常用三极管复习过程
电控专题复习——三极管级联
④
0 1
V1
饱和 截止
1 0
V2
+ +
+ +
饱和 截止
实现了什么功能？ 哪些属于“输入部分”？ 该部分由哪些元件构 成？
（2）该光控灯控制系统选用了下列电子元件中的 C
作为该系统的传感器。
A
B
C
D
Eቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
F
① (在“①很大；②很小”中选择一 （3）外界光线很暗时，此时Rg阻值 项 三极管V1处于 ① 状态，三极管V2处于 ② 状态（在“①截止；② 导通”中选择一项 ）， （4）电路正确安装后，调试中发现外界光线很亮，LED灯仍未熄灭，正确的 调试方法是 ① （在“①增大Rp阻值；②减小Rp阻值”中选择一项 ）。
电控专题复习（一）
【例1】如图所示是用三极管控制发光二极管的电路，根据V1 基极的输入情况控制V2发光或不发光。
现要将该电路用于光照强 度提示，当光敏传感器检测到 光照强度超过某值时，接通电 路，使V1发光。以下元器件 与电路的连接中正确的是
【例2】现有电子元器件如下：普通二极管一个，发光二 极管一个，限流电阻一个，改进控制电路，使继电器工作 时二极管能保护三极管V2，同时可以使暖手宝加热时二极 管能发光显示，请在下图中a、b、c、d各点中选择合适的 点连接上述提供的三个电子元器件。
常见的组合管类型
①
问题：判断三 极管V1基极输 入低电平0或者 高电平1时，两 个三极管相应 状态及三极管 V2基极电流方 向？
0 1 V1 I=0 截止 饱和 I
分析
③
V2
0 1
V1 饱和
1 0
V2
+ +
截止 饱和
三极管放大电路的分析方法的复习
三极管放大电路的分析方法的复习三极管放大电路是一种基于三极管工作特性的电路，用于放大电信号。
其基本组成部分是一个三极管（包括发射极、基极和集电极），以及与之相连的电阻、电容等元件。
三极管放大电路的分析方法通常分为直流分析和交流分析两个方面。
一、直流分析直流分析是对三极管放大电路在静态工作状态下的分析。
其目的是确定各个节点的直流电压和电流，以便进一步进行交流分析。
1.确定偏置点偏置点是三极管工作在合适的工作状态下的电压点，保证三极管在放大过程中能够正常工作。
通过合理选择电阻和电源电压，使得集电极电压、基极电压和电流都处于适当的工作范围。
2.确定直流电流根据电路拓扑和电流平衡原理，可以通过分析电路得到各个支路的直流电流。
例如，通过基本的电路分析方法（如基尔霍夫定律），可以得到发射极电流、基极电流和集电极电流之间的关系。
3.确定直流电压根据三极管工作的基本方程和电路拓扑关系，可以利用欧姆定律和基尔霍夫定律等方法，求解各个节点的直流电压值。
例如，基极电压、发射极电压以及集电极电压等。
二、交流分析交流分析是对三极管放大电路在交流信号下的分析。
其目的是确定电路的增益、频率响应以及输出电压等。
1.线性化模型在交流分析中，为了简化计算并且方便分析，常常使用线性化模型来进行计算。
三极管的线性化模型是通过三极管的微小信号模型来描述的，其中包括三极管的输出电阻、输入电阻以及电压增益等参数。
2.输入阻抗和输出阻抗的分析输入阻抗是指三极管放大电路对输入信号的阻抗大小，可以通过计算输入电阻来进行分析。
输出阻抗是指三极管放大电路中输出信号的阻抗大小，可以通过计算输出电阻来进行分析。
3.电压增益的分析电压增益是指三极管放大电路输出电压和输入电压之间的比值，可以通过计算电压增益来进行分析。
电压增益可以通过计算三极管的集电极电流和基极电流的比值来确定。
4.频率响应的分析频率响应描述了电路对于不同频率输入信号的响应情况。
可以通过计算电路的截止频率、增益衰减等参数来进行分析。
三极管基本知识全归纳
1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue 发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
三极管及其应用电路---笔记整理教材
三极管及其应用电路一、简述半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。
其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
二、三极管的识别三极管的电路符号有两种：有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
基区：较薄，掺杂浓度低；发射区：掺杂浓度较高，多子载流子多；集电区：面积较大。
图2 NPN和PNP三极管的等效模型三、三极管工作原理分析（详情参见华为模电资料）讲三极管的原理我们从二极管的原理入手讲起。
我们知道二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。
二极管的结构与原理都很简单，内部一个PN结具有单向导电性，如示意图B。
很明显图示二极管处于反偏状态，PN结截止。
我们要特别注意这里的截止状态，实际上PN结截止时，总是会有很小的漏电流存在，也就是说PN结总是存在着反向关不断的现象，PN结的单向导电性并不是百分之百。
因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现。
N区也是一样，除了多数载流子电子之外，也会有极少数的载流子空穴存在。
由于PN结内部存在有一个因多数载流子相互扩散而产生的内电场，而内电场的作用方向总是阻碍多数载流子的正向通过，所以，多数载流子正向通过PN结时就需要克服内电场的作用，需要约0.7伏的外加电压，这是PN结正向导通的门电压。
而反偏时，内电场在电源作用下会被加强也就是PN结加厚，少数载流子反向通过PN结时，内电场作用方向和少数载流子通过PN结的方向一致，也就是说此时的内电场对于少数载流子的反向通过不仅不会有阻碍作用，甚至还会有帮助作用。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。
三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。
在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。
下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。
2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。
其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。
3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。
当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。
4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。
在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。
5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。
截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。
6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。
它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。
例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。
通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。
同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。
当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。
三极管的基本知识讲解复习课程
三极管的基本知识讲解三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件，在数字电路和模拟电路中都有大量的应用，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，以下以硅管为例进行讲解。
三极管有2 种类型，分别是PNP 型和NPN 型。
先来认识一下，如下图所示。
三极管一共有3 个极，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极e(emitter)，剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。
三极管的原理三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。
放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。
而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态，所以我们也只来讲解这两种用法。
三极管的类型和用法有个总结：箭头朝内PNP，箭头朝外NPN，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。
三极管的用法特点，关键点在于b 极（基极）和e 级（发射极）之间的电压情况，对于PNP 而言，e 极电压只要高于b 级0.7V以上（硅三极管的PN 结道导通电压，如果是锗三极管，这个电压大概为0.3V），这个三极管e 级和c 级之间就可以顺利导通。
也就是说，控制端在b 和e 之间，被控制端是e 和c 之间。
同理，NPN 型三极管的导通电压是b 极比e 极高0.7V，总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e 极和c 极。
这就是关于“导通电压顺箭头过，电压导通”的解释。
三极管的用法以上图为例介绍一下三极管的用法。
三极管基极通过一个10K 的电阻接到了单片机的一个IO口上，假定是P1.0，发射极直接接到5V 的电源上，集电极接了一个LED 小灯，并且串联了一个1K 的限流电阻最终接到了电源负极GND 上。
如果P1.0 由我们的程序给一个高电平1，那么基极b 和发射极e 都是5V，也就是说e到b 不会产生一个0.7V 的压降，这个时候，发射极和集电极也就不会导通，那么竖着看这个电路在三极管处是断开的，没有电流通过，LED2 小灯也就不会亮。
第二章三极管及放大电路基础复习课
直流电路
原理
(1) 温度升高，则引起 I CQ 增大，则 I EQ 流经 Re 产生的电压UEQ也随之增大；
(2)而UEQ=UBQ-UBEQ，因为UBQ是电源电压 Vcc经 R b1 、 R b2 串联分压后得到的稳定值，所以 U BEQ 将减小。此时，IBQ减小，ICQ也将减小。
静态工作点的估算
Io Ai Ii
电流放大倍数在工程中以对数形式表示，称 为电流增益，常用字母Gi(dB)表示，单位为 分贝（dB），定义为：
Gi 20lg Ai(dB)
功率放大倍数Ap：是指放大器的输出功率Po与 输入功率Pi的比值，定义式为：
Po AP P i
功率放大倍数在工程中以对数形式表示，称为 功率增益，常用字母Gp(dB)表示，单位为分贝 （dB），定义为:
三极管具有电流放大作用的外部条件 若使三极管具有电流放大作用必须具备相应的 外部条件：要给三极管加上合适的工作电压， 即保证发射结加正向电压，集电结加反向电压。 满足电流放大的外部条件时，三极管引脚的电 位关系如下表所示。
NPN型管 UC>UB>UE
PNP型管 UC ＜ UB＜ U E
3.晶体三极管的伏安特性曲线
掌握多级放大器的极间耦合方式
了解不同耦合方式的电路优缺点
第1节 晶体三极管及其应用
半导体三极管也称为晶体三极管，简称三极 管。三极管具有电流放大和开关作用，是构成 放大电路中的主要元件。
因此由三极管组成的放大电路在实际电子设 备中得到广泛应用，如收音机、电视机、扩音 机，此外在众多测量仪器及自动控制装置中也 都用到了三极管。
uo Ro ui
小专题专项复习考点23 三极管基础分析 课件-2024届高三通用技术一轮苏教版(2019)
b
e
e
2.三极管电流关系 NPN型 三极管
PNP型 三极管
3.三极管管脚判断方法
四、三极管的三种工作状
态
工作状态
条件
饱和状态
发射结 正
集电结
放大状态
发射结
正
集电结
反
截止状态
发射结
集电结
反
PN结偏置方式一样，电位关系相反
NPN型
PNP型
Vb>Ve Vb>Vc Ube=0.7V(Si)
Vb<Ve Vb < Vc Ueb=0.7V(Si)
小结：Ib≈0,发射结和集电结都处 于反偏状态时，IC=0，此时相当于 一只断开的开关。
三极管的三种工作状态
4.2 放大状态
很小的基极电流（变化）控制（引起）很大的集电极电 流的变化
条件： 发射结正偏、集电结反 偏
电流电压关系：Ve<Vb<Vc 稳定后Ube≈0.7V 0.7V<Uce<Vcc
Ic Ib
一轮小专题专项复习考点23 ——三极管基础分析
1.三极管结构示意图及符号
c 集电极（collector ）
集电区
b 基极
（bas
P 集电结 N 基区
e）发射结 P
e 发射区
发射极(emitter ）
PNP管
c
c集电极
集电区
基极 b
N P
集电结 基区
发射结 发射区 N
e 发射极
NPN
管c
b
电路符号中箭头表示发射结 加正偏电压时的电流方向.
三极管的三种工作状态
4.2 放大状态
IC受Ib的控制，随着Ib的增大IC也在增大 当 Ib 有微小变化时， IC 较大。说明 三极管具有电流放大作用。
三极管一些重要规律及应用复习过程
三极管一些重要规律及应用规律1：对于NPN晶体管来说，集电极电压必须比发射极电压VE高，至少要高零点几伏。
否则无论基极偏置电压如何改变都不会有电流从集电极流向发射极。
对于PNP晶体管来说，则要求发射极电压至少高出集电极电压零点几伏。
规律2：NPN晶体管的基极至发射极有0.6V的电压降，PNP晶体管从基极到发射极有0.6V 的电压升。
这说明，NPN三极管的基极电压至少要比发射极电压VE高0.6V。
否则三极管就没有集电极到发射极的电流。
而PNP三极管的基极电压VB至少要比发射极的电压VE 低0.6V，否则就没有发射极到集电极的电流。
三极管的一般用法：NPN：发射极接GNDPNP：发射极接VCC从上面这个图可以看到，基极的输入的电平与S8550发射极的电平是一样的，均为VCC。
下面再举例说明为什么要这样：先就NPN先，见图片。
可以看到继电器的电压输入为+24V，而三极管的基极电压为+5V，上面这个三极管驱动继电器的电路是没有问题的，你说为什么了？因为，根据规律2得知：NPN晶体管的基极至发射极有0.6V的电压降，NPN三极管的基极电压至少要比发射极电压VE高0.6V。
所以平时基极的电压因为下拉电阻原因，所以基极的电压和发射极的电压一样，都为0，三极管不导通，当IO口输出高电平的时候，这样基极电平就为5V，所以高于发射极电平（0V），三极管导通。
下面说下PNP管：图PNP_1图PNP_2以上2个图均不行，不管IO控制不控制，一上电，继电器就被驱动了，为什么？还是根据规律2得知：PNP晶体管从基极到发射极有0.6V的电压升，PNP三极管的基极电压VB至少要比发射极的电压VE低0.6V，否则就没有发射极到集电极的电流。
以上均因为发射极电压远比基极电压高出0.6V，所以就不需控制也能导通了，所以只能改变+24V和基极电平相同，也就是三极管一般用法中的PNP部分。
最新npn pnp三极管开关电路复习课程
图1 NPN PNP三极管反相器电路vin无输入电位Q1截止。
Vin高电平时Q1导通，Q2基极得高电位，Q2截止。
图2 两只NPN三极管反相器电路vin无输入电位Q1截止,Q2导接入高电平Q1导通，促使Q2基极电位下级,Q2截止。
图3 PNP三极管开关电路当输入端悬空时Q1截止。
VIN输入端接入低电平时，Q1导通，继电器吸合。
图4 PNP三极管开关电路当vin无输入电位时Q1截止。
Vin接入Q1导通，继电器吸合图5 三极管上拉电阻：当有高电位输入时Q导通，图6 三极管上拉电阻：当有高电位输入时Q导通，因E-C导通，又因E-C导通，又因有负载电阻，所以输出看作是载电阻，所以输出看作是高电平。
低电平。
图9 光藕控制PNP三极管：图10 光藕控制PNP三极管：东门塘小学各项管理制度汇总第一节教师工作制度(一) 办公制度1、按学校作息制度办公，不无故迟到、早退。
2、办公时间集中，集中精神，保持安静，认真工作。
3、准时上课，科学安排空课时间，努力提高工作效率。
4、空课时应在办公室工作。
5、上课时间不接待来访，不接打电话。
(二) 学习制度1、准时参加政治学习、业务学习和文化进修。
2、学习前要按照要求做好准备。
3、学习时思想集中，遵守纪律，不看与学习内容无关的书刊，不讲与学习无关的话，不做与学习无关的事。
4、政治学习讨论，事先有准备，思想要畅开，发言要热烈，自觉地在思想上与党中央保持一致。
5、教育理论学习，要围绕主题，联系实际，学懂弄懂，指导实践，并做好学习笔记。
(三) 会议制度1、校务会会议在每周教师会议之前召开，碰头会议随时进行，讨论安排学校日常工作。
2、教师会议每周一下午用半个小时，布置一周工作。
3、班主任会议，每月月初举行，交流经验，研究工作。
4、学校教研会议根据周工作安排举行。
为了开好会议，提高效果，参加会议的人员必须遵守：（1）准时出席会议，不早退。
培训资料料(三极管)
三极管一、三极管的基本构造二、载流子的传输过程1、发射结正偏（基极电压高于发射极0.2V-0.7V）2、集电结反偏（集电极电位大于基极1V左右）NPN发射结正偏：V b＞V e=0.2V至0.7V集电结反偏：V c＞V bV c＞V b＞V ePNP：PNP的载流子过程原理与NPN的相反。
发射结正偏：V b＜V e=0.2V至0.7V集电结反偏：V c＜V bV e＞V b＞V c三、三极管的主要参数。
a. 特征频率fT当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.b. 工作电压/电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围c. hFE电流放大倍数.d. VCEO集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.e. PCM最大允许耗散功率.f. 封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.判断基极和三极管的类型(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管。
（b）判定集电极和基极。
如NPN型管，用红.黑标笔随意接集电极c和发射极e，然后用手同时接触红表笔和基极b。
测得阻值较小的那组，红表笔接的是集电极c，黑表笔接的是发射极e。
如图：测试方法原理：红表笔是万用表的正极（黑表笔是负极）。
人体有生物静电同时也等效于一个100K左右的电阻.上图接法就是相当于满足了三极管的发射结正偏.集电结反偏的条件，三极管处于微导通的状态，电流从红表笔通过黑表笔，所以测试的阻值会较小。
3半导体三极管
一、复习引入三极管是电子电路中基本的电子器件之一，在模拟电子电路中其主要作用是构成放大电路。
在数字电路中主要作用是作为电子开关。
二、新授（一）三极管的结构和分类根据不同的掺杂方式，在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，三个区引出三个电极，就构成三极管。
采用平面工艺制成的NPN型硅材料三极管的结构示意图如图1(a)所示。
位于中间的P区称为基区，它很薄且掺杂浓度很低，位于上层的N区是发射区，掺杂浓度最高；位于下层的N区是集电区，因而集电结面积很大。
显然，集电区和发射区虽然属于同一类型的掺杂半导体，但不能调换使用。
如图1(b)所示是NPN型管的结构示意图，基区与集电区相连接的PN结称集电结，基区与发射区相连接的PN结称发射结。
由三个区引出的三个电极分别称集电极c、基极b和发射极e。
（a）NPN型硅材料三极管结构示间意图（b）NPN型管的结构示意图（c）NPN型和PNP型管的符号图1 三极管的结构示意图按三个区的组成形式，三极管可分为NPN型和PNP型，如图1(c)所示。
从符号上区分，NPN型发射极箭头向外，PNP 型发射极箭头向里。
发射极的箭头方向除了用来区分类型之上，更重要的是表示三极管工作时，发射极的箭头方向就是电流的流动方向。
三极管按所用的半导体材料可分为硅管和锗管；按功率可分为大、中、小功率管；按频率可分为低频管和高频管等。
常见三极管的类型如图2所示。
3DG6 NPN型高频小功率硅管3AD6 PNP型低频大功率锗管3AX31 PNP型高频小功率锗管3DX204 NPN型低频小功率硅管图2 常见三极管的类型（二）三极管的电流放大作用及其放大的基本条件三极管具有电流放大作用。
下面从实验来分析它的放大原理。
1．三极管各电极上的电流分配用NPN型三极管构成的电流分配实验电路如图3所示。
电路中，用三只电流表分别测量三极管的集电极电流I C、基极电流I B和发射极电流I E，它们的方向如图中箭头所示。
三极管基本认识(教案)
三极管基本认识(教案)本页仅作为文档页封面，使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March晶体三极管教案【教学内容】本课学习的是“中等职业教育规划教材”电子工业出版《电子技术基础》的第一章第三节的第一部分内容。
这节课内容包括三极管的结构，三极管的类型符号、三极管的分类方法和三极管的放大作用。
【地位和作用】这节课是在学生学习了半导体、PN结和二极管之后安排的，也是为今后学习三极管工作原理打下理论基础。
三极管是电子电路中最重要的电子元器件。
【教学目标】1. 知识目标：①、了解三极管的概念、分类、符号。
②、掌握晶体三极管的结构及类型的判断。
③、了解三极管内部载流子的运动。
④、掌握晶体三极管的电流放大作用。
2. 能力目标：①培养学生分析问题及解决问题的能力。
②培养学生的实际动手操作能力。
③激发学生创新精神和创造思维，以达到知识探索、能力培养、素质提高的目的。
3．情感目标：①激发学生学习这门课程的兴趣及热情,学以致用。
②培养学生事实求是的科学态度和一丝不苟的严谨作为和主动探索的精神【课堂类型】精讲型（理论基础课）【教学重/难点】重点：三极管的结构及类型的判断，三极管电流的放大条件。
难点：晶体三极管的电流放大作用及内部载流子的运动。
【学生情况分析】学生基础相对薄弱，初中刚刚毕业，且物理学习成绩很差。
【教学工具】教材电子元器件三极管若干个粉笔【教学方法】引导思考法互动教学法类比推理法【课时安排】二节课【教学过程】一、课前复习1、PN结①提问：什么是PN结？答：把P型半导体和N型半导体制作在同一硅片或锗片上，所形成的交接面。
②提问：PN结具有什么特性？答：单向导电性2、二极管③提问：二极管与PN结有什么联系？答：PN结用外壳材料封装起来，并加上电极引线就形成了二极管。
P区接阳极，N区接阴极。
④提问：二极管的导电性是否与PN结一样了？答：是二、新课导入如图所示是一个扩音器的示意图：声音图 1 扩音器示意图其中如图所示：话筒是将声音信号转换为电信号，经放大电路放大后，变成大功率的电信号，推动扬声器，再将其还原为声音信号。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案1. 三极管的基本结构包括哪三个部分？答：三极管的基本结构包括发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
2. 描述NPN型三极管和PNP型三极管的工作原理。
答：NPN型三极管在基极施加正向电压时，发射极的电子被吸引到基极，进而到达集电极形成电流。
PNP型三极管则相反，基极施加负向电压时，集电极的空穴被吸引到基极，进而到达发射极形成电流。
3. 三极管的放大作用是如何实现的？答：三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大。
基极电流的微小变化可以导致集电极电流的较大变化，从而实现信号的放大。
4. 什么是三极管的截止状态？答：三极管的截止状态是指基极没有电流流过，导致集电极和发射极之间没有电流流过的状态。
5. 三极管的饱和状态是什么？答：三极管的饱和状态是指基极电流足够大，使得集电极和发射极之间的电压接近于零，集电极电流达到最大值的状态。
6. 三极管的放大区是如何定义的？答：三极管的放大区是指基极电流在一定范围内变化，集电极电流随之成比例变化的区域，此时三极管能够实现信号的放大。
7. 三极管的主要参数有哪些？答：三极管的主要参数包括最大集电极电流（Ic_max）、最大耗散功率（P_max）、集电极-发射极击穿电压（BVceo）等。
8. 如何判断三极管的极性？答：可以通过使用万用表的二极管测试功能，测量三极管的基极与发射极、集电极之间的正向导通电压来判断三极管的极性。
对于NPN型三极管，基极与发射极之间的正向导通电压较低，而PNP型三极管则相反。
9. 三极管的开关作用是如何实现的？答：三极管的开关作用是通过控制基极电流来实现的。
当基极电流足够大时，三极管导通，集电极和发射极之间电流流通；当基极电流为零时，三极管截止，集电极和发射极之间电流被切断。
10. 三极管在电路中的主要应用有哪些？答：三极管在电路中的主要应用包括放大器、开关、振荡器、调制器等。
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一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a)判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b)判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。
这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。
（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。
）四、主要参数9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃ to +150℃和8050（NPN）相对。
主要用途：开关应用射频放大三极管80508050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。
8050三级管参数：类型：开关型；极性：NPN；材料：硅；最大集存器电流(A)：0.5 A；直流电增益：10 to 60；功耗：625 mW；最大集存器发射电（VCEO）：25；频率：150 KHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率：1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3：300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率：1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益：10 to 60；功耗：625 mW；最大集电极-发射极电压（VCEO）：25；频率：150 MHz 。
其它的8050PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K。
值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。