测量tanδ值 - 360文档中心

tanδ测量标准 -回复

tanδ测量标准-回复tanδ测量标准是什么？在电力设备和材料领域中，tanδ测量标准是一种用来评估绝缘材料损耗和电气性能的重要指标。

本文将从tanδ测量的基本原理、仪器设备及测试步骤、标准规范等方面详细介绍tanδ测量标准。

首先，我们来了解一下tanδ的定义。

tanδ，即损耗角正切，是绝缘材料中能量转换的指标，表示材料中的能量损耗相对于能量储存的比例。

tanδ的数值越小，绝缘材料的性能越好。

在进行tanδ测量之前，我们需要准备一些仪器设备。

一般而言，tanδ的测量需要使用如交流电桥、频率及电压调节器、电容测试器等仪器设备。

在实验环境中，还需要确保电力供应稳定、温度适宜、仪器设备正常工作等。

接下来，我们来了解一下tanδ测量的基本原理。

tanδ测量是通过施加交流电压到被测绝缘材料上，测量电容损耗和介质损耗的比值从而得到的。

具体过程如下：首先在测量之前，我们需要将被测绝缘材料加工成具有规定形状和尺寸的试样；然后将试样与电极连接，确保电极与试样之间的接触良好；接下来，将试样放置在稳定的温度下，并施加规定电压；测量仪器会记录下电容损耗和介质损耗的数据，进而计算出tanδ的数值。

对于tanδ的测量标准，主要有以下几点规范和注意事项。

首先，测量试样的温度应控制在规定范围内，以确保测量结果的准确性。

其次，试样的形状和尺寸必须符合规定标准，以保证测量结果的可比性。

此外，测量过程中需要消除外界因素对测量结果的影响，如噪音、湿度等。

在实际应用中，tanδ测量标准还涉及材料的标准值和合格范围。

根据国家和行业标准，对不同类型和用途的绝缘材料，会有相应的tanδ标准值和合格范围。

通过与这些标准进行比较，我们可以评估绝缘材料的质量和电气性能是否达标。

总结起来，tanδ测量标准是电力设备和材料领域中用来评估绝缘材料质量和电气性能的重要指标。

了解tanδ测量的基本原理和仪器设备，严格遵守测量标准和规范，可以保证测量结果的准确性和可比性。

大型电力变压器绕组tanδ值测量的一些经验

高低申态
变压器，其绕组各部位的电容量和介质损耗因数，都可以由等效并联电路的计算公式十分方便地求出，亦可以在不同的接线方式下，用电桥和介损测试仪分别测量出各部位电容量和介质损耗因数值。本文分析的为降压变压器，由于一、三次绕组问中间还有二次绕组，故仅反映一、三次绕组间端部的绝缘状况。在测试结果不合格时，在条件许可的情况下，最好进行分解，测出各部位的真实介质损耗因数，以便于准确地做出分析与判断。现对现场两台电力变压器的ｔａｎｓ测量数据进行分析，供参考。２两台新装双绕组变压器绕组的ｔａｎ６试验结果分析表２为大丰博汇变两台ｓ９４００００ｋＶＡ、ｌ１０ｋＶ／１０．５ｋＶ双张组电力变压器绕组的ｔａｎ８试验结果（交接验收，温度为２１ ℃，相对湿度为６６％）。应该指出，电力变压顺交接验收系按《江苏省电力设备交接和预防性试验规程》，要求安装验收时在同一温度下的ｔａｎ８值变化量，不超过出厂值的３０％，即认为合格。一般情况下，在验收时绕组的ｔａｎ８除按此规程标准外，还希望不要超过《江苏省电力设备交接和预防性试验规程》的另一同时
民营科技２０１３年第１２期
科技论坛
大型电力变压器绕组ｔａｎ６值测量的一些经验
施豪
（江苏省大丰市供电公司电气试验班，江苏大丰２２４１００）
摘要：现主要，以供同行参考。关键词：电力；变压器；测量

测量tanδ时注意事项

测量tanδ时注意事项测量tanδ测量时应注意事项有：（1）尽可能分部分测。

一般测得的tanδ值是被测绝缘各个部分的tanδ的平均值，全部被测绝缘体可以看成是各个部分绝缘体的并联。

假定电容为C2的部分存在缺陷，当缺陷部分的体积与整个绝缘的体积之比越小，即C2/Cx越小，C2中的缺陷在测量整体的tanδ时越难发现。

对地电容较小的设备，如套管、互感器等，测量tanδ能有限的发现局部集中性和整体分布性的缺陷，但对电容量较大的设备，如大中型变压器、电力电缆、电容器、发电机等，测量tanδ只能发现整体分布性缺陷，因此，通常对运行中的电机，电缆等设备进行预防性试验时，不做tanδ测量。

对于可以分解为几个绝缘部分的被试品，分解后来进行tan δ的测量，可以更有效的发现缺陷。

（2）测量时，应该选择合适的温度，绝缘的tanδ值与温度有关，但tanδ值与温度之间没有准确的换算关系，故应该尽量在差不多的温度下测量tanδ，并以此作为比较，通常以20℃时的tanδ值作为参考标准。

（3）测量时应选取合适的实验电压，良好的绝缘，在其额定电压范围内，tanδ值是几乎不变，如果绝缘中存在气泡、分层、脱壳等，当所加实验电压足以绝缘中的气泡或气隙放电或者电晕，局部放电发生时，tanδ的值将随试验电压的上升而迅速增大，测定tanδ时所加的电压，原则上最好接近于被试品的正常工作电压，所加电压过低，则不容易发现绝缘中的缺陷，过高则容易对绝缘造成不必要的损失，实际上难以达到正常的工作电压，一般多用10kv。

（4）测量时注意消除被试品表面泄露电流的影响，表面泄露电流对tanδ测量结果的影响程度与被试品电容量有关，对小容量的被试品如套管、互感器等表面泄露电流影响较大，试验时被试品表面应清洁、干燥、必要时加屏蔽环，屏蔽环应装设在被试品与桥体相连的一端附近的表面上，切应与被试品与桥体连接的屏蔽相连。

（5）测量变压器的tanδ时，必须将每个绕组的首位短接，非被测绕组的首尾短接接地，否则会参数很大的误差。

tanδ测量标准 -回复

tanδ测量标准-回复什么是[tanδ测量标准]？[tanδ测量标准]是用于测量材料的介电损耗因子（tanδ）的一种标准方法。

介电损耗因子是材料在电场作用下吸收能量的能力，是材料损耗电能的程度的一个指标。

tanδ测量标准的目的是确定材料的电学性能，以便在各种电子器件的应用中选择合适的材料。

第一步：背景介绍在电子器件中，材料的电学性能是非常重要的。

介电损耗因子（tanδ）是衡量电介质材料在交流电场下能量损耗能力的重要参数。

它跟材料的电导率、介电常数等有关，影响着材料的电学性能。

因此，对于电介质材料的tanδ进行准确测量是非常必要的。

第二步：实验装置和测量方法为了准确测量tanδ，需要使用一套标准的实验装置和测量方法。

这套实验装置一般由电源、频率选定装置、电流检测装置、介电材料样品、电容器等组成。

而测量方法一般有两种：电压法和电流法。

在电压法中，首先要将样品制备成合适的形状和尺寸，然后将样品夹在电容器的两个极板之间。

接下来，通过外加电压的作用，将交变电场施加在样品上，测量出样品上的电流和电压大小。

最后，根据电流和电压的关系计算出tanδ的值。

在电流法中，同样需要将样品制备成合适的形状和尺寸，并夹在电容器的两个极板之间。

然后，通过外加电流的作用，将交变电场施加在样品上，测量出样品上的电压和电流大小。

最后，根据电压和电流的关系计算出tanδ的值。

第三步：实验条件和误差控制为了得到准确的测量结果，需要控制实验条件和误差。

实验条件包括频率、温度和湿度等。

一般情况下，tanδ的测量都在指定的频率范围内进行，常见的频率为1kHz或10kHz。

温度和湿度也会对测量结果产生一定的影响，因此需要在适宜的条件下进行测量。

误差控制是保证测量结果准确性的关键。

误差主要来自于仪器、样品制备和环境等方面。

为了减小误差，可以采用差分测量、屏蔽干扰、稳定仪器电源等措施。

同时，在样品制备过程中，要注意制备样品的均匀性和尺寸的精确性。

tanδ测量标准

tanδ测量标准tanδ是电气工程中用来描述材料介电性能的一个参数。

它是介质中非线性响应的一种测量方式，可以测量介质的电阻损耗和电容损耗，并通过tanδ值来评估材料的性能和质量。

在直流电路中，电阻是电流通过导体时的能量损耗，而电容则是电流在介质中储存和释放的能量。

然而，在交流电路中，介质的电阻和电容都会引起能量损耗，由于介质本身的特性，会导致介质内部发生能量转换的现象。

这种现象被称为介质的损耗。

在交流电路中，当电流通过介质时，会在电阻中消耗一部分能量，并在电截中以电场形式储存和释放电能。

而介质的损耗则包括电阻损耗和电容损耗。

电阻损耗是指介质内各种不完善和不均匀因素引起的电流通过介质时的能量损耗。

电容损耗是指介质中的电场储存和释放能量的损耗。

tanδ被定义为介质中电阻损耗与电容损耗的比值。

它表示了介质中能量损耗的程度和相对大小。

tanδ越小，说明介质的损耗越小，介质的电能储存和转换能力越强。

而tanδ越大，说明介质的损耗越大，介质的电能储存和转换能力越弱。

tanδ可以用来评估介质的质量和性能。

在电力系统中，大部分电气设备的绝缘材料都会由于长时间的工作和外界环境的影响而发生老化和破损。

当绝缘材料老化或破损时，会导致绝缘材料的性能下降，电介质中的损耗增加。

通过测量绝缘材料中tanδ的值，可以及时发现绝缘材料的老化和破损情况，以及绝缘材料中的缺陷和损伤。

在电力设备的选型和质量控制过程中，tanδ也是一个非常重要的参数。

通过测量不同材料的tanδ值，可以对材料的质量进行比较和评估。

通常情况下，tanδ值越小的材料，在电力设备中的使用寿命越长，质量越好。

因此，电力设备制造商在选材和定位的过程中，会将tanδ作为一个评估材料性能和质量的重要参数。

tanδ的测量方法通常采用交流桥电路的原理。

交流桥电路通过测量电压和电流的相位差来计算tanδ值。

实际测量中，通过正弦波激励电源产生的电压和电流，并测量两者之间的相位差，然后根据tanδ的定义来计算tanδ的值。

tanδ测量标准

tanδ测量标准什么是[tanδ测量标准]？在电气工程领域，tanδ（Tangent Delta）是指介质损耗角正切的物理量，也是介质电阻和电容之间的关系。

因此，tanδ测量标准就是用来衡量并评估介质的损耗特性的一系列标准和规范。

为什么需要[tanδ测量标准]？在电力设备和电子器件中，介质损耗可以导致能量的损耗和转化效率的降低。

了解介质的损耗特性对于设计和制造高性能电器设备是至关重要的。

应用和遵循tanδ测量标准可以确保电器设备的质量和可靠性，并确保其在长期运行过程中的稳定性。

tanδ测量标准的主要内容1. 测试频率和电压在tanδ测量中，需要确定合适的测试频率和电压。

测试频率一般为50Hz或者60Hz，这是由电网的标准频率决定的。

测试电压则要根据被测介质的额定电压和使用环境来确定。

这些参数的选择应遵循国际电工委员会（IEC）和其他相关标准组织的规定。

2. 测试装置和仪器tanδ测量需要使用专门的测试装置和仪器，例如电桥和信号发生器等。

这些仪器需要符合国际标准，例如IEC 60815和IEC 60270等。

测试装置的精度和可靠性对于测量结果的准确性至关重要，因此在选择和使用测试装置时，需要参考相关的标准和规范。

3. 测量方法和数据处理tanδ测量的方法包括比例法和桥式法。

比例法是通过比较被测样品的损耗功率与参考样品的损耗功率来测量tanδ。

桥式法则是通过测量电桥的平衡状态来确定tanδ值。

在进行测量时，需要考虑环境温度和湿度等因素对测量结果的影响，并进行相应的修正和校准。

4. 测量结果的评估tanδ测量的结果需要进行评估和判定。

通常，tanδ值应与设备制造商或相关标准的规定进行比较，以确定样品是否符合要求。

根据测量结果，可以评估介质的质量和性能，并采取相应的措施，例如更换或维修。

5. 标准的更新和发展随着电力工程和电气设备的不断发展，tanδ测量标准也在不断更新和发展。

制定和修订tanδ测量标准是一个持续的过程，需要考虑新材料和新技术的引入。

电桥法测量-CX 与 tanδ及误差分析

图2-6 西林电桥原理图
电气绝缘测试技术所示：要实现 C点和 D点都为 0 电位所采用的方法常用的是如图所示：点和点都为电位所采用的方法常用的是如图2-6所示 • B点通过电源 2接地，E2幅值相位点通过电源E 点通过电源接地，可调节；可调节； • 先将接C点，调节 3和C4使桥体先将S接点调节R 平衡，存在并参与，、平衡，(C1/C2存在并参与，C、D 不是0电位电位)；不是电位； • 再把接地，调节 2使桥体平衡，再把S接地调节E 使桥体平衡，接地，指示器显示为0，点电位电位(平衡指示器显示为，D点0电位平衡 C1/C2)；； •再把接C，调节 3和C4使桥体平再把S接，调节R 再把点电位发生改变，衡，C、D点电位发生改变，较前、点电位发生改变次平衡接近0电位电位；次平衡接近电位； • 如此反复，开关置于或地时，如此反复，开关S置于或地时，置于C或地时指示器总是0，直到O/C/D均平衡。均平衡。指示器总是，直到均平衡
精密西林电桥大电容电桥变阻高压西林电桥反接和对角线接地电桥压容器电电容比例臂电桥电桥低压工频电桥桥电阻比例臂电桥
电流比变压器电桥
电压比变压器电桥
自动平衡电桥
电气绝缘测试技术
(一)高压西林电桥一高压西林电桥 1、原理、西林电桥的两个高压桥臂，及无损耗(tanδ≈0)的西林电桥的两个高压桥臂，分别由试品 ZX 及无损耗的组成；标准电容 CN 组成；两个低压桥臂分别由无感电阻 R3 及 R4 与电并联组成，如图2-5所示所示。容 C4 并联组成，如图所示。
电气绝缘测试技术
(二)低压阻容电桥（----不是西林电桥）二低压阻容电桥低压阻容电桥（不是西林电桥不是西林电桥） 1.电容比例臂电桥电容比例臂电桥

变压器的套管介损试验

变压器的套管介损试验
实际上是指变压器电容型套管的主绝缘及电容型套管对地末屏tanδ与电容量的测量。

tanδ测量值：
1)20℃时的tanδ(%)值应不大于下表中数值：见附表。

2) 电容型套管的电容值与出厂值或上一次试验值的差别超出±5％时，应查明原因。

3) 当电容型套管末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时，应测量末屏对地tanδ，其值不大于2%。

测量接线方法及注意事项：
⑴电桥正接线测量。

测量变压器套管tanδ时，与被试套管相连的所有绕组端子连在一起加压，其余绕组端子均接地，末屏接电桥，正接线测量。

⑵油纸电容型套管的tanδ一般不进行温度换算，当tanδ与出厂值或上一次试验值比较有明显增长或接近左表数值时，应综合分析tanδ与温度、电压的关系。

当tanδ随温度增加明显增大或试验电压由10kV升到Um/ 时，tanδ增量超过±0.3％，不应继续运行。

⑶测量时记录环境温度及变压器顶层油温。

⑷只测量有末屏引出的套管tanδ和电容值。

⑸封闭式电缆出线或GIS出线的变压器，电缆、GIS侧套管从中性点加压，非被试侧短路接地。

主绝缘及电容型套管末屏对地绝缘电阻：
1)主绝缘的绝缘电阻值一般不应低于下列数值：
110kV及以上：10000MΩ
35kV：5000MΩ；
2)末屏对地的绝缘电阻不应低于1000MΩ。

电流互感器tanδ的测试

4．变频谐振升压法主绝缘高电压电容量和介损测试简介主绝缘高电压电容量和介损测试，除以上工频试验变
压器升压法外，便携式变频谐振升压法在现场也得到应用，解决了电流互感器现场高压介损测量电源的问题。
变频谐振升压法利用电流互感器与电抗器阻抗的不同性质，利用串联谐振原理获得高电压，使高压电源体积大大减小。现场应用时，电抗器上采用多抽头方式，感抗尽量接近互感器的容抗，以便回路尽量工作在50Hz左右。变频谐振升压法原理接线如图ZY1800503002-8所示。
（2）测试步骤。
将电容型电流互感器外壳接地，对互感器绕组放电接
地，拆除一次连线，一次绕组短接，二次绕组短接后接地，打开末屏接地线，将电桥Cx端与末屏相连接，高压引线接至一次绕组和标准电容高压端，标准电容下法兰接地。采用QSl西林电桥测试，应在标准电容低压端和地之间接入并联电阻凡，取下接地线。检查接线无误后，从零升至测试电压进行测试，测试电压lOkV～Um/，升压过程中在多点电压下测试tanδ值，读取测试数据：降压过程中在相应各点电压下测试tanδ值，读取测试数据。测试完毕后，将高压降到零，立即切断电源，将被试品放电接地。恢复电流互感器一、二次连接线，特别注意末屏接地引线的恢复。
电流互感器tanδ的测试
本模块介绍电流互感器介质损耗角正切值tanδ的测试方法和技术要求。通过测试工作流程的介绍，掌握电流互感器介质损耗角正切值tanδ测试前的准备工作和相关安全、技术措施、测试方法、技术要求及测试数据分析判断。
电流互感器介质损耗角正切值tanδ的测试能灵敏地发现油浸链式和串级绝缘结构电流互感器绝缘受潮、劣化及套管绝缘损坏等缺陷，对油纸电容型电流互感器由于制造工艺不良造成电容器极板边缘的局部放电和绝缘介质不均匀产生的局部放电、端部密封不严造成底部和末屏受潮、电容层绝缘老化及油的介电性能下降等缺陷，也能灵敏地反映。所以介质损耗角正切值 tanδ是判定电流互感器绝缘介质是否存在局部缺陷、气泡、受潮及老化等的重要指标。

介质损耗正切角tanδ

介质损耗正切角（Tan Delta）的概念与意义1. 引言介质损耗正切角（Tan Delta）是电气工程中一个重要的物理量，用以描述介质对电能的损耗程度。

它是介质中损耗功率与储存功率之比的正切值，也常被称为介质的损耗因数。

本文将详细介绍Tan Delta的概念、测量方法、应用领域以及意义。

2. Tan Delta的定义在电力系统中，传输线和电容器等元件中常常存在着电能的损耗。

当电能从一种形式转化为另一种形式时，会因为一些不可避免的效应而产生能量损耗。

这种损耗是由于电场在介质中的能量耗散引起的。

介质损耗正切角Tan Delta是介质的特性之一，用以描述介质中电能的损耗程度。

它是介质中损耗功率与储存功率之比的正切值，记作tanδ。

其中，损耗功率指的是在介质中转化为其他形式能量的功率，储存功率则是指在介质中储存的能量。

3. Tan Delta的测量方法Tan Delta的测量通常需要使用专门的仪器和设备。

下面介绍几种常用的测量方法。

3.1 可变电容器法可变电容器法是一种常用的测量Tan Delta的方法。

该方法使用一个可变电容器与被测样品电容器连接，在不同频率下通过改变可变电容器的电容值来测量Tan Delta。

通过测量电容值的变化和相应的相位差，可以计算出Tan Delta的值。

3.2 桥路法桥路法是另一种常用的测量Tan Delta的方法。

该方法使用交流桥路来测量电容器的电阻和电容值以及相应的相位差，通过这些测量结果可以计算出Tan Delta的值。

3.3 光学法光学法是一种非接触式的测量Tan Delta的方法。

该方法使用光学传感器来测量介质中的光学特性，并通过这些测量结果计算出Tan Delta的值。

4. Tan Delta的应用领域Tan Delta在电力系统和电气设备的设计、制造及维护过程中起着重要的作用。

以下是一些Tan Delta的应用领域：4.1 电容器选择和评估在电力系统中，电容器广泛应用于电力传输和电能储存等场景。

介质损耗角正切值的测量

介质损耗角正切值的测量介质损耗角正切值的测量介质损耗角正切值的测量试验目的与特点介质损耗角正切的概念：tanδ→ 反映绝缘介质在交流电压作用下，介质中有功电流分量和无功电流分量的比值，是衡量交流有功损耗大小的特征参数，其值越小，意味着绝缘的介质损耗越小P =Qtgδ= U²ωCtgδ介质损耗角正切测量目的有效性 1.受潮； 2.穿透性导电通道 3.绝缘内含气泡的游离，绝缘分层、脱壳。

4.绝缘有脏污、劣化老化；5.小等值电容被试品存在严重局部缺陷；局限性对非穿透的局部损坏则不易发现，并且被试绝缘体积越大，反映局部缺陷越发不容易，故对尺寸较大的设备应分解测试。

介质损耗角正切测量的特点假设集中性缺陷部分的绝缘与良好部分绝缘为并联关系：结论：对非穿透的局部损坏则不易发现，并且被试绝缘体积越大，反映局部缺陷越发不容易，故对尺寸较大的设备应分解测试。

测试设备用西林电桥测量tgδ的工作原理：如果C4的单位取 uf 则在数值上tgδ=C4；接线方式→正接线与反接线正接线特点：被试品两端均对地绝缘；优点：测试误差较小，测试时较为安全（电桥本体处于低电位）；缺点：不便于进行现场测试（现场设备多为一端接地）反接线特点：被试品一端接地；优点：便于进行现场测试；缺点：测试误差较大，测试时较危险（电桥本体处于高电位）；测量时的注意事项(1）无论采用何种接线，电桥本体必须良好接地。

(2）应在检流计灵敏度最低时切合电源 (3）应尽量解体测试电力变压器高压侧对低压侧现场试验影响测量结果的主要因素1.外界电场干扰2.外界磁场干扰3.温度的影响4.试验电压的影响现场测试电压一般取10kV5.被试品电容量的影响6.表面泄漏电流的影响测试前应清除绝缘表面的积污和水分，必要时可在绝缘表面安装屏蔽环。

减小误差的措施抗干扰介质损耗全自动测试仪 1.加设屏蔽；ˊ 2.采用移相电源（可消除同频率的电场干扰）通过改变试验电源的相位，使得与干扰源反相； 3.采用倒相法 - 将电源正接、反接各测一次； 4.采用数字滤波技术时域信号→频域信号→采用软件技术滤除干扰信号→计算tgδ真实值；电力变压器介损测试电力变压器介损试验接线a)高压绕组对低压绕组及地；b)低压绕组对高压绕组及地; c)高低压绕组对地;测量结果的分析判断1.三比较法2．绕组的tgδ 在20℃时不大于下列数值：330~500kV为0.6%; 66~220kV为0.8%; 35kV及以下为1.5%；3．除tanδ 值以外，还应注意 Cx 的变化情况。

介质损失角正切tanδ测量试验指导书

3
出被试品电容值。总之现场操作使用都比较麻烦，抗干扰能力差，已经不能适应现在电气试验工作的需要. 2. 数字高压介损测试仪基本测量原理基于传统西林电桥的原理基础上，测量系统通过标准侧 R4 和被试侧 R3 分别将流过标准电容器和被试品的电流信号进行高速同步采样，经模数（A/D）转换装置测量得到两组信号波形数据，再经计算处理中心分析系统，分别得出标准侧和被试侧正弦信号的幅值、相位关系，从而计算出被试品的电容量及介损值。智能型电桥的测量回路还是一个桥体。R3、R4 两端的电压经过 A/D 采样送到计算机，求得:
tan
tan 1 (%) tan 2 (%) 2
CX CN
R4 100 R3 R3 Rj
7
更准确些的 tanδ 值应为
tan
C1 tan 1 (%) C 2 tan 2 (%) C1 C 2
式中：C1、tanδ(%) —— 极性开关位于“+tanδ” 、 “接通Ⅰ”位置时的 CX 计算值合 tanδ(%)的读数； C2、tanδ(%) —— 极性开关位于“+tanδ” 、 “接通Ⅱ”位置时的 CX 计算值合 tanδ(%)的读数； CN —— 无损标准电容器电容； R4 —— 无感电阻； Rj —— 计算用电阻值，当分流器开关 S1 在 0.01A 位置时， Rj =100+R3；当分流器开关 S1 位于 0.025、0.06、0.15、1.25A，Rj 分别为 60、25、10、1 欧。六、注意事项 1.使用反接线时，标准电容器外壳带高压电，要注意使其外壳对地绝缘，并且与接地线保持一定的距离。 2.使用反接线时还要特别注意，电桥处于高电位，因此检查电桥工作接地良好，试验过程中也不要将手伸到电桥背后。 3.测量介质损失角的试验电压，一般不应高于被试品的额定电压，至多应不高于被试品额定电压的 110％。 4.所测得介质损失角 tanδ％值，应小于 1.5％，若测得的 tanδ％值不合格，则检查原因，对各部件进行测试。七、报告要求 1.检测数据的记录（1）检测时的温度、湿度、被测设备及测试设备的型号；（2）检测数据: tanδ％、R3；ρ；Rn；CN。 2.数据分析 (1) 计算出 tanδ和 CX； (2) 用 tanδ％值判断绝缘状况。八、附检测试验报告表格附检测试验报告表格介质损失检测试验报告设备型号：设备出厂编号：设备编号：额定电压：额定电流：项目介质损失分类 kV A 标准检测结果 tanδ％ CX 试验设备型号：试验设备编号：温度：湿度： ºC δ%

电流互感器tanδ的测试

（一）油浸链式和串级式电流互感器电容量及tanδ的测试
链式结构电流互感器一次和二次绕组互相垂直，一次和二次绕组上都包着油纸绝缘，一、二次绕组绝缘各占主绝缘的一半，绝缘包扎不能保证连续性，易产生间隙，使电场不均匀，故主要适用于35kV的互感器。链式结构电流互感器一、二次绕组之间和对地电容较小，所以高压对地电容对测量影响较大。链式电流互感器结构，如图ZY1800503002-1所示。
4．变频谐振升压法主绝缘高电压电容量和介损测试简介主绝缘高电压电容量和介损测试，除以上工频试验变压器升压法外，便携式变频谐振升压法在现场也得到应用，解决了电流互感器现场高压介损测量电源的问题。变频谐振升压法利用电流互感器与电抗器阻抗的不同性质，利用串联谐振原理获得高电压，使高压电源体积大大减小。现场应用时，电抗器上采用多抽头方式，感抗尽量接近互感器的容抗，以便回路尽量工作在50Hz左右。变频谐振升压法原理接线如图ZY1800503002-8所示。
（一）测试结果分析
1．测试标准及要求（1）交接试验时，对电压tanδ。测量电压为2kV，tanδ值不应大于表ZY1800503002-1中数据。表ZY1800503002-1 交接试验时电流互感器tanδ（%）限值
设备种类
油浸式电流互感器注硅脂及其他干式电流互感器油浸式电流互感器末屏
（1）测试应在良好的天气，湿度小于80％，互感器本体及环境温度不低于+5℃的条件下进行。（2）互感器表面脏污、潮湿时，应采取擦拭和烘干等措施以减少表面泄漏电流的影响。互感器电容量较小时，加屏蔽环会影响电场分布，不宜采用。（3）测试前，应先测试被试品的绝缘电阻，其值应正常。（4）互感器附近的木梯、架构、引线等所形成的杂散损耗，会对测量结果产生较大影响，应予拆除。高压引线与被试互感器的角度应尽量大，尽量远离被试品法兰，有条件时高压引线最好自上部向下引到试品，以免杂散电容影响测量结果，同时注意电场、磁场干扰。（5）电桥本体用截面较大的裸铜导线可靠接地。被试电流互感器外壳可靠接地，电桥本体应直接与被试互感器外壳或接地点连接且尽量短。（6）在测量电流互感器末屏介质损耗和电容量时，所加电压不得超过该末屏的承受电压。

介质损耗角tanδ的解释

介质损耗角tanδ的解释序号：1介质损耗角tanδ的解释在电学和电子领域中，我们经常会遇到一个参数，被称为介质损耗角（tanδ）。

这个参数用于衡量介质中电能转化为热能的能力。

在本文中，我们将深入探讨介质损耗角的定义、原因、测量方法以及其在实际应用中的重要性。

2. 介质损耗角的定义和解释介质损耗角（tanδ）是指在交流电场中，介质对电能的损耗程度。

它是介质电导率和介质电容率之间相对的比例。

介质损耗角的具体定义是介质中的有功损耗与无功损耗之比的正切值。

3. 介质损耗角的原因介质损耗角的存在是由于介质中的散射、吸收、导电等因素造成的。

当交流电场作用于介质中的分子或原子时，它们会因为电场的变化而发生运动，导致能量的转化和损耗。

4. 介质损耗角的测量方法测量介质损耗角是通过使用特定的测试仪器来完成的。

其中最常用的方法是使用沉浸在介质中的金属电极。

通过施加不同频率和电压的交流电，测量介质中的电流和相位差，从而计算出介质损耗角的值。

5. 介质损耗角在实际应用中的重要性介质损耗角在许多领域中都有重要的应用。

在电力系统中，高压电缆和电力变压器中的绝缘材料的损耗角直接影响电能的传输效率。

在电子器件中，介质损耗角的大小与电容器和电感器的性能密切相关。

它还在射频和微波电路设计中发挥关键作用，因为介质损耗角的大小会影响电路的带宽和纹波。

在无线通信和光纤通信领域中，了解介质损耗角有助于提高信号的传输质量和系统的可靠性。

6. 我对介质损耗角的观点和理解介质损耗角是一个非常重要的参数，它揭示了介质中电能转化为热能的过程。

在我看来，了解介质损耗角的原因和测量方法对于工程师和科研人员来说都至关重要。

只有通过深入理解和准确测量介质损耗角，我们才能提出有效的解决方案来改善介质中电能的传输和转化效率。

通过本文的讨论，我们希望读者对介质损耗角有了更清晰的认识，并且能够将其应用于实际工程和科学研究中。

介质损耗角是电学和电子领域中一个复杂而又有挑战性的概念，但它也是推动技术进步和创新的重要因素之一。

介质损失角正切值tanδ试验

介质损失角正切值tanδ试验一、试验的目的和意义1、电介质又称绝缘介质，也就是绝缘材料。

绝缘材料在电场的作用下，总会流过一定的电流，以发热的形式产生能量损耗。

在电压的作用下，电介质中产生的损耗称为介质损耗。

如果介质损耗很多，会使电介质温度升高，促使绝缘材料老化。

如果电介质温度不断上升，将会把电介质熔化、烧焦，使其丧失绝缘能力，最终被击穿。

因此，介质损耗是反映绝缘介质电性能优质程度的一项重要指标。

2、介质损耗与外加电压、电源频率、介质电容C和介质损耗因数tanδ成正比。

但是用介质损耗P表示介质品质的优劣是不方便的，因为P值和试验电压、介质尺寸(形状、大小、厚度等)等因素有关，不同设备间难以互相比较，因此也不能准确的反映电介质的绝缘状况。

而当外加电压、频率一定时，介质损耗仅与介质的等值电容和介质损耗因数有关，对于一定结构及形状的电介质，等值电容是定值，因此tanδ就完全反映了介质损耗情况，可以用来评价高压电力设备的绝缘水平，它是仅取决于材料的特性而与材料尺寸无关的物理量。

所以，在工程上选用介质损失角的正切值tanδ来判断介质的品质，表征电介质的损耗大小。

3、通过测量介质损失角的正切值tanδ可以反映出一系列的绝缘缺陷，如绝缘受潮、劣质变化或间隙放电等。

测量电介质的tanδ值，便于定量分析绝缘材料的损耗特性，有利于绝缘材料的分析研究和结构设计。

二、试验原理1、西林电桥测量tanδ1）通过调节无感电阻R3和可变电容C4，使检流计中无电流，电桥达到平衡时，可推导出：tanδ=2πfR4C42）正接线适合于两极对地绝缘的被试设备，因无接地寄生电容的影响，所以测量结果准确；反接线适合于被试设备一极接地的情况。

2、智能型抗干扰介损测试仪测量tanδ1）如上图所示，仪器测量线路包括一路标准回路和一路被试回路。

标准回路由内置高稳定度标准电容与采样电路组成，被试回路由被试设备和采样电路组成。

由计算机对采样数据处理后进行矢量运算，得到标准回路和被试回路的电流幅值及相位关系，并由此算出被试设备的电容值Cx和介质损失正切值tanδ。

高电压技术介质损耗角正切值(tanδ)的测量实验报告

实验报告
实验项目：介质损耗角正切值（tanδ）的测量
备注：序号（一）、（二）、（三）为实验预习填写项
五、程序调试及实验总结
实验过程：
正接法：反接法：
实验总结：
通过这次实验，我收获了很多知识和技能。

我认识到了介质损耗角正切值（tanδ）的重要性，它可以反映电介质的绝缘状况和缺陷，对于电气设备的预防性试验和故障诊断有着重要的作用。

我学习了使用西林电桥测量tanδ的方法，包括正接法和反接法，它们各有优缺点，需要根据被试品和电桥的绝缘情况选择合适的接线方式。

通过这次实验，我不仅掌握了一种实用的测量技术，而且培养了我的动手能力和观察能力，增强了我的实验兴趣和创新意识。

我感受到了理论与实践相结合的重要性，也发现了自己在实验中存在的不足和问题，对一些概念和现象的理解不够深刻，对电桥的结构和工作原理的掌握不够熟练，对实验数据的分析和处理的能力不够强等。

我希望在今后的学习中，我能够不断地充实自己的理论知识，加强自己的实验技能，提高自己的科学素养，为成为一名优秀的电气工程师打下坚实的基础。

电流互感器高电压介质损耗因数tanδ测量的分析

电流互感器高电压介质损耗因数tanδ测量的分析摘要: 目前电网现场对电流互感器预防性试验中，只进行10kv 的tanδ和电容量的测量，在设备出现10kv下介损及电容量、油色谱分析、过热、受潮等异常时，需进一步进行互感器绝缘诊断，对高电压下的介损角和电容量的测试就显得非常重要，因此现场开展高电压下互感器介损和电容量测量非常必要。

文章对高电压下的互感器介质损耗因数测量能准确反映设备的绝缘状况进行分析，并通过实例验证高压介质损耗值能有效地判断绝缘体是否存在缺陷。

因此得到现场开展tanδ-u曲线测试工作，对准确判断互感器绝缘状况有重要意义的结论。

关键词:互感器；介质损耗；测量；绝缘中图分类号：p619文献标识码： a 文章编号：1 概述国家电力公司《预防110～500kv互感器事故措施》( 以下简称预防性规程) 及《110～500kv电流互感器技术标准》中规定，对110kv及以上电压等级电流互感器，在出厂时应进行10kv和额定电压下的介质损耗因数( 以下简称介损) tanδ和电容量测量。

220～500kv电流互感器除应进行上述测量外，还应测取tanδ= f(u)的关系曲线(上升和下降)，同时注意相应电容量的变化。

2 互感器介损测量互感器在交流电压作用下，流过介质的电流由2部分组成，即电容电流分量和有功电流分量，通常电容电流远大于有功电流分量，介质损耗角δ甚小。

介质中的功率损耗。

tanδ为介质损耗角的正切(或称介质损耗因数)，它反映的是单位体积中的介质损耗。

在设备有缺陷时，流过绝缘的电流中有功电流分量增大，tanδ值也将加大。

通过测量tanδ，可以反映出互感器绝缘的一系列缺陷，如绝缘受潮，油或浸渍物脏污或劣化变质，绝缘中有气隙发生放电绝缘缺陷等。

3 tanδ与温度、电压的关系对于油纸绝缘的电容型电流互感器，介损与温度的关系取决于油和纸的综合性能。

良好的绝缘油是非极性介质，油的tanδ主要是电导损耗，它随温度升高而增大；而纸是极性介质，其tanδ由偶极子松弛损耗所决定。

变压器绝缘tanδ测量中温度影响分析

摘
要：介质损耗角正切值ｔ占是反映电容性设备绝缘状况的一个重要参数，受环境因素（温度、湿ａｎ如
度、污损）、频率及电压等级的影响。现有规程中对变压器介质损耗角正切值的温度换算做出了一些规定，然而在大量试验中逐渐发现其不适用性。通过几组典型数据分析这一现象：针对变压器绝缘在不同温度下介电特性的变化情况．结合电介质物理学理论．分析其变化规律的内部科学性：通过试验分析变压器绝缘纸板与绝缘油的介质损耗关系．就温度换算对现有规程的执行提出修改建议．供变压器绝缘状况的评估工
ｔｎ＝ａａｔｎ６ｌ．ｌ ×１３（１）
为调查变压器ｔｎ６与温度变化的关系．行了ａ进大量试验，现列举几次典型试验数据．并做具体分析一台状态良好的５０ｋ运行变压器．不同温０Ｖ在度下进行绝缘ｔｎ试验．果如表１所示ａ结根据插值计算．出以２得０℃ 的绝缘介质损耗值
据．变压器介质损耗角正切值ｔｎ６温度换算公式对ａ
进行讨论．提出修改建议并
使用上述公式进行变压器ｔｎ６温度换算时．的换ａ有算值不符合实际情况．说明标准里的温度换算系数

材料力学中tanδ含义

材料力学中tanδ含义在材料力学领域中，"tanδ"表示的是材料的损耗角（loss angle），也被称为材料的耗散角（dissipation angle）。

这个参数是用来描述材料在承受应力时能量损失的程度。

通过测量材料的tanδ，可以了解材料的损耗特性，帮助了解和设计材料的力学性质。

材料力学中的tanδ是指材料在受到弹性变形或者机械应变时产生能量损失的角度。

在许多实际应用中，材料需要能够根据外界的应力进行变形而不损失能量，这种材料被称为弹性材料。

然而，在许多情况下，材料会产生能量损失，这会导致材料的性能下降。

因此，为了了解材料的性能，我们需要了解材料的损耗角。

利用tanδ可以衡量材料损耗能力的大小。

回想一下三角函数的定义，tanδ等于材料的耗散能力和材料的储存能力之比。

具体而言，tanδ等于材料的损耗模量G"与材料的储存模量G'之比。

G'代表材料的刚性，表示材料能够储存多少应变能量，而G"代表材料的阻尼性，表示材料在应力作用下会损失多少能量。

值得注意的是，tanδ的值通常是一个小于1或等于0的正值。

如果tanδ的值接近0，这意味着材料的损耗能力很小，即材料的弹性储存性能很高，能量损失很小。

相反，如果tanδ的值接近1，这意味着材料的损耗能力较大，即材料的阻尼性较高，能量损失很大。

在实际应用中，我们通常希望材料的tanδ值尽可能小，以确保材料具有良好的弹性性能。

材料的tanδ值受到多种因素的影响。

第一个是材料内部的分子结构。

材料的分子结构决定了材料内部的粘滞阻尼效应，从而影响了tanδ值。

例如，聚合物材料通常具有较高的tanδ值，因为它们的分子结构导致了较大的分子摩擦效应。

与之相比，金属材料通常具有较低的tanδ值，因为它们的分子结构不会导致大量的分子摩擦。

第二个因素是材料的温度。

一般来说，随着温度的升高，材料的tanδ值会增加。

这是因为高温会增加材料内部分子的热运动，从而增加分子之间的碰撞和摩擦，导致能量的损失增加。