TFT制程简介
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TFT厂後制程简介
花王:LC-841
洗劑/US
花王:LC-841
SHOWER
純水 RINSE US
純水 RINSE US
液浴
熱風乾燥
6 POS
冷風乾燥
2 POS
面板排出
25
S/R磨邊導角製程-1
● 裝置說明： * L/D Stage ：採用五個定位 Pin 做面板定位。 *搬送手臂( L/D Pad 及 UL/D Pad ) ：作用為搬送面板。 *砥石部份：區分左右兩側,共有六個砥石,一次加工即完成四 邊四角的研磨切削。
卡匣入口平台 投入口
注入室 2 液晶皿搬送板 STK
注入室 1
排氣室
加熱室 2
加熱室 1
AGV
液晶皿 交換室
脫泡室
控制
T/P
C/V
封止裝置
控制 液晶皿搬送板 STK 液晶皿 交換室 注入室 2 脫泡室 注入室 1 T/P
排氣室
加熱室 2
加熱室 1
卡匣入口平台 投入口
11
注入製程-4
(ANELVA注入機)
★Air Bag於面板間加壓 ★Air Bag須對應面板的尺寸
液晶擦拭工程
★ Wipe roll由下往上擦拭面 板 ★ 一定時間間隔內可自動擦 拭面板
★封止部露出於大氣中， TANK內加壓(Tube加壓保持 TANK內氣體) ★Side Tube須對應面板的尺 寸 ★ wipe roll 由上往下擦拭面 板 ★ 一定時間間隔內可自動 擦拭面板
(ULVAC注入機)
● ULVAC注入機動作Flow：
ULVAC封止段
整列 加壓 Wipe擦拭 UV硬化
預備室
Seal塗佈
注入2
注入1
洗劑/US
花王:LC-841
SHOWER
純水 RINSE US
純水 RINSE US
液浴
熱風乾燥
6 POS
冷風乾燥
2 POS
面板排出
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S/R磨邊導角製程-1
● 裝置說明： * L/D Stage ：採用五個定位 Pin 做面板定位。 *搬送手臂( L/D Pad 及 UL/D Pad ) ：作用為搬送面板。 *砥石部份：區分左右兩側,共有六個砥石,一次加工即完成四 邊四角的研磨切削。
卡匣入口平台 投入口
注入室 2 液晶皿搬送板 STK
注入室 1
排氣室
加熱室 2
加熱室 1
AGV
液晶皿 交換室
脫泡室
控制
T/P
C/V
封止裝置
控制 液晶皿搬送板 STK 液晶皿 交換室 注入室 2 脫泡室 注入室 1 T/P
排氣室
加熱室 2
加熱室 1
卡匣入口平台 投入口
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注入製程-4
(ANELVA注入機)
★Air Bag於面板間加壓 ★Air Bag須對應面板的尺寸
液晶擦拭工程
★ Wipe roll由下往上擦拭面 板 ★ 一定時間間隔內可自動擦 拭面板
★封止部露出於大氣中， TANK內加壓(Tube加壓保持 TANK內氣體) ★Side Tube須對應面板的尺 寸 ★ wipe roll 由上往下擦拭面 板 ★ 一定時間間隔內可自動 擦拭面板
(ULVAC注入機)
● ULVAC注入機動作Flow：
ULVAC封止段
整列 加壓 Wipe擦拭 UV硬化
預備室
Seal塗佈
注入2
注入1
TFT 各层制程简介
VGS < VT
信號保持
VGS > VT
信號讀寫
等效電路Βιβλιοθήκη gate linegate TFT 畫素電極
儲存電容
LC
Cs
date line
TFT ON
視訊信號
TFT Gate
TFT OFF
LC
畫素電容
Cs
Data
TFT + CF 對組
上下玻璃對位完成 之記號狀態
上玻璃基板對位記號
下玻璃基板對位記號
B B’
A
A’
A
A’
B
儲存電容
GIN Strip
B’
Metal 2 (MoN\Al\MoN)
M2 Dep.
TFT M2 Ph. M2 Etch
B A A’ A A’
儲存電容
B B’
Ch. Etch M2 Strip
B’
Passivation (PV-SiNx)
PV Dep.
TFT PV Ph. PV Etch
B’
A
A’
A
A’
儲存電容
B B’
PV Strip
B
ITO(Indium Tin Oxide)
ITO Dep. TFT
ITO Ph.
ITO Etch
A
A’
A
A’
B’
ITO Etch
Anneal
B
儲存電容
B B’
TFT 驅動原理
D (data line)
S (畫素電極)
G (gate line)
- - -- -- --
TFT+CF >>>LCD 結構簡圖
TFT制程简介
16
Array面板訊號傳輸說明
Source Driver
Gate Driver Gate Driver
17
TFT Array組成材料
MASK 1-GE MASK 2-SE MASK 2-SE MASK 2-SE MASK 3-SD MASK 4-CH MASK 5-PE
Gate 電極 GI 層(Gate 絕緣層) Channel(通道) Source/Drain 電極 Contact hole 畫素電極
芝蒲 ULVAC 島田理化/芝蒲 TEL/DNS/Nikon V-tech 田葉井 DNS 島田理化 ORBOTEC/OLYMPUS
19
Mask 2：SE (島狀半導體形成)
A A A’ A’
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
成膜前洗淨 島田理化/芝蒲 成膜SiNx Balzers/AKT 成膜前洗淨 芝蒲 成膜SiNx/a-Si/n+Si Balzers/AKT 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 顯影檢查/光阻寸檢 V-tech 蝕刻(DRY) TEL/PSC 光阻去除 島田理化 製程完成檢查 ORBOTEC/OLYMPUS
6
掃描線 信 號 線 S G D
RON ROFF
1.
TFT TFT ON 線
掃描線 線 TFT TFT (ROFF) 105
7Leabharlann 2.3.(RON) OFF TFT 線 RON ROFF
認識 TFT
D S
D S D S
G
G
G 1. TFT為一三端子元件。 2.在LCD的應用上可將其視為一開關。 3.為何要採 Inverted Staggered 之結構？
13
Array面板訊號傳輸說明
Source Driver
Gate Driver Gate Driver
17
TFT Array組成材料
MASK 1-GE MASK 2-SE MASK 2-SE MASK 2-SE MASK 3-SD MASK 4-CH MASK 5-PE
Gate 電極 GI 層(Gate 絕緣層) Channel(通道) Source/Drain 電極 Contact hole 畫素電極
芝蒲 ULVAC 島田理化/芝蒲 TEL/DNS/Nikon V-tech 田葉井 DNS 島田理化 ORBOTEC/OLYMPUS
19
Mask 2：SE (島狀半導體形成)
A A A’ A’
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
成膜前洗淨 島田理化/芝蒲 成膜SiNx Balzers/AKT 成膜前洗淨 芝蒲 成膜SiNx/a-Si/n+Si Balzers/AKT 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 顯影檢查/光阻寸檢 V-tech 蝕刻(DRY) TEL/PSC 光阻去除 島田理化 製程完成檢查 ORBOTEC/OLYMPUS
6
掃描線 信 號 線 S G D
RON ROFF
1.
TFT TFT ON 線
掃描線 線 TFT TFT (ROFF) 105
7Leabharlann 2.3.(RON) OFF TFT 線 RON ROFF
認識 TFT
D S
D S D S
G
G
G 1. TFT為一三端子元件。 2.在LCD的應用上可將其視為一開關。 3.為何要採 Inverted Staggered 之結構？
13
TFTCell制程原理
TFTCell制程原理引言TFTCell（薄膜晶体管电池）是一种非常重要的电子组件，广泛应用于液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等显示技术中。
本文将介绍TFTCell的制程原理，包括其结构、制造过程以及工作原理。
结构TFTCell的基本结构由三个主要元件组成：薄膜晶体管、电容和像素电极。
薄膜晶体管是TFTCell的核心部件，它负责控制电流流过电容和像素电极，从而达到控制像素点的亮度和颜色的目的。
电容存储电荷，而像素电极是通过对电容上的电荷进行驱动来控制每个像素点的亮度。
制造过程TFTCell的制造是一个复杂的过程，涉及到多个步骤。
下面将介绍TFTCell的制造过程的主要步骤。
1. 基板制备TFTCell的制造通常以玻璃作为基板，因为玻璃具有良好的透明性和平整度。
制造过程的第一步是在玻璃基板上涂覆一层透明导电薄膜，通常使用氧化锌（ZnO）或二氧化锡（SnO2）等材料的薄膜来实现。
2. 薄膜晶体管的形成在涂覆导电薄膜的基板上，通过光刻和蒸发等技术，制造薄膜晶体管。
薄膜晶体管通常由一层绝缘层、一层半导体层和一层金属电极组成。
绝缘层用于隔离半导体层和金属电极，确保电流只流过晶体管的通道部分。
3. 像素电极的制造在薄膜晶体管的制造完成后，需要制备像素电极。
像素电极通常是由透明导电材料制成的，例如氧化铟锡（ITO）等，可以通过光刻和蒸发等工艺在晶体管上制造出一个个微小的像素电极。
4. 电容的形成在像素电极的制造完成后，需要在像素电极和薄膜晶体管之间形成一个电容。
电容是由两个金属层之间的绝缘层组成，通过光刻和蒸发等工艺在晶体管上制造出。
工作原理TFTCell的工作原理是基于薄膜晶体管的开关特性。
当TFTCell中的薄膜晶体管通电时，电流流过绝缘层到达半导体层，通过控制垂直方向的电场的强度，可以调节半导体层的导电特性。
当半导体层导电时，电流可以流过像素电极和电容，从而改变像素点的亮度和颜色。
TFTCell的工作原理可以通过外部电源和信号控制电流的开闭，从而实现TFTCell的快速响应和高精度的亮度调节。
TFT—LCD制程简介
TFT—LCD制程简介
電晶體玻璃與彩色濾光片配向。
• 在整個組合的過程中，首先要為佈滿電晶 體的玻璃和彩色濾光片塗上一層化學薄膜， 然後再進行配向的動作。
TFT—LCD制程简介
組合電晶體玻璃與彩色濾光片
• 在組合兩片玻璃之前，要先平均佈滿類似球狀的 間隙子固定間隔，以免液晶面板組合後，兩片玻 璃向內凹曲，通常液晶面板在組合時，會留下一 個或二個缺口，以利後續灌入液晶， 接著就以框 膠及導電膠封在兩片玻璃邊緣，如此就完成玻璃 的組合。
• 光阻層定型後，用蝕刻進行濕式蝕刻， 將 沒有用的薄膜露出， 亦可用電漿的化學反 應進行乾式蝕刻，蝕刻後再將留下的光阻 以溜液除去，最後就產生電晶體所需要的 電路圖案
•
总结以上参考13
TFT—LCD制程简介
液晶面板之製作過程
• 完成了薄膜電晶體玻璃基板後，就要進行 液晶面板的組合。液晶面板是由電晶體玻 璃基板與彩色濾光片組合而成，首先要將 玻璃洗乾淨，再進行下一個步驟。
• 要使玻璃基板镀上金屬薄膜，需先將金屬 材料放在真空室內，讓金屬上面的特殊氣 體產生電漿(Plasma)後，金屬上的原子就會 被撞向玻璃，然後形成一層層的金屬薄膜
TFT—LCD制程简介
玻璃基板鍍上不導電層与半導體層
• 鍍完金屬薄膜後，還要鍍上一層不導電層 與半導體層。在真空室內，先將玻璃板加 溫，然後由連接直流高壓電的噴灑氣噴灑 特殊氣體，讓電子與氣體產生電漿，經過 化學反應後，玻璃上就形成了不導電層與 半導體層。
➢ Backlight ----由於液晶顯示器為非發光型，為了強化顯示的能見度，將 液晶面板背面的光加以投射之裝置。光源以螢光燈管為主流，分為冷 陰極管與熱陰極管。構造上可分為直下型與側光型。
TFT—LCD制程简介
電晶體玻璃與彩色濾光片配向。
• 在整個組合的過程中，首先要為佈滿電晶 體的玻璃和彩色濾光片塗上一層化學薄膜， 然後再進行配向的動作。
TFT—LCD制程简介
組合電晶體玻璃與彩色濾光片
• 在組合兩片玻璃之前，要先平均佈滿類似球狀的 間隙子固定間隔，以免液晶面板組合後，兩片玻 璃向內凹曲，通常液晶面板在組合時，會留下一 個或二個缺口，以利後續灌入液晶， 接著就以框 膠及導電膠封在兩片玻璃邊緣，如此就完成玻璃 的組合。
• 光阻層定型後，用蝕刻進行濕式蝕刻， 將 沒有用的薄膜露出， 亦可用電漿的化學反 應進行乾式蝕刻，蝕刻後再將留下的光阻 以溜液除去，最後就產生電晶體所需要的 電路圖案
•
总结以上参考13
TFT—LCD制程简介
液晶面板之製作過程
• 完成了薄膜電晶體玻璃基板後，就要進行 液晶面板的組合。液晶面板是由電晶體玻 璃基板與彩色濾光片組合而成，首先要將 玻璃洗乾淨，再進行下一個步驟。
• 要使玻璃基板镀上金屬薄膜，需先將金屬 材料放在真空室內，讓金屬上面的特殊氣 體產生電漿(Plasma)後，金屬上的原子就會 被撞向玻璃，然後形成一層層的金屬薄膜
TFT—LCD制程简介
玻璃基板鍍上不導電層与半導體層
• 鍍完金屬薄膜後，還要鍍上一層不導電層 與半導體層。在真空室內，先將玻璃板加 溫，然後由連接直流高壓電的噴灑氣噴灑 特殊氣體，讓電子與氣體產生電漿，經過 化學反應後，玻璃上就形成了不導電層與 半導體層。
➢ Backlight ----由於液晶顯示器為非發光型，為了強化顯示的能見度，將 液晶面板背面的光加以投射之裝置。光源以螢光燈管為主流，分為冷 陰極管與熱陰極管。構造上可分為直下型與側光型。
TFT—LCD制程简介
TFT制程简介
Thin Film Process 1.Macro-Inspection 2.Nano-Inspection 3.AOI-Inspection
Resist stripping
Etching Process 1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
DRYP : PSC Dry etch (干式蚀刻)
STRP : Stripper (光阻去除)
何谓 TFT
TFT (thin film transistor)
薄膜晶体管 作为光线的开关 (控制液 晶分子的转动) Unit-Pixel 电路模型
T TF
各 Layer Total厚度约14500Å (1.45x10-5 mm): GLASS 厚度 0.7mm ≈ 1:5000
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A BOTTOM MON：250A
M2沉积
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
3375
TOP MON
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A 光阻厚度：15800A 上光阻 BOTTOM MON：250A 光阻
A
B
A
B
2875
G(SiNx)：1800A G(SiNx)：1800A I (a-Si)：1100A N (n+Si)：250A N (n+Si) I (a-Si) G(SiNx) G(SiNx) 去光阻
Resist stripping
Etching Process 1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
DRYP : PSC Dry etch (干式蚀刻)
STRP : Stripper (光阻去除)
何谓 TFT
TFT (thin film transistor)
薄膜晶体管 作为光线的开关 (控制液 晶分子的转动) Unit-Pixel 电路模型
T TF
各 Layer Total厚度约14500Å (1.45x10-5 mm): GLASS 厚度 0.7mm ≈ 1:5000
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A BOTTOM MON：250A
M2沉积
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
3375
TOP MON
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A 光阻厚度：15800A 上光阻 BOTTOM MON：250A 光阻
A
B
A
B
2875
G(SiNx)：1800A G(SiNx)：1800A I (a-Si)：1100A N (n+Si)：250A N (n+Si) I (a-Si) G(SiNx) G(SiNx) 去光阻
TFT显示面板制造工程简介
Ｐ ＵＶ
Ｄ排 Ａ水
药液
Ｐ 刷洗
纯
Ｐ
水
高 压 喷射
排
Ｄ
水
Ａ
ＭＳ
洗净 功能 洗净对象
作用
氧化分解 有机物 (浸润性改善)
ＵＶ/Ｏ３
溶解 有机物
溶解
机械剥离 微粒子 (大径)
接触压
机械剥离 微粒子 (中径)
水压
机械剥离 微粒子 (小径) 加速度 cavitation
19
2.2 ARRAY工艺流程及设备
PVD（溅射）：物理气相沉积
背光源
9
二、 TFT-LCD制造基本流程及设备
2.2 ARRAY工艺流程及设备
ＴＮ：４Mask Process
ＴＮ：５Mask Process
Glass
购入,洗净后使用
Glass
购入,洗净后使用
Ｇ工程
Ｇate工程
Active &S/Ｄ工程
检查(SFT-1) Active工程 S/Ｄ工程
Repair(SFT-1)
置换液刀
液刀
风帘
25
2.2 ARRAY工艺流程及设备
WET简介--各工艺单元功能
设备主要工艺单元： EUV unit:祛除玻璃表面有机残留物。 Etch zone:刻蚀区域 Rinse unit:水洗单元 Dry unit：干燥单元 液刀：主要起预湿（置换），冲刷的效果。 风帘：主要是吹掉玻璃上残余的药液 风刀：干燥的玻璃的效果。
黑色矩阵 提高对比度 降低Ioff
8
二、 TFT-LCD制造基本流程及设备 2.1 制造流程概要
玻璃基板 1100× 1300
成膜→光刻 （反复）
ＴＦＴ基板
TFT制程简介
G-I-N Deposition G-I-N 薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
IN photo IN黄光制程
ADI CD 显影后CD量测
IN etch IN 蚀刻
TFT制作流程图: Layer-2
Layer-3
Layer-4
PR strip 去除光阻
Marco Inspection 强光检查
S-OLB-Lead
S-TAB
Panel显微镜下比对:下半部
B-R.L.
R.L. DOT AREA
B-ESDProtect
F-R.L.
F-ESDProtect
其它:
薄膜设备代码: MTSP : Metal Sputter (金属层溅镀) ITSP : ITO Sputter (ITO层溅镀) CVDA : AKT CVD (绝缘层镀膜) CVDB : BPS CVD (绝缘层镀膜)
检验设备代码: AOIH : Auto Optical Inspection High Resolution AOIL : Auto Optical Inspection Low Resolution ADSI : After Develop/Strip inspection SUFS : Surface Scan SUFP : Surface Profile NANO : NANO meter ELIP : Ellipsometer
PR coating Exposure
Developing
1.ADI 2.CD measurement 3.AOI
1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
Final testing 1.Test key 2.Function test ser repair
Marco Inspection 强光检查
IN photo IN黄光制程
ADI CD 显影后CD量测
IN etch IN 蚀刻
TFT制作流程图: Layer-2
Layer-3
Layer-4
PR strip 去除光阻
Marco Inspection 强光检查
S-OLB-Lead
S-TAB
Panel显微镜下比对:下半部
B-R.L.
R.L. DOT AREA
B-ESDProtect
F-R.L.
F-ESDProtect
其它:
薄膜设备代码: MTSP : Metal Sputter (金属层溅镀) ITSP : ITO Sputter (ITO层溅镀) CVDA : AKT CVD (绝缘层镀膜) CVDB : BPS CVD (绝缘层镀膜)
检验设备代码: AOIH : Auto Optical Inspection High Resolution AOIL : Auto Optical Inspection Low Resolution ADSI : After Develop/Strip inspection SUFS : Surface Scan SUFP : Surface Profile NANO : NANO meter ELIP : Ellipsometer
PR coating Exposure
Developing
1.ADI 2.CD measurement 3.AOI
1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
Final testing 1.Test key 2.Function test ser repair
TFT制程简介.ppt
TFT元件結構及原理
TFT廠生產部ARRAY課教育訓練教材
1
TFT-LCD的面板構造
2
Array面板說明
S1 S2 S3
Sn-1 Sn
G1 G2 G3
Gm-1 Gm
TFT Source 線 Gate 線 液晶電容 儲存電容
ITO
CLC
com
3
單一畫素結構
A A’
TFT
A A
儲存電容(Cs)
B
S
1. 臨界電壓：Vth 2. 電子遷移率(Mobility)：un
Vp=unE 3. Ion/Ioff 4. 開口率(Aperture Ratio)
(1)TFT；(2)Gate&Source 線；(3)Cst； (4)上下基板對位誤差；(5)Disclination of LC 5. 因Cgs產生之DC Voltage Offset 6. 訊號傳輸時的時間延遲(Time Delay)及 失真(Distortion)
2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外 時間 SW OFF，可防止信號從液晶電容洩漏。
3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持 特性。
6
掃描線
信
G
號
線
SD
RON ROFF
液晶
保持電容
1.上圖為TFT一個畫素的等效電路圖，掃描線連接同一列 所有TFT閘極電極，而信號線連接同一行所有TFT源極 電極。
TFT元件的運作原理 VSD
D
S
VGS〈Vth
G
D
S
G
(2)Vgs<Vth：訊號保持
D
S
G
D
S
CLC
TFT廠生產部ARRAY課教育訓練教材
1
TFT-LCD的面板構造
2
Array面板說明
S1 S2 S3
Sn-1 Sn
G1 G2 G3
Gm-1 Gm
TFT Source 線 Gate 線 液晶電容 儲存電容
ITO
CLC
com
3
單一畫素結構
A A’
TFT
A A
儲存電容(Cs)
B
S
1. 臨界電壓：Vth 2. 電子遷移率(Mobility)：un
Vp=unE 3. Ion/Ioff 4. 開口率(Aperture Ratio)
(1)TFT；(2)Gate&Source 線；(3)Cst； (4)上下基板對位誤差；(5)Disclination of LC 5. 因Cgs產生之DC Voltage Offset 6. 訊號傳輸時的時間延遲(Time Delay)及 失真(Distortion)
2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外 時間 SW OFF，可防止信號從液晶電容洩漏。
3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持 特性。
6
掃描線
信
G
號
線
SD
RON ROFF
液晶
保持電容
1.上圖為TFT一個畫素的等效電路圖，掃描線連接同一列 所有TFT閘極電極，而信號線連接同一行所有TFT源極 電極。
TFT元件的運作原理 VSD
D
S
VGS〈Vth
G
D
S
G
(2)Vgs<Vth：訊號保持
D
S
G
D
S
CLC
TFT制程详解(格式整齐)
(硬烤後保留基板由此投入)
配向裝置組
配向裝置組
(用呼氣像方式檢查品位)
配向後基板洗淨
配向後基板洗淨
基板乾燥爐
基板乾燥爐
PANEL-B各工程
PANEL-B各工程
高级材料
9
3. TFT LINE及CF LINE共同裝置簡介： 1.) PI前洗基板洗淨 / 乾燥裝置 各設備簡介 1. WET(1)部 a. 流程 : 準備區 → 洗劑Brush → 純水淋洗 2. WET(2)部 : WET(1)至WET(2) 有風刀清除WET(1)殘存水分 a. 流程 : 純水 US → 純水 US → CJ → MS b. 純水US係使用兩台超音波產生器 超音波震盪清除不潔
高级材料
5
TFT 面板前工程流程圖
基板切裂
CF 基板投入
TFT 基板投入
基板洗淨 基板洗淨
PI 印刷 PI 印刷
PI 預烤 PI 預烤
PI 硬烤 PI 硬烤
配向 配向
基板洗淨/乾燥
銀膠打點
間隔劑散佈
基板洗淨/乾燥
框膠塗寫
預備乾燥
基板組立
熱壓著
CELL 後製程
高级材料
6
Panel工程A Unit簡介
TFT CF之結構
G
B
R
G
B
R
G
B
R
BM →塗佈(RGB)→ SiO2→ ITO
BM
ITO (0.15μ SiO2 CF (1.30μ SiO2 Glass (0.7mm)
高级材料
1
源極金屬層(SORURCE) Cr+Al 歐姆接觸層
玻璃基板
保護層(SiNx)
汲極金屬層(drain) Cr+Al
TFT_MDL制程简介
實裝製程
— — — — — — ——
實 裝 工 程 流 程 簡 介
CELL面板工程 COG制程 COG點燈檢查 ACF贴附制程
LCD silicon
FOG制程 UV涂布制程 實裝點燈檢查
Silicon涂布制程 組立工程
silicon
silicon涂布机 silicon的作用：防止水气侵入，腐蚀引脚。
3是指利用acf直接在lcd玻璃面板上連接裸晶片barechipcog制程设备介绍制程设备介绍人工载入设备主体人工载出点灯检查cog制程材料介绍制程材料介绍ito引腳上偏光板下偏光板cftft基板端子部gate側source側cf側一面板一面板cog制程材料介绍制程材料介绍n二二acfq異方性導電膜異方性導電膜是一種半透明高分子的接續材料同時具有接著接著導電導電絕緣絕緣三種特性
作業：對M檢完LCD模組做外觀檢查 ，貼付出貨標籤。 材料：耐熱膠帶、標籤。 設備：人工作業。
組立製程
Burn-in
模組檢查
倉入製程
Packing (I)
倉入製程
Packing (II)
包裝製程
作業：使用包裝材將LCD模組包裝， 裝箱成板並利用盤膜機打包。 材料：防靜電袋、包裝紙箱、內外箱 出貨標籤、棧板、PE膜。 設備：人員作業、盤膜機。
MP4
大尺寸面板
中尺寸面板
手機
EeePC
數位相機
車載電視
PDA
GPS 數位像框
TFT LCD組成……模組結構圖
鐵框 PWB IC 面板 B/L
TFT LCD組成……模組迴路結構圖
S PWB
S-COF IC
中尺寸機種迴路 結構圖 ※不同於大尺寸機 種，使用COG製程 對應
TFT制造原理和流程
TFT制造原理和流程
目录
• TFT技术原理 • TFT制造流程 • TFT工艺技术 • TFT制造设备与材料 • TFT制造中的问题与对策 • TFT制造的应用与发展趋势
01
TFT技术原理
TFT定义与特性
01
TFT（Thin-Film Transistor）即薄 膜晶体管，是一种电子器件，具有 高响应速度、低功耗、高集成度等 特性。
金属诱导晶体技术
金属诱导晶体技术是一种利用金属原 子诱导非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜 的工艺技术。通过在非晶硅薄膜上沉 积金属原子，可以促进硅原子的重排 和结晶化，形成多晶硅薄膜。
VS
金属诱导晶体技术的优点在于其高结 晶速度和低成本，适用于大规模生产。 此外，金属诱导晶体技术还可以与其 他工艺技术相结合，如激光退火技术， 进一步提高TFT的性能。
其物理和化学性质。
TFT制造材料
金属材料
用于制造TFT的电极和引线，如铝、铜等。
光敏材料
用于光刻工艺，如光刻胶。
非金属材料
用于制造绝缘层和钝化层，如氧化硅、氮化 硅等。
其他辅助材料
如稀释剂、清洗剂等。
设备与材料的选取原则
01
02
03
兼容性
设备与材料应相互兼容， 以确保制造过程中不会发 生不良反应。
04
TFT制造设备与材料
TFT制造设备
溅射设备
用于制造TFT薄膜，通 过物理或化学方法将金 属或非金属元素溅射到
基材上。
光刻设备
用于将设计好的电路图 案转移到光敏材料上， 以便进行后续的刻蚀和
剥离。
刻蚀和剥离设备
用于将不需要设备
用于在制造过程中对薄 膜进行热处理，以改变
目录
• TFT技术原理 • TFT制造流程 • TFT工艺技术 • TFT制造设备与材料 • TFT制造中的问题与对策 • TFT制造的应用与发展趋势
01
TFT技术原理
TFT定义与特性
01
TFT（Thin-Film Transistor）即薄 膜晶体管，是一种电子器件，具有 高响应速度、低功耗、高集成度等 特性。
金属诱导晶体技术
金属诱导晶体技术是一种利用金属原 子诱导非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜 的工艺技术。通过在非晶硅薄膜上沉 积金属原子，可以促进硅原子的重排 和结晶化，形成多晶硅薄膜。
VS
金属诱导晶体技术的优点在于其高结 晶速度和低成本，适用于大规模生产。 此外，金属诱导晶体技术还可以与其 他工艺技术相结合，如激光退火技术， 进一步提高TFT的性能。
其物理和化学性质。
TFT制造材料
金属材料
用于制造TFT的电极和引线，如铝、铜等。
光敏材料
用于光刻工艺，如光刻胶。
非金属材料
用于制造绝缘层和钝化层，如氧化硅、氮化 硅等。
其他辅助材料
如稀释剂、清洗剂等。
设备与材料的选取原则
01
02
03
兼容性
设备与材料应相互兼容， 以确保制造过程中不会发 生不良反应。
04
TFT制造设备与材料
TFT制造设备
溅射设备
用于制造TFT薄膜，通 过物理或化学方法将金 属或非金属元素溅射到
基材上。
光刻设备
用于将设计好的电路图 案转移到光敏材料上， 以便进行后续的刻蚀和
剥离。
刻蚀和剥离设备
用于将不需要设备
用于在制造过程中对薄 膜进行热处理，以改变
TFT-LCD理论及制程介绍1
S-I-N
TI/AL/TI
PASSIVATION
ITO
Array制程簡圖 制程簡圖： Array制程簡圖：
檢查 清洗 TI/AL/TI, S-I-N, TI/AL/TI, PASSIVATION ITO Sputtering 薄膜濺鍍 薄膜Thin薄膜Thin-Film Thin (不含VIA層) PECVD化學 PECVD化學 氣相沉積
TFT-LCD(AV)理論及制程介紹 TFT-LCD(AV)理論及制程介紹 理論及制程
(Audio Video)
ENG:Neochen 2003.9.29
甚麼是TFT TFT甚麼是TFT-LCD ?
TFT-------薄膜電晶體 TFT----薄膜電晶體 Thin Film Transistor LCD-------液晶顯示器 LCD----液晶顯示器 Liquid Crystal Display
CELL MODULE
Filter之結構 之結構： TFT Color Filter之結構：
BM
IT 0.15 O CF 1.3 Si O2 Glass 0.7mm B M → 塗 佈 (R G B ) → S iO 2→ ITO 0 G B R G B R G B R SiO2
Filter簡述 簡述： Color Filter簡述：
液晶顯示器名詞解釋： 液晶顯示器名詞解釋：
(3)顯色差異(Color Shift) 從不同角度去看液晶顯示器,會發現顏色會隨著角度而變化,比 如說本來是白色畫面變得比較黃或比較藍,或是顏色變得比較淡 等等。隨著角度變大,當顏色的變化已經大到無法接受的臨界點 時,定義該角度為視角。 4.反應時間(Response Time) 從輸入信號到輸出影像所經歷之時間，一般液晶顯示器反應時間為 20~30msec(標準電影格式每畫面為40msec)。
tft lcd生产工艺流程
tft lcd生产工艺流程TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）是一种高质量的平面显示技术，广泛应用于计算机、电视、手机和平板电脑等电子产品中。
下面是一个简要的TFT-LCD生产工艺流程的概述，包括薄膜涂布、模制、曝光、切割、组装和测试等步骤。
首先，薄膜涂布是整个生产工艺的第一步。
在这个步骤中，生产商会使用具有特殊化学成分的溶液，将液晶的薄膜涂布在玻璃基板上。
这个溶液通常包含液晶分子、聚合物和其他添加剂。
薄膜涂布对于最终产品的质量和性能非常重要。
接下来是模制步骤，也称为亨德尔过程。
在这个步骤中，玻璃基板上的薄膜被切割成所需的尺寸和形状。
这些切割好的基板将成为液晶显示器的各个部分。
然后是曝光步骤。
在这个步骤中，通过将特定的光线照射在液晶层上，将所需的图案和图像“曝光”在液晶中，形成所需的像素。
这个步骤非常关键，因为它决定了TFT-LCD显示器的分辨率和图像质量。
接下来是切割步骤。
在这个步骤中，将刚刚曝光完毕的玻璃基板切割成所需的尺寸，并将其分成多个独立的显示器单元。
这样可以保证每个单元都能够独立地显示图像和信息。
然后是组装步骤。
在这个步骤中，经过切割的显示器模块将被组装成完整的显示器。
这包括将各个部件（如液晶层、背光模块和电路板）连接在一起，并且进行胶合和固定。
组装过程通常需要非常精确的工艺和设备，以确保显示器的性能和品质。
最后是测试步骤。
在这个步骤中，已经组装完成的显示器将经过一系列的测试，以确保其质量和性能达到要求。
测试项目可能包括像素点亮、亮度调整、对比度检测、颜色准确性等等。
只有通过各项测试的显示器才会被认为是合格的，可以被投放到市场上销售。
综上所述，TFT-LCD的生产工艺流程包括薄膜涂布、模制、曝光、切割、组装和测试等步骤。
这些步骤的每个环节都非常重要，对于最终产品的质量和性能起到了决定性的作用。
随着技术的不断进步，TFT-LCD的生产工艺也在不断演进和改进，以满足市场对高质量和高分辨率显示器的需求。
TFT 模组制程培训简介(新)
ACF贴附后须平整,不可 出现大量气泡、ACF残 缺,ACF卷曲、倾斜
27
四、LCM 各工序介绍
注意事项： 1、每班上班做出的第一个产品,每次转机、调机后,必须经过IPQC首检OK方能正常生产。 2、ACF粘贴超出FPC两端总和控制在0.4mm,FPC端露出ACF尽量避免与IC端ACF接触,ACF粘贴 气泡不可超过30% 3、每台机工作30min,必须用无尘纸蘸取柠檬水擦拭压头、平台,并用镜子观察压头上是否 残留其他杂质,将杂质用刀片（刀片需斜45°清洁）轻轻刮去后再用无尘纸粘柠檬水擦 拭。 4、严禁对机台私自拆动设备、修改参数,设备出现故障,需立即停止作业,并通知设备人员 进行调试解决,OK后才可正常生产。 5、禁止设备运作过程中将手伸入压头下,防止被高温压头烫伤。 6、严禁使用过期ACF进行作业,发现ACF过期应该马上通知相关人员并对此进行更换。 7、禁止将柠檬水等化学溶剂直接喷淋在热压区,防止压头高温产生火灾隐患。 8、ACF粘贴不良禁止用手直接处理,需使用胶棒或干净的皱纹胶纸轻贴ITO一端将ACF粘除, 并重新清洁ITO防止杂质。
拿取无尘纸沿长边对折两次 成条状,并醮取溶液,溶液不 可过多
柠檬水 无尘纸
左手轻轻固定住产品,右手用无尘纸沿 同一个方向清洁ITO,先清洁ITO正面, 擦拭3遍,再清洁ITO反面,擦拭2遍 清洁好后的产品放 入COG拉线中
23
四、LCM 各工序介绍
注意事项： 1、清洁溶剂装入瓶子时间禁止超过12个小时,且在瓶子上注明溶液装入时间,溶液高度禁 止超出限高线,使用完毕后及时盖好盖子。 2、拿取产品要轻拿轻放,且只可拿取LCD两侧,禁止捏拿ITO端子区域,并按近拿远放的原则 取放产品,清洁力度要均衡,不能大力按压ITO擦拭。 3、无尘布蘸取溶液后必须在无尘布上按下,防止溶液过多残留在ITO上。 4、清洁ITO时正反两面必须都朝一个方向擦拭（且顺着ITO擦拭）,禁止来回擦拭,擦拭完 一片产品反折一次无尘纸,1张无尘纸只能清洁5片产品。 5、无尘纸要弯折成直角,用尖角的一端擦拭ITO,防止死角清洁不到位导致异物残留在ITO 上。 6、防静电手腕带不能戴在胶手套上,必须紧贴皮肤上。 7、放在传送带上的产品须放置到位（LCD正面朝上）并及时邦定,不能长时间放置,防止有 异物粘附。 8、无尘纸蘸清洁剂时禁止将手碰到清洁剂防止污染,作业过程中不可裸手触碰ITO,防止腐 蚀。
27
四、LCM 各工序介绍
注意事项： 1、每班上班做出的第一个产品,每次转机、调机后,必须经过IPQC首检OK方能正常生产。 2、ACF粘贴超出FPC两端总和控制在0.4mm,FPC端露出ACF尽量避免与IC端ACF接触,ACF粘贴 气泡不可超过30% 3、每台机工作30min,必须用无尘纸蘸取柠檬水擦拭压头、平台,并用镜子观察压头上是否 残留其他杂质,将杂质用刀片（刀片需斜45°清洁）轻轻刮去后再用无尘纸粘柠檬水擦 拭。 4、严禁对机台私自拆动设备、修改参数,设备出现故障,需立即停止作业,并通知设备人员 进行调试解决,OK后才可正常生产。 5、禁止设备运作过程中将手伸入压头下,防止被高温压头烫伤。 6、严禁使用过期ACF进行作业,发现ACF过期应该马上通知相关人员并对此进行更换。 7、禁止将柠檬水等化学溶剂直接喷淋在热压区,防止压头高温产生火灾隐患。 8、ACF粘贴不良禁止用手直接处理,需使用胶棒或干净的皱纹胶纸轻贴ITO一端将ACF粘除, 并重新清洁ITO防止杂质。
拿取无尘纸沿长边对折两次 成条状,并醮取溶液,溶液不 可过多
柠檬水 无尘纸
左手轻轻固定住产品,右手用无尘纸沿 同一个方向清洁ITO,先清洁ITO正面, 擦拭3遍,再清洁ITO反面,擦拭2遍 清洁好后的产品放 入COG拉线中
23
四、LCM 各工序介绍
注意事项： 1、清洁溶剂装入瓶子时间禁止超过12个小时,且在瓶子上注明溶液装入时间,溶液高度禁 止超出限高线,使用完毕后及时盖好盖子。 2、拿取产品要轻拿轻放,且只可拿取LCD两侧,禁止捏拿ITO端子区域,并按近拿远放的原则 取放产品,清洁力度要均衡,不能大力按压ITO擦拭。 3、无尘布蘸取溶液后必须在无尘布上按下,防止溶液过多残留在ITO上。 4、清洁ITO时正反两面必须都朝一个方向擦拭（且顺着ITO擦拭）,禁止来回擦拭,擦拭完 一片产品反折一次无尘纸,1张无尘纸只能清洁5片产品。 5、无尘纸要弯折成直角,用尖角的一端擦拭ITO,防止死角清洁不到位导致异物残留在ITO 上。 6、防静电手腕带不能戴在胶手套上,必须紧贴皮肤上。 7、放在传送带上的产品须放置到位（LCD正面朝上）并及时邦定,不能长时间放置,防止有 异物粘附。 8、无尘纸蘸清洁剂时禁止将手碰到清洁剂防止污染,作业过程中不可裸手触碰ITO,防止腐 蚀。
TFT—LCD制程简介 共32页
11
TFT-LCD的三段主要制程
• 一、 前段Array （阵列制程） -前段的 Array 制程是将薄电晶体制作于玻璃上。
• 中段Cell （组立制程） -中段的Cell 製程，是以前段Array的玻璃為基板，
與彩色濾光片的玻璃基板結合，並在兩片玻璃
基板間灌入液晶(LC)
• 後段Module Assembly （模组制程） - 后段模组组装製程是將Cell製程後的玻璃與其
組合電晶體玻璃與彩色濾光片
• 在組合兩片玻璃之前，要先平均佈滿類似球狀的 間隙子固定間隔，以免液晶面板組合後，兩片玻 璃向內凹曲，通常液晶面板在組合時，會留下一 個或二個缺口，以利後續灌入液晶， 接著就以框 膠及導電膠封在兩片玻璃邊緣，如此就完成玻璃 的組合。
將液晶灌入液晶面板
• 封完邊框之後，就將液晶面板放到真空室， 透過剛才預留的缺口把液晶面板的空氣抽 掉，然後藉助大氣壓力灌入液晶，再將缺 口封閉。而液晶是一種介於固體與液體的化合物 質，具有規則性分子排列的特性。
TFT-LCD制程简介
1
目录
• 一、什么是TFT—LCD • 二、结构介绍 • 三、 TFT-LCD点亮原理 • 四、供应商和基板尺寸 • 五、制造流程 • 六、应用范围
2
何谓TFT—LCD？
• 一、TFT-LCD 是薄膜电晶体液晶显示器。
TFT是薄膜电晶体 LCD是液晶显示器
英文全称：thin-film transistor 英文全称liquid-crystal display.
包裝、出貨
液晶显示器的应用范围
• 在很多的通讯器材或资讯设备都能看到， 例如:笔记本电脑、数位个人助理(PDA)、电 视、新型移动电话等。
Thank you！
TFT-LCD的三段主要制程
• 一、 前段Array （阵列制程） -前段的 Array 制程是将薄电晶体制作于玻璃上。
• 中段Cell （组立制程） -中段的Cell 製程，是以前段Array的玻璃為基板，
與彩色濾光片的玻璃基板結合，並在兩片玻璃
基板間灌入液晶(LC)
• 後段Module Assembly （模组制程） - 后段模组组装製程是將Cell製程後的玻璃與其
組合電晶體玻璃與彩色濾光片
• 在組合兩片玻璃之前，要先平均佈滿類似球狀的 間隙子固定間隔，以免液晶面板組合後，兩片玻 璃向內凹曲，通常液晶面板在組合時，會留下一 個或二個缺口，以利後續灌入液晶， 接著就以框 膠及導電膠封在兩片玻璃邊緣，如此就完成玻璃 的組合。
將液晶灌入液晶面板
• 封完邊框之後，就將液晶面板放到真空室， 透過剛才預留的缺口把液晶面板的空氣抽 掉，然後藉助大氣壓力灌入液晶，再將缺 口封閉。而液晶是一種介於固體與液體的化合物 質，具有規則性分子排列的特性。
TFT-LCD制程简介
1
目录
• 一、什么是TFT—LCD • 二、结构介绍 • 三、 TFT-LCD点亮原理 • 四、供应商和基板尺寸 • 五、制造流程 • 六、应用范围
2
何谓TFT—LCD？
• 一、TFT-LCD 是薄膜电晶体液晶显示器。
TFT是薄膜电晶体 LCD是液晶显示器
英文全称：thin-film transistor 英文全称liquid-crystal display.
包裝、出貨
液晶显示器的应用范围
• 在很多的通讯器材或资讯设备都能看到， 例如:笔记本电脑、数位个人助理(PDA)、电 视、新型移动电话等。
Thank you！
TFT 各层制程简介
B’
A
A’
A
A’
儲存電容
B B’
PV Strip
B
ITO(Indium Tin Oxide)
ITO Dep. TFT
ITO Ph.
ITO Etch
A
A’
A
A’
B’
ITO Etch
Anneal
B
儲存電容
B B’
பைடு நூலகம்FT 驅動原理
D (data line)
S (畫素電極)
G (gate line)
- - -- -- --
G-I-N MoN/AL/MoN
PASSIVATION
ITO
AlNd + MoN
Gate SiNx + I-Type a-Si + N+ a-Si
MoN+ Al + MoN
Pass. SiNx
Pass. SiNx
gate line A A’
TFT
畫素電極
B’
儲存電容
Cs line date line B
•接著關閉第一列水閘門，水位已經固定，所以顯示顏色也已固定。 •開啟第二列水閘門，其餘仍保持關閉。灌第二列儲水槽至預設水位。 •依此類推，可完成整個畫面之顯像。
Polarizer LC cell CF TFT Polarizer PCB Light Guide
Lamp
Data Line
Scan Line
問題及答覆！
~ END ~
VGS < VT
信號保持
VGS > VT
信號讀寫
等效電路
gate line
gate TFT 畫素電極
A
A’
A
A’
儲存電容
B B’
PV Strip
B
ITO(Indium Tin Oxide)
ITO Dep. TFT
ITO Ph.
ITO Etch
A
A’
A
A’
B’
ITO Etch
Anneal
B
儲存電容
B B’
பைடு நூலகம்FT 驅動原理
D (data line)
S (畫素電極)
G (gate line)
- - -- -- --
G-I-N MoN/AL/MoN
PASSIVATION
ITO
AlNd + MoN
Gate SiNx + I-Type a-Si + N+ a-Si
MoN+ Al + MoN
Pass. SiNx
Pass. SiNx
gate line A A’
TFT
畫素電極
B’
儲存電容
Cs line date line B
•接著關閉第一列水閘門，水位已經固定，所以顯示顏色也已固定。 •開啟第二列水閘門，其餘仍保持關閉。灌第二列儲水槽至預設水位。 •依此類推，可完成整個畫面之顯像。
Polarizer LC cell CF TFT Polarizer PCB Light Guide
Lamp
Data Line
Scan Line
問題及答覆！
~ END ~
VGS < VT
信號保持
VGS > VT
信號讀寫
等效電路
gate line
gate TFT 畫素電極
TFT制程介绍
60度C 6小時
Panel的ACF 黏 貼 ACF黏貼
FPC的ACF 黏 貼
COG 黏 著
抽 樣 檢 查
FPC Bonding 黏 著
Bonding後 電測檢驗
封矽膠 封邊
烤 乾
模 組 實 裝 燒機 老化 燒機後 測試 燒機 外觀總檢 成 品 入 庫
光 學 特 性 量 測
OQC 出貨抽檢
品檢
TI/AL/TI S-I-N TI/AL/TI
PASSIVATION
1.鍍上 鈦鋁鈦 合金(GATE) 厚度 800/1800/1000A 2.S : SiNx (氮矽化合物,絕緣層) I : a-Si (非結晶矽,通道層) N : N+ (高濃度磷的矽)降低界面電位差,使 成為歐姆接觸(Omic contact)
破真空uv膠紫外線膠照照射射紫紫外外線線colorfilterarraychip磨邊去掉短路棒shortingbar短路棒偏光片貼附上下偏光片濾光角度差90度度tftcf之配向共製程cf清洗tft清洗分製程pi預烤檢查inspectionpi烤硬pi配向進料檢驗清潔基板pi膜塗覆撒佈封膠組合對準定位貼貼合熱熱壓合cf烘烤cf框框膠點銀膠tftspacer撒佈spacer計計數清洗急冷模組廠模組廠切切割裂裂片檢檢查lc再配向磨磨邊注入液晶封封口清清洗貼偏光片加壓脫泡celltestcellrepairtft玻璃tft玻璃金屬粉末空心塑膠球驅動icic貼附tft玻璃驅動icic對位假壓著tft玻璃驅動ic加熱加壓本壓著acf貼附包括包括
配向
TFT & CF 之配向共製程 CF 清 洗
分製程
TFT 清 洗
CF 框 膠 & 點 銀 膠 CF 烘烤
TFT Spacer 撒 佈 Spacer 計 數
Panel的ACF 黏 貼 ACF黏貼
FPC的ACF 黏 貼
COG 黏 著
抽 樣 檢 查
FPC Bonding 黏 著
Bonding後 電測檢驗
封矽膠 封邊
烤 乾
模 組 實 裝 燒機 老化 燒機後 測試 燒機 外觀總檢 成 品 入 庫
光 學 特 性 量 測
OQC 出貨抽檢
品檢
TI/AL/TI S-I-N TI/AL/TI
PASSIVATION
1.鍍上 鈦鋁鈦 合金(GATE) 厚度 800/1800/1000A 2.S : SiNx (氮矽化合物,絕緣層) I : a-Si (非結晶矽,通道層) N : N+ (高濃度磷的矽)降低界面電位差,使 成為歐姆接觸(Omic contact)
破真空uv膠紫外線膠照照射射紫紫外外線線colorfilterarraychip磨邊去掉短路棒shortingbar短路棒偏光片貼附上下偏光片濾光角度差90度度tftcf之配向共製程cf清洗tft清洗分製程pi預烤檢查inspectionpi烤硬pi配向進料檢驗清潔基板pi膜塗覆撒佈封膠組合對準定位貼貼合熱熱壓合cf烘烤cf框框膠點銀膠tftspacer撒佈spacer計計數清洗急冷模組廠模組廠切切割裂裂片檢檢查lc再配向磨磨邊注入液晶封封口清清洗貼偏光片加壓脫泡celltestcellrepairtft玻璃tft玻璃金屬粉末空心塑膠球驅動icic貼附tft玻璃驅動icic對位假壓著tft玻璃驅動ic加熱加壓本壓著acf貼附包括包括
配向
TFT & CF 之配向共製程 CF 清 洗
分製程
TFT 清 洗
CF 框 膠 & 點 銀 膠 CF 烘烤
TFT Spacer 撒 佈 Spacer 計 數
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47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A BOTTOM MON：250A
M2沉积
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
3375
TOP MON
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A 光阻厚度：15800A 上光阻 BOTTOM MON：250A 光阻
TFT process
TFT 制程简介
TFT (Thin Film Transistor) 流程
Thin Film Photo Etch
五道光罩制程即是指上述流程经过五次
TFT Process Flow
PreClean
Dry or Wet Etching
Thin Film Deposition
AOVN02 STRP03 WETX02 DRYP/T TLCD06 ITSP01 DRYT02 PTLCD04 MACO01 CVDA05
薄膜设备代码: MTSP : Metal Sputter (金属层溅镀) ITSP : ITO Sputter (ITO层溅镀) CVDA : AKT CVD (绝缘层镀膜) CVDB : BPS CVD (绝缘层镀膜)
A
B
A
B
4850
Passivation1：2250A Passivation2：250A 干蚀刻 光阻
Passivation2 Passivation1
A
B
A
B
4875
Passivation1：2250A Passivation2：250A 去光阻
Passivation2 Passivation1
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
3850
TOP MON A1 BOTTOM MON
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A BOTTOM MON：250A
蝕刻液成份： H 3 PO4 (68%) CH 3COOH (9%) HNO3 (4.9%) Di water
M1 M1
1375
MO AL ALNd Glass
27“(含)以上 ALNd：1000 AL：2000 Mo：700 光阻厚度：15800A 上光阻 光阻
ALNd：850A AL：1500A MO：700A
A
B
A
B
1850
MO AL ALNd Glass
27“(含)以上 ALNd：1000 AL：2000 MO：700
黄光设备代码: TLCD : Tel Coater/Develop (光阻被覆/显影) NIKN : Nikon exposure (曝光) CANO : Canon exposure (曝光) 检验设备代码:
蚀刻设备代码: WETX : Wet etch (湿式蚀刻) DRYT : Tel Dry etch (干式蚀刻)
A
B
A
B
TFT 制程简介(第五层)
PASS
GIN M1
M2
ITO
GIN
PASS
ITO
M2
PASS
M1
5250
ITO：500A
ITO
ITO沉积
A
B
A
B
5375
ITO：500A 光阻
ITO
光阻厚度：15800A 上光阻
A
B
A
B
5850
ITO：500A 光阻
ITO
COOH 2 草酸(3.3 ~ 3.7%) 蝕刻液成份：
G-I-N MoN/AL/MoN
PASSIVATION
ITO
TFT循环制程图解
镀下 层膜 去光阻液 stripper 去光阻 蚀刻(etch) 镀膜(sputter,cvd) 酸, 气体
光罩(reticle)
显影 液
上光阻(coater)
对准,曝光(stepper)
显影(developer)
TFT 制程简介(第一层)
A
BALeabharlann B2875G(SiNx)：1800A G(SiNx)：1800A I (a-Si)：1100A N (n+Si)：250A N (n+Si) I (a-Si) G(SiNx) G(SiNx) 去光阻
A
B
A
B
TFT 制程简介(第三层)
GIN M1
M2
GIN
M2
M1
M2
3250
TOP MON
Thin Film Process 1.Macro-Inspection 2.Nano-Inspection 3.AOI-Inspection
Resist stripping
Etching Process 1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
ALNd：850A AL：1500A MO：700A
A
B
A
B
TFT 制程简介(第二层)
GIN
M1
GIN M1
2250
G(SiNx)：1800A G1沉积 G(SiNx)
A
B
A
B
2251
G(SiNx)：1800A G(SiNx)：1800A I (a-Si)：1100A N (n+Si)：250A N (n+Si) I (a-Si) G(SiNx) G(SiNx) G2沉积
湿蚀刻 光阻
A
B
A
B
3875
TOP MON
47“ TOP MON：450A A1：2500A BOTTOM MON：250A TOP MON：450A A1：2000A BOTTOM MON：250A
去光阻
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
TFT 制程简介(第四层)
GIN
M1
M2
PASS GIN
PASS
AOIH : Auto Optical Inspection High Resolution AOIL : Auto Optical Inspection Low Resolution ADSI : After Develop/Strip inspection SUFS : Surface Scan SUFP : Surface Profile NANO : NANO meter ELIP : Ellipsometer
M1
M2
PASS
4250
Passivation1：2250A Passivation2：250A 护层沉积
Passivation2 Passivation1
A
B
A
B
4375
Passivation1：2250A Passivation2：250A 光阻厚度：15800A 上光阻 光阻
Passivation2 Passivation1
PreClean PR coating Photo Process Exposure Developing 1.ADI 2.CD measurement 3.AOI 1.Test key 2.Function test ser repair Final testing
目前 TFT 1100至5880流程
DRYP : PSC Dry etch (干式蚀刻)
STRP : Stripper (光阻去除)
何谓 TFT
TFT (thin film transistor)
薄膜晶体管 作为光线的开关 (控制液 晶分子的转动) Unit-Pixel 电路模型
T TF
各 Layer Total厚度约14500Å (1.45x10-5 mm): GLASS 厚度 0.7mm ≈ 1:5000
Insulator (G-SiNx)
1)
Gate Metal : AlNd/Mo(N)=1600/1100 A 1800/900 2) G I N : G-SiNx=3500 I/N=1350 3) S/ D Metal : MoN/Al/MoN=300/1800/400 250/2000/350 4) Passivation : P-SiNx=3200 5) ITO : 670
1850 1800 1400 1300 1200 1106 1150 1100 AOIH/AOIL STRP WETX03 TLCD05 MTSP04 WETX05/07 SUFS ICLN02 量測/檢測機台 WET 機台 SHIBAURA機台 2800 2400 2350 2300 2305 2250 2200 2100 STRP05 DRYP02 AOIH TLCD03 STRP03 AOIL CVDB02 PCLN01 3930 3970 3940 3900 3400 3300 3200 3100 5880 5800 NANO01 5400 ADSI07 5405 STRP07 5300 DRYT06 5200 WETX01 4400 TLCD06 4370 MTSP05 4210 PCLN01 4200 DRY機台 其它部門的機台
TFT
TFT结构及制作流程
ALNd/AL/Mo
1.镀上AlNd/Al/Mo(Gate) 2.G : Gate SiNx (氮硅化合物,绝缘层) I : a-Si (非结晶硅,通道层) N : N+ (高浓度磷(PH3)的硅)降低界面电位差, 使成为奥姆接触(Omic contact) 3.镀上MoN(氮化钼),pure Al(source,drain) 4.镀上 保护层(把金属部份盖住) 5.镀上ITO (铟锑氧化物,画素电极)