《集成电路芯片封装技术》考试题
集成电路封装测试技术考核试卷
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1.扁平式射频
2.球栅阵列封装
3.陶瓷塑料
4.逻辑功能电参数
5.热导率机械强度
6.引线键合
7.温度循环试验湿度试验
8. X射线检测
9.四边
10.晶圆级封装
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. √
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.封装主要保护芯片免受物理、化学和环境影响，确保其电性能稳定。封装还便于安装、焊接和散热，对集成电路的性能和可靠性至关重要。
2.评估封装可靠性通常通过环境试验、电测试和寿命试验等方法。常用测试包括高温试验、低温试验、温度循环试验、湿度试验和振动试验等。
3.表面贴装技术（SMT）适用于小型化、高密度封装，具有组装速度快、成本低、占用空间小、可靠性高等优点。
C.温度循环试验
D.霉菌试验
18.以下哪些封装工艺适用于芯片级封装（CSP）（）
A.倒装芯片封装
B.引线键合
C.球栅阵列封装
D.晶圆级封装
19.以下哪些因素会影响集成电路封装的信号完整性（）
A.封装形式
B.封装材料
C.引线长度
D.芯片设计
20.以下哪些技术可以用于提高集成电路封装的散热性能（）
A.散热片
2.所有集成电路封装形式都可以采用表面贴装技术。（）
3.焊线键合是封装工艺中用于连接芯片与引线框架的一种方法。（）
4.集成电路封装的电气性能测试只需要检测芯片的功能性。（）
5.塑料封装的成本通常高于陶瓷封装。（）
集成电路芯片基础知识单选题100道及答案解析
集成电路芯片基础知识单选题100道及答案解析1. 集成电路芯片的基本组成单元是（）A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：晶体管是集成电路芯片的基本组成单元。
2. 以下哪种材料常用于集成电路芯片的制造？（）A. 铜B. 铝C. 硅D. 银答案：C解析：硅是目前集成电路芯片制造中最常用的材料。
3. 集成电路芯片的集成度是指（）A. 芯片中晶体管的数量B. 芯片的面积C. 芯片的性能D. 芯片的价格答案：A解析：集成度通常指芯片中晶体管的数量。
4. 以下哪种工艺技术常用于提高集成电路芯片的性能？（）A. 缩小晶体管尺寸B. 增加晶体管数量C. 降低工作电压D. 以上都是答案：D解析：缩小晶体管尺寸、增加晶体管数量和降低工作电压都可以提高集成电路芯片的性能。
5. 集成电路芯片的设计流程中，不包括以下哪个步骤？（）A. 系统规格定义B. 逻辑设计C. 封装测试D. 物理设计答案：C解析：封装测试是芯片制造完成后的环节，不属于设计流程。
6. 芯片中的布线主要用于（）A. 连接晶体管B. 存储数据C. 控制电流D. 提高速度答案：A解析：布线的作用是连接芯片中的晶体管等元件。
7. 以下哪种类型的集成电路芯片应用最广泛？（）A. 数字芯片B. 模拟芯片C. 混合信号芯片D. 射频芯片答案：A解析：数字芯片在计算机、通信等领域应用广泛。
8. 集成电路芯片的工作频率主要取决于（）A. 晶体管的开关速度B. 芯片的面积C. 电源电压D. 封装形式答案：A解析：晶体管的开关速度决定了芯片的工作频率。
9. 以下哪个不是集成电路芯片制造中的光刻工艺步骤？（）A. 涂胶B. 曝光C. 刻蚀D. 封装答案：D解析：封装不属于光刻工艺步骤。
10. 芯片的功耗主要由以下哪种因素决定？（）A. 工作电压B. 工作频率C. 晶体管数量D. 以上都是答案：D解析：工作电压、工作频率和晶体管数量都会影响芯片的功耗。
11. 集成电路芯片的可靠性与以下哪个因素无关？（）A. 制造工艺B. 工作环境C. 芯片价格D. 封装质量答案：C解析：芯片价格不影响其可靠性。
集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版)
集成电路技术集成电路工艺原理试卷（练习题库）1、用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。
2、单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
3、晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。
4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
5、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、O 和（）。
6、CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
7、CZ直拉法的目的是（）。
8、影响CZ直拉法的两个主要参数是O和（）。
9、晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
10、制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、O011、热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。
77、多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
78、阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
79、关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
80、传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
81、溅射是个化学过程，而非物理过程。
82、表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
83、化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。
84、平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。
85、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
86、电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
87、在CMP为零的转换器。
133、CD是指硅片上的最小特征尺寸。
134、集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜135、人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
136、硅片制造厂可分为六个的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
137、世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
集成电路封装与测试复习题（含答案）
集成电路封装与测试复习题(含答案)第1章集成电路封装概论2学时第2章芯片互联技术3学时第3章插装元器件的封装技术1学时第4章表面组装元器件的封装技术2学时第5章BGA和CSP的封装技术4学时第6章POP堆叠组装技术2学时第7章集成电路封装中的材料4学时第8章测试概况及课设简介2学时一、芯片互联技术1、引线键合技术的分类及结构特点？答：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。
2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。
于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。
这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固的焊接。
3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。
这是由于它操作方便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。
现代的金丝球焊机往往还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。
可实现微机控制下的高速自动化焊接。
因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。
2、载带自动焊的分类及结构特点？答：TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um，Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些？答：TAB的关键技术主要包括三个部分：一是芯片凸点的制作技术；二是TAB载带的制作技术；三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。
制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ）4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点；电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。
集成电路先进封装技术考核试卷
6.系统级封装（SiP）的一个主要优点是__________，它可以提高电子产品的性能和功能。
（）
7.传统的__________封装技术因其较高的热阻和电感而逐渐被先进封装技术所取代。
（）
8.在倒装芯片封装（FC）中，芯片通常是__________朝下放置在基板上的。
（）
9.为了减小封装体积，提高集成度，__________封装技术被广泛应用于高性能电子产品中。
A.硅片级封装（SLP）
B.硅通孔技术（TSV）
C.系统级封装（SiP）
D.倒装芯片封装（FC）
14.关于球栅阵列封装（BGA），以下哪个描述是错误的？（）
A.提高了封装的电气性能
B.提高了封装的散热性能
C.适用于低频、低速电子产品
D.可以减小封装体积
15.下列哪种技术主要用于提高封装的集成度？（）
D.系统级封装（SiP）
20.以下哪些技术可用于集成电路封装中的互连？（）
A.金属线键合
B.硅通孔技术（TSV）
C.非导电胶粘接
D.引线键合
注意：请将答案填写在括号内，每题1.5分，共30分。
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在集成电路封装技术中，__________是指将芯片直接连接到封装基板或互连结构的技术。
A.通常采用引线键合技术
B.适用于低频、低速电子产品
C.不能提高封装的集成度
D.可以有效降低封装成本
11.下列哪种材料主要用于制造TSV工艺中的通孔？（）
A.铜
B.铝
C.硅
D.硅氧化物
12.以下哪个因素不是影响集成电路可靠性的主要因素？（）
A.封装材料
半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)
半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。
广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。
4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次？第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次，将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类？按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装，双边引脚元器件有双列式封装小型化封装，四边引脚有四边扁平封装，底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面？1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词：SIP：单列式封装SQP：小型化封装MCP：金属鑵式封装DIP：双列式封装CSP：芯片尺寸封装QFP：四边扁平封装PGA：点阵式封装BGA：球栅阵列式封装LCCC：无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装，芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀，湿法腐蚀，等离子增强化学腐蚀，常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄：在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削。
集成电路封装考试答案
名词解释：1.集成电路芯片封装：利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。
2.芯片贴装：3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。
4.芯片互联：5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。
6.可焊接性:指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。
7.可润湿性：8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。
9.印制电路板：10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。
11.气密性封装：12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。
13.可靠性封装：14.是对封装的可靠性相关参数的测试。
15.T/C测试：16.即温度循环测试。
17.T/S 测试：18.测试封装体抗热冲击的能力。
19.TH测试：20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。
21.PC测试：22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。
23.HTS测试：24.是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。
封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。
25.Precon测试：26.模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。
27.金线偏移：28.集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。
29.再流焊：30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
简答：1.芯片封装实现了那些功能？传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持2．芯片封装的层次五个层次：零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺第一层次：芯片层次的封装第二层次：将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺第三层次：将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺第四层次：将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程3.简述封装技术的工艺流程硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码4.芯片互联技术有哪几种?分别解释说明打线健合技术（WB）：将细金属线或金属按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互联。
集成电路芯片封装技术复习题
￥一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
'7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
^13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。
15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)]是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
计算器芯片封装技术考核试卷
C. SIP封装
D. LGA封装
6.计算器芯片封装中，下列哪种技术主要用于减小封装体积？（）
A.多芯片模块封装
B.系统级封装
C.硅通孔封装
D.倒装芯片封装
7.下列哪种封装形式在计算器芯片封装中具有较高的引脚密度？（）
A. SOIC封装
B. TQFP封装
C. SSOP封装
D. DIP封装
A.焊球封装
B.焊线封装
C.倒装芯片封装
D.球栅阵列封装
16.计算器芯片封装中，以下哪些环节可能影响封装的长期可靠性？（-->
A.材料老化
B.焊点疲劳
C.环境应力
D.所有上述环节
17.以下哪些封装技术适用于高频信号的传输？（-->
A. LGA封装
B. QFP封装
C. BGA封装
D. PGA封装
18.以下哪些封装材料在高温环境下性能稳定？（-->
A.屏蔽封装
B.地线设计
C.抗干扰材料
D.封装结构的优化
10.以下哪些封装形式具有较高的引脚密度？（）
A. TQFP封装
B. SSOP封装
C. DIP封装
D. QFN封装
11.在芯片封装中，以下哪些因素会影响焊点的质量？（）
A.焊料的类型
B.焊接温度
C.焊接时间
D.焊点的设计
12.以下哪些封装技术可以提高芯片的电性能？（-->
8.在芯片封装过程中，以下哪个参数会影响焊点的可靠性？（）
A.焊料类型
B.焊接温度
C.焊接时间
D.所有上述参数
9.以下哪种封装技术适用于高频、高速信号的传输？（）
A. LGA封装
封装技术基础及实践考试试卷
封装技术基础及实践考试试卷（答案见尾页）一、选择题1. 嵌入式系统封装技术的基础知识包括哪些？A. 硬件封装B. 软件封装C. 接口封装D. 性能优化封装2. 嵌入式系统封装类型中，哪种封装形式适用于处理器内核？A. 壳层封装B. 陶瓷封装C. 玻璃封装D. 金属封装3. 嵌入式系统封装中，金属封装通常用于什么场景？A. 高性能处理器B. 低功耗微控制器C. 数字信号处理器D. 微型传感器4. 嵌入式系统封装技术中，焊锡封装的优缺点是什么？A. 优点：成本低，易于制造；缺点：散热性能较差，可靠性不高B. 优点：散热性能好，可靠性高；缺点：成本较高，制造过程较复杂C. 优点：成本低，制造过程简单；缺点：散热性能较差，可靠性不高D. 优点：散热性能好，可靠性高；缺点：成本较高，制造过程较复杂5. 嵌入式系统封装中，哪种封装形式具有较好的可扩展性和可维护性？A. 壳层封装B. 陶瓷封装C. 玻璃封装D. 毫米波封装6. 嵌入式系统封装中，塑料封装与金属封装相比，其特点是什么？A. 重量轻，成本低B. 重量轻，导热性好C. 重量轻，散热性好D. 重量轻，成本低，导热性好7. 嵌入式系统封装中，芯片级封装（COB）的优点是什么？A. 体积小，重量轻B. 高度集成，性能优越C. 生产效率高，成本低D. 以上都是8. 嵌入式系统封装中，哪种封装形式适合于超声波清洗？A. 壳层封装B. 陶瓷封装C. 玻璃封装D. 金属封装9. 嵌入式系统封装中，哪种封装形式适合于高温环境？A. 壳层封装B. 陶瓷封装C. 玻璃封装D. 金属封装10. 嵌入式系统封装技术的发展趋势是什么？A. 封装尺寸越来越小B. 密封性能越来越好C. 可靠性越来越高D. 以上都是11. 基于封装技术的集成电路设计原则是什么？A. 将多个元件集成到一个芯片中以减少体积和功耗B. 采用光学胶水将元件固定在电路板上C. 使用环氧树脂将元件固定在电路板上并进行电气连接D. 以上都是12. 封装技术的主要作用是什么？A. 提高电子产品的可靠性和稳定性B. 缩小电子产品的体积C. 降低生产成本D. 以上都是13. 下列哪种封装类型适用于高性能计算领域？A. SOT-223B. QFPC. BGAD. SOIC14. 短引线封装（SOT）的特点是什么？A. 引线长度较短，易于焊接B. 表面贴装技术（SMT）适用C. 主要用于数字电路D. 以上都是15. 在实际应用中，哪种封装类型最适合用于热敏传感器？A. TO-92B. DIPC. SOT-23D. SOIC16. 嵌入式系统中的封装技术有哪些？A. 印刷电路板（PCB）B. 毛坯金属（BM）C. 焊接D. 以上都是17. 超声波封装技术的主要优点是什么？A. 提高传感器的灵敏度和精度B. 缩小产品体积C. 降低成本D. 以上都是18. 在嵌入式系统中，哪种封装类型通常用于微处理器？A. BGA 1151B. LGA 1200C. QFP 1004D. SOIC 8919. 封装技术的发展趋势是什么？A. 小型化B. 高速化C. 多功能集成D. 以上都是20. 在选择封装类型时，应考虑哪些因素？A. 元件尺寸B. 电气性能要求C. 生产成本D. 以上都是21. 基于什么类型的封装技术可以降低电路板面积和重量？A. 表面贴装技术（SMT）B. 球栅阵列封装（BGA）C. 无引线封装（LGA）D. 陶瓷封装22. 在选择封装方法时，以下哪个因素不是需要考虑的关键因素？A. 电气性能B. 生产成本C. 可靠性D. 封装尺寸23. 下列哪一个封装类型适用于有高散热需求的场合？A. 金属封装B. 玻璃封装C. 塑料封装D. 陶瓷封装24. 在嵌入式系统设计中，哪种封装技术适合用于热敏元件的连接？A. 焊接B. 螺钉固定C. 连接器插针D. 无线连接25. 哪种封装技术通常用于存储数据的高速存储器？A. 串行ATA（SATA）B.并行ATA（PATA）C. PCI Express（PCIe）D. USB26. 在实际应用中，哪种封装技术是最常见且广泛使用的？A. 金属封装B. 塑料封装C. 陶瓷封装D. 玻璃封装27. 以下哪种封装技术适合用于数字电路的电源管理？A. 金属封装B. 塑料封装C. 陶瓷封装D. 玻璃封装28. 在嵌入式系统中，哪种封装技术适合用于微控制器单元（MCU）？A. 焊接B. 螺钉固定C. 连接器插针D. 无线连接29. 哪种封装技术最适合用于传感器和执行器的应用？A. 焊接B. 螺钉固定C. 连接器插针D. 无线连接30. 在高速数据传输领域，哪种封装技术提供了最高的性能？A. 串行ATA（SATA）B. 并行ATA（PATA）C. PCI Express（PCIe）D. USB31. 基于什么类型的封装技术可以实现数据的有效保护和传输？A. 金属封装B. 玻璃封装C. 塑料封装D. 陶瓷封装32. 在芯片级封装（CSP）中，什么是金线键合？A. 一种用于连接芯片和基板的方法B. 一种用于连接芯片和引线的工艺C. 一种用于连接芯片和外部电路的连接方式D. 一种用于连接芯片和电源的工艺33. 芯片级封装中的倒装芯片技术是如何工作的？A. 将芯片直接贴在电路板上B. 将芯片通过线缆与电路板连接C. 将芯片通过锡球与电路板连接D. 将芯片嵌入到塑料封装中34. 什么是晶圆级封装（WLP）？A. 一种将芯片集成到基板上的技术B. 一种将芯片集成到塑料封装中的技术C. 一种将芯片集成到陶瓷封装中的技术D. 一种将芯片集成到玻璃封装中的技术35. 在微电子组件中，什么是有机封装？A. 一种使用塑料材料进行封装的技术B. 一种使用陶瓷材料进行封装的技术C. 一种使用金属材料进行封装的技术D. 一种使用玻璃材料进行封装的技术36. 什么是芯片级封装（CSP）？A. 一种将芯片集成到基板上的技术B. 一种将芯片集成到塑料封装中的技术C. 一种将芯片集成到陶瓷封装中的技术D. 一种将芯片集成到玻璃封装中的技术37. 在封装过程中，什么是合金焊料？A. 一种用于连接芯片和基板的金属合金B. 一种用于连接芯片和引线的金属合金C. 一种用于连接芯片和外部电路的金属合金D. 一种用于连接芯片和电源的金属合金38. 什么是活性金属键合？A. 一种用于连接芯片和基板的金属键合技术B. 一种用于连接芯片和引线的金属键合技术C. 一种用于连接芯片和外部电路的金属键合技术D. 一种用于连接芯片和电源的金属键合技术39. 在封装技术中，什么是柔性封装？A. 一种使用塑料材料进行封装的技术B. 一种使用陶瓷材料进行封装的技术C. 一种使用金属材料进行封装的技术D. 一种使用玻璃材料进行封装的技术40. 什么是芯片级多芯片模块（MCM）？A. 一种将多个芯片集成到一个基板上的技术B. 一种将多个芯片集成到一个塑料封装中的技术C. 一种将多个芯片集成到一个陶瓷封装中的技术D. 一种将多个芯片集成到一个玻璃封装中的技术二、问答题1. 什么是封装技术？请简要说明其作用。
电子与通信技术：集成电路工艺原理考试资料(题库版)
电子与通信技术：集成电路工艺原理考试资料（题库版）1、问答题简述引线框架材料？正确答案：引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关（江南博哥）键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用。
引线框架材料的要求为：热匹配，良好的机械性能，导电、导热性能好，使用过程无相变，材料中杂质少，低价，加工特性和二次性能好。
2、问答题简述MCM的概念、分类与特性？正确答案：概念：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
分类：MCM-L是采用片状多层基板的MCM、MCM-C是采用多层陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技术的MCM。
特性：尺寸小、技术集成度高、数据速度和信号质量高、可靠性高、成本低、PCB板设计简化、提高圆片利用率、降低投资风险。
可大幅度提高电路连线密度，增加封装效率；可完成轻、薄、短、小的封装设计；封装的可靠性提升。
3、问答题矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？正确答案：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。
一般基板的材科多采用高纯度的（96%）AL203陶瓷。
其工艺要求表面平整、划线准确，以确保电阻、电极浆料印制到位。
电极：片式电阻器一般都采用三层电极结构，最内层的是内层电极，它是连接电阻体位于中间层的是中间电极，它是镀镍（Ni）层，也被称为阻挡层，其主要作用是提高电阻器在焊接时的耐热性，避免造成内层电极被溶蚀。
位于最外层的是外层电极，它也被称为可焊层，该层除了使电极具有良好的可焊性外，还可以起到延长电极保存期的作用。
通常，外层电极采用锡一铅（S。
-PB.合金电镀而成。
电阻膜：电阻膜是采用具有一定电阻率的电阻浆料印制在陶瓷基板上，然后再经过烧结而成的厚膜电阻。
保护层：保护层位于电阻膜的外部，主要起保护作用。
它通常可以细分为封包玻璃保护膜、玻璃釉涂层和标志玻璃层。
电子制造中的芯片级封装技术考核试卷
5.以下哪种芯片级封装技术主要用于提高散热性能？（）
A.低温共烧技术
B.热压接技术
C.焊球技术
D.倒装芯片技术
6.在芯片级封装中，下列哪种技术主要用于减小封装尺寸？（）
A.多芯片模块封装
B.系统级封装
C.基板级封装
D.三维封装
7.以下哪种材料在芯片级封装中常用作焊料？（）
A.铅
B.镍
C.铜
4.三维封装技术有助于进一步提高封装密度和集成度，但面临散热、信号完整性、工艺复杂度等挑战。其应用前景广阔，需要不断解决技术难题以实现商业化大规模应用。
5.以下哪些因素会影响芯片级封装的散热性能？（）
A.材料的热导率
B.封装设计
C.焊接质量
D.环境温度
6.以下哪些技术可以用于多芯片模块封装？（）
A.系统级封装
B.三维封装
C.基板级封装
D.单芯片封装
7.在芯片级封装中，哪些因素会影响焊球质量？（）
A.焊料成分
B.焊球直径
C.焊接温度
D.焊接时间
8.以下哪些封装类型适合高频率应用？（）
B.系统级封装
C.基板级封装
D.三维封装
15.芯片级封装中，哪些因素会影响封装的电性能？（}
A.材料的选择
B.封装设计
C.焊接质量
D.封装尺寸
16.以下哪些封装形式在空间受限的应用中具有优势？（}
A. CSP
B. BGA
C. QFP
D. SOP
17.在芯片级封装中，哪些技术有助于提高生产效率？（}
A.焊球技术
C.焊球技术
D.倒装芯片技术
11.以下哪种封装形式在芯片级封装中具有更好的热性能？（）
《集成电路封装技术》期末复习
p.1封装/组装定义Packaging PKG是指利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或者基板上布置，粘贴固定及连接，引出接线端子，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。
广义上的封装指的是：将封装体及基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。
将基板技术，芯片封装体，分立器件等全部要素，按照电子设备整机要求进行连接和装配，实现电子的，物理的功能，使之转变为适用于整机或者系统的形式，称为整机装置或设备的工程称为电子封装工程。
2-3封装功能传递电能传递电路信号提供散热途径结构保护与支持4-5封装/组装分级第零层次：芯片级封装是指把芯片与封装基板或者引脚架之间的粘贴固定，电路连线与封装保护的工艺第一层次：器件级封装将多个芯片层次封装体组成基本器件第二层次：电路板级封装将多个器件层次封装体与其他电子元器件组成电路板第三层次：子系统级封装将多个电路板级封装体组成的电路卡组合在一个主电路板成为一个子系统第四层次：系统级封装将数个子系统组装成一个完整的电子产品的工艺过程。
11封装发展的几个阶段（按年代、接合方式和典型封装体分）20世纪50-60年代是TO的时代 70年代是DIP的时代80年代是QFP和SMT的时代 90年代是BGA和MCM的时代20世纪末是SIP的时代12-13集成电路发展的主要特征芯片尺寸越来越大工作频率越来越高发热量日趋增大引脚越来越多13-14对集成电路封装的要求小型化适应高发热集成度提高同时适应大芯片要求高密度化适应多引脚适应高温环境适应高可靠性考虑环保要求15-18我国封装业的发展和分类。
目前我国半导体封装测试主要集中在长三角珠三角京津环渤海湾地区第一类：国际大厂整合组件制造商第二类：国际大厂整合组件制造商与本土业者合资第三类：台资封装第四类：国内本土封装5-6封装分类：笔记-封装标准笔记-各种封装体EDEC 联合电子器件工程委员会美国 DIP双列直插式封装EIAJ日本电子工程委员会日本 PLCC塑封有引线芯片载体IEC国际电工委员会瑞士本部 QFP四边有引脚的扁平封装GB/T 中国国家技术标准研究所 PGA针栅阵列按封装外壳材料： BGA球栅阵列气密封装：金属壳封装陶瓷封装 CSP芯片尺寸封装非气密性封装：塑料封装 MCM多芯片组件86-93 印制电路板（PCB）硬式印制电路板：绝缘材料（高分子树脂和玻璃纤维强化材料）导体材料（铜）软式印制电路板：FR—4环氧树脂金属夹层电路板：射出成型电路板：聚亚硫胺，多元脂类，氩硫酸纤维，强化复合纤维，及氟碳树脂---聚乙烯对苯二甲酯101-108元器件与电路板的的接合引脚假材料：42%铁—58%镍的Alloy42（ASTMF30）最多常见方式：引脚插入式结合引脚与电路板导孔结合可区分为：弹簧固定与针脚焊接（波峰焊）p.39电磁兼容性设计任务抑制干扰的产生和传播，确保信号有效而不失真地传输，使电路能稳定可靠地工作40-42内部干扰源数字电路（内部干扰源）抗干扰能力优于模拟电路（外部干扰源）接地线噪声电源线噪声传输线反射线间串扰42-44减少干扰方法降低谐振电路Q值提供去耦电容解决匹配问题47-50减少（数字电路内部）噪声措施减小连接线电感用接地栅网减小地线电感减小环路面积来减小电感电源去耦51-59辐射形式和减少辐射措施差模辐射（电流流过电路中导线形成环路造成）减小电流I的幅度减小环路面积降低电源频率F及其谐波分量差模辐射（电路中存在不希望的电压降造成）减小共模电压屏蔽与去耦电缆中串入共模扼流圈p.60三级热阻器件级热阻(内热阻) 表示从发热芯片或其他电路元件的结至元器件外壳之间的热阻组装级热阻（外热阻）表示热流从元器件外壳流向某个参考点的热阻系统级热阻（最终的热阻）表示冷却剂至终端热沉的热阻61牛顿冷却方程对流的换热量可用牛顿冷却方程表示：Φ=h*A*Δt (W) A-----参与对流的换热面积m²h------对流换热系数W/(m²*k) 62传热形式、导热方程传热形式有：导热对流换热辐射换热导热方程：Φ=—λ* A* dT/dx (W)Φ垂直于换热面积的导热热量W λ是导热系数W/(m*k) dT/dx 是温度梯度C/m63-64热阻式导热热阻：R=l/(λ*A) λ材料导热系数对流热阻：R=1/(h*A) h对流换热系数（66导热分析法）：目的是在已知边界条件下，求的介质内部的温度分布及其热阻值：67-70对流的无量纲数Nu----努谢尔特数 Re—雷诺数 Pr---普朗特数 Gr—格拉晓夫数72热测试目的：检测组装内的温度或温度分布75-76热控制措施使热源至耗热空间的热阻降至最小措施：散热制冷恒温热管传热p.81腐蚀定义和腐蚀因素材料 + 环境介质（化学反应/电化学反应）变质性破坏腐蚀因素：潮湿空气污染物质温度太阳辐射生物因素82-83引起电化学腐蚀的条件金属材料 + 潮湿空气----------形成原电池83-84电极电位溶液 + 金属界面---------双电层--电位差—电池85-86腐蚀原电池及其基本工作过程；腐蚀原电池（异种金属接触电池和氧浓度差电池）阳极金属溶解阴极物质还原电流流动86-87吸氧腐蚀和析氢腐蚀吸氧腐蚀:----以氧还原反应作为阴极析氢腐蚀：-----以氢离子还原反应作为阴极87-92腐蚀类型均匀腐蚀电偶腐蚀应力腐蚀外加电压下腐蚀缝隙腐蚀94-95聚合物材料的劣化变质：化学腐蚀和自然腐蚀老化：高聚物变软变粘变脆变硬开裂影响因素：太阳辐射水汽大气中的化学物质96微生物侵蚀合适生长条件：水分合适的温度营养物质97-99微电子设备的防潮方法有机材料 + 无机材料—------器件表面钝化防潮三防：防潮防霉防雾p.101-104结构动应力主要由振动，冲击时结构的惯性电荷，基板弯曲或扭转变形，运载工具做曲线运动引起的惯性静荷产生的静应力组成108-110基板的动态特性基板的动态特性主要由固有频率fn和传递率η在工程中，基板和支承结构件的连接方式有螺旋连接，插座，带有波状弹簧板边导轨，槽形导轨连接，某一边的无支承等p.132互连与连接互连（2点或2点以上，具有一定距离之间的电器连同）---------厚膜互连与薄膜互连连接（紧邻2点之间具有接触内涵的电器连通）----钎焊（软/硬450）熔焊绕接压接键合倒装焊133印制板制造工艺的三种方法加成法减成法多线法167常用的线缆电力电话多芯屏蔽多芯同轴双绞线扁扁平挠性印制光学纤维 ------电缆144 #布线原则所有的走线尽可能短，敏感的信号线先走尽量近以减小回路电阻数字电路与模拟电路在布局布线上应尽量分隔开，以避免相互干扰设计开始时要估算功耗及温升，在性能允许的条件下尽量选用低功耗器件电路元器件接地，接电源应尽量短，尽量近以减小回路电阻敏感的高频的信号线采用共平面线结构或带状结构，以避免与其他电路耦合，产生干扰XY层走线应互相垂直以减少耦合，切忌上层走线与下层走线对齐或平行高速门电路的多根输入线的长度应相等，以避免产生不必要的延迟差分/平衡放大器,I/O通道的输入输出线的长度要求相等，以免产生不必要的延迟和相移为了生产，测试方便，设计上应设置必要的断点和测试点笔记/19 传统塑料封装工艺流程硅片减薄---硅片切割---芯片贴装---芯片互连---成型技术---去飞边毛刺—切筋成形---上焊锡---打码20晶圆切割对硅片进行背面减薄，然后对硅片进行划片加工20芯片贴装贴装的方式有:（共晶焊接导电胶玻璃胶）+ 粘贴法23芯片互连芯片互连常见方法：（打线载带自动倒装芯片）+ 键合24引线键合主要的打线键合技术：（超声波热超声波热压）+ 键合41~42成型技术塑料封装的成型技术：（转移喷射预）+ 成型技术, 主要的成型技术是转移成型技术42去飞边毛刺去飞边毛刺工序工艺有：（介质溶剂水） + 去飞边毛刺28上焊锡对封装后框架外引脚的后处理可以是电镀或是浸锡工艺焊锡的成分一般是63Sn/37Pb, 它是一种低共熔合金，共熔点在183-184 C之间，也有使用成分为85Sn/15Pb,90Sn/10Pb,95Sn/5Pb的焊锡，有的日本公司甚至用 98Sn/2Pb的焊料。
《集成电路芯片封装技术》考试题
得分评分人得分评分人得分评分人《集成电路封装与测试技术》考试试卷班级: 学号 姓名一一、填空题（每空格1分 共18分）1、封装工艺属于集成电路制造工艺的 工序。
2、按照器件与电路板互连方式，封装可分为引脚插入型（PTH ）和 两大类。
3、芯片封装所使用的材料有许多，其中金属主要为 材料。
4、 技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。
5、在芯片贴装工艺中要求：己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸要与芯片大小要 。
6、在倒装焊接后的芯片下填充，由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片-基板的中心流动。
一个12,7mm 见方的芯片， 分钟可完全充满缝隙，用料大约0,031mL 。
7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于 的毛刺。
8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料，则烧结后的膜是一种介电体，通常可用于制作 。
9、能级之间电位差越大，噪声越 。
10、薄膜电路的顶层材料一般是 。
11、薄膜混合电路中优选 作为导体材料。
12、薄膜工艺比厚膜工艺成本 。
13、导电胶是 与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。
14、绿色和平组织的使命是： 。
15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时，铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点 。
16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板，它通常被归类于 层次的电子封装技术17、印制电路板通常以 而制成。
18、IC 芯片完成与印制电路板的模块封装后，除了焊接点、指状结合点、开关等位置外，为了使成品表面不会受到外来环境因素，通常要在表面进行 处理。
二、选择题（每题2分 共22分）1、TAB 技术中使用（ ）线而不使用线，从而改善器件的热耗散性能。
A 、铝 B 、铜 C 、金 D 、银2、陶瓷封装基板的主要成分有（ ）A 、金属B 、陶瓷C 、玻璃D 、高分子塑料3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列（DIP ）封装，前者适合于高可靠性的元器件制作，后者适合于低成本元器件大量生产”，这句话说法是（ ）。
集成电路封装测试技术
10.在集成电路封装测试中，以下哪个因素可能导致信号完整性问题？（）
A.封装材料
B.引线长度
C.芯片贴装位置
D.所有上述因素
11.下列哪种封装形式具有较高的引脚密度？（）
A. DIP
B. QFP
C. LQFP
D. BGA
12.在集成电路封装过程中，以下哪个环节主要用于实现芯片与外界的电气连接？（）
15.在集成电路封装过程中，以下哪些步骤与环境保护有关？（）
A.清洗
B.焊接
C.固化
D.废弃物处理
第三部分判断题（本题共10小题，每题2分，共20分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.集成电路的封装技术对芯片的性能没有直接影响。（）
2.在所有的封装类型中，DIP封装具有最高的引脚密度。（）
3.集成电路封装过程中，引线键合是在芯片贴装之后进行的。（）
A. QFP
B. LQFP
C. BGA
D. DIP
13.集成电路封装测试中，功能测试的主要目的是：（）
A.确认芯片的功能
B.确认封装的完整性
C.确认引脚的连通性
D.确认芯片的功耗
14.以下哪些方法可以用于提高集成电路封装的散热性能？（）
A.使用散热器
B.增加封装尺寸
C.使用高热导率的封装材料
D.优化芯片布局
C.散热
D.以上都是
2.下列哪种封装形式属于表面贴装技术？（）
A. DIP
B. QFP
C. TO-92
D. BGA
3.在集成电路封装测试过程中，以下哪项不属于常用的测试方法？（）
A.功能测试
B.热测试
C.信号完整性测试
D.外观测试
集成电路封装技术考核试卷
9. ABCD
10. BD
11. AB
12. AB
13. ABCD
14. ABC
15. ABC
16. AC
17. ABCD
18. ABC
19. ABCD
20. AC
三、填空题
1.四侧引线扁平封装
2.陶瓷
3.信号传输
4.金线
5.热性能
6.湿热测试
7.助焊剂
8. QFN
9.材料选择
10.基板
四、判断题
D. TO-92
（）
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.集成电路的封装技术中，QFP是指_______。
（）
2.通常情况下，_______封装具有更好的热性能。
（）
3.集成电路封装的主要目的是保护芯片和_______。
（）
4.在引线键合工艺中，_______是常用的键合材料。
B.铜线键合
C.硅铝线键合
D.铁线键合
（）
15.以下哪些封装形式适用于微控制器？
A. QFN
B. QFP
C. PLCC
D. TO-92
（）
16.以下哪些封装材料在制造过程中具有较高的加工性？
A.塑料
B.陶瓷
C.金属
D.玻璃
（）
17.以下哪些是倒装芯片封装的优点？
A.提高电性能
B.提高热性能
C.降低封装成本
集成电路封装技术考核试卷
考生姓名：答题日期：得分：判卷人：
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.集成电路封装技术中，最常用的引线键合方式是以下哪一种？
集成电路封装考核试卷
C.对芯片性能没有影响
D.决定了芯片的安装方式
16.以下哪种封装形式适用于功率器件？（）
A. QFP
B. BGA
C. TO-220
D. SOIC
17.在集成电路封装中，以下哪个过程与焊接无关？（）
A.芯片粘接
B.引线键合
C.焊球形成
D.焊接炉温控制
18.以下哪个因素会影响集成电路封装的翘曲？（）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请描述集成电路封装的主要功能及其在电子设备中的作用。
答题区：
2.阐述BGA（Ball Grid Array）封装与QFP（Quad Flat Package）封装的异同点，并说明它们各自适用于哪些类型的电路。
答题区：
3.请解释为什么在集成电路封装过程中要考虑热管理，并列举几种提高封装热性能的方法。
答题区：
4.讨论集成电路封装的可靠性测试的重要性，并简要介绍两种常用的可靠性测试方法。
答题区：
标准答案
一、单项选择题
1. B
2. C
3. A
4. D
5. B
6. B
7. D
8. D
9. A
10. D
11. A
12. B
13. D
14. A
15. C
16. C
17. D
18. D
19. A
20. D
二、多选题
B.引线阻抗
C.封装材料
D.焊接质量
16.以下哪些封装形式适用于光学器件？（）
A. COB
B. PGA
C. BGA
D. QFN
17.集成电路封装的后道工艺包括：（）
集成电路芯片封装技术试卷
《微电子封装技术》试卷一、填空题(每空2分,共40分)1．狭义的集成电路芯片封装是指利用精细加工技术及，将芯片及其它要素在框架或基板上，经过布置、粘贴及固定等形成整体立体结构的工艺。
2．通常情况下，厚膜浆料的制备开始于粉末状的物质，为了确保厚膜浆料达到规定的要求，可用颗粒、固体粉末百分比含量、三个参数来表征厚膜浆料。
3．利用厚膜技术可以制作厚膜电阻，其工艺为将玻璃颗粒与颗粒相混合，然后在足够的温度/时间下进行烧结以使两者烧结在一起。
4．芯片封装常用的材料包括金属、陶瓷、玻璃、高分子等，其中封装能提供最好的封装气密性。
5．塑料封装的成型技术包括喷射成型技术、、预成型技术。
6．常见的电路板包括硬式印制电路板、、金属夹层电路板、射出成型电路板四种类型。
7. 在元器件与电路板完成焊接后，电路板表面会存在一些污染，包括非极性/非离子污染、、离子污染、不溶解/粒状污染4大类。
8. 陶瓷封装最常用的材料是氧化铝，用于陶瓷封装的无机浆料一般在其中添加玻璃粉，其目的是调整氧化铝的介电系数、，降低烧结温度。
9. 转移铸膜为塑料封装最常使用的密封工艺技术，在实施此工艺过程中最常发生的封装缺陷是现象。
10. 芯片完成封装后要进行检测，一般情况下要进行质量和两方面的检测。
11. BGA封装的最大优点是可最大限度地节约基板上的空间，BGA可分为四种类型：塑料球栅阵列、、陶瓷圆柱栅格阵列、载带球栅阵列。
12. 为了获得最佳的共晶贴装，通常在IC芯片背面镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载架上先植入。
13. 常见的芯片互连技术包括载带自动键合、、倒装芯片键合三种。
14. 用于制造薄膜的技术包括蒸发、溅射、电镀、。
15. 厚膜制造工艺包括丝网印刷、干燥、烧结，厚膜浆料的组分包括可挥发性组分和不挥发性组分，其中实施厚膜浆料干燥工艺的目的是去除浆料中的绝大部分。
16. 根据封装元器件的引脚分布形态，可将封装元器件分为单边引脚、双边引脚、与底部引脚四种。
集成电路封装与测试(一)
材料科学与工程
向
可靠性评价解析技术
制造、生产装置动向
1.3.4 电子封装工程的各个方面
功能部件
LSI
回路部件
搭载元器件
布线基板
封装关键技术 键合
布线
连接
散热 冷却
保护
目的 难易程度
需考虑的问题
使各种元器件、功能部件相组合形成功能电路
依据电路结构、性能要求、封装类型而异
苛刻的工程条件（温度、湿度、振动、冲击、放射性等）
集成电路封装与测试
主讲：杨伟光
课程大纲
基础部分 材料部分 基板部分 封装部分
测试部分
第一章 集成电路芯片封装概述 第二章 封装工艺流程 第三章 厚/薄膜技术 第四章 焊接材料 第五章 印刷电路板 第六章 元器件与电路板的结合 第七章 封胶材料与技术 第八章 陶瓷封装 第九章 塑料封装 第十章 气密性封装 第十一章 先进封装技术 第十二章 封装可靠性以及缺陷分析
1957年，诺伊斯(Robort Noyce)成立了仙童 半导体公司，成为硅谷的第一家专门研制硅
晶体管的公司。 1959年2月，基尔比申请了专利。不久，得 克萨斯仪器公司宣布，他们已生产出一种比 火柴头还小的半导体固体 电路。诺伊斯虽然 此前已制造出半导体硅片集成电路，但直到 1959年7月才申请专利，比基尔比晚了半年。 法庭后来裁决，集成电路的发明专利属于基 尔比，而 有关集成电路的内部连接技术专利 权属于诺伊斯。两人都因此成为微电子学的
实用 化
1947年 晶体管 的诞生
58年 IC出 现
61年二 者市场占 有率相等
多层
PCB 板
75年二者相同
积层式 多层板
1920 1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990 2000 2010
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得分评分人《集成电路封装与测试技术》考试试卷
一、填空题（每空格1分共18分）
1、封装工艺属于集成电路制造工艺的工序。
2、按照器件与电路板互连方式，封装可分为引脚插入型（PTH）和两大类。
3、芯片封装所使用的材料有许多，其中金属主要为材料。
4、技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。
5、在芯片贴装工艺中要求：己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸要与芯片大小要。
6、在倒装焊接后的芯片下填充，由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片-基板的中心流动。
一个12,7mm见方的芯片，分钟可完全充满缝隙，用料大约0,031mL。
7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于的毛刺。
8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料，则烧结后的膜是一种介电体，通常可用于制作。
9、能级之间电位差越大，噪声越。
10、薄膜电路的顶层材料一般是。
11、薄膜混合电路中优选作为导体材料。
12、薄膜工艺比厚膜工艺成本。
13、导电胶是与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。
14、绿色和平组织的使命是：。
15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时，铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点。
16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板，它通常被归类于层次的电子封装技术
17、印制电路板通常以而制成。
18、IC芯片完成与印制电路板的模块封装后，除了焊接点、指状结合点、开关等位置外，为了使成品表面不会受到外来环境因素，通常要在表面进行处理。
二、选择题（每题2分共22分）
1、TAB技术中使用（）线而不使用线，从而改善器件的热耗散性能。
A、铝
B、铜
C、金
D、银
2、陶瓷封装基板的主要成分有（）
A、金属
B、陶瓷
C、玻璃
D、高分子塑料
3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列（DIP）封装，前者适合于高可
靠性的元器件制作，后者适合于低成本元器件大量生产”，这句话说法是（）。
A、正确
B、错误
4、在芯片切割工序中，（）方法不仅能去除硅片背面研磨损伤，而且能
除去芯片引起的微裂和凹槽，大大增强了芯片的抗碎裂能力。
A、DBT法
B、DBG法
5、玻璃胶粘贴法比导电胶的贴贴法的粘贴温度要（）。
A、低
B、高
6、打线键合适用引脚数为（）
A、3-257
B、12-600
C、6-16000
7、最为常用的封装方式是（）
A、塑料封装
B、金属封装
C、陶瓷封装
8、插孔式PTH(plated through-hole 镀金属通孔)封装型元器件通常采用
（）方法进行装配。
A、波峰焊
B、回流焊
9、相同成分和电压应力下，长电阻较之短电阻电位漂移要（）
A、小
B、大
10、金属的电阻噪比半导体材料电子噪声（）。
A、高
B、低
11、（）技术适合于高密度和高频率环境
A、厚膜技术
B、薄膜技术。