第三章 复杂电子衍射花样

合集下载

材料科学研究:复杂电子衍射花样

材料科学研究:复杂电子衍射花样

g m
其对应的倒易点指数为hkl,孪晶后该点的指数为htktlt,对应的倒矢量为 g t
由孪晶的特点可知,孪晶中的倒易点可以通过基体中任一倒易矢量或倒易阵点绕
孪晶轴旋转180°获得,见图6-28,有下列关系:
g g
t m
gt
g m
n[HKL]
n
为孪晶轴的单位矢量,大小取决于HKL的值,即
二、孪晶斑点
谢谢!再见!
如果入射电子束的方向与孪晶面不平行,得到的衍射花样就不能直观地反映孪晶与基体
之间取向的对称性,几何法标定孪晶花样将非常困难,此时可采用矩阵代数法算出孪晶斑点
指数,立方系的变换矩阵推导过程简述如下:
二、孪晶斑点
图6-28 基体与孪晶的倒易点阵关系图
设 孪晶面为(HKL),孪晶轴即孪晶面的法线[HKL],基体中的任一倒易矢量为
a
a
h2 k 2 l2 (nH h)2 (nK k)2 (nL l)
解之得:n
(2 hH+kK lL) H 2 K 2 L2
得孪晶斑点得指数矩阵:
h t
k t
lt
h k l
2H (hH kK lL)
H 2 K 2 L2 2K (hH kK lL)
H 2 K 2 L2 2L(hH kK lL)
ht
k
t
lt
h 2 H (H kK lL) 3
k 2 K (hH kK lL) 3
l 2 L(hH kK lL) 3
三 、高阶劳厄斑点
1)原理
(a)对称劳埃带
(b)不对称劳埃带
(c)重叠劳埃带
图6-29 三种劳埃带的示意图
三 、高阶劳厄斑点
2)应用
由零层劳埃带的存在范围R0和相机长度L,可以估算晶体在入射方向上的厚度t:

电子显微镜 第三章 衍射花样分析

电子显微镜 第三章 衍射花样分析
18
四、二次衍射花样
在较厚单晶体或两相合金中常产生二次衍射:
电子通过晶体时,产生的较强衍射线可以作 为新的入射线,在晶体中再次产生衍射。
d1晶体Ⅰ D1: 一次衍射斑点 D3: 二次衍射斑点
19
d2晶体Ⅱ
O D3 D2 D1
两相合金中的二次衍射
20
d2晶体Ⅱ
d1晶体Ⅰ
O D3 D2 D1
O
(a)
E (-200)
R1
O
B (200)
A (020)
C (220) D
OERS零阶劳厄带 测得R1=10mm,R2= 35.7mm,R3=38.1mm, R12:R22:R32=4:51:59; S属于{711},R属于 {731}; 测得R1,R2间夹角为820; 由夹角关系可得S点为 (-1 -7 1);由矢量关 系可得R点为(-3 7 1), T点(1 -7 1);晶带轴 [uvw]为[017]。
D1
O
D2
(b)
O (c)
D2 D1 (d) 两相合金二次衍射示意图
21
五、菊池花样
花样特点: 除规则斑点之外,还出现一些亮暗成对的 平行线条。
22
菊池线花样的产生及其几何特征
菊池线是由经过非弹性相干散射失 去较少能量的电子随后又受到弹性散射 所产生的。
23
入射束
入射束
试样
A B F C I
A

当晶体点阵常数较 大(即倒易面间距 较小),导致球可 同时与几层相互平 行的倒易面上的阵 点相交,产生几套 衍射斑。
5

当晶体试样较薄 时(即倒易点成杆 状) ,Ewald球可 能与几层相平行 的倒易面上的倒 易杆相交,产生 几套衍射斑。

微观分析复杂电子衍射谱

微观分析复杂电子衍射谱

(b)BCC晶体中的孪生
图5.2 两种晶体结构的孪生元素
7
孪晶几何特征:
(1)孪晶面为孪晶部分与基体部分的交界面,该面上的原子在切变 过程中为两相共有,保持不变; (2)孪晶和基体以孪晶面为镜面,通过镜面反映对称操作,可使孪 晶中的原子和基体中的原子完全重合;
(3)孪晶和基体以孪晶面的法向(孪晶轴)为二次对称轴,通过绕
要的作用。例如,Ni-Mn-Ga磁控形状记忆合金就是通过孪 晶界的迁动得以实现的。又如,在Fe-Mn-Si-Al钢中通过孪 生诱发塑性(TWIP)可显著提高钢的塑性,这类钢的塑性 可高达95%,比传统钢高几倍。
2

5.1.1、孪晶的几何特征
用一个半径为单位长度的晶球来说明孪晶几何(图5.1)。把直角坐
得到复杂衍射花样,这使花样的标定变得困难,但这种复杂
花样通常能比简单花样呈现更多的信息。
1
5.1 孪晶电子衍射花样
孪晶是两个相同结构的晶体,通过对称操作,其中一个 晶体的原子位置可以与另一个晶体的原子位置相重合,两者 并呈镜面对称。孪晶在材料中具有重要的作用。我们熟知的
孪晶马氏体具有硬而脆的特性。孪晶在形状记忆合金中有重
u v w 1 1 1
(5.8)
BCC:
ht hm H k k n K , t m lt lm L
u v w 1 1 2
17
(5.9)
此时无论FCC或BCC,孪晶斑点均和基体斑点重合,因为每个 [htktlt]都在(hmkmlm)整数倍的位置上。实际上满足
19
在立方晶系孪晶面{HKL}与其法向的孪晶轴<uvw>是同指
数,因此孪晶斑点位于在孪晶轴[uvw]方向上两个基体斑点

复杂电子衍射花样(材料分析方法)

复杂电子衍射花样(材料分析方法)

第五节复杂电子衍射花样一、多晶衍射花样的分析多晶体样品的电子衍射花样和X射线粉末照相法所得到的花样的几何特征非常相似,是由一系列不同半径的同心圆环所组成的。

这种环形花样的产生,是由于受到入射束幅照的样品区域内存在着大量取向杂乱的细小晶体颗粒,d值相同的同一{hkl}晶面族内符合衍射条件的晶面组所产生的衍射束,构成以入射束为轴、2θ为半顶角的圆锥面,它与照相底板的交线即为半径R=λL/d 的圆环(图1)。

实际上,属于同一{hkl} 晶面族、但取向杂乱的那些晶面组的倒易阵点,在空间构成以O*为中心、g=1/d为半径的球面,它与爱瓦尔德球面的交线是一个圆。

衍射花样中的圆环,就是这一交线的投影放大象。

d值不同的晶面族,将产生半径不同的圆环。

图1 多晶体样品电子衍射花样的产生多晶衍射花样的分析,其目的也不外乎两方面:一是利用已知晶体样品标定相机常数,二是鉴定大量弥散的抽取复型粒子或其他多晶粒子的物相。

多晶花样的分析,一般采用以下步骤:1、测量每个衍射环的半径R1、R2、R3、……。

为减少测量误差,通常测量衍射环的直径2R,然后计算得R;2、计算R,并分析R比值得递增规律,确定各衍射环得N值,并写出衍射环得指数{hkl};3、对于已知物质,也可根据d=λL/ R 计算各衍射环得晶面间距,对照ASTM卡片写出环的指数;对于未知物质,如果已知相机常数,可计算晶面间距d值,估计衍射环的相对强度,根据三强线的d值查ASTM索引,找出数据接近的几张卡片,仔细核对所有d值和相对强度,并参考已经掌握的其他资料,确定样品的物相。

二、复杂花样的分析除了简单花样的规则斑点以外,在单晶电子衍射花样中常常出现一些“额外的斑点”或其他图案,构成所谓的复杂花样。

复杂花样的种类较多,常见的有下列几种:1、因爱瓦尔德球的曲率半径有限,可能有不止一个晶带的晶面组参与衍射而出现的高阶劳厄带斑点;2、因晶体结构的变化如有序化固溶体产生的超点阵衍射斑点;3、因入射电子在样品晶体内受到多次散射而导致的双衍射和菊池衍射花样;4、孪晶花样;5、由于晶体的形状、尺寸、位向以及缺陷所引起的衍射斑点的变形和位移。

电子衍射6(复杂电子衍射花样)—雨课堂课件

电子衍射6(复杂电子衍射花样)—雨课堂课件

第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
菊池线的产生机理 入射电子在晶体中遭受非弹性散射→散射强度随散射方向而变 →遭受非弹性散射的电子再次受到晶面的弹性散射(Bragg衍射) →Kikuchi 线
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
菊池线的几何特征 (1) hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交,而且菊
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
所谓孪晶,通常指按一定取向关系并排生长在一起的同一物 质的两个晶粒。
上图中图a和b是CaMgSi相中的(102)孪晶在不同位向下的孪晶花样,图c 是CaMgSi相中另外一种孪晶的电子衍射花样,其孪晶面是(011)面;图d是 镁中常见的(10-12)孪晶花样。
第三章 电子衍射
池线对的间距与上述两个斑点的距离相等。
(2) 一般情况下,菊池 线对的增强线在衍射 斑点附近,减弱线在 透射斑点附近。
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
(3) hkl菊池线对的中线对应于(hkl)面与荧光屏的截线。两条中 线的交点称为菊池极,为两晶面所属晶带轴与荧光屏的交点。
(4) 倾动晶体时,菊池 线好象与晶体固定在 一起一样发生明显的 移动。精度达0.1°
FHKL 2 [ f Au fCu fCu fCu ]2 [ f Au fCu ]2
都不消光
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
有序 无序
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
2、高阶劳厄带 ✓ 所有与零层倒易面平行的倒易平面统称为高层倒易面
✓ 高层倒易面中的倒易阵点由于某些原因也有可能与倒易球 相交而形成附加的电子衍射斑点,这就是高阶劳埃斑。
得上下两层倒易面与零层倒易面同时与反射球相交的机会增加; 3)当电子衍射花样不正,使得零层倒易面倾斜时,增加了高层倒易阵

电子衍射产生的复杂衍射花样是高阶劳厄斑.doc

电子衍射产生的复杂衍射花样是高阶劳厄斑.doc

1.电子衍射产生的复杂衍射花样是高阶劳厄斑、超结构斑点、二次衍射、孪晶斑点和菊池花样。

2.当X射线管电压低于临界电压仅可以产生连续谱 X射线;当X射线管电压超过临界电压就可以产生连续谱X射线和特征谱X射线。

F表示,结构因素=0时没有衍射我们称3.结构振幅用 F 表示,结构因素用2结构消光或系统消光。

对于有序固溶体,原本消光的地方会出现弱衍射。

4.电磁透镜的像差包括球差、像散和色差。

5.衍射仪的核心是测角仪圆,它由辐射源、试样台和探测器共同组成测角仪。

6.X射线测定应力常用仪器有应力仪和衍射仪,常用方法有Sin2Ψ法和0º-45º法。

7.运动学理论的两个基本假设是双束近似和柱体近似。

8.电子探针包括波谱仪和能谱仪两种仪器。

1.X射线的本质是什么?是谁首先发现了X射线,谁揭示了X射线的本质?答:X射线的本质是一种电磁波?伦琴首先发现了X射线,劳厄揭示了X射线的本质?5.透射电镜主要由几大系统构成? 各系统之间关系如何?答:四大系统:电子光学系统,真空系统,供电控制系统,附加仪器系统。

其中电子光学系统是其核心。

其他系统为辅助系统。

6.透射电镜中有哪些主要光阑? 分别安装在什么位臵? 其作用如何?答:主要有三种光阑:①聚光镜光阑。

在双聚光镜系统中,该光阑装在第二聚光镜下方。

作用:限制照明孔径角。

②物镜光阑。

安装在物镜后焦面。

作用: 提高像衬度;减小孔径角,从而减小像差;进行暗场成像。

③选区光阑:放在物镜的像平面位臵。

作用: 对样品进行微区衍射分析。

7.什么是消光距离? 影响晶体消光距离的主要物性参数和外界条件是什么?和Ig在晶体深答:消光距离:由于透射波和衍射波强烈的动力学相互作用结果,使I度方向上发生周期性的振荡,此振荡的深度周期叫消光距离。

影响因素:晶胞体积,结构因子,Bragg角,电子波长。

1.实验中选择X射线管以及滤波片的原则是什么?已知一个以Fe为主要成分的样品,试选择合适的X射线管和合适的滤波片?答:实验中选择X射线管的原则是为避免或减少产生荧光辐射,应当避免使用比样品中主元素的原子序数大2~6(尤其是2)的材料作靶材的X射线管。

电子衍射

电子衍射

3)衍射矢量方程的厄瓦尔德图
3、厄瓦尔德图解 倒易点阵中的衍射矢量方程:
s − s0 = r* = H a* + K b* + Lc* λλ
该式即为倒易点阵中的衍射矢量方程,利用该方程 可以在倒易空间点阵中分析各种衍射问题。
衍射矢量方程的图解法表达形式是由 s 矢量构成的等腰矢量三角形 ,如下图。 λ
晶面族中的晶面的倒易矢量均垂直于晶带轴,构 成了一个与晶带轴方向成正交的二维倒易点阵(uvw) *,若晶带轴用正空间矢量
r = ua + v b + wc 来表示,晶面(hkl)用倒易矢 量 G = ha* + kb* + lc *表示,根据晶带定义 r ⊥ G , 即 r •G = 0
因此,( ua + v b + wc)·( ha* + kb* + lc * )=0
z 以矢量
s0 λ
的起端C为中心,以1/λ为半径画一个
球,称反射球;
z 凡是与反射球面相交的倒易结点(P1和P2)都能 满足衍射条件而产生衍射;
z 由此可见,厄瓦尔德图解法可以同时表达产生衍 射的条件和衍射线的方向。
4、结构因子 z 布拉格方程只是从几何角度讨论晶体对电子的散射 问题,并没有考虑晶面上的原子位置与原子密度。 z 如果考虑这两个因素,那么布拉格方程是发生衍射 的必要条件,而不是充分条件。 z 例如,面心立方晶体(100)面的一级衍射就不存 在,一般称此现象为系统消光。因此,引入结构因子
n=0
A = F sin(πs' NZc) πs'
I
=
A2
=
F
2 ⋅ sin2 (πs' N zc) (πs' ) 2

第三章 复杂电子衍射花样

第三章 复杂电子衍射花样

表1 衍射花样的测量和计算结果
Al, a = 0.4096nm;相机常数 L=20.8mmA
斑 点
A B C
R测量值 d测量值 (mm) (nm)
d计算 (PDF)值 (nm)
夹角 RARB
测量值 71.0 计算值 70.52
夹角 RBRC
晶面族 {hkl}
{111}
选定晶 面(hkl)
BCC晶体
FCC晶体
2.3.1 孪晶的晶体几何特征及倒易点阵 2.3.1.1 孪晶的晶体几何特征 构成孪晶的两部分晶体按一定的取向关系对称地并合在一起, 可以通过适当的对称操作使其中一部分晶体与另一部分晶体相 重合。 按孪晶的几何对称特征也可将其分为两类,即反映孪晶和旋转 孪晶。 • 一种操作是以特定晶面为镜面的反映对称,具体又分为: – 以孪晶面为镜面的反映对称, – 以垂直于孪生方向的晶面为镜面的反映对称。 • 另一种操作是以特定晶向为轴的旋转对称。旋转对称中的旋转 角度有60°、90°、120°、180°,其中以旋转180°最为常 见,180°旋转对称亦可称做二次旋转对称。具体又分为: – 以孪晶轴为轴的旋转对称, – 以孪生方向为轴的旋转对称。 • 孪晶面和孪生方向合称孪晶系统,是用以描述孪晶特性的特征 晶面和特征方向,又常称其为孪晶的基本要素。
旋转晶体重构三维倒易点阵法
通过绕晶体某一特定晶轴 旋转试样,获得一系列电子 衍射花样,根据这些电子衍 射花样和旋转角度,重构三 维倒易点阵,可确定未知结 构所属晶系及点阵参数。 建议:先利用电子衍射谱的 对称性确定晶系,再找到倒 易基失,最后绕基失旋转。
例1,某晶体的电子衍射花样如下图(a),现试求其晶体结构。
分2类情况进行标定:
1、产生衍射图谱的点阵类型为已知时; 2、产生衍射图谱的点阵类型为未知时。

电子衍射1(电子衍射基本公式)—雨课堂课件

电子衍射1(电子衍射基本公式)—雨课堂课件
行胃癌根治术6例,胃十二指肠溃疡胃大部切除术3例,其中billrthⅠ吻合5例;胆囊切除或胆总管切开取石T管引流术5例;阑尾切除术2例;腹部探查胃破裂修补术1例。
12例手术后2~9 d恢复肠蠕动,平均6 d,停止胃肠减压进流质饮食或由流质改为半流质饮食后出现上腹饱胀不适,恶心、呕吐,呕吐物为大量胃内容物,可含有或不含有胆汁,呕吐后症状暂时缓解,胃肠减压可抽出大量胃液,减压量800~1 500 mL/d。3例术后肛门排气、排便不畅,关闭胃管即感上腹部饱胀不适,胃肠减压量>800 mL/d,术后不能拔除胃管。2例术后恢复顺利出院,在出院后第3~10天出现上腹饱胀,反复恶心、呕吐。
参考文献
[1]王俊,柳颖斌,彭淑牅.腹部手术后功能性胃排空障碍的病因分析及防治进展[J].中国实用外科杂志,2006,26 (10):807-808.
[2] Livingston EH. Postoperative ileus[J].Dig Dis Sci, 1990,35:121-132.
[3]童强,王国斌,卢晓明,等.腹部手术后功能性胃排空障碍的诊断.
2结果
本组17例均经非手术治疗而治愈,于出现FDGE后3~20 d恢复胃动力,痊愈出院。
3讨论
3.1 FDGE的病因及发病机制
FDGE的发生是多因素决定的,可能与手术、基础疾病、心理及其他因素有关。有研究认为,腹部手术后尤其胃切除术后,破坏了胃的完整性,切除了胃窦和幽门部的蠕动起博点,减弱了胃排空能力;同时手术离断了迷走神经幽门支,胃近端张力性收缩和远端蠕动收缩均失去迷走神经调控,收缩动力减弱,降低了储存和机械运动消化食物的能力,导致胃排空迟缓;而复杂的胃肠道重建及术中污染引起胃肠麻痹或运动失调,吻合口水肿、食物潴留及残胃无力等均极易出现FDGE[1]。也有研究认为FDGE的主要机制是腹部手术后,胃肠交感神经活动增强,胃壁释放去甲肾上腺素或其他抑制物质直接与胃肠平滑肌细胞膜上的受体结合,阻止胃肠平滑肌中的交感神经释放乙酰胆碱,从而抑制胃肠肌电运动,延缓胃排空[2]。此外手术造成的应激状态可使胃肠道激素产生和调节异常,表现为胰岛素相对不足、受体敏感性降低,糖异生作用增强,胰高血糖素增高等均会使血糖明显升高,高血糖对胃动力有抑制作用,而且与升高的程度成正比[3]。从生理角度来看,腹部手术后,消化道的内环境突然发生变化,胃肠运动神经和体液的一系列调节不适应新的内环境,需要一个适应过程。而基础性疾病、心理及其他因素如:低蛋白血症、酸碱平衡、电解质紊乱、糖尿病、全身免疫力低下等因素对神经调节和体液的调节有着不可忽视的影响,是腹部手术后发生FDGE的重要因素。腹部手术后FDGE多见于涉及胃的手术,但非涉及胃的手术亦可以发生。本文17例中7例未涉及胃手术。

电子衍射及衍射花样标定

电子衍射及衍射花样标定
电子衍射及衍射 花样标定
主要内容
1.电子衍射的原理 2.电子显微镜中的电子衍射 3.多晶体电子衍射花样 4.单晶电子衍射花样标定 5.复杂电子衍射花样
1.电子衍射的原理
电子衍射花样特征
电子束照射 单晶体: 一般为斑点花样; 多晶体: 同心圆环状花样; 织构样品:弧状花样; 无定形试样(准晶、非晶):弥散环。
11 2

A 11 0

C
11
2
00 2

000
002
B
11 2

ห้องสมุดไป่ตู้

110

1 12

4.单晶电子衍射花样标定
解1:
11 2


A 11 0

C
11 2
2 2 2 1)从 R : R : R N : N : N 2 : 4 : 6 A B C 1 2 3
斑点编号 R/mm R2 Rj2/ RA2 (Rj2/ RA2 )2 N {hkl} Hkl A 7.3 53.29 1 2 2 110 110 B 12.7 161.29 3.03 6.05 6 211 C D E
2 11

12.6 14.6 16.4 158.76 213.16 268.96 2.98 4 5.05 5.96 8 10.1 6 8 10 211 220 310 220 301 121
并假定点 A 为1 1 0
因为 N=4在B, 所以 B 为 {200},
并假定点 B 为 200
4.单晶电子衍射花样标定
3)计算夹角:
h h k k l l 1 2 1 0 0 02 0 1 2 1 2 1 2 cos 4 AB 2 22 2 22 2 4 2 h k l h k l 1 1 1 2 2 2

电子衍射5(单晶电子衍射花样标定)—雨课堂课件

电子衍射5(单晶电子衍射花样标定)—雨课堂课件

第三章 电子衍射
五、单晶电子衍射花样的标定
➢ 选取靠近中心斑的不在一条直 线上的几个斑点(应包括与中心斑组 成特征平行四边形的3个斑点) ➢ 测量各斑点R值及各R之夹角。 ➢ 按Rd=C,由各R求相应衍射晶 面间距d值。 ➢ 按晶面间距公式(立方系为d2= a2/N),由各d值及a值求相应各N值。
图6 某低碳钢基体电子衍射花样,由 底片正面描绘下来的图
第三章 电子衍射
五、单晶电子衍射花样的标定
➢ 由各N值确定各晶面族指数HKL。 ➢ 选定R最短(距中心斑最近)之斑点指数。 ➢ 按N尝试选取R次短之斑点指数并用(最短与次短的R之间的夹角)校核。 决定第二个斑点的指数。第二个斑点的指数不能任选,因为它和第一个斑点 间的夹角必须符合夹角公式。对立方晶系来说,两者的夹角
单选题 1分
下图为某单晶的电子衍射花样,RA 与RB 夹角为90°。若A点
为(1-10)面,那么衍射斑点B对应晶面为( )。
A (002) B (200) C (020) D (220)
提交
单选题 1分
下图为某单晶的电子衍射花样,A点为(1-10)面,B点为 (002)面,那么,C 点对应晶面为( )。
五、单晶电子衍射花样的标定
单晶电子衍射花样标定包括 确定各衍射斑点对应的晶面指数(hkl) 衍射花样所属晶带轴指数[uvw] 对于未知晶体结构的样品,还包括确定晶体点阵类型。
单晶电子衍射花样可视为某个 uvw 零层倒易平面的放大像 0 uvw平面法线方向[uvw]近似平行于入射束方向(但反向) 0
第三章 电子衍射
五、单晶电子衍射花样的标定
3、标准花样对照法
预先制作各种晶体点阵主要晶带的倒易平面(图),称为标准 花样。

复杂电子衍射花样

复杂电子衍射花样

5 有序化与长周期结构
原理:无序、有序转变时出现反常衍射。 如面心立方-简单立方。有序合金的衍射 花样中出现的超点阵(超结构)衍射斑是 有序的确凿证据。超点阵反向强度取决于 所含异类原子散射振幅之差,一般较弱。 长周期:有序畴在某方向的规则排列。其 衍射花样的特征是,除基体衍射斑点外, 还出现一系列间隔较密,采用暗场技术
3 二次衍射
原理:电子通过晶体时,产生的较强,它 们常常可以作为新的入射线,在晶体中再 次产生衍射。 现象:重合:强度反常;不重合:多出斑 点或出现“禁止斑点” 场合:多发生在两相合金衍射花样内,如 基体与析出相;同结构不同方位的晶体之 间,如孪晶,晶界附近;同一晶体内部
判断:二次衍射起因于花样的对称性,所 以可以通过将试样绕强衍射斑点倾斜10° 左右以产生双束条件,即透射束和一去强 衍射束。若起因于二次衍射,在双束条件 政斑点就会消失;若部分强度起因于这种 作用,强度就会减弱。也可用二次衍射斑 形成中心暗场象来区分,如晶界会亮。
补充: 补充:复杂电子衍射花样分析
简单花样:单质或均匀固溶体的散射, 简单花样:单质或均匀固溶体的散射,由近似 平行于晶带轴方向入射电子束所产生 复杂花样:在简单花样中出现许多“ 复杂花样:在简单花样中出现许多“额外斑 分析目的在于辩认额外信息,排除干扰。 点”,分析目的在于辩认额外信息,排除干扰。
6
调幅结构
原理:在某些稳定的第二相生成之前,固溶 体中常常产生不均匀的现象,溶质原子在某 些特定的晶面上偏聚。这样在每个溶质原子 富集区两侧就有可能出现溶质原子的贫乏区, 形成相继交替的周期性层状结构 特征:只在hkl斑点两侧出现卫星斑,在透 射斑两侧不产生。
1 双晶带的斑点花样
原因: 原因:Ewald球是一个有一定曲率的球面, 可能使两个晶带轴指数相差不大的晶带的0 层倒易面同时与球面相截,产生分属于两个 晶带的两套衍射斑点。 产生些情况必须具备的条件为:r1,r2夹角很 r 小;g1.r2 >0, g2.r1>0 现象: 现象:一边一套衍射斑。 标定方法:同简单花样。验证标定结果采用 标定方法 上述必备条件。

第三章 电子衍射

第三章 电子衍射

射几何条件在倒易空间中的描述。图3.2是应用爱瓦尔德反射球构图来表示衍射 条件。以晶体点阵原点O为球心,以1/λ为半径作球。沿平行于入射方向,从O作 入射波波矢k,并且 |k|=1/λ,其端点O﹡作为相应的倒易点阵的原点,该球称为 爱瓦尔德球,或称为反射球。当倒易阵点G与爱瓦尔德球面相截时,则相应的晶 面组(hkl)与入射束的方位必满足布拉格条件,而衍射束的方向就是OG,或者写 成衍射波的波矢k,其长度也等于爱瓦尔德球的半径1/λ。根据倒易矢量定义, O﹡G=g,则可得:
n
Fhkl f j exp 2πi hx j kyj lz j
j 1
(3.2)
式中:fj是j原子的散射振幅, xj,yj,zj是j原子的坐标,n是晶胞中的原子数。
3.2.2 物理条件
如果把那些Fhkl等于零所对应的倒易阵点从倒易点阵中去掉,借助于 倒易矢量的两个基本性质(ghkl∥Nhkl,Nhkl是(hkl)晶面的法线,ghkl=1/dhkl) 不难画出:点阵常数为的简单立方正点阵的倒易点阵也是简单立方,其点
阵常数 a0 1/ a ;点阵常数为 a 的体心立方正点阵的倒易点阵则是点阵
常数为a0 2 / a 的面心立方点阵;而面心立方正点阵的倒易点阵则是体
心立方,其点阵常数也是
a
0

2/a
。并且,立方正点阵的三个轴向与立
方倒易点阵是平行的。图3.3画出了体心立方正点阵的倒易点阵。
3.2.2 物理条件
R/L=tan 2θ
对于高能电子,2θ很小,近似有:tan 2θ 2sinθ
代入布拉格公式得
λ/d=2sinθ=R/L

Rd=λL
(3.5)
3.3.1 电子衍射仪中的衍射

高阶劳厄带

高阶劳厄带

金属材料电子显微分析
第四章 电子衍射(三)
—复杂电子衍射花样
燕山大学材料科学与工程学院 材料现代分析测试方法课程教学团队 张静武教授/博导
一 多晶体电子衍射花样
产生:反射球切倒易球壳
特征:顺次排列的同心圆环
应用:物相鉴定 相机常数校正
二 高阶劳厄带
三 二次衍射
111 113
002
000
金刚石结构002倒易点不存在,
二次衍射使其出现
NiTiC 合金中常有 TiC 相时效析 出,其电子衍射图中 有两套主要
格子,同时有许多弱衍射斑出现 在主衍射斑 周围,这些弱衍射斑 就是二次衍射。

四 孪晶电子衍射花样
(111)
[112] (110)
[112]

111) G
M T
孪晶轴
孪晶面
111 200
111
六 超点阵斑点
000 220
200
020
110
100
超结构斑点­ Au纳米片
五 菊池线
EBSD
第四章 小结
1. 反射球切倒易杆:Lλ=Rd
2. 单晶体花样标定: [R i — d i ] / COSΦ
3. 多晶体花样:同心环(同X光)
4. 复杂花样: 菊池线 孪晶花样 超点阵斑点
高阶劳厄带 二次衍射
扩展学习:位向分析
迹线分析。

电子衍射

电子衍射

材料研究方法
电子衍射
二维倒易点阵平面的画法
由晶带定律,找出两个基矢 ;(最短的和次 由晶带定律,找出两个基矢g1、g2 ;(最短的和次 短的两个倒易矢量,最好互为正交) 短的两个倒易矢量,最好互为正交) 计算α 画出平行四边形, ∝ 计算 12,画出平行四边形,g∝1/d 将基本平行四边形平移获得二维倒易平面 检查是否有漏点(补点) 检查是否有漏点(补点) 检查是否有多余点(消光) 检查是否有多余点(消光) 特别要注意晶体的类型
即 u=k1l2-l1k2,v=l1h2-h1l2,w=h1k2-k1h2 这也就是倒易阵 点 h1k1l1 、 h2k2l2 与 倒 易 原 点 构 成 的 二 维 倒 易 平 面 (uvw)*的指数。
材料研究方法
电子衍射
同时属于两个晶带得晶面指数
由晶带定律可以求出同属于两个晶带 )、(u 的晶面( ) (u1v1w1)、 2v2w2)的晶面(hkl) 的晶面
材料研究方法
电子衍射
晶带定理与零层倒易面
零层倒易面: 零层倒易面:通过原点的倒易面称为零层倒 易面, ,(uvw)*的法 易面,用(uvw)*表示。显然,( ) 表示。显然,( ) 线和正空间中的晶带轴[uvw]重合。 重合。 线和正空间中的晶带轴 重合 晶带定理: 晶带定理:因为零层倒易面上的各倒易矢量 都和其晶带轴r=[uvw]垂直,固有 hkl•r=0 ,即 垂直, 都和其晶带轴 垂直 固有g hu+kv+lw=0, 这就是晶带定理。 这就是晶带定理。
材料研究方法
电子衍射
晶带和它的倒易面
在正点阵中,同时平行于某一晶向 [uvw]的一组晶面构成一个晶带, 而这 的一组晶面构成一个晶带, 的一组晶面构成一个晶带 一晶向称为这一晶带的晶带轴。 一晶向称为这一晶带的晶带轴。 图示为正空间中晶体的[uvw]晶带及其 晶带及其 图示为正空间中晶体的 相应的零层倒易截面。 相应的零层倒易截面。 图 中 晶 面 ( h1k1l1 ) 、 ( h2k2l2 ) 、 的法向N (h3k3l3) 的法向 1、N2、N3和倒易矢 的方向相同, 量 gh1k1l1 、 gh2k2l2 、 gh3k3l3 的方向相同 , 且各晶面面间距d 且各晶面面间距 h1k1l1、dh2k2l、d h3k3l3 的倒数分别和gh1k1l1 、 gh2k2l2 、 gh3k3l3 的 的倒数分别和 长度相等, 倒易面上坐标原点O 长度相等 , 倒易面上坐标原点 * 就是 爱瓦尔德球上入射电子束和球面的交 点。

复杂电子衍射花样

复杂电子衍射花样

对于任一晶带轴而言,除了 零层倒易面之外,所有与零层倒 易面平行的倒易平面都与之垂直, 但这些倒易面与晶带轴之间不满 足晶带轴定律,它们之间的关系 满足广义晶带轴定律,所有与零 层倒易面平行的倒易平面统称为 高层倒易面。
高层倒易面中的倒易阵点由 于某些原因也有可能与倒易球相交 而形成附加的电子衍射斑点,这就 是高阶劳埃斑。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
在电子束穿行晶体的过程中,会 产生较强的衍射束,它又可以作 为入射束,在晶体中产生再次衍 射,称为二次衍射。二次衍射形 成的新的附加斑点称作二次衍射 斑。二次衍射很强时,还可以再 行衍射,产生多次衍射。
产生二次衍射的条件: 1、晶体足够厚; 2、衍射束要有足够的强度。
二次衍射花样形成的示意图
图中本来只存在 两套花样,分别 是镁的[-1100]晶 带轴电子衍射花 样和Mg2Ca相 的[3-302]晶带 轴花样。而花样 中出现的很多卫 星斑是由于二次 衍射,通过 Mg2Ca相的(1103)斑点与Mg 的(000-2)斑点 之间存在的差矢 平移造成的。
对于hkl晶面来说,所有可能 的衍射方向构成一个半顶角为 90°-θ的衍射圆锥,这些射线锥 和距离晶体较远而又垂直于入射 束的底片相截于两支抛物线,由 于θ值很小,这两支抛物线非常接 近于直线,因此在底片上得到的 成对的菊池线看上去是两条直线。
菊池衍射谱的特点 1.hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线 正交,而菊池线对的间距与两个斑点之间的距 离也相等; 2.菊池线一般是明暗配对的直线,在正片上距 离透射斑近者为暗线,远者为亮线; 3.菊池线对的中心线则相当于反射晶面与底片 的交线;两条中心线的交点即为两个对应平面 所属的晶带轴与荧光屏的截点,一般称之为菊 池极;
镁钙合金

电子衍射及衍射花样标定

电子衍射及衍射花样标定

q
d
q L
q
G’ r
O
G’’
立方晶体[001]晶带
晶体中,与某一晶向[uvw]平行的 所有晶面(hkl)属于同一晶带, 称为[uvw]晶带,该晶向[uvw]称 为此晶带的晶带轴. 如 [001] 晶 带 中 包 括 ( 100 ) , (010)、(110)、(210)等 晶面。
[001]
晶带定律:若晶面(hkl)属于晶 带轴[uvw], 则有 hu+kv+lw=0 这就是晶带定理。
相机常数未知、晶体结构已知时衍射花样的标定
以立方晶系为例来讨论电子衍射花样的标定 电子衍射基本公式
同一物相,同一衍射花样而言, 为常数,有 R12:R22 :R32:…Rn2=N1:N2:N3:…Nn
立方晶系点阵消光规律 R12:R22 :R32:…Rn2=N1:N2:N3:…Nn
衍射 线序 号n 1 2 3 4 简单立方 体心立方
H、K、L全奇或全偶
4.单晶电子衍射花样标定

例:下图为某物质的电子衍射花样 ,试指标化并求其晶 胞参数和晶带方向。 RA=7.1mm, RB=10.0mm, RC=12.3mm, (RARB)90o, (rArC)55o.
A
C
B 000
4.单晶电子衍射花样标定
解2:
2 2 2 1)由 RA : RB : RC N1 : N2 : N3 2 : 4 : 6
晶面间距
立方晶系的晶面间距公式为:
d
四方晶系的晶面间距公式为:
a h2 k 2 l 2
1 h2 k 2 l 2 2 2 a c
d
六方晶系的晶面间距公式为:
d
a 4 2 a (h hk k 2 ) ( ) 2 l 2 3 c
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

对于高对称性的立方晶体,我们无须区分反映 孪晶和旋转孪晶,因为二者是等效的,这一点已 在上述分析中得以证实。体心立方的{112}孪晶和 面心立方的{111}孪晶,如果不考虑孪晶面指数的 区别,则它们所反映的对称关系也是等效的,这 是体心立方{112}孪晶和面心立方{111}孪晶相互间 所具有的一个重要性质。如上一页所示的体心立 方晶体的孪晶,孪晶面为(112),孪生方向为[ 1 11 ]。 孪晶轴[112]与孪生方向垂直的晶面( 111 ),二者恰 好构成了面心立方晶体中孪晶面为( 111 )孪生方向 为[112]的孪晶系统。
其中
近似处理为
2.2 孪晶电子衍射花样
• 结构相同的两部分晶体按一定的取向关系呈对称排列 并合在一起,称为孪晶。许多常见的金属及其合金在 某些状态下,都可能有孪晶存在,如铜合金、镍合金 中的退火孪晶,高碳钢淬火状态下的马氏体孪晶、低 碳钢在低温下变形生成的形变孪晶,等等。如果按照 孪晶本身的形成方式,可以概括地把孪晶分为两大类 型:一类是生长孪晶,它是在晶体生长过程中或以扩 散为主要方式的相变中形成的。如,液态金属的结晶、 气相沉积、电镀层的外延生长、固态下的再结晶及退 火过程中生成的孪晶。另一类是在晶体塑性变形过程 中或以切变为主要方式的相变中形成的孪晶,称为形 变孪晶。如,体心立方金属晶体在低温塑性变形过程 中形成的孪晶以及马氏体相变过程中形成的孪晶。
3.2 二次旋转孪晶指数变换公式 在推导以孪晶轴为轴旋转180o对称的二次旋转孪 晶指数变换公式之前,首先说明有关的符号。 gM——基体倒易矢量,其指数为(hkl)M gT ——孪晶倒易矢量,其指数为(hkl)T,; gA——孪晶面所对应的倒易矢量,其指数为 [HKL]; r——孪晶轴(孪晶面的法线),其指数为[UVW]; htktlt-孪晶倒易矢量gT在基体倒易点阵中的指数。
{111}
选定晶 面(hkl)
(111) (111) (002)
9.0 9.0 10.2
0.231 0.231 0.204
0.2365 0.2365 0.2048
测量值 55.0 计算值 54.74
{111} {200}
r1 r2 cos r1 r2
注意:采用逆时 针夹角为正
第三章 复杂电子衍射花样
3.1单晶电子衍射花样的标定 3.2孪晶电子衍射
2.1单晶体衍射花样的标定(指数化)任务
1、确定图谱中各衍射斑点的指数(hkl)(所以 “标定”又称“指数化”); 2、利用晶带定理,由斑点指数确定该图谱的晶带 轴[uvw]; 3、如果产生衍射图谱的点阵类型为未知时,确定 产生该衍射谱的晶体点阵类型(如面心立方, 体心立方,密排六方等)。
电子衍射花样标定步骤
分2类情况进行标定:
1、产生衍射图谱的点阵类型为已知时; 2、产生衍射图谱的点阵类型为未知时。
电子衍射花样标定步骤
• 产生衍射图谱的点阵类型为已知时的标 定方法: 1、尝试--校核法(常用方法); 2、与标准衍射花样对照(要核对Ri/Rj比 值,以及Ri、Rj矢量间的夹角)。
(111) (111) (002)
9.0 9.0 10.2
0.231 0.231 0.204
0.2365 0.2365 0.2048
测量值 55.0 计算值 54.74
{111} {200}
晶带轴 B=[110]; 利用矢量加、减和倍乘 方法标定其他斑点。
电子衍射花样标定步骤
• 产生衍射花样的点阵类型为未知时的标 定方法:
1、多数情况下,根据合金成分,相图和热处 (相变)历史,并根据X-射线衍射结果,大 致确定合金体系中存在哪些相(晶体点阵) 然后按所估计的相,采用尝试—校核法进行 标定。工作量比较大。 2、在某些特殊情况下,采用比值法标定,如 FCC和BCC两相混合的情况。
•不同结构晶体的电 子衍射谱具有不同的 对称特征。利用电子 衍射谱的对称性(如 右图)可迅速判断其 所属的晶系。
gM——基体倒易矢量,其指数为(hkl)M gT ——孪晶倒易矢量,其指数为(hkl)T; gA——孪晶面所对应的倒易矢量,其指 数为[HKL]; r——孪晶轴(孪晶面的法线),其指数为 [uvw]; htktlt-孪晶倒易矢量gT在基体倒易点阵 中的指数
gM+ gT=n[HKL], 即, [hkl]+[htktlt]=n[HKL]
表1 衍射花样的测量和计算结果
Al, a = 0.4096nm;相机常数 L=20.8mmA
斑 点
A B C
R测量值 d测量值 (mm) (nm)
d计算 (PDF)值 (nm)
夹角 RARB
测量值 71.0 计算值 70.52
夹角 RBRC
晶面族 {hkl}
{111}
选定晶 面(hkl)
(a)
(b)
(c)
(d)
在电子衍射操作中将花样(a)绕 竖直短边为轴逆时针旋转得到另外 三张衍射花样(b)、(c)、(d),并记 录相应的倾转角就可构成右图倒易 空间三维图。再从倒易空间三维图 求出a*、b *、c *。最后再从倒易 空间转换为正空点阵。 最后得出该晶体为体心立方。
两个需要说明的问题 *特定晶轴的选择应选择最 密排的电子衍射,有可能对 应晶体的单胞参数 * 旋转角的确定在电镜中使 用双倾台,旋转角由两个方 向倾转角合成得到:
注意:采用逆时针夹角为正
电子衍射花样标定步骤
7、计算:利用Ri 矢量运算法则(加、减,反向和倍乘) 确定其余衍射斑点的指数。 8、计算:应用晶带定理 g . r = 0,并采用右螺旋法则求衍 射图谱的晶带轴 B =[uvw];一般采用右手法则叉乘法 求晶带轴: B = RARB=RCRA 9、核对自洽性:检查标定结果的自洽性,即所标指数必须与实际情况 一致;除保证实测夹角与计算夹角相符之外,还可以用标准极射赤 面投影核对。
• •
电子衍射花样标定步骤
• 用尝试--校核法标定的主要步骤:
1、选择:在图谱上(至少)选3个衍射斑点,设为A, B, C。 2、测量:测量图谱中心(000)到所选斑点的半径距离 RA, RB, RC。 3、测量:测量RA与RB, 以及RB与RC间的夹角 、。 4、计算:用衍射基本公式L=Ridi 分别计算与RA, RB, RC相 当的晶面间距di (L为电镜的相机常数)。
下图是体心立方晶体(112)孪晶的一个点阵截面,该截面与孪 晶面垂直,且平行于孪生方向 [111 ]M。图中孪晶面上方为基体的 ( 11 0 ) M晶面,下方为孪晶(110)T晶面,圆点表示截面上的原子位 置。由下图容易看出,基体的点阵和孪晶的点阵以孪晶面(112) 为镜面呈反映对称,而这种对称关系也可以看作是以孪生方向 [1 11]为轴的二次旋对称。对于同一类型的孪晶,即孪晶面和孪 生轴相同,只需将图中孪晶点阵的坐标加以改变,则不难看出, 基体点阵和孪晶点阵之间存在以孪晶轴为轴的二次旋转对称和 以孪生方向垂直的晶面为镜面的反映对称。
旋转晶体重构三维倒易点阵法
通过绕晶体某一特定晶轴 旋转试样,获得一系列电子 衍射花样,根据这些电子衍 射花样和旋转角度,重构三 维倒易点阵,可确定未知结 构所属晶系及点阵参数。 建议:先利用电子衍射谱的 对称性确定晶系,再找到倒 易基失,最后绕基失旋转。
例1,某晶体的电子衍射花样如下图(a),现试求其晶体结构点阵的对称关系
如前所述,晶体点阵和倒易点阵互为倒易而共存,若正点阵中存 在孪晶关系,则相应的倒易点阵也一定存在孪晶关系。已经知道, 正点阵中基体和孪晶同名指数的晶面具有对称关系,相应的倒易 矢量之间也一定有对称关系,正点阵中基体和孪晶同名的晶向有 对称关系,相应的倒易平面之间也一定有对称关系。正如孪晶晶 体点阵所存在的对称关系那样,孪晶的倒易矢量也存在四种相应 的情况(参见图3-3)。
(3-4)
(3-4)式是任意晶系二次旋转孪晶的晶面指数变换公式。利用这 个公式可以求出与基体倒易阵点(hkl)M同名的孪晶倒易阵点 (hkl)T在基体倒易点阵中的坐标(htktlt)。 (3-4)式适用于旋转孪晶,但由图3-4可以看出,孪晶的倒易矢量 gT只可以看作是基体倒易矢量-gm以孪晶面(HKL)为镜面的反映。
图3-4是二次旋转孪晶基体倒易矢量和同名指数的孪晶倒 易矢量相对孪晶轴对称分布的示意图。因为gM绕孪晶 轴rA旋转180°后将与同名指数的gT相重合,所以二者 与rA之间的夹角相等,且矢量长度也相等,因此有 gM · rA = gT · rA hU+kV+lW = htU+ktV+ltW (3-1)
用尝试--校核法标定的主要步骤:
表1 衍射花样的测量和计算结果 Al, a = 0.4096nm;相机常数 L=20.8mmA
斑 点
A B C
R测量值 d测量值 (mm) (nm) d计算 (PDF)值 (nm)
夹角 RARB
测量值 71.0 计算值 70.52
夹角 RBRC
晶面族 {hkl}
BCC晶体
FCC晶体
2.3.1 孪晶的晶体几何特征及倒易点阵 2.3.1.1 孪晶的晶体几何特征 构成孪晶的两部分晶体按一定的取向关系对称地并合在一起, 可以通过适当的对称操作使其中一部分晶体与另一部分晶体相 重合。 按孪晶的几何对称特征也可将其分为两类,即反映孪晶和旋转 孪晶。 • 一种操作是以特定晶面为镜面的反映对称,具体又分为: – 以孪晶面为镜面的反映对称, – 以垂直于孪生方向的晶面为镜面的反映对称。 • 另一种操作是以特定晶向为轴的旋转对称。旋转对称中的旋转 角度有60°、90°、120°、180°,其中以旋转180°最为常 见,180°旋转对称亦可称做二次旋转对称。具体又分为: – 以孪晶轴为轴的旋转对称, – 以孪生方向为轴的旋转对称。 • 孪晶面和孪生方向合称孪晶系统,是用以描述孪晶特性的特征 晶面和特征方向,又常称其为孪晶的基本要素。
下面分别介绍这两类孪晶在透射电镜下所显示的形貌。
相关文档
最新文档