存储器习题及参考答案
第三章存储系统(习题解答)
第三章存储系统(习题解答)————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：第三章存储系统（习题参考答案）1．有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问：（1）该存储器能存储多少个字节的信息？（2）如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成，需要多少芯片？（3）需要多少位地址作芯片选择？解：（1）∵ 220= 1M，∴ 该存储器能存储的信息为：1M×32/8=4MB （2）（1024K/512K）×（32/8）= 8（片）（3）需要1位地址作为芯片选择。
（选择两个512K×32位的存储体）2. 已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用256K×16位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块板结构形式，问：（1）每个模块板为1024K×64位，共需几个模块板？（2）每个模块板内共有多少DRAM芯片?（3）主存共需多少DRAM芯片? CPU如何选择各模块板？解：(1)最大主存空间为：226×64位，每个模块板容量为：1024K×64位=220×64位设：共需模块板数为m：则：m=（226×64位）/（220×64位）= 64 (块)(2). 设每个模块板内有DRAM芯片数为n:n=(/) ×(64/16)=16 (片)(3) 主存共需DRAM芯片为：m×n = 64×16=1024 (片)每个模块板有16片DRAM芯片，容量为1024K×64位，需20根地址线(A19~A0)完成模块板内存储单元寻址。
一共有64块模块板，采用6根高位地址线(A25~A20)，通过6:64译码器译码,产生片选信号对各模块板进行选择。
3．用16K×8位的DRAM芯片组成64K×32位存储器，要求：(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(完整版)存储器习题及参考答案
习题四参考答案1．某机主存储器有16位地址，字长为8位。
（1）如果用1k×4位的RAM芯片构成该存储器，需要多少片芯片？（2）该存储器能存放多少字节的信息？（3）片选逻辑需要多少位地址？解：需要存储器总容量为：16K×8位，故，（1）需要1k×4位的RAM芯片位32片。
（2）该存储器存放16K字节的信息。
（3）片选逻辑需要4位地址。
2. 用8k×8位的静态RAM芯片构成64kB的存储器，要求：（1）计算所需芯片数。
（2）画出该存储器组成逻辑框图。
解：（1）所需芯片8片。
（2）逻辑图为：3. 用64k×1位的DRAM芯片构成256k×8位存储器，要求：（1）画出该存储器的逻辑框图。
（2）计算所需芯片数。
（3）采用分散刷新方式，如每单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期？解：（1）（2）所需芯片为32片。
（3）设读写周期为0.5微妙，则采用分散式刷新方式的刷新信号周期为1微妙。
因为64K ×1的存储矩阵是由四个128×128的矩阵构成，刷新时4个存储矩阵同时对128个元素操作，一次刷新就可完成512个元素，整个芯片只有128次刷新操作就可全部完成。
所以存储器刷新一遍最少用128个读/写周期。
4. 用8k×8位的EPROM芯片组成32k×16位的只读存储器，试问：（1）数据寄存器多少位？（2）地址寄存器多少位？（3）共需多少个EPROM芯片？（4）画出该只读存储器的逻辑框图？解：因为只读存储器的容量为：32k×16，所以：（1）数据寄存器16位。
（2）地址寄存器15位。
（3）共需8个EPROM芯片？（4）逻辑框图为：5. 某机器中，已经配有0000H～3FFFH的ROM区域，现在再用8k×8位的RAM芯片形成32k ×8位的存储区域，CPU地址总线为A0～A15，数据总线为D0～D7，控制信号为R/W（读/写）、MREQ（访存），要求：（1）画出地址译码方案。
课后习题答案第8章_存储器和可编程逻辑器件
第8章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1存储器按读写功能以及信息的可保存性分别分为哪几类？并简述各自的特点。
解答：存储器按读写功能可分为只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。
随机存取存储器在工作过程中，既可从其任意单元读出信息，又可以把外部信息写入任意单元。
因此，它具有读、写方便的优点，但由于具有易失性，所以不利于数据的长期保存。
只读存储器在正常工作时其存储的数据固定不变，只能读出，不能随时写入。
ROM为非易失性器件，当器件断电时，所存储的数据不会丢失。
存储器按信息的可保存性可分为易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器在系统关闭时会失去存储的信息，它需要持续的电源供应以维持数据。
非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。
8-2什么是SRAM？什么是DRAM？它们在工作原理、电路结构和读/写操作上有何特点？解答：SRAM（Static Random Access Memory）为静态随机存储器，其存储单元是在静态触发器的基础上附加控制电路构成的。
DRAM（Dynamic Random Access Memory）为动态随机存储器，常利用MOS管栅极电容的电荷存储效应来组成动态存储器，为了避免存储信息的丢失，必须定时地对电路进行动态刷新。
SRAM的数据由触发器记忆，只要不断电，数据就能保存，但其存储单元所用的管子数目多，因此功耗大，集成度受到限制。
DRAM一般采用MOS管的栅极电容来存储信息，由于电荷保存时间有限，为避免存储数据的丢失，必须由刷新电路定期刷新，但其存储单元所用的管子数目少，因此功耗小，集成度高。
SRAM速度非常快，但其价格较贵；DRAM的速度比SRAM慢，不过它比ROM 快。
8-3若RAM的存储矩阵为256字⨯4位，试问其地址线和数据线各为多少条？解答：存储矩阵为256字⨯4位的RAM地址线为8根，数据线为4根。
8-4某仪器的存储器有16位地址线，8位数据线，试计算其最大存储容量是多少？解答：最大存储容量为216⨯8=524288=512k bit（位）8-5用多少片256⨯4位的RAM可以组成一片2K⨯8位的RAM？试画出其逻辑图。
第四章存储器习题
第四章存储器一、填空题1. 计算机中的存储器是用来存放的，随机访问存储器的访问速度与无关。
√2. 主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。
√3. 存储器中用来区分不同的存储单元，1GB= KB。
√4. 半导体存储器分为、、只读存储器（ROM）和相联存储器等。
√5. 地址译码分为方式和方式。
√6. 双译码方式采用个地址译码器，分别产生和信号。
√7. 若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有条输出线；用双译码方式，地址译码器有条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了，串联的目的是为了。
10. 计算机的主存容量与有关，其容量为。
11. 要组成容量为4M×8位的存储器，需要片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K时，若首地址为00000H，那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用存储器件，它与外存比较存取速度、成本。
14 三级存储器系统是指这三级、、。
15 表示存储器容量时KB= ，MB= ；表示硬盘容量时，KB= ，MB= 。
16一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是。
17 只读存储器ROM可分为、、和四种。
18 SRAM是；DRAM是；ROM是；EPROM是。
19半导体SRAM靠存储信息，半导体DRAM则是靠存储信息。
20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。
21MOS半导体存储器可分为、两种类型，其中需要刷新。
22 广泛使用的和都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快，但不如后者高，它们的共同缺点是断电后保存信息。
23 EPROM属于的可编程ROM，擦除时一般使用，写入时使用高压脉冲。
24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。
25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。
数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案
第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。
（a）位（b）字节（c）字2．指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a） 2K×8位（）（）（）（）（b） 256×2位（）（）（）（）（c） 1M×4位（）（）（）（）3．ROM是（）存储器。
（a）非易失性（b）易失性（c）读/写（d）以字节组织的4．数据通过（）存储在存储器中。
（a）读操作（b）启动操作（c）写操作（d）寻址操作5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。
（a）电源关闭（b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c）6．具有256个地址的存储器有（ ）地址线。
（a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（ ）。
（a）２５６×１位（b）２５６×８位（c）１Ｋ×４位 （d）２Ｋ×１位答案：1．a2．（a）2048×8；2048；2048；8（b）512；256；256；2（c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；43．a4．c5．d6．c7．b8.2随机存取存储器（RAM）自测练习1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（）存储信息的。
2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。
3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。
4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。
5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。
答案：1．栅极电容，触发器2．刷新3．只读存储器，读/写存储器4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路5．11，8，2K×8位8.3 只读存储器（ROM）自测练习1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。
(蔡老师提供)第3章 多层次的存储器习题参考答案
第3章 多层次的存储器习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
存储器管理习题及答案
存储器管理一、单项选择题1．下列（A ）存储方式不能实现虚拟存储器。
A、分区B、页式C、段式D、段页式2．操作系统处理缺页中断时，选择一种好的调度算法对主存和辅存中的信息进行高效调度尽可能地避免（D ）。
A、碎片B、CPU空闲C、多重中断D、抖动3．分页式存储管理的主要特点是（C ）。
A、要求处理缺页中断B、要求扩充主存容量C、不要求作业装入到主存的连续区域D、不要求作业全部同时装人主存4．LRU页面调度算法淘汰（B ）的页。
A、最近最少使用B、最近最久未使用C、最先进入主存D、将来最久使用5．分区管理要求对每一个作业都分配（A ）的主存单元。
A、地址连续B、若干地址不连续的C、若干连续的页D、若干不连续的帧6．页面置换算法中（A ）不是基于程序执行的局部性理论。
A、先进先出调度算法B、LRUC、LFUD、最近最不常用调度算法7．在存储管理中，采用覆盖与交换技术的目的是（A ）。
A、节省主存空间B、物理上扩充主存容量C、提高CPU的效率D、实现主存共享8．分页虚拟存储管理中，缺页中断时，欲调度一页进入主存中，内存己无空闲块，如何决定淘汰已在主存的块时，（B）的选择是很重要的。
A、地址变换B、页面调度算法C、对换方式D、覆盖技术9．动态重定位技术依赖于（A ）。
A、重定位装入程序B、重定位寄存器C、地址结构D、目标程序10．（D ）存储管理兼顾了段式在逻辑上清晰和页式在存储管理上方便的优点。
A、分段B、分页C、可变分区方式D、段页式11．在可变分区存储管理中，某作业完成后要收回其主存空间，该空间可能与相邻空闲区合并，修改空闲区表使空闲区始址改变但空闲区数不变的是（A）情况。
A、有上邻空闲区也有下邻空闲区B、有上邻空闲区但无下邻空闲区C、无上邻空闲区但有下邻空闲区D、无上邻空闲区且也无下邻空闲区12．可变分区管理中，首次适应分配算法可将空闲区表中的空闲区栏目按（A ）顺序排列。
A、地址递增B、长度递增C、地址递减D、长度递减13．在固定分区分配中，每个分区的大小是（C ）。
最新--01-存储器练习题-带参考答案资料
最新--01-存储器练习题-带参考答案资料存储器练习题参考答案⼀、选择题（75+7题）1、计算机系统中的存储器系统是指( D )。
A、RAM存储器B、ROM存储器C、主存储器D、主存储器和外存储器2、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要⽤来( C )。
A、存放数据B、存放程序C、存放数据和程序D、存放微程序3、存储单元是指( B )。
A、存放⼀个⼆进制信息位的存储元B、存放⼀个机器字的所有存储元集合C、存放⼀个字节的所有存储元集合D、存放两个字节的所有存储元集合4、计算机的存储器采⽤分级存储体系的主要⽬的是( D )。
A、便于读写数据B、减⼩机箱的体积C、便于系统升级D、解决存储容量、价格和存取速度之间的⽭盾5、存储周期是指( C )。
A、存储器的读出时间B、存储器的写⼊时间C、存储器进⾏连续读和写操作所允许的最短时间间隔D、存储器进⾏连续写操作所允许的最短时间间隔6、和外存储器相⽐，内存储器的特点是( C )。
A、容量⼤，速度快，成本低B、容量⼤，速度慢，成本⾼C、容量⼩，速度快，成本⾼D、容量⼩，速度快，成本低B、0～32KC、0～64KBD、0～32KB8、某SRAM芯⽚，其存储容量为64K×16位，该芯⽚的地址线和数据线数⽬为( D )。
A、64,16B、16,64C、64,8D、16,169、某DRAM芯⽚，其存储容量为512K×8位，该芯⽚的地址线和数据线数⽬为( D )。
A、8,512B、512,8C、18,8D、19，810、某机字长32位，存储容量1MB，若按字编址，它的寻址范围是( C )。
A、0～1MB、0～512KBC、0～256KD、0～256KB11、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，它的寻址范围是( A )。
A、0～1MB、0～4MBC、0～4MD、0～1MB12、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围( C )。
(完整版)存储管理习题与答案作业
第5章一．选择题（40题）1.主存用来存放__D_。
A.程序B.数据C.微程序D.程序和数据2.下列存储器中，速度最慢的是_C__。
A.半导体存储器B.光盘存储器C.磁带存储器D.硬盘存储器3.某一SRAM芯片，容量为16KB×1位，则其地址线有__A__。
A.14根B.16K根C.16根D.32根4.下列部件中，存取速度最慢的是_B__。
A.光盘存储器B.CPU存储器C.软盘存储器D.硬盘存储器5.在主存和CPU之间增加Cache的目的是_C__。
A.扩大主存的容量B.增加CPU中通用寄存器的数量C.解决CPU和主存之间的速度匹配D.代替CPU中的寄存器工作6.计算机的存储器采用分级存储体系的目的是__D_。
A.便于读／写数据B.减小机箱的体积C.便于系统升级D.解决存储容量、价格与存取速度间的矛盾7.某SRAM芯片，其容量为1KB×8位，加上电源端和接地端后，该芯片的引出线的最少数目应为__A__。
A.23B.25C.50D.208.在Cache的地址映射中，若主存中的任意一块均可映射到Cache内的任意一块的位置上，则这种方法称为__A__。
A.全相联映射B.直接映射C.组相联映射D.混合映射9.处理机有32位地址，则它的虚拟地址空间为_B__字节。
A.2GBB.4GBC.100KBD.640KB10.虚拟内存的容量只受__D_的限制。
A.物理内存的大小B.磁盘空间的大小C.数据存放的实际地址D.计算机地址字长11.以下_B__不是段式存储管理系统的优点。
A.方便编程B.方便内存管理C.方便程序共享D.方便对程序保护12.在可变分区分配方案中，最佳适应法是将空闲块按_C__次序排序。
A.地址递增B.地址递减C.大小递增D.大小递减13.在分区存储管理方式中，如果在按地址生序排列的未分配分区表中顺序登记了下列未分配分区：1-起始地址17KB，分区长度为9KB；2-起始地址54KB，分区长度为13KB；现有一个分区被释放，其起始地址为39KB，分区长度为15KB，则系统要_C__。
第3章习题答案
习题31. Cache－主存存储系统和主存－辅存存储系统有何不同？2. SRAM和DRAM的主要差别是什么？3. 假设某存储器具有32位地址线和32位数据线，请问：（1）该存储器能存储多少个字节的信息？（2）如果存储器由1M×8位SRAM芯片组成，需要多少片？4. 某32位计算机系统采用半导体存储器，其地址码是32位，若使用4M×8位的DRAM 芯片组成64MB主存，并采用内存条的形式，问：（1）若每个内存条为4M×32位，共需要多少内存条？（2）每个内存条内共有多少片DRAM芯片？（3）主存需要多少DRAM芯片？5. 一个512K×16的存储器，由64K×1的2164 DRAM芯片构成（芯片内是4个128×128结构），问：（1）共需要多少个DRAM芯片？（2）若采用分散式刷新方式，单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号的周期是多少？（3）若采用集中式刷新方式，读写周期为0.1μs，存储器刷新一遍最少用多少时间？6. 某主存系统中，其地址空间0000H～1FFFH为ROM区域，ROM芯片为8K×8位，从地址6000H开始，用8K×4位的SRAM芯片组成一个16K×8位的RAM区域，假设RAM芯片有和信号控制端。
CPU地址总线为A15～A0，数据总线为D7～D0，读/写控制信号为R/，访存允许信号为，要求：（1）写出地址译码方案；（2）画出主存与CPU的连接图。
7. 设主存储器容量为64M字，字长为64位，模块数m=8，分别用顺序方式和交叉方式进行组织。
主存储器的存储周期T=100ns，数据总线宽度为64位，总线传送周期τ=50ns。
若按地址顺序连续读取16个字，问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少？8. 设某计算机访问一次主存储器的时间如下：传送地址需1个时钟周期，读/写需4个时钟周期，数据传送1个时钟周期，采用下述主存结构按地址顺序连续读取16个字的数据块，各需多少时钟周期？（1）单字宽主存，一次只能读/写1个字。
微机原理习题集第七章存贮器
第七章内存储器一、填空题1、内存储器是计算机系统中的装置，用来存放和。
2、CPU对RAM存贮器进行读/写操作时，应送出的方向控制命令有和命令。
3、Intel 2114 RAM存贮芯片引脚中用于片选的控制引脚为，用于读/写控制引脚为。
4、Intel 4116 RAM芯片容量为2K 8，访问该芯片须用根地址线。
5、存贮芯片存贮的信息会，必须定时刷新，刷新的时间间隔为。
6、存贮器分为、、、。
7、逻辑地址为2000H：1234H的存储单元的物理地址是。
8、8086CPU写入一个规则字，数据线的高8位写入存储体，低8位写入存储体。
9 、将存储器与系统相连的译码片选方式有法和法。
10、对6116进行读操作，6116引脚= ，= ，= 。
二、单项选择题1、随机存贮器即RAM是指（）A.存贮单元中所存信息是随机的。
B.存贮单元中的地址是随机的。
C.用户的程序和数据可随机的放在内存的任何地方。
D.存贮器中存取操作与时间存贮单元物理位置顺序无关。
2、CPU对主存进行操作，下面哪种说法是不能实现的（）A.按地址并能读/写一个字节代码B.按地址串行1位1位进行读/写操作C.按地址并行读/写一个字长代码D.按地址进行并行读出而不能实现并行写入3、动态存贮器刷新，下面哪种说法正确（）A.刷新可在CPU执行程序过程中进行B.刷新在外电路控制下，定时刷新，但刷新时，信息不读出C.在正常存贮器读操作时也会发生刷新，可防止刷新影响读出信息，故读操作时，应关闭电路工作。
D.刷新过程一定伴随着信息输出，无法控制，故刷新时不要进行读出操作。
4、用4K×8的存贮芯片，构成64K×8的存贮器，需使用多少4K×8的存贮芯片，正确答案为（）A.128片B.16片C.8片D.32片5、在存贮器读周期时，根据程序计数器PC提供的有效地址，使用从内存中取出（）6、动态存贮器的主要缺点是（）A.存贮容量少B.存取速度低C.功耗大D.外围电路复杂7、动态RAM芯片容量为16K×1位，要构成32K字节的RAM存贮器，需要该芯（）A.4片B.8片C.16片D.32片8、堆栈操作时，段地址由（）寄存器指出，段内偏移量由（）寄存器指出。
第章习题与答案
3.题图3为8086存储器的部分电路连接图，请分析两片存储芯片M0和M1各自的寻址范围，它们的存储总量是多少？
题图3
答案：
M1和M0的总地址范围是：60000H~7FFFFH，其中M0为偶地址空间；M1为奇地址空间。存储总量128KB。
4.已知题图4给出了某16位微机系统内存的原理连线，问：
L1:……;正确处理
5.题图5为8088CPU某系统的存储器系统，请使用译码器74LS138和常用逻辑门电路将两片16K×8位RAM芯片的地址范围设计在80000H～87FFFH内，一片8K×8位ROM芯片的地址范围设计在88000H～89FFFH之间，并画出图中各个部分之间的典型信号的连接图。
题图5
7.若要用4K×4的静态RAM芯片扩展成一个8K×8的存储器阵列。
(1)这种RAM芯片有几根数据线，几根地址线，共需要多少块这样的芯片？
(2)若该RAM阵列要与8086CPU相连，且其起始地址为02000H，请用全地址译码法对其译码，画出译码电路图。（注意奇偶地址）
(3)地址为偶地址芯片组的地址范围是什么？
答案：D
5.某一SRAM芯片其容量为2KB(2K×8)，除电源和接地线之外，该芯片引出线的最小芯片引出线的最小数目是_______。
A.24B.26C.20D.22
答案：D 8+11+1+1+1=22
6.某计算机系统内存原有512KB DRAM，为保证DRAM信息不丢失，要在2ms时间内对全部DRAM刷新一遍，现将内存扩充到1MB，则内存全部刷新一遍所需要的时间为______。
答案：
6.若8086CPU与部分存储器连接示意如图题6所示。
(1)写出存储器的芯片容量；
计算机组成原理第3章习题参考答案
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
第四章主存储器习题(可编辑修改word版)
第四章主存储器习题一、选择题：将正确的答案序号填在横线上1.存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来存放。
A.数据B．程序C．微程序D．程序和数据2.若存储器的存储周期250ns，每次读出16 位，则该存储器的数据传送率为_ _。
A. 4×106B/秒B．4MB/秒C．8×106B/秒D．8Mb/ 秒3．按字节编址的存储器中，每个编址单元中存放信息。
A.1位B．8 位C．16 位D．64 位4．和外存储器相比，内存储器的特点是。
A. 容量大、速度快、成本低B．容量大、速度慢、成本高C．容量小、速度快、成本高D．容量小、速度快、成本低5．下列存储器中，属于非易失性存储器的是。
A．RAM B．静态存储器 C．动态存储器D．ROM6．下列部件中存取速度最快的是。
A.寄存器B．Cache C．内存D．外存7.EPROM 是指。
A.读写存储器B．紫外线擦除可编程只读存储器C．闪速存储器D．电擦除可编程只读存储器8.若某单片机的系统程序不允许用户在执行时改变，则可以选用作为存储芯片。
A．SRAM B． Cache C． EEPROM D．辅助存储器9.存储周期是指。
A．存储器的读出时间B.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔C．存储器的写入时间D．存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔10.设某静态RAM 芯片容量为8K×8位，若由它组成32K×8的存储器，所用的芯片数及这种芯片的片内地址线的数目分别是_。
A．4 片，13 根B．4 片，12 根C．6 片，11 根D．4 片，16 根11.若SRAM 中有 4K 个存储单元，采用双译码方式时要求译码输出线为_ _根。
A. 4096 B．64 C．128 D．102412.半导体静态存储器SRAM 能够存储信息是。
A．依靠双稳态电路B．依靠定时刷新C.依靠读后再生D．信息不再变化13．Cache 是指。
A．高速缓冲存储器 B. 主存C．ROM D. 外部存储器14.磁盘按盘片的组成材料分为软盘和。
存储器习题
第10章存储器及其接口典型试题一．填空题1.只读存储器ROM有如下几种类型：＿＿＿＿。
答案：掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM2.半导体存储器的主要技术指标是＿＿＿＿。
答案：存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比3.在16位微机系统中，一个存储字占用两个连续的8位字节单元，字的低8位存放在＿＿＿＿、高8位存放在＿＿＿＿。
答案：低地址单元、高地址单元4.SRAM芯片6116（2K×8B）有＿＿＿＿位地址引脚线、＿＿＿＿位数据引脚线。
答案：11 85.在存储器系统中，实现片选控制有三种方法，它们是＿＿＿＿。
答案：全译码法、部分译码法、线选法6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端，当输入地址码为101时，输出端＿＿＿＿有效。
答案：7.半导体静态存储器是靠＿＿＿＿存储信息，半导体动态存储器是靠＿＿＿＿存储信息。
答案：触发器电荷存储器件8.对存储器进行读/写时，地址线被分为＿＿＿＿和＿＿＿＿两部分，它们分别用以产生＿＿＿＿和＿＿＿＿信号。
答案：片选地址片内地址芯片选择片内存储单元选择二．单项选择题1．DRAM2164（64K×1）外部引脚有（）。
A.16条地址线、2条数据线B.8条地址线、1条数据线C.16条地址线、1条数据线D.8条地址线、2条数据线分析：从芯片容量（64K×1B）来看，有64K个编址单元，应有16条地址线（216=64K）。
但DRAM芯片集成度高、容量大、引脚数量不够，一般输入地址线采用分时复用锁存方式，即将地址信号分成二组、共用一组线，分两次送入片内。
而2164却有二条数据线，一条作为输入，一条作为输出。
答案：D 2．8086能寻址内存贮器的最大地址范围为（）。
A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB分析：8086有20条地址总线A0～A19，它可以表示220=1M个不同的状态。
答案：C3．若用1K×4的芯片组成2K×8的RAM，需要（）片。
计算机组成原理第四章课后习题和答案解析[完整版]
![计算机组成原理第四章课后习题和答案解析[完整版]](https://img.taocdn.com/s3/m/08bc56dd551810a6f52486ec.png)
第4章存储器1. 解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。
答：主存：主存储器，用于存放正在执行的程序和数据。
CPU可以直接进行随机读写，访问速度较高。
辅存：辅助存储器，用于存放当前暂不执行的程序和数据，以及一些需要永久保存的信息。
Cache：高速缓冲存储器，介于CPU和主存之间，用于解决CPU和主存之间速度不匹配问题。
RAM：半导体随机存取存储器，主要用作计算机中的主存。
SRAM：静态半导体随机存取存储器。
DRAM：动态半导体随机存取存储器。
ROM：掩膜式半导体只读存储器。
由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读出而不能写入。
PROM：可编程只读存储器，由用户根据需要确定写入内容，只能写入一次。
EPROM：紫外线擦写可编程只读存储器。
需要修改内容时，现将其全部内容擦除，然后再编程。
擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。
EEPROM：电擦写可编程只读存储器。
CDROM：只读型光盘。
Flash Memory：闪速存储器。
或称快擦型存储器。
2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息？按速度、容量和价格/位排序说明。
答：计算机中寄存器、Cache、主存、硬盘可以用于存储信息。
按速度由高至低排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘；按容量由小至大排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘；按价格/位由高至低排序为：寄存器、Cache、主存、硬盘。
3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次？计算机如何管理这些层次？答：存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。
Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从整体运行的效果分析，CPU访存速度加快，接近于Cache的速度，而寻址空间和位价却接近于主存。
主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用，即从程序员的角度看，他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存，而速度接近于主存。
第4章 主存储器习题
第4章主存储器一、选择题（每题3.5分）1．动态半导体存储器的特点是（）A．在工作中存储器内容会产生变化B．每次读出后，需要根据原存内容重新写入一遍C．每隔一定时间，需要根据原存内容重新写入一遍D．在工作中需要动态地改变访存地址【答案】C2.某SRAM芯片，存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为______。
A 64，16B 16，64C 64，8D 16，16 。
【答案】D3.交叉存贮器实质上是一种______存贮器，它能_____执行______独立的读写操作。
A 模块式，并行，多个B 模块式串行，多个C 整体式，并行，一个D 整体式，串行，多个【答案】A4. EPROM是指______。
A. 读写存储器B. 只读存储器C. 可编程的只读存储器D. 光擦除可编程的只读存储器【答案】D5.存储器是计算机系统的记忆设备，主要用于______。
A.存放程序B.存放软件C.存放微程序D.存放程序和数据【答案】D6. 外存储器与内存储器相比，外存储器______。
A.速度快，容量大，成本高B.速度慢，容量大，成本低C.速度快，容量小，成本高D.速度慢，容量大，成本高【答案】B7. 一个256K×8的存储器，其地址线和数据线总和为______。
A.16B.18C.26D.20【答案】C8.某存储器芯片的存储容量为8K×12位，则它的地址线为____。
A.11B.12C.13D.14 【答案】C9. 某一SRAM芯片，其容量为512×8位，考虑电源端和接地端，该芯片引出线的最小数目应为______。
A.23B.25C.50D.19【答案】D10.存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来（）。
A.存放数据B.存放程序C.存放数据和程序D.存放微程序【答案】C11.内存若为16MB，则表示容量为（）KB。
A.16B.16384C.1024D.16000【答案】B12.下列说法正确的是（）。
第07章_存储器习题答案
第七章习题答案7.1.1 指出下列存储系统各具有多少个存储单元，至少需要几根地址线和数据线。
（1）64K×1 （2）256K×4 （3）lM×1 （4）128K×8解：求解本题时，只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果：存储单元数=字数×位数地址线根数（地址码的位数）n与字数N的关系为：N=2n数据线根数＝位数（1）存储单元〓64K×1〓64K（注：lK＝1024）；因为，64K〓2’。
，即亢〓16，所以地址线为16根；数据线根数等于位数，此处为1根。
同理得：（2）1M个存储单元，18根地址线，4根数据线。
（3）1M个存储单元，18根地址线，1根数据线。
！＿（4）lM个存储单元，17根地址线，8根数据线。
7.1.2 设存储器的起始地址为全0，试指出下列存储系统的最高地址为多少？（1）2K×1 （2）16K×4 （3）256K×32解：因为存储系统的最高地址＝字数十起始地址一1，所以它们的十六进制地址是：（1）7FFH （2）3FFFH （3）3FFFFH ＇7，2．4 一个有1M×1位的DRAM，采用地址分时送人的方法，芯片应具有几条地址线？解：由于1M=210×210，即行和列共需20根地址线。
所以，采用地址分时送人的方法，芯片应具有10根地址线。
7．2．5 试用一个具有片选使能CE、输出使能OE、读写控制WE、容量为8 K×8位的sRAM 芯片，设计一个16K×16位的存储器系统，试画出其逻辑图。
解：采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统，必须同时进行字扩展和位扩展。
用2片8K×8位的芯片，通过位扩展构成8K×16位系统，此时需要增加8根数据线。
要将8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统，还必须进行字扩展。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
习题四参考答案1． 某机主存储器有16位地址，字长为8位。
（1） 如果用1k ×4位的RAM 芯片构成该存储器，需要多少片芯片？ （2） 该存储器能存放多少字节的信息？ （3） 片选逻辑需要多少位地址？解：需要存储器总容量为：16K ×8位，故， （1）需要1k ×4位的RAM 芯片位32片。
（2）该存储器存放16K 字节的信息。
（3）片选逻辑需要4位地址。
2. 用8k ×8位的静态RAM 芯片构成64kB 的存储器，要求： （1）计算所需芯片数。
（2）画出该存储器组成逻辑框图。
解：（1）所需芯片8片。
（2）逻辑图为：A0A128K×8...CSD0...D7WEA0A128K×8...CSD0...D7WE...82A0A128K×8...CSD0...D7WE1.........A0A12WED0D7......C P U...A13A14A153. 用64k ×1位的DRAM 芯片构成256k ×8位存储器，要求： （1）画出该存储器的逻辑框图。
（2）计算所需芯片数。
（3）采用分散刷新方式，如每单元刷新间隔不超过2ms ，则刷新信号周期是多少？如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期？ 解：（1）A0A764K×1...CS CAS RASWE 8片A0A764K×1...CS CAS RASWE 8片A0A764K×1...CS CAS RASWE 8片A0A764K×1...CS CAS RASWE8片DRAMCA0A15WED0D7C P UA16A17译码器（2）所需芯片为32片。
（3）设读写周期为0.5微妙，则采用分散式刷新方式的刷新信号周期为1微妙。
因为64K ×1的存储矩阵是由四个128×128的矩阵构成，刷新时4个存储矩阵同时对128个元素操作，一次刷新就可完成512个元素，整个芯片只有128次刷新操作就可全部完成。
所以存储器刷新一遍最少用128个读/写周期。
4. 用8k ×8位的EPROM 芯片组成32k ×16位的只读存储器，试问： （1）数据寄存器多少位？ （2）地址寄存器多少位？ （3）共需多少个EPROM 芯片？ （4）画出该只读存储器的逻辑框图？解：因为只读存储器的容量为：32k ×16，所以： （1）数据寄存器16位。
（2）地址寄存器15位。
（3）共需8个EPROM 芯片？ （4）逻辑框图为：A0A128K×8...CS D0...D7OE2片A0A128K×8...CS D0...D15OE2片A0A128K×8...CS D0...D15OE2片A0A128K×8...CS D0...D15OE2片A0A12RDD0D15C P UA13A14译码器5. 某机器中，已经配有0000H ～3FFFH 的ROM 区域，现在再用8k ×8位的RAM 芯片形成32k ×8位的存储区域，CPU 地址总线为A0～A15，数据总线为D0～D7，控制信号为R/W （读/写）、MREQ （访存），要求： （1）画出地址译码方案。
（2）将ROM 与RAM 同CPU 连接。
解：依题意假设存储器ROM 和RAM 的信息分布为：ROM 的地址为：0000H-3FFFH 。
RAM 由8KB 的四个RAM 芯片组成，其地址分别为：第一片：4000H-5FFFH ，第二片：6000H-7FFFH 第三片：8000H-9FFFH 第四片：A000H-BFFFH 。
由以上分析可得其连接图为：A0A12R/WD0D7C P UA13A14A15A0A1316K×8...CSD0...D7WE1A0A128K×8...CSD0...D7WE 1A0A128K×8...CSD0...D7WE 1A0A128K×8...CSD0...D7WE 1A0A128K×8...CSD0...D7WE 1译码器ROM （16KB ） RAM （32KB ）6. 对于单管动态存储电路，如果其电容C=5pF ，通过晶体管的漏电流为2nA 。
当电容C 被充满电荷时，两端电压为4.5V 。
在此电压降到3V 之前，必须被刷新，请算出最小的刷新周期。
解：因为：dtduci ，其中，c=5pF,i=2nA,du=4.5-3=1.5V 所以，dt=3.75ms 。
即最小的刷新周期为3.75ms 。
7. 某计算机主存8MB ，分成4096页，CACHE 为64KB ，和主存分成同样大小的页，地址映映采用直接映像方式。
（1）CACHE 有多少页？（2）CACHE 的页内地址为多少位？ （3）CACHE 的页面地址为多少位？（4）设CACHE 中主存标记如图3.1所示,当CPU 送出的地址为6807FFH 时，能否在CACHE 中访问到该单元？若送出的地址为2D07FFH 时，能否在CACHE 中访问该单元？若送出的地址为751057H 时，能否在CACHE 中访问到该单元？若送出的地址为000000H 时，能否在CACHE 中访问到该单元？ 解：（1）主存每一页的大小为：8M/4096=2KB 。
CACHE 的页数为：64KB/2KB=32（页）。
（2）因为CACHE 的一页大小为2KB ，所以CACHE 的页内地址为11位。
（3）CACHE 的页内地址为5位。
（4）因为主存共有8MB 容量，所以主存地址共有23位。
格式为：标记（7位） 页号（5位） 页内地址（11位）当CPU 送出的地址为：6807FFH 时，转为二进制格式：1101000，00000 11111111111 以中间五位为页号查表，得到标记为1101000，与地址中的标记进行比较，相同，所以命中。
同样的道理，可知地址为2D07FFH ，7F1057时，也是命中。
地址为0000000H 没命中。
8. 一个组相联高速缓存由64页（每页256字）组成，分为8组，主存有4096页。
（1）主存地址有多少位？（2）主存地址的标志段、组字段和字字段各有多少位？解：（1）因为主存共有4096页，每页有256字，故主存共有4096*256字=220字，所以，主存地址有20位。
（2）标志段（9位） 组字段（3位） 字字段（8）标记 页面1101000 页面0 0101101 1 1111111 2 0000000 31111001 n-2 1000110 n-19. 某计算机有64KB的主存和4KB的CACHE，CACHE分组如下：每组4页，每页64字。
存储系统按组相联方式工作。
（1）主存地址的标志段、组字段和字字段各有多少位？（2）若CACHE原来是空的，CPU依次从0号地址单元顺序访问到4344号单元，然后重复按此序列访问存储器15次，页替换采用LRU算法。
若访问CACHE的时间为20ns，访问主存的时间为200ns，试估计CPU访存的平均时间。
解：主存的地址格式为：标志段组字段字字段因为某计算机有64KB的主存，所以主存地址的总位数为16位。
依题意得CACHE的组数为：4K/（64*4）=16（组），故CACHE的组字段位数为4位，也就是主存的组字段位数。
主存的一页大小和CACHE的一页大小一样，故主存的字字段位数位为6位。
由主存的地址格式可知，主存的标志字段位数为16-4-6=4位。
所以：主存的地址格式及各字段包含的位数为：标志段（6位）组字段（4位）字字段（6位）（2）CPU平均访问时间的计算公式为：t a=ht c+(1-h)t m其中t c表示命中时的CACHE访问时间，t m表示未命中时的贮存访问时间，1-h表示未命中率。
CACHE共有16组，每组4页，每页64字。
主存分为16区，每区16块，每块64字。
主存地址0-4344转为二进制的地址（16位）为：000000 0000 000000--000100 0011 111000 即访问主存地址从0区0组0字一直到4区3组56字。
采用LRU替换算法：第一次把0-4344个字装入CACHE后，CACHE的情况为：（0,1,...F 表示组数，10表示主存的一区0块，其它依次类推）0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4E 4F 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F第一次未命中次数为：4345次。
第二次再按地址0-4344访问CACHE 访问时，未命中的次数为：20次。
第三次一直到第5次，未命中的次数均为：20次。
故总的未命中次数为：4345+20*14未命中率为：（4345+20*15）/(4345*16)=0.067 h=0.933t a=ht c+(1-h)t m=32ns所以CPU访存的平均时间为32ns。
10.设数据为10010，请用磁表面存储器的5种方式写出它们的记录方式。
答案略。