《半导体物理学》期末考试试卷A卷往届
电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案
电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案半导体物理课程考试题A卷(120分钟)考试形式:闭卷考试日期2022年元月18日课程成绩构成:平时10分,期中5分,实验15分,期末70分一、选择题(共25分,共25题,每题1分)A)的半导体。
A.不含杂质和缺陷B.电阻率最高C.电子密度和空穴密度相等D.电子密度与本征载流子密度相等2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定(D)。
A.不含施主杂质B.不含受主杂质C.不含任何杂质D.处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级EF随温度上升而(D)。
A.单调上升B.单调下降C.经过一个极小值趋近EiD.经过一个极大值趋近Ei4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为(C)。
A.金属B.本征半导体C.掺杂半导体D.高纯化合物半导体5、公式某/mqτμ=中的τ是半导体载流子的(C)。
A.迁移时间B.寿命C.平均自由时间D.扩散时间6、下面情况下的材料中,室温时功函数最大的是(A)A.含硼1某1015cm-3的硅B.含磷1某1016cm-3的硅C.含硼1某1015cm-3,磷1某1016cm-3的硅D.纯净的硅7、室温下,如在半导体Si中,同时掺有1某1014cm-3的硼和1.1某1015cm-3的磷,则电子浓度约为(B),空穴浓度为(D),费米能级为(G)。
将该半导体由室温度升至570K,则多子浓度约为(F),少子浓度为(F),费米能级为(I)。
(已知:室温下,ni≈1.5某1010cm-3;570K时,ni≈2某1017cm-3)A、1某1014cm-3B、1某1015cm-3C、1.1某1015cm-3D、2.25某105cm-3E、1.2某1015cm-3F、2某1017cm-3G、高于EiH、低于EiI、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在(D)附近;最有利陷阱作用的能级位置在(C)附近,常见的是(E)陷阱。
级半导体器件物理期末试题(A
np (−xp ) = np0eV VT
( 3)
与此类似,可以得到
pn (xn ) = pn0eV VT
(4)
( 3)、( 4) 两 式 即 为 所 要 证 明 的 边 界 条 件 。
2〔 15 分 〕 共基极连接双极结型晶体管(BJT):
( 1)〔 5 分 〕 画出电流分量示意图。
(2)〔 5 分 〕 写出各个极电流表达式。
( 1)〔 5 分 〕 画出电流分量示意图。
(2)〔 5 分 〕 写出各个极电流表达式。
(3)〔 5 分 〕 写出各个极电流之间满足的关系式。
3〔 15 分 〕 对于金属和 N 型半导体构成的肖特基势垒:
(1)〔 5 分 〕画出热平衡能带图。根据能带图写出内建电势差 qψ 0 和 肖特基势 垒 高 度 qφb 。
6〔 15 分 〕 根 据 外 量 子 效 率 公 式
( ) ( ) −1
−1
ηe = ηi 1+ αV AT = ηi 1+ α x j T
( 1)〔 8 分 〕 指 出 提 高 外 量 子 效 率 的 途 径 。 (2)〔 7 分 〕 说明光学窗口的作用。
答 :( 1)公 式 说 明 可 以 通 过 增 加 ηi 减 少 α 、 x j 或 通 过 增 加 T 来 提 高 外 量 子 效 率 。
厚度 a。
解:(1)空间电荷区宽度
W
(x)
=
⎧ ⎨
2kε
0
[V
(x) +ψ
0
− VG
]1
⎫2 ⎬
⎩
qN d
⎭
在 夹 断 点 , 令 W = a ,( 沟道厚度)以 及 VG −V = VTH , 有 :
17-18华南农业大学期末考试试卷半导体物理A
装订线华南农业大学期末考试试卷(A卷)2017-2018学年第一学期考试科目:半导体物理考试类型:(开卷)考试考试时间:120 分钟学号姓名年级专业题号一二三总分得分评阅人一、选择题(本大题共20 小题,每小题 1 分,共20 分。
请将正确答案填在下面表格内,写在其它位置无效。
)题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10选项题号11 12 13 14 15 16 17 18 19 20选项1. 硅的晶体结构是()A.金刚石B.闪锌矿C. 纤锌矿D.氯化钠2. 历史上锗在同硅的竞争中失利,最不可能的原因是()A.硅便宜而锗贵B.锗的氧化物不如硅的氧化物稳定C. 同硅相比,锗容易碎D.硅最早进入人们视线,先入为主3.同硅相比,砷化镓具有一些明显优点。
下面不属于其优点的是()A.频率特性好B. 工作温度高C. 光电性能好D. 毒性小4.以下不属于深能级杂质特点的关键词是()A. 杂质浓度高B. 复合中心C. 电子陷阱D. 高速器件5.哪位发明家根据爱迪生效应制造出真空二极管?()A. 爱迪生B.弗莱明C. 史密斯D. 布劳恩6.下面那个选项为挥发性半导体存储器? ()A. FLASHB.DRAMC. EEPROMD. P ROM7.人眼所见之白色光至少包括几种以上波长之色光所形成? ()A. 一种B.二种C. 三种D. 四种得分8.砷化镓的禁带宽度大约为 1.41eV,请问其发光频率在什么范围?()A. 紫外光B.紫光C. 红光D. 红外光9.打印机里的硒鼓是一只表面上涂覆了硒的圆筒。
请问用于硒鼓上的硒利用了半导体的那种性质工作?A. 温度特性B.光电导特性C. 光伏特性D. 电容特性10.量子隧穿效应经常用于解释半导体器件的工作原理。
请问下面那个器件(或结构)的工作原理与隧穿效应无关?()A. 江崎二极管B.稳压二极管C. 金属-半导体欧姆接触D. 整流二极管11.下面说法中错误的是()A. 目前我国常用蓝光芯片的材质为InGaNB. Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅和锗晶体中为深能级杂质C. 硅晶体结构是金刚石结构D. 砷化稼的能带结构是直接带隙结构12. 关于pn结,下列说法中不正确的是()A. pn结是结型半导体器件的心脏。
成电半导体物理期末考试试卷A及参考答案
成电半导体物理期末考试试卷A及参考答案一、选择填空(22分)1、在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带( B ),对应的有效质量( C ),称该能带中的空穴为( E )。
A. 曲率大;B. 曲率小;C. 大;D. 小;E. 重空穴;F. 轻空穴2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为(F )。
A. 施主B. 受主C.复合中心D.陷阱 F. 两性杂质3、在通常情况下,GaN呈( A )型结构,具有( C ),它是(F )半导体材料。
A. 纤锌矿型;B. 闪锌矿型;C. 六方对称性;D. 立方对称性;E.间接带隙;F. 直接带隙。
4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4,m n*/m0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是( D )。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/85、.一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的(C )。
A.1/4 ; B.1/e ; C.1/e2; D.1/26、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时,半导体具有( B )半导体的导电特性。
A. 非本征 B.本征7、在室温下,非简并Si中电子扩散系数Dn与ND有如下图(C )所示的最恰当的依赖关系:DnDnDnDn8、在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,当掺入的浓度增加时,费米能级向(A )移动;当掺杂浓度一定时,温度从室温逐步增加,费米能级向( C )移动。
半导体物理期末试卷(含部分答案
半导体物理期末试卷(含部分答案半导体物理,考试,复习,试卷一、填空题1.纯净半导体Si中掺错误!未找到引用源。
族元素的杂质,当杂质电离时释放电子。
这种杂质称施主杂质;相应的半导体称N 型半导体。
2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做扩散运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做漂移运动。
3.nopo=ni2标志着半导体处于平衡状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积nopo改变否?不变;当温度变化时,nopo改变否?改变。
4.非平衡载流子通过复合作用而消失,非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ,寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关,对于强p型和强n型材料,小注入时寿命τn为,寿命τp为5.迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量,扩散系数是反映有浓度梯度时载n爱因斯坦关系式。
6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。
前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用,后者在温度高下起主要作用。
7.半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型;深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。
8、有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲含铝1015cm-3 乙. 含硼和磷各1017 cm-3 丙含镓1017 cm-3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。
费米能级由高到低的顺序是乙甲丙。
9.对n型半导体,如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那么EC EF 2k0T为非简并条件;0 EC EF 2k0T为弱简并条件;EC EF 010.当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为PN结击穿,其种类为:雪崩击穿、和齐纳击穿(或隧道击穿)。
11.指出下图各表示的是什么类型半导体?12. 以长声学波为主要散射机构时,电子迁移率μn与温度的-3/2 次方成正比13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。
半导体物理学期末复习试题及答案一
半导体物理学期末复习试题及答案一一、选择题1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( B )。
A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。
A. 电子和空穴B.空穴C. 电子3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会( B )。
A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,它和( B )有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型( B )。
A.相同B.不同C.无关6.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是( A )能隙结构。
A. 直接B.间接8. 将Si 掺杂入GaAs 中,若Si 取代Ga 则起( A )杂质作用,若Si 取代As 则起( B )杂质作用。
A. 施主B. 受主C. 陷阱D. 复合中心9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A. 大于1/2B. 小于1/2C. 等于1/2D. 等于1E. 等于010. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C-V 特性图中,AB 段代表( A ),CD 段代表(B )。
A. 多子积累B. 多子耗尽C. 少子反型D. 平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件( B )。
A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0B.≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为:( B )。
半导体物理期末试卷(含部分答案
一、填空题1.纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。
这种杂质称 施主 杂质;相应的半导体称 N 型半导体。
2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做 漂移 运动。
3.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否 不变 ;当温度变化时,n o p o 改变否 改变 。
4.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 .5. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 qn n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。
6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。
前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。
7.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。
8、有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。
费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。
9.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件; T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件; 0≤-F C E E 为简并条件。
10.当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ,其种类为: 雪崩击穿 、和 齐纳击穿(或隧道击穿) 。
电子科技大学半导体物理期末考试试卷A试题答案
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……2012半导体物理学期末试题一、选择填空(22分)1、在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带( B ),对应的有效质量( C ),称该能带中的空穴为( E )。
A. 曲率大;B. 曲率小;C. 大;D. 小;E. 重空穴;F. 轻空穴2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为(F )。
A. 施主B. 受主C.复合中心D.陷阱 F. 两性杂质3、在通常情况下,GaN呈( A )型结构,具有( C ),它是(F )半导体材料。
A. 纤锌矿型;B. 闪锌矿型;C. 六方对称性;D. 立方对称性;E.间接带隙;F. 直接带隙。
4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4,m n*/m0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是(D )。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/85、.一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的(C )。
A.1/4 ; B.1/e ; C.1/e2; D.1/26、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时,半导体具有( B )半导体的导电特性。
A. 非本征 B.本征7、在室温下,非简并Si中电子扩散系数Dn与ND有如下图(C )所示的最恰当的依赖关系:DnDnDnDn8、在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,当掺入的浓度增加时,费米能级向(A )移动;当掺………密………封………线………以………内………答………题………无………效……杂浓度一定时,温度从室温逐步增加,费米能级向( C )移动。
半导体物理期末试卷(含部分答案
一、填空题1.纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。
这种杂质称 施主 杂质;相应的半导体称 N 型半导体。
2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做 漂移 运动。
3.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否?不变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。
4.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 .5. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 qn n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。
6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。
前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。
7.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。
8、有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。
费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。
9.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件; T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件; 0≤-F C E E 为简并条件。
10.当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ,其种类为: 雪崩击穿 、和 齐纳击穿(或隧道击穿) 。
半导体物理试卷a答案
一、名词解释(本大题共5题每题4分,共20分)1. 受主能级:通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。
正常情况下,此能级为空穴所占据,这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。
2. 直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直接复合。
3. 空穴:当满带顶附近产生P0个空态时,其余大量电子在外电场作用下所产生的电流,可等效为P0个具有正电荷q和正有效质量m p,速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流,这样的准经典粒子称为空穴。
4. 过剩载流子:在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下,半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴,超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴△p=p-p0称为过剩载流子。
5.费米能级、化学势答:费米能级与化学势:费米能级表示等系统处于热平衡状态,也不对外做功的情况下,系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化,等于系统的化学势。
处于热平衡的系统有统一的化学势。
这时的化学势等于系统的费米能级。
费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。
费米能级标志了电子填充能级水平。
费米能级位置越高,说明较多的能量较高的量子态上有电子。
随之温度升高,电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降,而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。
二、选择题(本大题共5题每题3分,共15分)1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D )A. 平衡载流子浓度成正比B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比D. 非平衡载流子浓度成反比2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是:含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是(C )甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙3.有效复合中心的能级必靠近( A )禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级4.当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于(C )A.1/n0B.1/△nC.1/p0D.1/△p5.以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是( D )A. SiB. GeC. GaAsD. GaN三、填空:(每空2分,共20分)1)半导体的晶格结构式多种多样的,常见的Ge 和Si 材料,其原子均通过共价键四面体相互结合,属于 金刚石 结构;与Ge 和Si 晶格结构类似,两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成 闪锌矿 和 纤锌矿 等两种晶格结构。
《半导体物理学》期末考试试卷(A卷)-往届
赣 南 师 范 学 院2010–2011学年第一学期期末考试试卷(A 卷)开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟注意事项:1、教师出题时请勿超出边界虚线;2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚,答题不得超出密封线;3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。
一、填空题(共30分,每空1分)1、半导体中有 和 两种载流子,而金属中只有 一种载流子。
2、杂质原子进入材料体内有很多情况,常见的有两种,它们是 杂质和 杂质。
3、根据量子统计理论,服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率,对于能量为E 的一个量子态,被一个电子占据的概率为()f E ,表达式为 ,()f E 称为电子的费米分布函数,它是描写 的一个统计分布函数。
当0F E E k T ->>时,费米分布函数转化为()B f E ,表达式为 ,()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。
在0F E E k T ->>时,量子态被电子占据的概率很小,这正是玻尔兹曼分布函数适用的范围。
费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 ,而在0F E E k T ->>的条件下,该原理失去作用,因而两种统计的结果变成一样了。
4、在一定温度下,当没有光照时,一块n 型半导体中, 为多数载流子, 是少数载流子,电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ,则0n 和0p 的关系为 ,当用g h E ν>>(该半导体禁带宽度)的光照射该半导体时,光子就能把价带电子激发到导带上去,此时会产生 ,使导带比平衡时多出一部分电子n ,价带比平衡时多出一部分空穴p ,n 和p 的关系为 ,这时把非平衡电子称为非平衡 载流子,而把非平衡空穴称为非平衡 载流子。
在一般小注入情况下,在半导体材料中,非平衡 载流子带来的影响可忽略,原因是 ,而非平衡 载流子却往往起着重要作用,原因是 。
5、非平衡载流子的复合,就复合的微观机构讲,大致可分为两种,直接复合和间接复合,直接复合是指 ,间接复合是指 。
《半导体物理学》期末考试试卷(A卷)-往届
2010–2011学年第一学期期末考试试卷(A 卷)开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟注意事项:1、教师出题时请勿超出边界虚线; 2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚,答题不得超出密封线; 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。
一、填空题(共30分,每空1分) 1、半导体中有 电子 和 空穴 两种载流子,而金属中只有 电子 一种载流子。
2、杂质原子进入材料体内有很多情况,常见的有两种,它们是 替代式 杂质和间隙式 杂质。
1、 3、根据量子统计理论,服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率,对于能量为E 的一个量子态,被一个电子占据的概率为()f E ,表达式为 ,()f E 称为电子的费米分布函数,它是描写 在热平衡状态下,电子在允许的量子态上如何分布 的一个统计分布函数。
当0F E E k T ->>时,费米分布函数转化为()B f E ,表达式为 ,()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。
在0F E E k T ->>时,量子态被电子占据的概率很小,这正是玻尔兹曼分布函数适用的范围。
费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 前者受泡利不相容原理的限制 ,而在0F E E k T ->>的条件下,该原理失去作用,因而两种统计的结果变成一样了。
4、在一定温度下,当没有光照时,一块n 型半导体中, 电子 为多数载流子, 空穴 是少数载流子,电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ,则0n 和0p 的关系为 大于 ,当用g h E ν>>(该半导体禁带宽度)的光照射该半导体时,光子就能把价带电子激发到导带上去,此时会产生 电子空穴对 ,使导带比平衡时多出一部分电子n ,价带比平衡时多出一部分空穴p ,n 和p 的关系为 ,这时把非平衡电子称为非平衡 多数 载流子,而把非平衡空穴称为非平衡 少数 载流子。
在一般小注入情况下,在半导体材料中,非平衡 多数 载流子带来的影响可忽略,原因是 注入的非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多 ,而非平衡 少数 载流子却往往起着重要作用,原因是 2、 注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的少数载流子浓度大得多。
2019半导体物理试卷-A卷答案
2019半导体物理试卷 -A 卷答案半导体物理 课程考试题 A 卷 ( 120 分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 2010 年 元月 18 日 课程成绩构成:平时 10 分; 期中 5 分; 实验 15 分; 期末 70 分得分一、选择题(共 25 分;共 25题;每题 1 分)1、本征半导体是指( A )的半导体 .A. 不含杂质和缺陷B. 电阻率最高C. 电子密度和空穴密度相等D. 电子密度与本征载流子密度相等 2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零;那么该半导体必定(D )C. 经过一个极小值趋近 EiD. 经过一个极大值趋近 Ei 4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升;该材料为(C )A. 金属B. 本征半导体C. 掺杂半导体D. 高纯化合物半导体5、公式q / m *中的 是半导体载流子的( C ) .A. 迁移时间B. 寿命C. 平均自由时间D. 扩散时间6、下面情况下的材料中;室温时功函数最大的是( A )A. 含硼 1×1015cm -3 的硅B.含磷 1× 1016cm -3 的硅C. 含硼 1×1015cm -3;磷 1×1016cm -3的硅 D. 纯净的硅C. 不含任何杂质D. 处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体;费米能级 E F 随温度上升而( D ).A. 单调上升B. 单调下降A. 不含施主杂质B. 不含受主杂质7、室温下;如在半导体Si 中;同时掺有1×1014cm-3的硼和 1.1×1015cm-3的磷;则电子浓度约为( B );空穴浓度为( D );费米能级为(G ).将该半导体由室温度升至570K;则多子浓度约为( F );少子浓度为( F );费米能级为(I ).(已知:室温下;n i≈1.5×1010cm-3;570K 时;n i≈2×1017cm-3)A 、1×1014cm-3B、1×1015cm-3C、1.1×1015cm-3D、2.25×105cm-3E、 1.2× 1015cm-3F、2×1017cm-3G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在( D )附近;最有利陷阱作用的能级位置在( C )附近;常见的是( E )陷阱.A 、E AB 、E D C、E FD、EiE、少子F、多子9、MIS 结构的表面发生强反型时;其表面的导电类型与体材料的( B );若增加掺杂浓度;其开启电压将( C ).A 、相同B、不同C、增加D、减少10、对大注入条件下;在一定的温度下;非平衡载流子的寿命与( D ).A 、平衡载流子浓度成正比B、非平衡载流子浓度成正比C、平衡载流子浓度成反比D、非平衡载流子浓度成反比11、可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性;如一种半导体材料的霍尔系数为负值;该材料通常是( A )A、n 型B、p 型C、本征型D、高度补偿型12、如在半导体中以长声学波为主要散射机构是;电子的迁移率n 与温度的( B )3A 、平方成正比B 、次方成反比23C 、平方成反比D 、3次方成正比213、为减少固定电荷密度和快界面态的影响;在制备MOS 器件时通常选择硅单晶的方向为( A ).A、【100】B、【111】C、【110】D、【111】或【110】14、简并半导体是指( A )的半导体.A 、(E C-E F)或(E F-E V)≤0 B、(E C-E F)或(E F-E V)≥0C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电15、在硅基MOS 器件中;硅衬底和SiO2 界面处的固定电荷是( B );它的存在使得半导体表面的能带( C );在C-V 曲线上造成平带电压( F )偏移.A 、钠离子B、过剩的硅离子C、向下D、向上E、向正向电压方向;F、向负向电压方向得分二、填空题(共15 分;共15 空;每空 1 分)1、硅的导带极小值位于布里渊区的 <100>方向上;根据晶体的对称性共有 6 个等价能谷.2、n 型硅掺砷后;费米能级向Ec(上)移动;如升高材料的工作温度;则费米能级向Ei (下)移动.3、对于导带为多能谷的半导体;如GaAs;当能量适当高的子能谷的曲率较小时;有可能观察导负微分电导现象;这是因为这种子能谷中的电子的有效质量较大.4、复合中心的作用是促进电子和空穴的复合;起有效的复合中心的杂质能级必须位于Ei(禁带中线);并且对电子和空穴的俘获系数r n和r p必须满足r n=r p .5、热平衡条件下;半导体中同时含有一种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条件是+-_p0+n D =n0+p A .6、金半接触时;常用的形成欧姆接触的方法有_隧道效应和_反阻挡层7、MIS 结构的表面发生强反型时;其表面的导电类型和体材料的导电类型_相反(相同或相反);若增加掺杂浓度;其开启电压将_增加(增加或减小).8、在半导体中;如果温度升高;则考虑对载流子的散射作用时;电离杂质散射概率减小和晶格振动散射概率增大.问答题(共25 分;共四题; 6 分+6 分+6 分+7 分)1、在本征半导体中进行有意掺杂各种元素;可改变材料的电学性能.请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质;它们分别影响半导体哪些主要性质;什么是杂质补偿?杂质补偿的意义何在?(本题 6 分)答:浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质.它们电离后将成为带正电(电离施主)或带负电(电离受主)的离子;并同时向导带提供电子或向价带提供空穴.它可有效地提高半导体的导电能力.掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体(. 2 分)深能级杂质是指杂质所在的能级位置在禁带中远离导带或价带;在常温下很难电离;不能对导带的电子或价带的空穴的浓度有所贡献;但它可以提供有效的复合中心;在光电子开关器件中有所应用.(2 分)当半导体中既有施主又有受主时;施主和受主将先互相抵消;剩余的杂质最后电离;这就是杂质补偿.(1 分)利用杂质补偿效应;可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型;制造各种器件.(1分)2、什么是扩散长度、牵引长度和德拜长度;它们由哪些因素决定?.(本题 6 分)答:扩散长度指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离;它由扩散系数和材料的非平衡载流子的寿命决定;即L D .(2 分)牵引长度是指非平衡载流子在电场 E 的作用下;在寿命时间内所漂移的距离;即L(E) E ;由电场、迁移率和寿命决定.(2 分)德拜长度是德拜研究电介质表面极化层时提出的理论的长度;用来描写正离子的电场所能影响到电子的最远距离.在半导体中;表面空间电荷层厚度随掺杂浓度、介电常数和表面势等因素而改变;其厚度用一个特征长度即德拜长度L D 表示.它主要由掺杂浓度决定.掺杂大;L D 小.(2 分)3、试说明半导体中电子有效质量的意义和性质;并说明能带底和能带顶、内层电子和外层电子的有效质量的各自特点. (本题 6 分)答:有效质量是半导体内部势场的概括.在讨论晶体中的电子在外力的作用下的运动规律时;只要将内部周期性势场的复杂作用包含在引入的有效质量中;并用它来代替惯性质量;就可以方便地采用经典力学定律来描写.由于晶体的各向异性;有效质量和惯性质量不一样;它是各向异性的 .(2 分)内层电子形成的能带窄; E ~k 曲线的曲率小; E2 小;有效质量大; (1 分) kE外层电子形成的能带宽; E ~k 曲线的曲率大; E2 大;有效质量小 .(1分)k4、什么叫复合中心?何谓间接复合过程?有哪四个微观过程?试说明每个微观过程和哪些参数有关 . (本题 7 分) 答:半导体内的杂质和缺陷能够促进复合;称这些促进复合的杂质和缺陷为复合中心; ( 1 分)间接复合:非平衡载流子通过复合中心的复合; (1 分) 四个微观过程:俘获电子;发射电子;俘获空穴;发射空穴; (1 分) 俘获电子:和导带电子浓度和空穴复合中心浓度有关 . (1 分) 发射电子:和复合中心能级上的电子浓度 . (1 分) 俘获空穴:和复合中心能级上的电子浓度和价带空穴浓度有关 . (1 分) 发射空穴:和空的复合中心浓度有关 . (1 分)四、 计算题(共 35 分;7+10+8+10;共 4 题)1、⑴计算本征硅在室温时的电阻率;⑵ 但掺入百万分之一的砷 (As ) 后;如杂质全部电离; 计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍 . (本题 7 分) (电子和空穴的迁移率分别为1350cm 2/(V.s ) 和 500 cm 2/(V.s );假使在杂质浓度小于1×1017cm -3时电子的迁移率为 850 cm 2/(V.s );n i =1.5×1010cm -3;硅的原子密度为 5×1022cm-3.) 解:(1)在能带底附近;由于k E 2为正; 电子有效质量大于 0;(1分) 在能带顶部附近;由于E 2为负;k 2电子有效质量小于 0.(1分)i n iq( n p )10 19i1.5 10101.6 10 19(1350 500) 64.44 10 6(S/cm)(2)N D =5×1022×10-6=5×1016(cm -3) 因为全部电离;所以 n 0=N D . 忽略少子空穴对电导率的贡献;所以:n 0q n5 10161.6 10 19850 6.8( S / cm )即电导率增大了 153 万倍.2、有一块足够厚的 p 型硅样品;在室温 300K 时电子迁移率μ n =1200 cm 2/(V.s );电子的寿 命 n 10 s .如在其表面处稳定地注入的电子浓度为 n (0) 7 1012 cm 3.试计算在离开表面多远地方;由表面扩散到该处的非平衡载流子的电流密度为 1.20mA/cm 2.(表面复合忽略不 计).(k 0=1.38×10-23J/K ),q=1.6 1×0-19C ;k 0T=0.026eV ) ( 本题 10 分)解:由爱因斯坦关系可得到室温下电子的扩散系数:D nk oTn0.026eV1200cm 2 /V.S 31.2 10 4m 2/s(2 分)qe电子的扩散长度 L n D n n 31.2 10 4 10 10 6 1.76 10 4(m ) (2 分)非平衡载流子的扩散方程为:( 3 分)1 分)6.8 4.44 10 61.53 1063 分)把 n(0) 7 1012cm 3; J 1.20mA / cm 2 ; L n 1.76 10 4m ;以及 Dn 的值代入上式;3、由金属- SiO 2-P 型硅组成的 MOS 结构;当外加电场使得半导体表面少数载流子浓度 n s与半导体内部多数载流子浓度 p p0相等时作为临界强反型条件 . (本题 8 分)( 1)试证明临界强反型时;半导体的表面势为:(5 分)得到: x 1.76 10 4ln 1.6 10 19 31.2 10 4 7 10181.76 10 14 128.7 10 5(m)(1 分)2k 0T ln N A q n i其中V BE i E Fq2)画出临界强反型时半导体的能带图;标明相关符号;并把反型、耗尽、中性区各部分用竖线分开;并用文字指明解:( 1)设半导体表面势为 Vs ;则表面处的电子浓度为:qVs 2 qVs k 0Tn i k o Tn sn p0ee op p0在临界强反型情况下;有 n s =p p0,qVs qVs 即 p p02 n i 2e k0T; 或 p p0 n i e 2k0T此外;在平衡状态下半导体体内的多子空穴浓度为:EFEvE i E FqVBp p0 N v e k0T n i e k 0T n i e k0T所以;比较以上两个式子;可得到:(3 分)( 1 分 )( 1 分 )( 1 分 )Vs=2V BVs 2V B2k 0T ln N Aq n i(2)在上图中;①为反型区;②为耗尽区;③为中性区( 3 分)4、用n型硅单晶片作为衬底;金属铝做上电极制成MOS二极管.已知n-Si的功函数Ws为4.30eV;Al的功函数W AL为 4.20eV;铝电极的面积A=1.6×10-7m2.在150℃下;进行温度-偏压(B-T)实验;在加上负的偏压和正的偏压下进行负、正B-T 处理;分别测得C-V 曲线(1)和(2).08.85 1012F /m,r 3.9求:(1)氧化物SiO2 层的厚度;(2)在Si-SiO2 界面处的正电荷密度;(3)SiO2 中的可移动离子的面密度.解:(1)由图示的C-V 曲线可得:C0=Ci=22pF, C min=8.16pF 所以;SiO2的厚度为:7 12A 0 r 1.6 10 7 8.85 10 12 3.9 7d0 0 r12 2.5 10 (m) 250nm ( 2 分)0C022 1012Ec(本题10分)( 2 分)( 4 分)4 分)qV BEiE FEv⑵ 由于金属和半导体功函数的差别;而引起半导体中的电子的电势能相对于金属提高的数 值为:qV ms = W s -W Al ; 则因此引起的平带电压:计算界面固定电荷密度时应该从负偏压的 C-V 曲线确定 V FB ,即曲线 荷已经到 Al 和 SiO 2 的界面;所以;固定电荷密度为:8.29 1015(m 2) 928.29 109(cm 2)⑶ 计算可移动电荷密度;由正负温偏处理后的 V FB 来计算;6.2 1015 (m 2) 926.2 109(cm 2)( 2 分 )1);此时移动电V FBq0.1VN fcC A C iq (V ms V FB1)22 10121.6 101.6 10 19 ( 0.1 9.8) N m C 0 V FBAq22 10121.6 10 719 1.6 10 19 [ 9.8 ( 17)]。
17-18华南农业大学期末考试试卷半导体物理A
华南农业大学期末考试试卷(A卷)2017-2018学年第一学期考试科目:半导体物理考试类型:(开卷)考试考试时间:120 分钟学号姓名年级专业一、选择题(本大题共20 小题,每小题 1 分,共20 分。
请将正确答案填在下面表格内,写在其它位置无效。
)1. 硅的晶体结构是()A.金刚石B.闪锌矿C. 纤锌矿D.氯化钠2. 历史上锗在同硅的竞争中失利,最不可能的原因是()A.硅便宜而锗贵B.锗的氧化物不如硅的氧化物稳定C. 同硅相比,锗容易碎D.硅最早进入人们视线,先入为主3.同硅相比,砷化镓具有一些明显优点。
下面不属于其优点的是()A.频率特性好B. 工作温度高C. 光电性能好D. 毒性小4.以下不属于深能级杂质特点的关键词是()A. 杂质浓度高B. 复合中心C. 电子陷阱D. 高速器件5.哪位发明家根据爱迪生效应制造出真空二极管?()A. 爱迪生B.弗莱明C. 史密斯D. 布劳恩6.下面那个选项为挥发性半导体存储器? ()A. FLASHB.DRAMC. EEPROMD. P ROM7.人眼所见之白色光至少包括几种以上波长之色光所形成? ()A. 一种B.二种C. 三种D. 四种8.砷化镓的禁带宽度大约为1.41eV,请问其发光频率在什么范围?()A. 紫外光B.紫光C. 红光D. 红外光9.打印机里的硒鼓是一只表面上涂覆了硒的圆筒。
请问用于硒鼓上的硒利用了半导体的那种性质工作?A. 温度特性B.光电导特性C. 光伏特性D. 电容特性10.量子隧穿效应经常用于解释半导体器件的工作原理。
请问下面那个器件(或结构)的工作原理与隧穿效应无关?()A. 江崎二极管B.稳压二极管C. 金属-半导体欧姆接触D. 整流二极管11.下面说法中错误的是()A. 目前我国常用蓝光芯片的材质为InGaNB. Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅和锗晶体中为深能级杂质C. 硅晶体结构是金刚石结构D. 砷化稼的能带结构是直接带隙结构12. 关于pn结,下列说法中不正确的是()A. pn结是结型半导体器件的心脏。
电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案..讲解学习
电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试半导体物理 课程考试题 A 卷 ( 120分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 分, 实验 15 分, 期末 70 分一、选择题(共25分,共 25题,每题1 分)A )的半导体。
A. 不含杂质和缺陷B. 电阻率最高C. 电子密度和空穴密度相等D. 电子密度与本征载流子密度相等2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定( D )。
A. 不含施主杂质B. 不含受主杂质C. 不含任何杂质D. 处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级E F 随温度上升而( D )。
A. 单调上升B. 单调下降C. 经过一个极小值趋近EiD. 经过一个极大值趋近Ei4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为( C )。
A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体5、公式*/m q τμ=中的τ是半导体载流子的( C )。
A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间6、下面情况下的材料中,室温时功函数最大的是( A ) A. 含硼1×1015cm -3的硅 B. 含磷1×1016cm -3的硅 C. 含硼1×1015cm -3,磷1×1016cm -3的硅 D. 纯净的硅7、室温下,如在半导体Si 中,同时掺有1×1014cm -3的硼和1.1×1015cm -3的磷,则电子浓度约为( B ),空穴浓度为( D ),费米能级为( G )。
将该半导体由室温度升至570K ,则多子浓度约为( F ),少子浓度为( F ),费米能级为( I )。
(已知:室温下,n i ≈1.5×1010cm -3;570K 时,n i ≈2×1017cm -3)A 、1×1014cm -3B 、1×1015cm -3C 、1.1×1015cm -3D 、2.25×105cm -3E 、1.2×1015cm -3F 、2×1017cm -3G 、高于EiH 、低于EiI 、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在( D )附近;最有利陷阱作用的能级位置在( C )附近,常见的是( E )陷阱。
吉林大学半导体器件物理期末考试试卷及答案2
)dx
∫ = qA
-p e dx wn
-(x-xn ) Lp
xn
n0
= -qALp pn0
这是 N 区少子空穴扩散区内的贮存电荷, Qp < 0 说明贮存电荷是负的,这是反向
PN 结少子抽取的现象。 同理可求得
Qn = qALnnp0 。 Qn > 0 说明贮存电荷是正的(电子被抽取,出现正的电离施
Vn
= VT
ln( Nc Nd
( ) ( ) I E = −I F 0 eVE VT − 1 + α R I R0 eVC VT − 1
( ) ( ) IC = α F I F 0 eVE VT − 1 − I R0 eVC VT − 1
根据以上公式给出 BJT 四种模式下 E-M 方程的具体形式。
四 [10 分]一 个 N 沟 MOSFET:
4. 由 于 肖 特 基 势 垒 具 有 快 速 开 关 响 应 ,因 而 可 以 把 它 和 NPN 晶 体 管 的 集 电
极−基极结并联连接,如图 4-13a 所示,以减小晶体管的贮存时间。当晶体管饱
和 时 , 集 电 结 被 正 向 偏 置 约 达 0.5V 。 若 在 肖 特 基 二 极 管 上 的 正 向 压 降 ( 一 般 为 0.3V )低 于 晶 体 管 基 极 −集 电 极 的 开 态 电 压 ,则 大 部 分 过 量 基 极 电 流 流 过 二 极 管 ,
=
Z μnC0 L
(VG 2
− VG1 )VD
代入数据:
75 ×10−6
−
35 ×10−6
=
15 2
μn (6.9 ×10−8 )(2.5
− 1.5)(0.10)
2006-半导体物理期末考试试卷A
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题 A 卷(120分钟)考试形式:闭卷考试日期200 6年1 月13日注:1、本试卷满分70分,平时成绩满分10分,实验成绩满分10分;期中考试成绩10分。
2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。
课程成绩构成:平时分,期中分,实验分,期末分一、多选题:(18分)1.对于一定的p型非简并半导体材料,掺杂浓度降低将导致禁带宽度(),本征流子浓度();A、增加,B、不变,C、减少。
2. 对于一定的n型非简并半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei;A、Ec , B、Ev, C、Eg, D、EF3. 热平衡时,半导体中的电子浓度与空穴浓度之积为常数,它只与()有关,而与()无关;A、杂质浓度B、杂质类型C、禁带宽度,D、温度4. 当施主能级ED 与费米能级EF相等时,电离施主的浓度为施主浓度的()倍;A、1,B、1/2,C、1/3,D、1/4。
5. 对于非简并Si单晶样品,温度降低使得其禁带宽度(),其本征载流子浓度()。
A、增加B、不变C、减小6. 影响非简并掺杂半导体器件性能的两种主要载流子的散射机制是():A、位错散射B、晶格振动散射C、中性杂质散射D、电离杂质7. n型和p型两片GaAs晶片是均匀掺杂的,即N D(n型)=N A(p型)》n i。
那么n型晶片的多子浓度()p型晶片的多子浓度。
n型晶片的电阻率()p型晶片。
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……A、等于B、大于C、小于8. 300K下,轻掺杂p型Si变为重掺杂p型Si后其电子迁移率将(),空穴迁移率将()。
A、增加B、不变C、减小9. 描述载流子输运的重要特性时,载流子的迁移率是与()相关的参数,扩散系数是与()相关的参数。
A、扩散运动B、漂移运动C、热运动10. “表面电场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。
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2010–2011学年第一学期期末考试试卷(A 卷)开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟 注意事项:1、教师出题时请勿超出边界虚线; 2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚,答题不得超出密封线; 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。 一、填空题(共30分,每空1分) 1、半导体中有 电子 和 空穴 两种载流子,而金属中只有 电子 一种载流子。 2、杂质原子进入材料体内有很多情况,常见的有两种,它们是 替代式 杂质和间隙式 杂质。 1、 3、根据量子统计理论,服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率,对于能量为E 的一个量子态,被一个电子占据的概率为()f E ,表达式为 ,()f E 称为电子的费米分布函数,它是描写 在热平衡状态下,电子在允许的量子态上如何分布 的一个统计分布函数。当0F E E k T ->>时,费米分布函数转化为()B f E ,表达式为 ,()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。在0F E E k T ->>时,量子态被电子占据的概率很小,这正是玻尔兹曼分布函数适用的范围。费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 前者受泡利不相容原理的限制 ,而在0F E E k T ->>的条件下,该原理失去作用,因而两种统计的结果变成一样了。 4、在一定温度下,当没有光照时,一块n 型半导体中, 电子 为多数载流子, 空穴 是少数载流子,电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ,则0n 和0p 的关系为 大于 ,当用g h E ν>>(该半导体禁带宽度)的光照射该半导体时,光子就能把价带电子激发到导带上去,此时会产生 电子空穴对 ,使导带比平衡时多出一部分电子n ,价带比平衡时多出一部分空穴p ,n 和p 的关系为 ,这时把非平衡电子称为非平衡 多数 载流子,而把非平衡空穴称为非平衡 少数 载流子。在一般小注入情况下,在半导体材料中,非平衡 多数 载流子带来的影响可忽略,原因是 注入的非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多,而非平衡 少数 载流子却往往起着重要作用,原因是2、 注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的少数载流子浓度大得多。 5、非平衡载流子的复合,就复合的微观机构讲,大致可分为两种,直接复合和间接复合,直接复合是指 电子在导带和价带之间的直接跃迁,引起电子和空穴的直接复合 ,间接复合是指 电子和空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合 。载流子在复合时,一定要释放出多余的能量,放出能量的方法有三种,分别为 、 、 3、 发射光子 发射声子 将能量给予其它载流子,增加它们的动能 。 6、在外加电场和光照作用下,使均匀掺杂的半导体中存在平衡载流子和非平衡载流子,由于 半导体表面非平衡载流子浓度比内部高 ,从而非平衡载流子在半导体中作 运动,从而形成 电流,另外,由于外加电场的作用,半导体中的所有载流子会作 运动,从而形成 电流。 二、选择题(共10分,每题2分)1、本征半导体是指 的半导体。A 、不含杂质和缺陷B 、电子密度与空穴密度相等C 、电阻率最高D 、电子密度与本征载流子密度相等 2、在Si 材料中掺入P,则引入的杂质能级A 、在禁带中线处B 、靠近导带底C 、靠近价带顶D 、以上都不是 3、以下说法不正确的是A 、价带电子激发成为导带电子的过程,称为本征激发。B 、本征激发后,形成了导带电子和价带空穴,在外电场作用下,它们都将参与导电。C 、电子可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态,并向晶格释放能量。D 、处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热载流子。4、以下说法不正确的是 A 、对n 型半导体,随着施主浓度N D 的增加,费米能级E F 从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。B 、对p 型半导体,随着受主浓度N A 的增加,费米能级E F 从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。C 、杂质半导体中载流子浓度和费米能级E F 的位置由杂质浓度所决定,与温度无关。D 、在杂质半导体中,费米能级EF 的位置不但反映了半导体的导电类型,而且还反映了半导体的掺杂水平。5、关于电中性方程00D A p n n p +-+=+,说法不正确的是A 、这是含有一种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条件。B 、它的意义是半导体中单位体积内带正电的空穴数等于单位体积中带负电的电子数。C 、半导体中荷电的包括导带电子、价带空穴、电离施主和电离受主。D 、该条件下,宏观状态表现为半导体不显电性。 三、计算题(共60分)1、(1)试说明在室温下,某半导体的电子浓度n n =,其电导率σ为最小值。式中i n 是本征载流子浓度,,p n μμ分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时的空穴浓度和电子浓度。(2)当133222.510/,1900/(),3800/()i p n n cm cm V s cm V s μμ=⨯=⋅=⋅时,试求Ge 的本征电导率和最小电导率。(3)试问当0n 和0p (除了00i n p n ==时)为何值时,该Ge 材料的电导率等于本征电导率(本题20分)一、解:(1)因为n p nq pq σμμ=+,又2i np n =,所以22i n p i n nq q n n σμμ=+≥=根据不等式的性质,当且仅当n nq μ=2i p n q nμ时,上式取等。 解得:1/2()p i nn n μμ=,即此时电导率σ最小。 相应地,此时21/2()i n i pn p n n μμ==(2)对本征Ge:13192()2.510 1.610(19003800)2.2810(/)i i n p n q S cm σμμ--=+ =⨯⨯⨯⨯+ =⨯在最小电导率条件下:min1319((2(2.510)(1.610)/n pi n q n q n S cm σμμ--2=+ =2 =⨯⨯⨯⨯ =2.12⨯10()(3)当材料的电导率等于本征电导率时,有:00()n p i n p n q p q n q μμμμ+=+ 即:200()i n p i n p n n q q n q n μμμμ+=+整理得:2200()0n i n p i p n n n n μμμμ-++=解得:0nn =带入数据得:00()2i i n n n n ==舍或 ∴1330 1.2510/2in n cm ==⨯ 213300510/i n p cm n ==⨯显然,此材料是p 型材料。2、设空穴浓度是线性分布,在3μm 内浓度差为1015cm -3,2400/()p cm V s μ=⋅。试计算空穴扩散电流密度。(室温下)(本题10分) 空穴扩散电流密度:()p pd pJ qD dx扩=- 由题意,空穴线性分布,且在3μm 内浓度差为1015cm -3,则空穴的浓度梯度为:1531844()10 3.310310d p x cm cm dx cm---=-=-⨯⨯ 根据爱因斯坦关系式:0ppD k Tqμ=0p p k T q μ=∴002184192()0.026400/()( 3.310)3.410/()p p p k T d p d pJ q k T q dx dxeV cm V s cm C s cm μμ-⨯⨯=-⨯⨯=-⨯⋅⨯-⨯=⨯⋅ 扩=- 3、施主浓度17310D N cm -=的n 型硅,室温下的功函数是多少?若不考虑表面态的影响,它分别同Al,Au 接触时,形成阻挡层还是反阻挡层?(对硅:电子亲和能取4.05eV,1932.810/c N cm =⨯;功函数: 4.18Al W eV =, 5.20Au W eV =) (本题10分)4、一单晶硅中均匀地掺入如下杂质:掺磷1631.510cm -⨯,掺硼153510cm -⨯。试计算: (1)室温下载流子浓度和费米能级的位置。 (2)室温下的电导率。(3)T=600K 时的载流子浓度。已知:室温下,本征载流子浓度=1031.510cm -⨯,电子迁移率=21000/cm V s ⋅,空穴迁移率=2400/cm V s ⋅,电子电荷=191.610C -⨯,600K 下的本征载流子浓度=153610cm -⨯。(1()ln(sh x x -=) (本题20分)(1)令D N +和A N -表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为00A D n N p N -++=+ (I)室温下,半导体处于过渡区,杂质已全部电离,153510A A N N cm --==⨯,1631.510D D N N cm +-==⨯,代入(I)式整理得:16300 1.010n p cm --=⨯ (II)又200i n p n = (III),1031.510i n cm -=⨯ (IV),联立(II)、(III )、(IV)式可解得:1630430 1.0102.210n cmp cm--⎧=⨯⎪⎨=⨯⎪⎩ 11001631531103*()()221.5105100.026()2 1.5100.35D D AF i i i ii i N N N E E k Tsh E k Tsh n n cm cm E eV sh cm E eV-------=+=+⨯-⨯=+⨯⨯⨯=+即此时费米能级在禁带中线上面0.35eV 处。 (2)电导率00n p n q p q σμμ=+由于00n p ,故可忽略空穴对电流的作用,即此时01632191.0101000/ 1.6101.6/nn q cm cm V s C S cmσμ--==⨯⨯⋅⨯⨯= (3)T=600k 时,半导体处于本征激发区,本征激发开始起主要作用。此时,杂质已全部电离,(II)、(III)式仍然成立。该温度下 153610i n cm -=⨯ (V) 联立(II)、(III )、(V)式解得:16301530 1.3102.810n cmp cm--⎧=⨯⎪⎨=⨯⎪⎩。