组合。
在此,简要介绍一下晶闸管的导通条件如图10中的电路图所示：档门极施加触发电流IG时，经晶体管V2放大为电流IC2，又可将IC2视为V1管的基极电流，经V1管放大为电流IC1。
TVS&BL
TVS（TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR）或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,档TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1*10-12秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
TVS的反应速度绝对比RC回路快的多10e-12s,可不用考虑. 考虑TVS的击穿电压VBR,反响临界电压VWM,最大峰值脉冲电流IPP和最大嵌位电压VC及峰值脉冲功率PP. 选择VWM等于或大雨电路工作电压, VC为小于保护器件的耐压值,能测量最好(IPP),或估计出脉冲的功率,选功率较大的TVS. 抑制反向的用单向TVS,有交流的用双向TVS瞬态电压抑制器TVS的特性及应用瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件，有的文献上也为TVP、AJTVS、SAJTVS等。
当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。
具体有以下三大特点：1、将TVS二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的肪冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲，并能持续10ms；而一般的TTL器件，遇到超过30ms的10V脉冲时，便会导至损坏。
产品名称、规格型号、产品代码规定
2P4M C106 X0205
灵敏触发单向晶闸管
JR0305K 2003K
2P4M C106 X0205
灵敏触发单向可控硅
JX030H
2024H
2P4M C106 X0405
灵敏触发单向可控硅
JX030K
2024K
2P4M C106 X0405
灵敏触发单向晶闸管
JR0405H 2004H
X0405
灵敏触发单向可控硅
CP096 CP097 CP098
12.4×12.4 电焊机用单向 16.4×16.4 电焊机用单向 20.6×17.4 电焊机用单向
CP401-1 CP401-2 CP401-3 CP402-1 CP402-2 CP402-3 CP403-1 CP403-2 CP403-3 CP404 CP405 CP406 CP407 CP408 CP409 CP410 CP411 CP412 CP413 CP414
1.8 达林顿晶体管芯片。
产品代码区间：CP701～CP709
表 1：芯片系列产品 名称、规格型号、产品代码对应表
品名
规格型号
代码
JR0105
CP001
芯片版面 1.2×1.2 单微 R
第一类
灵敏触发单向晶闸管芯片 （产品代码区间： CP001～CP009）
JR0205 JR0305 JR0405 JR0805 // JR0608
代码
CP701
CP702
CP703
1.8×1.8 放电管 2.2×2.2 放电管 3.9×3.9 二极管芯片 4.2×4.2 二极管芯片 4.3×4.3 二极管芯片 5.0×5.0 二极管芯片
6.4×6.4 二极管芯片 6.8×6.8 二极管芯片 7.2×7.2 二极管芯片 7.5×7.5 二极管芯片 8.7×8.7 二极管芯片 8.9×8.9 二极管芯片 9.6×9.6 二极管芯片 9.8×9.8 二极管芯片 10.7×10.7 二极管芯片 10.8×10.8 二极管芯片 12.4×12.4 二极管芯片 15×15 二极管芯片
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A.General Description 简要概述
半导体放电管器件专门用来防止敏感的电信设备、POS 终端、基站设备、网络视频等设备出现由闪电、电源接触和电源感应引起的过压故障危险。
它们具有高电气浪涌抑制能力，有助于防止瞬间故障和断开状态的高阻抗，使系统的正常运行过程变得实际上更加透明。
广泛应用在：网络通迅及消费类电子产品、高速数据传
输设备（T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、CATV、SLIC 等）。
经典应用：电话信号接口防护、RS485、RS232、RS422
等数据接口。
产品特点产品特点:: 精确导通电压、快速响应 超强的浪涌处理能力 双向对称,可靠性高 安装简便，器件体积小
分SMA、SMB 贴片型/DO-15、TO-92直插型 符合ROHS 要求
满足通信产品标准要求
T0-92
B.Dimension
产品尺寸
C.Specification电气特性
D.Surge Ratings浪涌额定值
B级2502502501008030500 C级50040040015010050500
E.Product Terminology产品术语
Electrical Parameters电气参数
V DM:Repetitive peak Off-state Voltage最高峰值电压，器件可保持关断状态，也即：不正作峰值电压
VBo:Switching Voltage半导体雪崩或开关切换动作电压
Ipp：Surge Ratings最大额定峰值脉冲电流
I DM：Off-state current在V DM下最大泄漏电流值
I H Min ：Minimum Holding current 导通状态最小电流C ：O ff-state Capacitance 不工作状态下器件电容值di/dt ：Rate of Rise of
Current
电流上升率dv/dt ：Rate of Rise of Voltage
电压上升率
F.Thermal Considerations 温度特性考虑
封装形式
Symbol 符号
Parameter 参数
Value 值TO-92
T J Operating Junction Temperature Range 工作温度范围-40~+150℃T S
Storage Temperature Range 贮存温度范围-55~+150℃R ØJA
Thermal Resistance:Junction to Ambient
90℃/W
G.Part Name Information 产品命名信息
H.Packing information 包装信息
10001000CS/Reel CS/Reel
1010000PCS 000PCS /BOX
50,000PCS /Carton
NOTE:ALL DATA AND SPECIFICATIONS ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.
注意注意：：所有的规格、参数更新将不例行通知。