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（完整版）电子技术基础习题答案

（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。

A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。

A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。

三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。

A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。

A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。

A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。

电子技术基础练习题库及答案

电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。

A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。

A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。

B、既有多数载流子又有少数载流子。

C、多数载流子。

正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。

B、交流分量。

C、直流分量和交流分量之和。

正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。

B、放大失真。

C、饱和失真。

正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。

B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。

A、正向导通。

B、反向击穿。

C、反向截止。

正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。

（）A、差值放大器。

B、反相放大器。

C、电压比较器。

正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。

A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。

B、共射放大电路。

C、共基放大电路。

正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。

A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。

正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。

全1出1。

B、有1出1。

(完整版)电子技术复习题(答案)

电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是单向导电性。

2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。

4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。

5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。

6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和掺杂性特点。

8．半导体载流子的运动有扩散运动和漂移运动。

9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是恒定（或不变）的。

11．稳压管工作在反向击穿区。

12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。

13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。

14．非线性失真包括截止失真和饱和失真。

15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的中点，输入信号的幅值不能太大。

16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路静态工作点的偏移。

17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是温度变化。

18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。

19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和相频特性。

20．三极管阻容耦合电路的电压放大倍数与频率的关系称为幅频特性。

21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的相位移与频率的关系称为相频特性。

22．场效应管是一种电压控制的单极型半导体器件。

23．场效应管有两种类型：结型场效应管、绝缘栅场效应管。

电子技术习题

2. 正反应主要用于振荡等电路中，负反应主要用于改善放大电路的性能。

3. 负反应虽然使放大器的增益下降，但能提高增益的稳定性，扩展通频带，减小非线性失真，改变放大器的输入、输出电阻。

7. 负反应对输出电阻的影响取决于输出端的反应类型，电压负反应能够减小输出电阻，电流负反应能够增大输出电阻。

9. 将输出信号的一局部或全部通过某种电路引回到输入端的过程称为反应。

11. 负反应对输入电阻的影响取决于输入端的反应类型，串联负反应能够增大输入电阻，并联负反应能够减小输入电阻。

18. 温度升高时，二极管的导通电压减小，反向饱和电流增大。

22. 理想集成运放的开环差模电压增益为∞，差模输入电阻为∞，输出电阻为0，共模抑制比为∞。

24. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3，那么电3为基极， 1 为集电极，2为发射极，为PNP 型管。

26. 硅三极管三个电极的电压如下图，那么此三极管工作于放大状态。

29. 对于放大电路，假设无反应网络，称为开环放大电路；假设存在反应网络那么称为闭环放大电路。

31. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数接近于1但小于1〔或 1〕、输入电阻很大、输出电阻很小。

32. 纯洁的具有晶体结构的半导体称为本证半导体，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为杂质半导体。

50. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度增大，因而少子漂移而形成的反向电流减小，二极管反向伏安特性曲线下移。

51. 为提高放大电路的输入电阻，应引入交流串联负反应，为提高放大电路的输出电阻，应引入交流电流负反应。

52. 本征半导体掺入微量的五价元素，那么形成N 型半导体，其多子为自由电子，１少子为空穴。

53. 与未加反应时相比，如反应的结果使净输入信号变小，那么为负反应，如反应的结果使净输入信号变大，那么为正反应。

55. 串联负反应在信号源内阻小时反应效果显著；并联负反应在信号源内阻大时反应效果显著。

电子技术基础习题答案

第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。

这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。

这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。

2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。

三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。

3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。

扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。

空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。

7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。

三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。

A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。

3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。

A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。

5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。

A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。

A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

电子技术考题大全及答案(完整版)

【2-7】若图2-7中的电路出现故障，且经测量得知UE＝0，UC＝VCC。故障的原因是下列四种之一，请判明是。
A.Rc开路B.Rc短路C.Re短路D.Rb1开路
解：
应是Rb1开路。因为对于A，Rc开路，UC不会等于VCC，也就是说UC＝VCC排除了Rc开路；对于B，Rc短路，可能有UC＝VCC，但此时有集电极和发射极电流，UE不为0；对于C，Re短路，UE＝0，但此时发射极、集电极电流不等于0，UC＜VCC。
习题
【2-1】填空、选择正确答案
1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是
A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；
√B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路；
C．将输入交流信号加到晶体管的基极。
2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是Rc，那么Rc中：
A．只有直流；
【2-9】图2-9为射极输出器，已知Vcc=12V，Rb=110 ，Re=3 ，RL=3 ， =50，rbe≈1 ，UBE=0.7V，耦合电容的容量足够大。试计算电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
图2-9题2-9电路图图2-10题2-10电路图
解：
此放大电路为共集组态。电压放大倍数
输入电阻
输出电阻
B．只有交流；
√C．既有直流，又有交流。
3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（ICQ；ICQ）
4．下列说法哪个正确：
A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；
√B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；
。（b；a；c）
(4)从输出端开路到接上RL，静态工作点将，交流输出电压幅度要。

电子技术习题集-答案

第2章习题2.1.1 如右下图所示电路中，E 12V =， D 为硅二极管，R 10K =Ω，则二极管D 和和电阻R 上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？解：二极管正偏导通:D U 0.7V ≈; R U 120.711.3V =-=D R 11.3I I 1.13mA 10===2.1.2 在下图中的各电路图中，i u 12sin t ω=V ，二极管D 的正向压降忽略不计。

试分别画出输出电压o u 的波形。

（a ）（b ）（c ）解：2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a ）和（b ）中的二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压AB U 。

设二极管是理想的。

(a) (b)解：(a) D 导通，AB U 6V =-；（b ）D1导通，D2截止；AB U 0V =；2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压Z U 6V =，输入电压i u 12sin t ω=V ，画出输出电压o u 波形图。

解：2.2.2在下图所示的(a)和（b ）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。

解：（a ）由于稳压管的击穿电压各不相同，击穿电压低的管子工作，而另一个不工作。

(b)可以串联连接，输出电压为两个稳压管稳压电压之和。

2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U 14V =，波动范围10%±；稳压管的稳定电压Z U 6V =，稳定电流Z I 5mA =，最大耗散功率ZM P 180mW =；限流电阻R 200Ω=；输出电流o I 20mA =。

（1）求I U 变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？解：输入电压波动范围：Imin I U 0.9U (0.914)V 12.6V ==⨯=Imax I U 1.1U (1.114)V 15.4V ==⨯=I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为：Imin Z R min U U 12.66I 0.033(A)33mA R 200--====Imax Z R max U U 15.46I 0.047(A)47mA R 200--====稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180I 30mA U 6=== （1）Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=（2）如果负载电阻开路，即o I 0mA =，则稳压管中电流为限流电阻上的电流。

电子技术习题

基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗ＰＮＰ管。

2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。

3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。

4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。

5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。

6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。

8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。

9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。

10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。

12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。

13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。

14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。

小于诸晶体二极管的死区电压。

15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。

16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。

17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。

18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。

19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。

电子技术习题册

电子技术习题册一、判断题（正确的在括号内打“√”，错误的打“X”）1. 半导体随温度的升高，电阻会增大。

（）2.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。

（）二、选择题1.PN结的最大特点是具有（）。

A. 导电性B.绝缘性C.单向导电性2.半导体受光照，导电性能（）。

A. 增强B.减弱C.不变3.最常用的半导体材料是（）。

A. 铜B.硅C.铝D. 锗一、判断题1. 二极管是线性元件。

（）2. 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死去电压。

（）3. 不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V。

（）4. 二极管具有单向导电性。

（）5. 二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）6.当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压时，其反向电流迅速增加。

（）7. 二极管加正向电压时一定导通。

（）8. 二极管加反向电压时一定截止。

（）9.有两个电极的元件都叫二极管。

（）10. 二极管一旦反向击穿就一定损坏。

（）11. 光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

（）12. 光电二极管可以作为电路通断和指示用。

（）13. 发光二极管可以接收可见光线。

（）14. 若增大变容二极管两端的的反向电压，其接电容减小。

（）二、选择题1.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始增加时，硅二极管（）。

A：立即导通B：到0.3V才开始导通C：超过死区电压时才开始导通D：不导通2.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。

A：基本正常B：将被击穿C：将被烧坏D：电流为03.当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）。

A：很小的电阻B：很大的电阻C：短路D：电阻4.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）. A：约等于150V B：略大于150V C：等于75VD：等于300V5.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。

电子技术课后习题详解

习题解答【1-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。

两种载流子的浓度。

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

3．漂移电流是在作用下形成的。

4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。

5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。

6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。

7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。

8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。

9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。

10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。

11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。

12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，，应保证和。

13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

解：1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。

2.杂质浓度，温度。

3.少数载流子，(内)电场力。

4.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。

5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z）6.增大;7.NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。

8.结型，绝缘栅型，多数，单极型。

9.电压，电流。

10.变大，变大，变小。

11.各管脚对地电压;12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。

13.左移，上移，增大.。

【1-2】在图1-2的各电路图中，E =5V ，u i =10t ωsin V ，二极管D 视为理想二极管，试分别画出输出电压u o 的波形。

电子技术及实训复习题含答案

电子技术及实训复习题含答案一、单选题（共51题，每题1分，共51分）1.当PN结外加正向电压时，P区接电源( )极A、公共B、负C、正D、零点正确答案：C2.单相全波整流电路中，负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。

A、全部电压；B、一半电压；C、三分之一电压；D、四分之一电压正确答案：B3.将整流电容滤波电路的滤波电容值增大，输出电压平均值(____)。

A、无法确定B、减小；C、增大；D、不变；正确答案：C4.单相桥式整流电路中，二极管导通的时间是(____)周期。

A、1/2；B、1/4；C、1/5D、1/3；正确答案：A5.单相半波整流电路输出电压的大小是全波整流的（）。

A、1/2；B、1；C、1/4D、1/3；6.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。

A、不能确定B、相位差90度；C、0度；D、相位相反；正确答案：D7.PNP型三极管的三个脚分别为1、2、3。

用试验法测得三极管1端对地电压12V，2端对地电压11.3V, 3端对地电压为1V，则集电极为(____)。

A、无法判断B、为1端；C、为2端；D、为3端；正确答案：D8.在晶体管放大电路中，电流放大倍数β值(____)。

A、越小越好；B、在10～20之间；C、在20～100之间D、越大越好；正确答案：C9.单相桥式整流电路中，负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。

A、全部电压；B、一半电压；C、三分之一电压；D、四分之一电压正确答案：A10.P型半导体中浓度比较多的那部分载流子是（）。

A、空穴；B、自由电子；C、不确定D、磷元素；11.单相桥式整流电路中用到了（）个二极管。

A、4B、3；C、2；D、1；正确答案：A12.为调整放大器的静态工作点，使之下移，应该使RB电阻值(____)。

A、减小；B、增大；C、不变；D、不确定正确答案：B13.由漂移形成的电流是反向电流，其大小而与外电场（）。

电子技术基础复习题及答案

电子技术基础复习题及答案一、选择题1.下列哪种元件被广泛应用于逻辑门电路中？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：C2.以下哪个元件可以将交流电转换成直流电？A. 电容B. 反向阻止二极管C. 普通二极管D. NPN 晶体管答案：B3.下列哪个元件的阻值可以随输入信号的变化而变化？A. 可调电阻器B. 电阻C. 电感D. 电容答案：A4.以下哪个元件用于在电路中存储数据？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 二极管答案：B5.下列哪个元件用于限制电路中的电流？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：A二、填空题6.一个电路中，有一个电源和两个电阻分别为10 Ω 和20 Ω，求电路总电阻。

答案：30 Ω7.以下哪个定律用于计算电路中的电压？答案：欧姆定律8.以下哪个定律用于计算电路中的电流？答案：基尔霍夫定律9.在直流电路中，电容器的电压和电流的关系为I = C dU/dt。

答案：I = C dU/dt三、简答题10.什么是 P 型半导体和 N 型半导体？答：P 型半导体是通过在硅片中添加杂质元素，如硼 (B) 等，使得硅片中存在过多的空穴来形成的。

N 型半导体则是加入不同的杂质，如砷 (As) 等，以形成过量的自由电子。

11.什么是逻辑门？答：逻辑门是指用于数字电路中的基本电路元件，以处理输入信号以产生输出信号的设备。

常见的逻辑门有与门、或门、非门、异或门等。

四、编程题12.写一个 Python 函数，以计算并返回一个电路总电阻。

该函数应该接受一个包含所有电阻值的列表参数。

def calculate_total_resistance(resistances):total =0for resistance in resistances:total += resistancereturn total本文涵盖了电子技术基础中的多个主题，包括逻辑门、半导体、电路中的电压和电流以及电容器和电阻的定律。

汽车电工电子技术习题库(附参考答案)

汽车电工电子技术习题库（附参考答案）一、单选题（共52题，每题1分，共52分）1.已知继电器的额定电压为24V，电磁线圈的电阻值为60Ω，则该继电器的工作电流约为（）A、0.4AB、0.6AC、0.8AD、1A正确答案：C2.汽车用的蓄电池电动势为（）A、24VB、36VC、12VD、12或24V正确答案：D3.集成运算放大器有（）个输出端。

A、3B、4C、1D、2正确答案：C4.负载在额定功率下的工作状态为（）A、超载B、满载C、空载D、轻载正确答案：B5.如果二极管的正、反电阻都很大，则该二极管（）A、内部短路B、已被击穿C、正常D、内部断路正确答案：D6.汽车上的点火线圈输出总线所用的导线是（）A、高压线B、搭铁电缆C、普通低压导线D、低压电缆线正确答案：A7.二极管正向特性中，锗管的“门槛电压”为（）A、0.4VB、0.3VC、0.1VD、0.2V正确答案：D8.发动机起动后，（）给车上电气设备供电。

A、发电机B、起动机C、蓄电池D、点火钥匙正确答案：A9.电动势的单位为（）。

A、AB、VC、ΩD、J正确答案：B10.普通低压导线根据外皮绝缘包层的材料不同可分为（）A、QVR型和QFR型B、QFR型和QYR型C、QVR型和QBR型D、QBR型和QYR型正确答案：A11.下面能将光信号转变为电信号的是（）A、整流二极管B、都不能C、开关二极管D、光敏晶体管管正确答案：D12.一用电器测得其电阻为55Ω，使用时电流为4A，则其供电线路的电压为（）A、100VB、110VC、200VD、220V正确答案：D13.继电器按产品用途可分为通信继电器、机床继电器、家电用继电器和（）A、磁保护继电器B、交流继电器C、固态继电器D、汽车继电器正确答案：D14.外热式电烙铁的烙铁芯安装在（）A、烙铁头的外部B、烙铁芯的内部C、烙铁芯的外部D、烙铁头的内部正确答案：A15.标注线性尺寸时，尺寸界线不能（）。

电子技术基础习题带答案

理论测验一、单项选择题：1．不属于对助焊剂的要求的是 CA、常温下必须稳定,熔点应低于焊料B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为 BA、1：3B、3：1C、任何比例均可3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是 AA、合金头B、纯铜头4．焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是 AA、 20W内热式B、35W内热式C、60W外热式D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是 BA、正握法B、反握法C、握笔法6．印刷电路板的装焊顺序正确的是 CA、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小;C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; 7．在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是 AA、电烙铁、铜纺织线、镊子B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀C、电烙铁、镊子、螺丝刀D、铜纺织线、镊子、螺丝刀二、多项选择题1．焊点出现弯曲的尖角是由于 ABA、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当C、电烙铁功率太大造成的D、电烙铁功率太小造成的2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是 AA、20W内热式B、35W内热式C、50W外热式D、75W外热式３．75W外热式电烙铁 BA、一般做成直头,使用时采用握笔法B、一般做成弯头,使用时采用正握法C、一般做成弯头,使用时采用反握法D、一般做成直头,使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是 DA、20WB、35WC、60WD、150W５．20W内热式电烙铁主要用于焊接 DA、8W以上电阻B、大电解电容器C、集成电路D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑 BA、电烙铁功率太大或焊接时间过长B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C、焊剂太多造成的D、焊剂太少造成的７．电烙铁“烧死”是指 CA、烙铁头不再发热B、烙铁头粘锡量很多,温度很高C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热８．一般电烙铁有三个接线柱,其中一个是接金属外壳的,接线时应 BA、用三芯线将外壳保护接地B、用三芯线将外壳保护接零C、用两芯线即可,接金属外壳的接线柱可空着９．所谓夹生焊是指 CA、焊料与被焊物的表面没有相互扩散形成金属化合物B、焊料依附在被物的表面上,焊剂用量太少C、焊件表面晶粒粗糙,锡未被充分熔化;三、判断题1．在检测电阻的时候,手指可以同时接触被测电阻的两个引线,人体电阻的接入不会影响测量的准确性; ×2．在应用SMT的电子产品中分为两种安装方式：完全表面安装和混合安装; √3．笔握法适用于小功率的电烙铁焊接印制板上的元器件; √4．焊接时每个焊点一次焊接的时间应该是3～5秒; ×四、简答题：1．在焊接过程中,助焊剂的作用是什么答：1除去氧化物;为了使焊料与工件表面的原子能充分接近,必须将妨碍两金属原子接近的氧化物和污染物去除,助焊剂正具有溶解这些氧化物、氢氧化物或使其剥离的功能;2防止工件和焊料加热时氧化;焊接时,助焊剂先于焊料之前熔化,在焊料和工件的表面形成一层薄膜,使之与外界空气隔绝,起到在加热过程中防止工件氧化的作用; 3降低焊料表面的张力;使用助焊剂可以减小熔化后焊料的表面张力,增加其流动性,有利于浸润;2．怎样做可以避免烙铁头烧死,烙铁不再粘锡答：烙铁头不粘锡主要是其温度过高,表面氧化所致,首先要在烙铁加热后在松香里反复摩擦去掉氧化皮,再沾上焊锡就可以了;3．电烙铁的握法有哪几种正握法主要适用于什么场合答：电烙铁的握法有正握、反握和笔握;正握法适于中等功率烙铁或带弯头电烙铁的操作;4．电子产品组装时,元件安装有哪些标准答：1元件器的标志方向应按照图纸规定的要求,安装后能看清元件上的标志;若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按从左到右、从下到上的顺序读出;2元器件的极性不得装错,安装前应套上相应的套管;3安装高度应符合规定要求,同一规格的元器件应尽量安装在同一高度上;4安装顺序一般为先低后高,先轻后重,先易后难、先一般元器件后特殊元器件;5元器件在印制电路板上的分布应尽量均匀、疏密一致,排列整齐美观;不允许斜排、立体交叉和重叠排列;6元器件外壳和引线不得相碰,要保证1mm左右的安全间隙,无法避免时,应套绝缘套管;7元器件的引线直径与印制电路板焊盘孔径应有～0.4mm的合理间隙;8MOS集成电路的安装应在等电位工作台上进行,以免产生静电损坏器件,发热元件不允许贴板安装,较大的元器件的安装应采取绑扎、粘固等措施;5．电子产品装配工艺文件包括哪几部分答：、由四个部分组成：企业区分代号、该工艺文件的编制对象设计文件的十进分类编号、工艺文件简号以及区分号;理论测验一、判断题：1. 逻辑变量的取值,１比０大; ×2. 因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立,所以AB=0成立; ×3．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,语音信号不是数字信号; ×4．组合逻辑电路的特点是具有记忆功能×5．只用与非门不能实现Y=A B＋BC; × 6译码显示器既要完成译码功能,还有将译码后的结果或数据显示出来; √7．优先编码器对同时输入的信号中只对优先级别最高的一个信号编码; √8．半导体数码管采用共阴极方式时,译码器输出低电平驱动相应的二极管发光; ×9.同或门的逻辑功能是“相同出0,相异出1”; ×10.译码器的功能是将二进制数码还原成给定的信息; √二、填空题1.有一数码,作为自然二进制数时,它相当于十进制数 147 ;2.优先编码器允许同时输入两个以上的编码信号,但工作时只对优先级别高的输入信号进行编码,其余的输入信号可看成无效信号 ;3.客观事物的最基本的逻辑关系有_与逻辑、_或逻辑和_非_逻辑三种;个“1”连续进行非运算,其结果是 0 ;与非门多余的输入端应接高电平 ;6.同或门和异或门的关系可以用非逻辑关系表示;7.对TTL与非门闲置端不用的处理方法是悬空 ;8.组合逻辑电路的设计步骤是根据实际要求的逻辑关系建立真值表、由真值表写出逻辑表达式、化简逻辑表达式、画逻辑电路图 ;9.译码显示器是先将输入的二进制码译码成十进制数的信号,再利用译码输出驱动显示数字;三、选择题：1.十进制整数转换成二进制整数一般采用 B 方法;A. 除2取整法B. 除2取余法C. 乘2取整法D. 除10取余法2．当A = B = 0时,能实现Y = 1的逻辑运算是 C ;A．Y = AB B．Y = A+B C．Y A B=+=+D．Y A B 3．二进制的减法运算法则是 D ;A．逢二进一B．逢十进一C．借一作十D．借一作二4．MOS或门的多余输入端应 C ;A．悬空B．接高电平C．接低电平D．高低电平均可5．组合逻辑电路应该由哪种器件构成 C ;A．触发器B．计数器C．门电路D．振荡器6．三位二进制编码器输出与输入端的数量分别为 B ;A．3个和2个B．3个和8个C．8个和3个D．2个和3个7．七段显示译码器,当译码器七个输出端状态为abcdefg = 0110011时,高电平有效,输入一定为 C ;A．0011 B．0110 C．0100 D．0101 8．下列门电路,不属于基本门电路 D ;A．与门B．或门C．非门D．与非门9．组合逻辑电路的特点有 A ;A．电路某时刻的输出只决定于该时刻的输入B．含有记忆元件C．输出、输入间有反馈通路D．电路输出与以前状态有关10．TTL逻辑电路是以 A 为基础的集成电路;A．三极管B．二极管C．场效应管D．不能确定四、问答题：1. 十进制转换成二进制的具体转换方法是什么答：十进制数的整数部分采用“除2取余法”；小数部分采用“乘2取整法”;2. 分别描述异或门和同或门的逻辑功能,并说明他们之间的关系;答：异或门的逻辑功能是：同为0,异为1;同或门的逻辑功能是：同为1,异为0;异或逻辑和同或逻辑之间是非逻辑关系;3．简述图7-4中与发光二极管串联电阻的作用,如果将电阻值更换为100kΩ,则发光二极管还能正常发光吗为什么答：电路中与发光二极管串联的的电阻起到分压作用;如果将阻值更换为100kΩ,会导致电流过小,使二极管不能正常发光;4.译码的含义是什么为什么说译码是编码的逆过程译码器和编码器在电路组成上有什么不同答：译码的含义是把某种输入代码翻译成一个相应的信号输出;由于编码是将各种输入信息编成二进制代码输出,所以说译码是编码的逆过程;编码器电路有n2个输入端,则有n个输出端；而译码器电路有n个输入端,则有n2个输出端;理论测验一、判断题：1.脉冲技术现在已经广泛应用于电子计算机、自动控制、遥控遥测、电视、雷达和广播通讯等许多领域; √2.正弦波属于脉冲波的特殊形式; ×3.矩形波是脉冲波的常用波形之一,理想的矩形波都有一个上升边沿和下降边沿,中间为平顶部分; √电路中电容器的充电速度与R和C的大小有关,放电的速度取决于时间常数√积分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出恒定量,压低变化量”的作用;√微分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出变化量,压低恒定量”; √7.多谐振荡器是一种能自动反复输出矩形脉冲的自激振荡电路,并且含有丰富的多次谐波; √8．施密特触发器广泛用于将连续变化的波形,如三角波、正弦波等变换成矩形波;√9．A/D转换器是用来通过一定的电路将模拟量转变为数字量;模拟量可以是电压、电流等电信号,也可以是压力、温度、湿度、位移、声音等非电信号; √10. 数/模转换器DAC的主要性能参数是分辨率、线性误差、建立时间、温度灵敏度和输出电平; √二、填空题1.电阻R和电容C构成的简单电路叫RC电路,常用于脉冲波形变换的电路是RC微分电路和 RC积分电路;2. 微分电路是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成一对正、负极性的尖峰脉冲波;3. 积分电路也是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成三角波,也叫锯齿波;4.触发器的两种输出状态是高电平或低电平,如果其中一个是稳定状态而另一个是暂稳状态,这种触发器称为单稳态触发器 ;5.常用的集成施密特触发器有两种类型,一种是 TTL 施密特触发器,另一种是CMOS 施密特触发器;6. 单稳态触发器不仅能用于延时电路,而且可以把不规则的波形变换成幅度和宽度都相等的脉冲形;7 多谐振荡器工作时,不需要外加触发信号,电路的输出状态会在高低电平两种状态间反复不停地翻转,没有稳定的状态,所以又称无稳态电路;;三、选择题：1．脉冲数字系统中,经常要处理脉冲的产生、延时、整形等问题,而实现这些功能的电路有 ABC ;A、多谐振荡器B、单稳态触发器C、施密特触发器D、正弦波发生器2.下列集成电路中属于单稳态触发器的是 ABC ;A、CT74121B、CT74LS123C、CT74122D、NE5553. 下列集成电路属于CMOS型施密特触发器组件的是 AD ;A、CC40106B、CT74LS132C、CT7414D、CC40934．把经过计算机分析处理的数字信号转换成模拟信号,去控制执行机构的器件,称为数模转换器,即 B 转换器;A、A/DB、D/AC、TTLD、CMOS5．A/D转换后,输出的数字信号可以有ABCD 等;A、8位B、10位C、12位D、16位6．555定时器是一种数字与模拟混合型的中规模集成电路,应用广泛;外加电阻、电容等元件可以构成ABC等典型电路;A、多谐振荡器B、单稳电路C、施密特触发器D、稳压器四、问答题：1.什么是脉冲信号矩形波的主要参数是什么答：脉冲指含有瞬间突然变化、作用时间极短的电压或电流称为脉冲信号;矩形波的主要参数如下： 1 脉冲幅度Vm 2 上升时间tr 3 下降时间tf 4 脉冲宽度tp 5 脉冲周期T;2. 简述555定时器引脚功能答：1 8脚是集成电路工作电压输入端,电压为5～18V;2 1脚为地;32脚为触发输入端;43脚为输出端;5 6脚为阈值端;64脚是复位端;75脚是控制端;87脚称放电端;3. 555定时器可以构成的常见电路是那三种,各有什么特点答：555定时器可以构成的常见电路有单稳态触发器、多谐振荡器和施密特触发器;多谐振荡器的特点：无外输入信号、外围有RC元件、且6、2端短接在一起;单稳态触发器的特点：有一外输入信号、外围有RC元件、6、2端分开且分别与它们连接;施密特触发器的特点：外围没有RC元件、6、2短接、并引入外输入信号;4. A/D和D/A转换各是什么意思答： A/D转换是指将模拟量转变为数字量;D/A转换是指将数字量转换成模拟量;理论测验一、判断题：1.触发器属于组合逻辑电路;×2.触发器具有两个状态,一个是现态,另一个是次;×3．时钟脉冲的作用是使触发器翻转;×4.主从JQ触发器和边沿JK触发器的逻辑功能相同;×5．基本RS触发器可以由两个或非门交叉耦合构成;√6. 即使电源关闭,移位寄存器中的内容也可以保持下去;√7. 所有的触发器都能用来构成计数器和移位寄存器;×8.移位寄存器74LS194可串行输入并行输出,但不能串行输入串行输出;×9. 同步计数器的计数速度比异步计数器快;√10．移位寄存器只能串行输入;×二、填空题1. 基本RS触发器,当、都接高电平时,该触发器具有_ 保持功能;2.同步RS触发器状态的改变与同步信号CP 同步;3.时序电路通常包组合电路和存储电路两个组成部分;4．主从触发器是一种能防止空翻的触发器;触发器是在JK触发器基础上,增加一个与非门,把J和K两个输入端合为一个输入端D 组成的;6．仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫 T触发器 ;7．时序电路的次态输出不仅与即时输入有关,而且还与现态有关;8．在一个CP脉冲作用期间,触发器状态产生二次或多次翻转称＿＿空翻＿现象;9．JK触发器的逻辑功能为＿置0 、＿置1＿、＿翻转＿和＿保持＿;10．将JK触发器的两个输入端接在一起,就构成了＿＿D＿＿触发器,其逻辑功能为＿＿置0＿＿和＿置1＿;三、选择题：1. R-S型触发器不具有 B 功能;A. 保持B. 翻转C. 置1D. 置02. 触发器的空翻现象是指 CA.一个时钟脉冲期间,触发器没有翻转；B.一个时钟脉冲期间,触发器只翻转一次C.一个时钟脉冲期间,触发器发生多次翻转D.每来2个时钟脉冲,触发器才翻转一次3. 下列触发器中不能用于移位寄存器的是 C ;触发器触发器 C.基本RS触发 D.负边沿触发D触发器4.触发器是一种 B ;A、单稳态电路B、双稳态电路C、无稳态电路5.下面4种触发器中,抗干扰能力最强的是 CA.同步D触发器B.主从JK触发器C.边沿D触发器D.同步RS触发器6. 对于JK触发器,若希望其状态由0转变为1,则所加激励信号是 D=0X =X0 =X1 =1X7．仅具有保持和翻转功能的触发器是 DA．JK触发器 B;RS触发器 C;D触发器 D;T触发器8．对于JK触发器,输入J=0,K=1,CP时钟脉冲作用后,触发器的Q n+1应为AA．0 B.1 C.可能为0,也可能为1 D. 与Q n 有关四、问答题：1．怎样实现普通机械式开关的防抖功能答：用两个按键S1、S2、CD4011等构成了一个无抖动开关;电路如图所示;用集成块CD4011内部的两个与非门连接成一个基本RS触发器,当按钮开关S3、S2闭合时可使RS触发器复位端R和置位端S的电平变为0,断开时可使R、S的电平变为1;通过S3、S2可给RS触发器设置输入状态,从而决定输出状态;当S3闭合、S2断开时,R=0,S=1,触发器的输出端Q=0,LED2不会点亮,当S3断开、S2闭合时,R=1,S=0,触发器的输出端Q=1,LED2点亮;当S3、S2都断开时,R=S=1,触发器的输出端Q保持原来的状态即R=S=1之前的那个状态,输出端Q的电平变化,相当于开关的闭合和断开;这种闭合与断开是无抖动的可用示波器在测试点P3观察Q端的电平变化,是矩形波;2.怎样由JK触发器构成D触发器答：在JK触发器的基础上,增加一个与非门把J、K两个输入端合为一个输入端D,CP为时钟脉冲输入端;这样,就把JK触发器转换成了D触发器;3.什么是触发器的空翻现象答：在一个时钟脉冲周期中,触发器发生多次翻转的现象叫做空翻;4．查阅资料,画出用D触发器构成一个4位右移寄存器的原理图,并说明工作过程;答：用D触发器构成的四位移位寄存器,当CP上升沿同时作用于所有触发器时,触发器输入端的状态都为现态;于是,CP上升沿到达之后,各触发器按状态函数进行状态转换;输人代码DI存人触发器F0,Q1按Q0原来状态翻转,Q2按Q1原来状态翻转、Q3按Q2原来状态翻转;总的看来,移位寄存器中的代码依次右移了一位;可见,经过4个CP信号后,串行输入的四位代码全部移入了移位寄存器,并在四个输出端得到并行输出代码;利用移位寄存器可实现代码的串行—并行转换;若再加4个CP信号,寄存器中的四位代码还可以从串行端依次输出;。

电子技术复习题及答案解析

一、填空题1、FX系列PLC中“RST”是什么功能指令（）A.置位B. 复位C. 上升沿脉冲D. 下降沿脉冲2、梯形图中，为减少程序所占步数，应将并联触点数多支路排在（C）A、前B、后C、上D、下3、用于串联连接逻辑块的指令是（）A.SETB.RSTC.ANBD.ORB4、将堆栈中逻辑结果读出并清除堆栈内容的指令为（C ）A.MPSB.MRDC.MPPD.SP5、中间继电器的电气文字符号是（ A ）。

A、KAB、KTC、SBD、KM6、上升沿检出开始梯形图逻辑运算的指令是（ A ）A.LDIB.LDPC.LDD.LDF7、按下复合按钮时（A ）。

A.动断点先断开B、动合点先闭合C、动断动合点同时动作8、PLC的核心是（ C ）。

A、存储器B、总线C、CPUD、I/O接口9、下列电器中哪个是电磁式电器，它是依据电磁感应原理来工作的电器？（A ）A.接触器B. 行程开关C. 熔断器D. 刀开关10、PLC的输入端口一般不能接（C ）A. 继电器触点B.点动开关C.负载线圈D. 行程开关11、和下列梯形图功能相同的是（A ）。

A.B.C.D.12、熔断器是（ C ）在被保护的电路中。

A、并联B、混联C、串联D、串联或并联13、低压电器是用于交流50HZ（或60HZ），额定电压为（C）；直流额定电压1500V及以下的电路中的电器。

A、1200V以下B、1500V以下C、1200V以上D、1500V以上14、三菱FX系列PLC 的输入和输出继电器采用（B ）进制数字编号。

A. 二B. 八C. 十D. 十六15、由于电弧的存在将导致（A ）。

A、电路分断时间加长B、电路分断时间缩短C、电路分断时间不变16、下列指令形式正确的是（B ）A、MC X0B、MC N0 M20C、MC N10 Y0D、MC Y017、将堆栈中逻辑结果读出并清除堆栈内容的指令为（C ）A、MPSB、MRDC、MPPD、SP18、用于并联连接单个常开触点的指令是（C ）A、ORB、ANIC、ORID、AND19、热继电器主要由热元件、（B ）和触点组成。

电子技术习题

4.在选用二极管时，其特性参数中的最大整流电流是指长期运行时，允许通过的D 。

A.最大交流电流B.最大电流C.最大电流的有效值D.最大正向平均电流5.晶体三极管的 C 无法用万用表测试。

A.电流放大倍数βB.穿透电流I cboC.截止频率D.管型6.不属于三极管极限参数的是 B 。

A.反向击穿电压B.反向饱和电流C.集电极最大允许电流D.集电极允许耗散功率83.已知三极管处于放大状态，三个极的电位分别为V1=6.7V、V2=6V、V3=10V，该管属于 A 种类型。

A.硅NPN型B.硅PNP型C.锗NPN型D.锗PNP型二多选题6.用数字万用表能直接判断 ABCDE 的好坏。

A.二极管B.三极管C.电容D.电阻E.导线三判断题3.（×）三极管的任意两个管脚在应急时可作为二极管使用。

4.（×）用万用表测试二极管的正、反向电阻可判别极性，如测得阻值为数百欧时，红表笔接触的是二极管的正极。

5.（√）如用万用表的正表笔接晶体管的基极，负表笔碰触另外两个电极测得的阻值均为较大电阻，则可认定该管为NPN型晶体管。

10. P型半导体中，电子数目与空穴数目相比 A 。

A.电子数少于空穴数B.电子数等于空穴数C.电子数多于空穴数D.电子数与空穴数之比为3：211.常用二极管的特性是 D 。

A.放大作用B.稳压作用C.开关特性D.单向导电性12.硅材料二极管的死区电压为 C V。

A.0.1B.0.3C.0.5D.0.713.晶体三极管的极性判断可依据三极管的 A 特性。

A.电流放大B.电压放大C.电流稳定性D.电压稳定性14.三极管的反向饱和电流I cbo，是指发射极开路时， B 极之间的反向电流。

A.e与bB.c与bC.e与cD.b与o15.三极管的电流放大系数是指 B 的比值。

A.集电极电流与发射极电流B.集电极电流与基极电流C.发射极电流与基极电流D.发射极电流与集电极电流16.单向晶闸管内部有 C 个PN结。

电子技术习题

基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗ＰＮＰ管。

2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。

3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。

4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。

5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。

6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。

8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。

9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。

10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。

12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。

13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。

14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。

小于诸晶体二极管的死区电压。

15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。

16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。

17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。

18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。

19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。

20、晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关，温度升高，Ｒ、ｒbe都增高。

电力电子技术习题及参考答案

电力电子技术习题及参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、2msC、4msD、1ms正确答案：A2.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B3.可实现有源逆变的电路为（）。

A、单相半控桥整流电路B、单相全控桥接续流二极管电路C、三相半波可控整流电路D、三相半控桥整流桥电路正确答案：C4.在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。

A、90°～180°B、0°～180°C、0°～90°正确答案：C5.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。

A、减小输出功率B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、增大输出幅值正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案：A7.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、不控型器件B、全控型器件C、半控型器件D、触发型器件正确答案：B8.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。

A、0°～120°B、0°～150°C、30°～150°D、15°～125°正确答案：B9.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、150°B、90°C、120°D、180°正确答案：D10.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、90度-180度B、0度-90度C、0度D、180度-360度正确答案：B11.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、可靠触发区B、不触发区C、安全工作区D、不可靠触发区正确答案：B12.IGBT属于（）控制型元件。

电子技术习题

二、选择题：1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各极电位如下图所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管 1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM8、温度升高时，三极管的β值将[ A ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中，多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质12、在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定13、在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定14、在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ B ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定15、在电路中我们可以利用[ C ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

模拟电子技术练习题库(附参考答案)

模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。

（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。

A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。

正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。

A、∞;B、0;C、不定。

正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。

A、虚短;B、虚地;C、虚断。

正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。

A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。

正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。

（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。