重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂——正性光致抗蚀剂的制备与性质

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成膜树脂对重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料性能的影响_薛永薰

成膜树脂对重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料性能的影响_薛永薰

第18卷 第1期感光科学与光化学Vo1.18,No.1 2000年2月PHO TO GRAPHIC SCIENCE AND PHO TOCHEMISTR Y Feb.,2000 应用与发展成膜树脂对重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料性能的影响薛永薰3 邬 兰 王 鹏(天津天龙科技公司,天津300163)关键词 感光材料,成膜树脂,重氮萘醌体系,抗蚀材料多数的重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料(以下简称抗蚀材料)都是用线性酚醛树脂作为成膜组分,用重氮萘醌的酯化产物作为感光性组分的光分解型感光材料.这种材料以其高反差的成像性能广泛地应用于电子、印刷及精密加工等各个领域中.常用的光致抗蚀剂及平版印刷的PS版材大多用的是这种材料.也像其他的各种银盐体系或非银盐体系的感光材料一样,抗蚀材料的各种成像性能或物理性能之间同样存在着相互影响、相互制约的关系.例如:为了提高感光度,可以使用提高树脂在显影液中溶解速度的添加剂,但是曝光区域和未曝光区域的溶解速度同时得以提高,结果是反差系数和分辨力的下降[1].又如,使用分子量较高的线性酚醛树脂可以有效地提高材料的耐热性能,但伴随的结果是感光度的降低.当然,权衡各方面因素的影响,也能得到各种性能都兼顾的满意结果.成膜树脂和重氮萘醌酯化物的性能同样重要地决定着感光材料的性能,但至今正性感光材料一直没能脱离重氮萘醌的体系,只是在酯化载体的变化上进行了不少的研究.而成膜树脂的组成与结构变化万千,可以多方面地影响材料的性能,世界上许多研究机构和企业都投入了很大的力量进行研究与开发工作,以改善材料的成像性能及应用过程中的机械强度和其它多种适性.例如赫司特公司采用了含有卤素的酚醛树脂,提高图像区域的抗显影液性能和抗溶剂性能,在显影液中膜层5分钟不被攻击,图像区域膜层的损失大大减少[2].富士公司调整邻苯二酚和对苯二酚的不同比例代替习惯上常用烷基取代酚制备的酚醛树脂成膜性能良好,又可以适应于弱碱性显影液,改善了图像的质量[3].小西六公司采用带有羧基的酚与醛或酮进行缩聚制备的树脂作为成膜组分,可以提高感光度,又不损失其在显影方面和耐受化学品方面的宽容度[4].IBM公司为了提高图像的质量,则是采用了降低酚醛树脂在显影液中溶解性的办法.将酚醛树脂作部分酰化的处理,减少分子结构中可溶于碱水溶液的羟基比例.这样,利用酰化可以调整树脂的综合性能,改善树脂合成批次间的稳定性,还可以1999204212收到初稿,1999211225收到修改稿. 3通讯联系人85避免由于提高分子量而造成的凝胶现象,改善成膜性能和保存性[5].日本住友化学品公司大坂研究所的花 诚(M.Hanabata )等人研究光致抗蚀剂多年,在不少刊物上发表过研究报告,也申请过不少专利,介绍他们设计新型线性酚醛树脂的指导思想和研究成果.研究者对于影响成膜树脂的结构与性能的各个要素及其这些要素怎样影响抗蚀材料的性能都进行过系统的研究.他们介绍的那些提高抗蚀材料性能、权衡各影响要素的手段可以直接或间接地运用到改善PS 版的性能方面,但要注意到不能影响到PS 版的亲墨、耐印等印刷适性方面的要求.以下,对住友研究所的一部分文献综述如下.1 抗蚀材料的成像过程分析研究者认为,改善抗蚀材料的性能问题必须从成像过程入手,在这个过程中,除了曝光过程的光分解作用之外,影响其性能的主要因素是显影过程中未曝光区域的溶解抑制和曝光区域的溶解促进作用.欲改善成像性能,必须设法降低未曝光区域在显影液中的溶解速度(R o ),并提高曝光区域的溶解速度(R p )[6].在整个成像过程中,重氮萘醌的酯化产物与成膜树脂依靠分子间力结合起来,从而形成对成膜树脂的屏蔽,保护其在显影液中免受侵蚀(虽然至今人们对于这种屏蔽作用的机理认识不清,几种推断仍在争论,但是未曝光区域的成膜树脂受到保护是确实的).由于这样两种截然相反作用的结果,抗蚀材料的膜层才得以在曝光显影之后形成边缘整齐、轮廓清晰的抗蚀图像.图1 不同分子量成膜树脂对溶解速度的影响为了研究抗蚀材料的性能,研究者提出从反差系数γ值、原稿尺寸的还原能力和曝光或显影宽容度三个方面来评价分辨力的优劣[7].他们测定不同组成的抗蚀材料性能,进行评价分析.研究中,用凝胶渗透色谱的方法测定不同的线性酚醛树脂的分子量,还借助13C 核磁共振波谱的方法测定树脂苯环上不饱和碳原子的位置与比例.实验中所用的感光组分是单一不变的2,3,42三羟基二苯甲酮与2,12重氮萘醌252磺酰氯按摩尔比为1∶3进行酯化得到的酯化产物.2 成膜树脂对抗蚀材料性能的影响研究者将那些由于成膜树脂的结构与组成不同以及成膜树脂和重氮萘醌酯化物间的配比变化造成对抗蚀材料性能的影响归纳为六个要素,分别进行讨论[8].他们认为,线性酚醛树脂的分子量、甲酚的异构体结构和甲叉键位置都与树脂和重氮萘醌之间的偶联反应有关,影响着显影过程的溶解促进和86 感 光 科 学 与 光 化 学18卷 溶解抑制.针对线性酚醛树脂的分子量分布及重氮萘醌酯化物含量的影响,他们提出了抗蚀材料显影过程的一种模型理论———“石头墙模型”,并且设计了有优秀性能的特殊分子量分布专用线性酚醛树脂———“Tandem ”.211 线性酚醛树脂分子量的影响图1显示的是线性酚醛树脂的重均分子量与溶解速度(R n ,R o ,R p )之间的关系[1].R o 和R p 前已有述,R n 则表示单纯的线性酚醛树脂在显影液中的溶解速度.如图,随着分子量的增大,R n 、R p 和R o .都同样表现出下降的趋势.这是由于R n 的降低使得R o 和R p 随之降低.还可看到,R o 和R p 的曲线几乎是平行的,溶解速度下降的趋势差不多,即溶解抑制与溶解促进的变化趋势相当,或者说是R p /R o 的值基本上不随分子量的变化而改变.通过由不同分子量成膜树脂组成的抗蚀材料的实验结果表明[7],分子量的变化对反差系数和曝光宽容度没有影响,即分子量不影响分辨力,但分子量的增加导致感光度的下降.212 甲基苯酚不同异构体的影响合成线性甲酚2甲醛树脂的甲酚多为间甲苯酚或对甲苯酚,不同比例的间2对甲酚合成的树脂在溶解速度上有着较大的差异.图2是利用类似分子量、但间、对位比例不同的树脂所得出的实验结果[6].如图,间、图2 酚醛树脂甲酚异构组成不同对溶解速度的影响对位比例(m /p )从10/0变到4/6时,R n ,R o 和R p 都是下降的趋势.这是因为对甲酚醛的甲叉键只有可能在甲酚羟基的邻位形成,而间甲酚醛的甲叉键在羟基的邻位与对位都有形成的可能性.因此对甲酚醛的结构更具有规则性和刚性,在羟基的周围有比较大的空间位阻,会妨碍树脂在碱性显影液中的溶解.图中,m /p 从10/0变到4/6时,即对位的比例增加时,R o 下降得比R p 要快,R o 下降的因子是103,R p 下降的因子是101,这种现象的原因可能是由于茚羧酸的溶解促进作用在对位比例较高的体系中具有更为显著的效果.所以,由于对位比例的增加,溶解速度降低,导致感光度下降.同时还可以看到,R p /R o 也随着对位比例的增加表现出增加的趋势,即促进了反差系数γ值的提高,这将有助于分辨力的提高.研究者还利用测定不同曝光量条件下剩膜量的实验,得出了对位比 1期薛永薰等:成膜树脂对重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料性能的影响87 例增加时宽容度变差的结论[7].213 甲叉键位置的影响与偶联反应———溶解抑制模型研究者的实验结果表明,采用纯间甲酚醛树脂作为成膜组分的时候,树脂分子中的甲叉键位置对抗蚀材料在显影液中的溶解性能有比较大的影响[6].用13C 核磁共振波谱测定了不同的间甲酚醛树脂的结构,了解到间甲酚醛树脂的甲叉键在羟基邻位的比例较高时,树脂在碱显影液中的溶解才会受到较强的抑制.这种“高邻树脂”羟基对位的C 24原子大多未被取代,表示为S 4值较高.这种未被取代的C 24原子上有较高的电子云密度,因此容易发生亲电子的偶联反应.据此,研究者还提出了以偶联反应为基础的“溶解抑制”模型[6].图3 重氮萘醌酯化物与线性酚醛树脂偶联反应的溶解抑制作用原理如图3所示,线性间甲酚醛的C 24原子未被取代,周围有较高的电子云密度,很容易与重氮萘醌的酯化物发生偶联反应,抑制树脂在碱显影液中的溶解[1].图4显示的是在S 4值不同的间甲酚醛树脂中,由于C 24原子的取代比例不同,溶解速度的变化关系.随着S 4值的增大,R n ,R o 和R p 都是下降的趋势[1].一般地讲,偶联反应容易被碱催化[6].在显影的时候,抗蚀材料图象边缘的侧壁浸泡在显影液中,那些未见光的重氮萘醌酯化物很容易被显影液催化并与成膜组分的线性酚醛树脂苯环上的C 24原子发生偶联反应,形成溶解被抑制的“表皮层”,使图象的侧壁进一步得到保护,免于被显影液所侵蚀.比起一般的线性酚醛树脂来,高S 4的树脂,可以在显影液中受到较强的溶解抑制.因此反差系数和宽容度都会得到改善,从而提高了材料的分辨力[7].笔者认为,保护侧壁对提高抗蚀材料的分辨力至关重要,而这种偶联反应对于发生在PS 版表面层的保护作用甚至是更为重要的.因为PS 版不仅要依靠优秀的分辨力得到精美的印刷品,还要靠充分的感光膜层厚度来实现满意的印刷寿命和对原稿的忠实还原.214 重氮萘醌酯化物含量的影响88 感 光 科 学 与 光 化 学18卷 重氮萘醌的酯化物在抗蚀材料中是作为光敏组分存在的,它的存在,才得以形成与线性酚醛树脂之间的偶联———溶解抑制作用.因此,在抗蚀材料中重氮萘醌酯化物含量的多少,即重氮萘醌酯化物与线性酚醛树脂的配比在很大的范围上影响着溶解抑制作用的程度及抗蚀材料的性能.图4 甲叉键位置对溶解速度的影响图5 不同酯化物配比对溶解速度和分辨力的影响 图5介绍的是改变重氮萘醌酯化物与成膜树脂的配比(NQD/Novolac )时抗蚀材料溶解速度的变化关系[1].尽管两种组分在结构、组成、分子量及分散度(M w /M n )等各种内在因素方面都没有变化,可抗蚀材料的性能还是会有较大的不同.实验中研究者选用的加工条件是固定不变的.从图中可以看出,随着NQD/Novolac 比例的增大,R o 逐渐减小,但R p 逐渐增大到一最大值后又逐渐减小.研究者认为这种现象是因为在NQD/Novolac 的比例值不同时,同样的曝光量却会在不同比例的抗蚀材料体系中保留下不同量的NQD ,才造成溶解速度如此的变化. 由于NQD 的溶解抑制作用,比例增大时R o 随之减小.另一方面,在比例不太大时(10/100~20/100),由光照形成的茚羧酸促进了曝光区域的溶解,R p 呈增大的趋势;可随着比例继续增大,曝光区域中未分解的NQD 数量也增加了,这些没有分解的NQD 又将主要表现出溶解抑制作用,使R p 达到最高值后又呈下降的趋势.R p 的最高值为30/100左右.从图中还可看出,R o 减小的速度比R p 要高,因此,R p /R o 将是单调增大的,即使是在NQD/Novolac 的比例较大的时候也是一样.这样,就势必得到了NQD/Novolac 比例提高时导致γ值提高,分辨力也提高的结果.同样的道理,未曝光分解的NQD 必然具有一定的溶解抑制作用,因此,NQD/No 2 1期薛永薰等:成膜树脂对重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料性能的影响89 volac 比例的提高也一定造成对曝光量需求的增加,使感光度下降.215 分子量分布的影响和“石头墙模型”理论研究者利用一系列分子量分布不同的线性酚醛树脂进行抗蚀材料的配方实验和成像加工实验,分析不同的分子量分布(以分散度M w /M n 来表示)对溶解性能以致对抗蚀材料性能的影响后认为:因分散度的不同,溶解速度表现出比较大的差异,分散度大的树脂,溶解速度也较高[9].Arcus 报道[10],线性酚醛树脂溶解速度的对数与其分子量的对数成正比.这样,低分子量的树脂就先于大分子量的树脂被显影液溶解,而小分子量树脂的溶解又增大了大分子量树脂在显影液中与之接触的表面积,进而使大分子量树脂的溶解被促进.在显影过程中抗蚀材料膜层的表面积是在变化的[1].在显影初期,较为平整的膜层顶部树脂开始部分溶解,此时表面积相对不大,可是由于小分子组分比大分子组分溶解得更快些,在显影过程的中期,树脂的表面积增加很多,所以膜层的主体部分溶解速度要快得多.图6 不同分子量分布的线性酚醛树脂对溶解抑制作用的影响图6解释了具有不同分子量分布的线性酚醛树脂在溶解抑制作用上的差异[1].图中表示,未曝光的抗蚀材料的溶解速度与NQD/Novolac 比值的对应关系.其中,线性酚醛树脂具有不同的M w /M n 值.显然,溶解抑制作用的程度表现为直线的斜率.可以看出,不同的斜率取决于M w /M n .随着M w /M n 的增大,直线变陡,并在M w /M n =5~6时表现出最大值,此后直线又逐渐平缓下来,在NQD/Novolac =20/100的地方o 线与p 线两线相交.抗蚀材料曝光区域的溶解速度与M w /M n的对应关系在图6中表现有极大值.研究者认为在M w /M n 值较大的时候,树脂中含有较多的小分子组分,未曝光区域表现出较强的溶解抑制[1].但是太多的小分子组分又有可能造成在偶联时NQD 数量的不足,不能形成充分的溶解抑制,反而使溶解促进得以强化.在小分子树脂组分太多的时候,就必需要有更多的NQD 来偶联小分子组分的树脂,才能弥补溶解抑制的不足.因此,在分散度M w /M n 适当的时候溶解抑制作用才表现更强.与图6的实验方法类似,研究者还利用单一NQD/Novolac 比例研究了溶解速度随着M w /M n 变化的关系[1].实验证明,R o 和R p 都是随着M w /M n 值的增加而增加的,但R p /R o 在M w /M n =5~6时表现了最大值,也就是说,在这样的分散度条件下表现最佳的分辨力.90 感 光 科 学 与 光 化 学18卷 研究者还借助凝胶色谱跟踪了抗蚀材料在显影前后的级分变化[1].实验中,抗蚀材料不经过曝光,只作显影处理,显影之后小分子组分的级分有所增加.研究者认为,这是由于小分子组分更为活泼,更易运动,更容易与重氮萘醌的酯化物发生偶联.实际上,在显影之后那些与显影液接触到的图象边缘部位上,线性酚醛树脂都是与重氮萘醌酯化物以偶联产物的形式存在的.所以说,小分子树脂组分的存在不但强化了曝光区域的溶解促进,也强化了非曝光区域的溶解抑制.不过,在抗蚀材料膜层的主体部分中,仍然是溶解促进起着主要的作用.图7 抗蚀材料显影过程的“石头墙模型”图示基于这些实验结果,研究者又提出了一个建立在溶解抑制作用与溶解促进作用基础上的“石头墙模型”理论[8],请参照图7.抗蚀材料的树脂中有大分子组分(H )和小分子组分(L ),研究者把这样的一种类似堆砌的组成称之为“石头墙”,把小分子组分看作是填充在“石头墙”大石头中的小石头.在曝光区域上,重氮萘醌酯化物的光分解产物(即茚羧酸)和小分子量线性酚醛树脂先于大分子量的树脂溶解于显影液中,这样就增加了大分子量组分与显影液接触的表面积,导致溶解促进作用的发生.在未曝光区域上,小分子量树脂的偶联反应产物对显影过程起着决定的作用,阻止了“石头墙”被显影液的破坏,即溶解抑制作用.利用“石头墙”模型理论,适当地控制成膜树脂的分子量分布,可以针对性地分别强化溶解促进与溶解抑制在成像过程中的发生,从而有效地改善抗蚀材料的成像性能.为此,研究者还提出了一种称作Tandem 型线性酚醛树脂来用作成膜树脂[11].如图8所示,与一般的树脂相比,这种树脂的中间分子量组分要少得多,甚至没有,为的是防止中分子量组分既可能对溶解抑制造成干扰,又可能对溶解促进造成干扰,以充分发挥大、小分子 1期薛永薰等:成膜树脂对重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料性能的影响91 组分在“石头墙”中的优势,提高抗蚀材料的性能.图8 代表性的线性酚醛树脂和Tandem型线性酚醛树脂的凝胶色谱图216 小分子组分的影响既然小分子组分对改善抗蚀材料的性能有着致关重要的作用,那么,选用什么样的小分子组分更为适合呢?研究者选择了一组单体的酚类化合物和一组齐聚物作为小分子组分的实例,配合了一种M w=14000,甲酚组成为m/p=70/30的线性酚醛树脂作为大分子组分(见表1),进行不同的组合实验,得出下述的结论[10].随着小分子组分的分子量与羟基数量比值M w/OH值(研究者将其称作为“酚类化合物憎水性度量值”)的增大,感光度下降,剩膜量增加.可以理解,M w/OH数值较大,表示分子中羟基的含量少,而较少的羟基正是这些酚类化合物在碱性显影液中难于溶解的原因.结合表1还可看出,M w/OH=100~130时,感光度与剩膜量二者均可兼顾,如例3~7.用齐聚物作为小分子组分与分子量稍大的普通小分子量树脂的实验结果是类似的,齐聚物的分子量增大,感光度下降,剩膜量增加.具有较高S4值的齐聚物(如表1的例16、17)同样比一般的酚醛齐聚物(如例12~15)给予抗蚀材料较好的性能.一般地讲,为了改善感光度和剩膜量这两个性能,在抗蚀材料配方中选用单体酚作为小分子组分时比用齐聚物要好些.而且,只有选用单体酚的憎水性度量值M w/OH在适当的范围内时,才可能得到满意的结果.3 成膜树脂性能对抗蚀材料耐热性的影响 耐热性的优劣在光致抗蚀剂的应用中是很重要的一项,在成膜树脂对抗蚀剂的耐热92 感 光 科 学 与 光 化 学18卷 表1 含有不同小分子量化合物的光致抗蚀剂成分及其性能小分子量化合物酚类化合物齐聚物序号分子量OH M w /OH分子量S 4抗蚀剂性能感光度m J/cm 剩膜比例/%耐热性/℃1418582//3895.01552378495//5596.016033013100//9097.116043483116//9298.016053483116//11099.016063483116//12099.116073803127//19098.616085864147//24598.216092682134//30599.7165101441144//33599.9170114183139//24597.016012///3601611093.312513///4701715594.613014///6901617595.213515///8801619595.814016///4104112596.112017///5903916097.012518/////33094.0150性影响方面,研究者作了大量的工作.抗蚀剂的耐热性常与成膜树脂的组成、结构及分子量大小等有直接的关系,这些技术也可以直接或间接地运用到改善PS 版的耐热性或耐印力等方面来.对PS 版来说,不必追求太高的耐热温度,只要版材可以经受住烤版时的温度,图象不致熔融变形,树脂又可在高温下交联成为网状结构的更大分子,得以提供更大数量的耐印能力即可.研究者认为[10],成膜树脂分子量的提高,间2对混合甲酚甲醛树脂中对位比例的提高以及抗蚀剂组成中重氮萘醌酯化物对成膜树脂比例的提高都有助于提高感光度和分辨力等成像方面的性能,却对提高耐热性起负作用;分子量分布对耐热性的影响也与其他的一样,呈马鞍型,只有一定分子量的树脂才表现出较高的耐热性;在选用小分子的组分方面,也是单体酚的耐热性优于齐聚物,因为一般单体酚的熔点都比齐聚物高些.研究者把有关成膜树脂结构、组成和配比对于抗蚀材料性能的影响归纳成一个表格[6],笔者在其中补充了我们对宽容度的认识,如表2,可以方便地进行比较分析. 1期薛永薰等:成膜树脂对重氮萘醌体系正性光致抗蚀材料性能的影响93 表2 成膜树脂对光致抗蚀剂性能的影响参考文献1 Hanabata M ,Uetani Y ,Furuta A.Design concept for a high performance positive photoresist.J.V ac.Sci.Technol.,1989,B7(4),640~6502 Stahlhofen P.Light 2sensitive mixture and copying material prepared therefrom with novolak having brominated phenol u 2 patent ,4404272.19832092133 Nagashima A ,Hasegawa A ,Aoai T ,et al .Photosensitive composition with O 2quinonediazide compound and condensate of dihydric phenol and aldehyde or patent ,4526464.19852082204 Uehara M ,Yamazaki A ,Shimura K.Positive 2working photosensitive composition with O 2quinone diazide and admixtureof patent ,4536465.19852082205 Perreault S E ,Wood R L.Tailoring of novolak and diazoquinone positive resists by acylation of patent ,4564575.19862012146 Hanabata M ,Furuta A ,Uemura Y.Novolak design for high resolution positive photoresists.S PI E A dvances i n ResistTechnology and Processi ng IV ,1987,(771):85~927 Hanabata M ,Furuta A ,Uemura Y.High resolution positive photoresists.S PI E A dvances i n Resist Technolgy and Pro 2cessi ng Ⅲ,1986,(631):76~828 Hanabata M ,Oi F ,Furuta A.Novolak design concept for high performance positive photoresists.Poly mer Engi neeri ngand Science ,1992,32(20):1494~14989 Hanabata M ,Uetani Y ,Furuta A.Novolak design for high resolution positive photoresists (Ⅱ):Stone wall model for positive photoresist development.S PI E A dvances i n Resist Technology and Processi ng V ,1988,(920):349~35410 Arcus R A.A membrane model for positive photoresist development.S PI E A dvances i n Resist Technology and Pro 2cessi ng Ⅲ,1986,(631):124~13411 Hanabata M ,Oi F ,Furuta A.Novolak design for high resolution positive photoresists (Ⅳ):Tandem type novolak resin for high performance positive photoresists.S PI E A dvances i n Resist Technology and Processi ng Ⅷ,1991,(1466):132~14194 感 光 科 学 与 光 化 学18卷 。

一种重氮萘醌系光致抗蚀剂的制备与性质研究

一种重氮萘醌系光致抗蚀剂的制备与性质研究

一种重氮萘醌系光致抗蚀剂的制备与性质研究作者:李源纯汪宇浩来源:《山东工业技术》2015年第18期摘要:本实验采用2,3,4-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化,合成感光化合物,得到产物1.46g,测得熔点为143℃,并测定其红外光谱,之后再制得酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂,然后进行成像实验,发现最佳曝光时间为90s,最小分辨率为10μm.关键词:重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂;光化学腐蚀法;合成;成像实验0 引言现如今人们的生活越来越离不开手机,计算机,彩电等电子产品,这些产品的核心便是集成电路,而光刻工艺是集成电路加工的关键步骤[1]。

运用感光性树脂材料在控制光照(主要是UV光)下,短时间内发生化学反应,使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化;再经各种不同的方法显影后在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层。

这种方法称为“光化学腐蚀法”,也称为“光刻法”。

这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”(又称光刻胶)。

在紫外光照射下,光刻胶的光照部分发生分解,溶解度增大,用适当溶剂可以把光照部分显影除去,即形成与掩膜一致的图像,这种光致抗蚀剂就称为正性光致抗蚀剂。

重氮萘醌系感光化合物是以2,1,5或2,1,4重氮萘醌磺酰氯为代表的重氮萘醌化合物与含羟基的高分子或小分子进行酯化后得到的感光化合物。

当感光涂层受紫外光照射后,曝光区的重氮萘醌磺酸酯发生光解,放出N2形成烯酮,烯酮遇水形成茚酸而易溶于稀碱水。

由此通过稀碱水显影便得到了在未曝光区抗蚀膜保留的正型图形。

这种化合物感光范围宽,与线形酚醛树脂或酚树脂配合,具有稀碱水显影,显影宽容度高,操作方便,储存稳定性好等优点,因此重氮萘醌系感光材料在20世纪60年代后广泛应用于印刷PS版感光剂及集成电路加工光致抗蚀剂[2]。

1 实验部分1.1 仪器与试剂主要仪器:烧杯,烧瓶,漏斗,抽滤瓶,玻璃棒,显微熔点测定仪,电子天平,电磁搅拌器,循环水泵,匀胶机,烘胶台,碘镓灯,光学显微镜、PS版测试条,红外光谱仪。

正型干膜光致抗蚀剂和用于制备该光致抗蚀剂的组合物[发明专利]

正型干膜光致抗蚀剂和用于制备该光致抗蚀剂的组合物[发明专利]

[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101073036A [43]公开日2007年11月14日[21]申请号200580042324.0[22]申请日2005.12.07[21]申请号200580042324.0[30]优先权[32]2004.12.09 [33]KR [31]10-2004-0103326[86]国际申请PCT/KR2005/004171 2005.12.07[87]国际公布WO2006/062348 EN 2006.06.15[85]进入国家阶段日期2007.06.08[71]申请人可隆株式会社地址韩国京畿道[72]发明人朴世炯 金炳基 朴钟旼 白圣寅[74]专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人王旭[51]Int.CI.G03F 7/022 (2006.01)权利要求书 6 页 说明书 19 页 附图 2 页[54]发明名称正型干膜光致抗蚀剂和用于制备该光致抗蚀剂的组合物[57]摘要正型光致抗蚀剂树脂膜包含载体膜和层压在所述载体膜上面的正型光致抗蚀剂树脂层。

所述载体膜的峰高(Rp)小于约300nm以消除鱼眼缺陷。

所述正型光致抗蚀剂树脂层可以包含碱溶性树脂、重氮化物基光敏化合物、增塑剂以及任选的灵敏度增强剂和释放剂。

200580042324.0权 利 要 求 书第1/6页 1.一种干膜抗蚀剂,其包含:载体膜,所述载体膜具有不大于约300n m的峰高(R p),所述峰高(R p)定义为位于选择区域的高度剖面(z轴方向)中的平均表面高度(M H t)和最高表面峰的高度之间的高度差;和在所述载体膜上面的光致抗蚀剂层,其中所述光致抗蚀剂层包含碱溶性树脂、重氮化物基光敏化合物和增塑剂。

2.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其中所述光致抗蚀剂层还包含灵敏度增强剂。

3.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其中所述峰高(R p)不大于约100nm。

高分辨率Ⅰ-line正性光刻胶的制备及应用性能研究

高分辨率Ⅰ-line正性光刻胶的制备及应用性能研究

高分辨率Ⅰ-line正性光刻胶的制备及应用性能研究曹昕【摘要】利用两种不同重均分子量的改性酚醛树脂(PF)与一种三个酯化度的四羟基二苯甲酮-重氮萘醌磺酸酯光敏剂(PAC)按比例配制,加入适量助剂优化感光性能,制备出一种应用于电子触屏加工领域的Ⅰ-line正性光刻胶,其具有刻蚀精度高、工艺性能优良、单位成本较低等优势特点.【期刊名称】《广州化学》【年(卷),期】2015(040)002【总页数】6页(P1-6)【关键词】酚醛树脂;重氮萘醌磺酸酯;Ⅰ-line;光刻胶【作者】曹昕【作者单位】中科院广州化学有限公司,广东广州510650【正文语种】中文【中图分类】TQ577.7高分辨率I-line正性光刻胶的制备及应用性能研究曹昕(中科院广州化学有限公司,广东广州 510650)摘要:利用两种不同重均分子量的改性酚醛树脂(PF)与一种三个酯化度的四羟基二苯甲酮―重氮萘醌磺酸酯光敏剂(PAC)按比例配制,加入适量助剂优化感光性能,制备出一种应用于电子触屏加工领域的I-line正性光刻胶,其具有刻蚀精度高、工艺性能优良、单位成本较低等优势特点。

关键词:酚醛树脂;重氮萘醌磺酸酯;I-line;光刻胶中图分类号:TQ577.7 文献标识码:A文章编号:1009-220X(2015)02-0001-06收稿日期:作者简介:曹昕(1987~),男,硕士,工程师;主要从事电子化学品研究和产业化的研究。

*************.cn光刻工艺是电子加工制造业中最重要的工艺步骤,其中关键的材料——光刻胶(Photoresist)是通过紫外光等光照或辐射后,使其曝光(或非曝光)部分降解并溶解于特定显影液的耐蚀刻薄膜材料。

光刻胶主要用于触控屏、平板显示器、集成电路的微细加工,同时在LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。

光刻胶成品一般由成膜树脂、光敏剂、溶剂和助剂组成。

I-line正性光刻胶体系采用“酚醛树脂―重氮萘醌”(PF-DNQ)的光化学反应原理。

重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂——正性光致抗蚀剂的制备与性质

重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂——正性光致抗蚀剂的制备与性质

重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质摘要:本实验采用2,3,4-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,5-重氮萘醌磺酰氯进行酯化,合成感光化合物。

之后再与线性酚醛树脂—BTB24配合,溶于乙二醇乙醚,再加入少量添加剂,制得酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂。

将其涂布于铝版基上,烘干,曝光,显影。

结果表明,最佳曝光时间为90S,分辨率为12um,网点保留下限为10%,上限为90%。

关键词:光致抗蚀剂化学增幅感光度重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂在半导体器件和集成电路制造中,要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层,是运用感光性树脂材料在控制光照(主要是UV光)下,短时间内发生化学反应,使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化;再经各种不同的方法显影后获得的。

这种方法称为“光化学腐蚀法”,也称为“光刻法”。

这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”(又称光刻胶)。

按成像机理不同,光致抗蚀剂可分为负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂:(1)负性光致抗蚀剂:在紫外光照射下,光刻胶中光照部分发生交联反应,溶解度变小,用适当溶剂即可把未曝光的部分显影除去,在被加工表面形成与曝光掩膜相反的图像,因此称为负性光致抗蚀剂。

(2)正性光致抗蚀剂:在紫外光照射下,光刻胶的光照部分发生分解,溶解度增大,用适当溶剂可以把光照部分显影除去,即形成与掩膜一致的图像,因此称为正性光致抗蚀剂。

如图1所示。

图1 光致抗蚀剂成像过程20世纪30年代, 德国卡勒公司的Oskar Süss首先发现了重氮萘醌系感光化合物。

它是以2,1,5或2,1,4重氮萘醌磺酰氯为代表的重氮萘醌化合物与含羟基的高分子或小分子进行酯化后得到的感光化合物。

由于其具有感光范围宽, 从i-线(感光波长: 365nm)到g-线(感光波长: 436nm) 都有较高的分光感度,尤其是与线形酚醛树脂或酚树脂配合, 具有稀碱水显影, 显影宽容度高, 操作方便,储存稳定性好等优点,使得重氮萘醌系感光材料在20世纪60年代后广泛应用于印刷PS版感光剂及集成电路加工光致抗蚀剂。

光刻胶前期初步调研

光刻胶前期初步调研

目录目录 (1)一、什么是光刻胶 (3)二、光刻胶的分类 (3)三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3)四、光刻胶的发展及应用 (6)五、国内光刻胶的现状和应用 (8)六、相关技术资料 (9)1.液态光成像阻焊油墨(供借鉴) (9)2.UV可剥性涂料(供借鉴) (9)3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质(供借鉴) (10)4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质(供借鉴) (10)5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究(供借鉴) (11)6.酚醛感光材料的研究材料(供借鉴) (12)7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13)8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13)9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14)10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14)七、市场上的产品介绍 (14)1.北京恒业中远化工有限公司 (15)聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15)双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂(环化橡胶类负型光致抗蚀剂) (15)聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15)邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15)2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16)3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16)4.苏州锐材半导体有限公司 (17)5.国外G,H,I线光刻胶 (17)6.瑞士SU-8光刻胶 (17)八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)九、初步方案(待深入分析) (18)1.丙烯酸基光刻胶 (18)2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18)3.聚酯类类负性光刻胶 (19)4.环化橡胶类负性光刻胶 (19)5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)一、什么是光刻胶光刻胶,又称光致抗蚀剂,具有光化学敏感性,在光的照射下溶解度发生变化,一般以液态涂覆在半导体、导体等基片表面上,曝光烘烤后成固态,它可以实现从掩膜版到基片上的图形转移,在后续的处理工序中保护基片不受侵蚀,是微细加工技术中的关键材料。

两步法合成正性光致抗蚀剂用酚醛树脂的研究

两步法合成正性光致抗蚀剂用酚醛树脂的研究

光致 抗蚀 剂 是 指 能 够 利 用 光 化 学 反应 , 使其 溶
解性在曝光前后发 生变化 , 从而达到 图形转移 目的 的一类 精 细 化 工 产 品… 1。按 反 应 机 理 和 显 影 原 理 分为正性( 曝光溶解型) 和负性( 曝光交联型) 种光 2 致抗蚀 剂 ; 按施 工方 法 分为 干 膜 、 体及 电沉 积抗 蚀 液 剂 ; 曝光光 源分 为 紫 外 、 学 增 幅 型 深 紫外 线 、 按 化 电 子射 线 、 X射 线 抗 蚀 剂[I 型 的 紫 外 正性 光 致 抗 2。典 蚀剂是由线性酚醛树脂 ( ooa) 重氮萘醌类感光 N vl 、 c 化合物 和溶 剂组 成 的液 体混 合 物 , 类 抗蚀 材 料 以 此 其高 反差 、 不溶 胀 和非 有机 溶 剂显 影等 优点 , 广泛 被 地应 用于 电子 、 印刷 及 精密 加 工等 各个 领域 ] 。
1-5 5 5℃ , 装 有 搅 拌 器 、 度 计 、 凝 管 的 在 温 冷
2 0mL四颈 瓶 中加 入 对 甲酚 ,7 的 甲醛 水 溶 液 , 5 3% 搅 拌混 匀 。滴 加 N O 水 溶 液 , aH 氮气 保 护 反应 5 ~ 1 , 应 液 由无 色 透 明 变 为 乳 白微 黄 色 稠液 。 向 7h 反 四颈 瓶 中加 入 去离 子 水 , 稠液 完 全 溶 解 变 为 淡 黄 使
比、 反应 时间等实验条件 , 合成 出结构交替 的光致抗蚀 剂用酚醛树脂 。
关键词 : 光致 抗蚀剂 ; 酚醛树脂 ; 构交替 结 中图分类号 : 33 1 TQ 2 . 文献标识码 : A 文章 编号 :6 19 0 (0 8 0 —0 40 17 —9 52 0 )60 0 —4
色清液 , 并加强搅拌 。向四颈瓶 中滴加 3 % H 使 6 a

光致抗蚀剂用酚醛树脂的合成与表征

光致抗蚀剂用酚醛树脂的合成与表征

AbstractPhenolicresin,themaincomponentinnear—ultravioletphotoresistwassystematicallystudiedinthispaper.Theresinwasattainedbytwosteps.Wepreparedm—prepolymerwithp-cresolandformaldehydeatcertaintemperature,then,addedcresolandotherreactantsintothesystemtosynthesizethefinalproductathighertemperaturefordefinitetime.Aseriesofphenolicresinswereobtainedatdifferentconditions.Theeffectsofformaldehydedosage、catalystdosage、reactiontimeetalonthemolecularweightandmolecularweightdistributionofcresol—formaldehyderesinwereinvestigatedbyGPC.Increasingthedosageofformaldehydeandcatalystwouldenlargethemolecularweightofcresol—formaldehyderesinandmaketheirmolecularweightdistributionwider.hacreasingreactiontime,themolecularwei曲tdistributionofcresol—formaldehyderesinbecamewidertoo.However,increasingtimesofwashingwithdeionizedwaterwouldmakethemolecularweightofcresol—formaldehyderesinsmallerandtheirmolecularweightdistributionnarrower.Theresultsshowedthatvaryingreactionconditionsmighteffectivelycontrolthemolecularweightandmolecularweightdistributionofcresol—formaldehyderesin.WecharacterizedtheresinthroughNMR、IR、DSCsimultaneouslyandfoundthattherewereo—Oando—Pmethylenebridge.butnotp-pmethylenebridge.Andtheo—Omethylenebridgeincludedhinderedbridgeandunhinderedbridge.Therealsoexistedtheblockinthemainchain.Theglasstransitiontemperaturewouldrisewiththeincreaseofm—cres01.Phenolicresinwithlowmolecularweightandbroadmolecularweightdistributioncouldeasilydissolveinalkalineliquorandwiththeincreaseofp—cres01.dissolutionbecomesdi街cult.Thepropertiesofthesynthesizedphenolicresinachievedandapproachedthoseofthemaincoponentinnear-ultravioletphotoresistinmolecularweightandmolecularwei【ghtdistribution,thermostability,alkalinesolubility.Keywords:PhenolicresinMolecularweightandmolecularweightdistributionThermostabilityAlkalinesolubility第一章绪论1.1前言电子化工材料是为电子工业配套的专用化工材料,主要包括集成电路和分立器件用化工材料、彩电配套化工材料、印刷线路板生产与组装用化工材料、液晶显示器用化工材料等。

一种新型i-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备及性质

一种新型i-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备及性质

一种新型i-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备及性质徐娜;孟磊【期刊名称】《吉林大学学报(理学版)》【年(卷),期】2014(000)005【摘要】将具有高酸解活性的酯缩醛聚合物与重氮萘醌磺酸酯配合,组成正性化学增幅型光致抗蚀剂,用于高感度化学增幅型 i-线(365 nm)光致抗蚀剂.实验结果表明:在酸的作用下,该类聚合物可分解为小分子片段;与传统的光致抗蚀剂体系相比,该体系用稀碱水显影时具有更高的溶解速率,且可进一步提高感度,可制作线宽小于0.5μm的图像.%An ester acetal polymer with high acidolysis activity was combined with diazonaphthoquinone sulfonate to form a novel photoresist, which can be used as a chemically amplified i-line (365 nm)photoresist with a high sensitivity.Under the action of acid,the polymer can be decomposed into small molecular fragments. Compared with the traditional photoresist system,it performs dissolution rate higher when developed with diluted alkali,and can further improve the sensitivity.And the image with linewidth less than 0.5μm can be mad e.【总页数】4页(P1073-1076)【作者】徐娜;孟磊【作者单位】吉林化工学院材料科学与工程学院,吉林吉林 132022;吉林化工学院理学院,吉林吉林 132022【正文语种】中文【中图分类】O63;TQ421.1【相关文献】1.含碘鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 [J], 刘娟;孔繁荣;余金星;王力元2.一种新型深紫外正型光致抗蚀剂材料的研究 [J], 褚战星;程龙;王文君;王力元3.一种新型碳电极材料的制备及其电化学性质研究 [J], 林子吉;怀永建;胡学步;邓正华;索继栓4.一种新型碳电极材料的制备及其电化学性质研究 [J], 林子吉;怀永建;胡学步;邓正华;索继栓5.用于化学增幅型热敏 CTP版和 PS版成像组成物的三嗪类产酸剂的制备、性质和应用研究(英文) [J], 王雪;邹应全因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

几种用于i-线光致抗蚀剂的光产酸剂性能研究

几种用于i-线光致抗蚀剂的光产酸剂性能研究

产生磺 酸 的特性 . 因此 , 本文设 计合成 5种 2 , 1 , 4 一 重氮萘 醌磺 酸 酯 , 作 为光 产 酸 剂 用 于 i 一 线化 学 增
幅型 正性光致 抗蚀 剂 .
2 0世 纪 8 0年代 初 , I t o等 ¨ 提 出 了关 于化学 增 幅抗 蚀剂 的概 念 , 引 起 了 全世 界 感光 成 像 领域 同行 的极大关 注 . 所 谓 化 学增 幅作 用就 是 在 感 光 组成 物 中 加 入 光 产 酸 剂 ( p h o t o a c i d g e n e r a t o r , P A G) , 在 光照 时 发生 光 化 学反 应 , 产 生 出一 种 化 学增 幅剂 ( 如质子 酸 、 路易 斯 酸 ) , 在 光照 停 止后 , 其可作 为催 化剂 , 经 由加 热 或水 解 等方 式 使 得感 光物质 进一 步发 生 化 学反 应 , 从 而 达 到增 幅 的 目 的. 由于酸 在成像 过程 中只起 到催 化 的作 用 , 因而 大幅度 地提 高 了感 度 , 此后 的光 致 抗蚀 剂 研 究 基
第3 0卷
第 9期
吉 林 化 工 学 院 学 报
J O U R N A L O F J I L I N I N S T I T U T E O F C H E MI C A L T E C H N 0 L 0 G Y
Vo 1 . 3 0 NO . 9 S e p . 2 01 3
但 是其 分辨率 和 感 度都 不 高 , 越 发不 能 满 足 市场 对 光致抗 蚀剂 材料 更高分 辨率 和更 高抗蚀 剂感度
的要求 .
氮萘醌 磺酸 酯 类 化 合 物 ( 2 , 1 , 4 - d i a z o n a p h t h o q u i —
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重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂
正性光致抗蚀剂的制备与性质
摘要:本实验采用2,3,4-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,5-重氮萘醌磺酰氯进行酯化,合成感光化合物。

之后再与线性酚醛树脂—BTB24配合,溶于乙二醇乙醚,再加入少量添加剂,制得酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂。

将其涂布于铝版基上,烘干,曝光,显影。

结果表明,最佳曝光时间为90S,分辨率为12um,网点保留下限为10%,上限为90%。

关键词:光致抗蚀剂化学增幅感光度重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂
在半导体器件和集成电路制造中,要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层,是运用感光性树脂材料在控制光照(主要是UV光)下,短时间内发生化学反应,使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化;再经各种不同的方法显影后获得的。

这种方法称为“光化学腐蚀法”,也称为“光刻法”。

这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”(又称光刻胶)。

按成像机理不同,光致抗蚀剂可分为负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂:(1)负性光致抗蚀剂:在紫外光照射下,光刻胶中光照部分发生交联反应,溶解度变小,用适当溶剂即可把未曝光的部分显影除去,在被加工表面形成与曝光掩膜相反的图像,因此称为负性光致抗蚀剂。

(2)正性光致抗蚀剂:在紫外光照射下,光刻胶的光照部分发生分解,溶解度增大,用适当溶剂可以把光照部分显影除去,即形成与掩膜一致的图像,因此称为正性光致抗蚀剂。

如图1所示。

图1 光致抗蚀剂成像过程
20世纪30年代, 德国卡勒公司的Oskar Süss首先发现了重氮萘醌系感光化合物。

它是以2,1,5或2,1,4重氮萘醌磺酰氯为代表的重氮萘醌化合物与含羟基的高分子或小分子进行酯化后得到的感光化合物。

由于其具有感光范围宽, 从i-线(感光波长: 365nm)到g-线(感光波长: 436nm) 都有较高的分光感度,尤其是与线形酚醛树脂或酚树脂配合, 具有稀碱水显影, 显影宽容度高, 操作方便,储存稳定性好等优点,使得重氮萘醌系感光材料在20世纪60年代后广泛应用于印刷PS版感光剂及集成电路加工光致抗蚀剂。

至今仍普遍使用的g-线和i-线光致抗蚀剂都主要采用重氮萘醌系感光体系。

重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂体系正性光致抗蚀剂的成像原理:感光涂层受紫外光照射后,曝光区的重氮萘醌磺酸酯发生光解,放出N2形成烯酮,烯酮遇水形成茚酸而易溶于稀碱水。

由此通过稀碱水显影便得到了在未曝光区抗蚀膜保留的正型图形。

以2,1,4-重氮萘醌磺酸酯为例,其成像原理如图2所示:
图2 重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性抗蚀剂的成像原理
1. 实验部分
1.1 仪器与试剂 1.1.1主要仪器
常用玻璃仪器;电子天平;恒温磁力搅拌器,81-2型,上海司乐仪器厂;循环水泵;干燥箱;显微熔点仪,SGW X-4型,上海精密科学仪器有限公司;傅里叶红外光谱仪,A V ATAR360型,美国Nicolet 公司;匀胶台,SC-1B 型,北京创威纳科技有限公司;烘胶台,BP-2B 型,北京创威纳科技有限公司;碘镓灯;PS版测试条;光学显微镜。

1.1.2 试剂
2,1,5--重氮萘醌磺酰氯,2,4,4’-三羟基二苯甲酮,丙酮,三乙胺,乙二醇乙醚,染料,硅酸钠,氯化氨,盐酸。

1.2 感光剂的制备 1.2.1感光剂的合成
称取2,1,5-重氮萘醌磺酰氯1.35g(0.005mol)、三羟基二苯甲酮0.56g (0.0025mol)于100mL 单口烧瓶中,再加入15mL 丙酮,室温下搅拌使其溶解,再加入1.5mL 水。

装上衡压漏斗,逐渐滴入与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯等当量的三乙胺(0.53g ,过量5%,溶于5mL 丙酮),滴加时间持续0.5h 左右。

滴加完毕后,用薄层色谱观察反应进行的情况,继续搅拌反应,再用薄层色谱观察反应进行的情况,至酰氯基本反应完。

反应结束后,将反应溶液搅拌下倒入100毫升蒸馏水中,加入适量氯化氨固体并溶解,促使反应产物析出,过滤,产物少量水洗三遍,40-50o
C 干燥至恒重,得到黄色固体。

整个实验过程需要在黄光下或避光下进行。

1.2.2配胶
称取0.7g 上述制得的感光剂、1.4g BTB-24酚醛树脂和10mL 乙二醇乙醚,于100ml 棕色瓶中,再加入少量染料,搅拌溶解2h ,用滤纸过滤,得到粗滤的感光胶,备用。

1.3 感光剂的表征 1.3.1感光剂熔点的测定
取少量重氮萘醌磺酸酯于一洁净的载玻片上,盖上盖玻片,至于熔点仪上并将熔点仪调制加热状态。

通过显微镜观察,记录重氮萘醌磺酸酯融化的温度。

1.3.2感光剂红外光谱的测定
取少量重氮萘醌磺酸酯于玛瑙研钵中,加入约5倍的KBr ,充分研磨。

将研磨后的混合物取适量放入模具中压片,取出样品的薄片置于红外光谱仪中扫描得到其红外光谱图。

O
N 2
SO 2Ar
hv C
SO 2O
SO Ar
Ï¡¼îË®ÏÔÓ°³ÉÏñ
-N 2
1.4 成像试验
将铝版基放置到匀胶机上,开启真空吸紧,将上述所得感光溶液倒于铝版基或硅片上,控制匀胶转速800转/分钟、匀胶时间15s。

涂好感光胶的版基转移到烘胶台上,在110o C烘干2分钟以除去溶剂。

将干燥好的版基转移到曝光机上,把PS版测试条覆到胶面上,其余裸露部分用黑纸覆盖,抽真空,分别曝光60s、90s、120s。

最后在适当浓度(2-4%)硅酸钠溶液中显影至灰梯尺洗净3段,约20-40s。

显影完的版基用水冲洗,得到正型测试条图像。

光学显微镜下观察并记录下分辨率,观察并记录网点保留情况,确定最佳曝光量。

2 结果与讨论
2.1感光剂的制备
实验生成黄绿色粉末状固体1.37g,产率为78.8%。

重氮萘醌磺酸酯应为黄色固体,但是由于实验过程中加入了过量的三乙胺,使产物呈黄绿色。

实验过程中加入三乙胺是为了使反应体系处于碱性环境,从而促进酯化反应。

而过量的三乙胺也会对反应产生不利影响,使产物稳定性降低,易分解。

因此,加入三乙胺的量要适当,稍过量于重氮萘醌磺酰氯的摩尔量即可。

2.2感光剂的表征
未测得产物熔点,产物在140 ℃发生了分解。

在测熔点过程中应该注意:(1)制片的样品要少且不能压得太紧太密,样品也不能太分散,保证薄薄的一层即可;(2)观察要仔细,如果看到样品某一块晶莹透明,说明样品已经在熔化,记录温度和熔化完全的温度即为熔点。

测得所得产物的红外光谱如图3所示。

图3 感光剂的红外光谱图
二苯甲酮标准产物的红外光谱图如图4所示。

图4 二苯甲酮标准红外光谱图
图谱分析:由感光剂的红外光谱图可以看到在 2117 cm-1 左右出现了强度较大的峰,且与二苯甲酮标准红外图谱中吸收峰相比,羟基吸收峰的强度明显减弱,说明三羟基二苯甲酮已有部分被磺酰氯酯化,说明得到了产物--重氮萘醌磺酸酯感光剂。

2.3成像实验
实验结果记录于表1:
表1 不同曝光时间下的曝光情况
分析上述数据可得:曝光时间为60s时曝光不足,阴影部分的图像无法清晰显出,部分图像见图5;曝光时间为90s时为最佳曝光量,非阴影部分及阴影部分的图像都可以清晰显出,部分图像见图6;曝光时间为120s时曝光过度,非阴影部分的图像会在显影时溶解在显影液中,部分图像见图7。

图5 曝光60s时显微镜下所观察图像
图6 曝光90s 时显微镜下所观察图像
图7 曝光120s 时显微镜下所观察图像
制得感光剂在铝板上曝光显影后表面较脏,有明显“留底”现象,可能原因是感光剂不纯或显影时间不足。

由于产物磺酸酯为黄绿色,说明三乙胺有点过量。

三乙胺易与酚羟基反应生成三乙胺的酚盐,被包夹在分子内部,空间阻碍效应使其不易被洗脱。

酚盐在溶剂中的溶解度小,曝光显影后导致“留底”现象。

感光剂的制备 、感光胶的配制 、匀胶速度、烘胶时间 、曝光量 、显影液浓度和显影时间 都会影响成像效果。

3.结论
由2,3,4-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,5-重氮萘醌磺酰氯进行酯化,合成的感光化合物其最佳曝光时间为90S ,分辨率为12um ,网点保留下限为10%,上限为90%。

致 谢:北京师范大学化学学院实验中心提供的实验器材与实验环境;王老师和师兄师姐们的悉心指导 参考文献:
【1】王力元.综合设计实验讲义;
【2】周芳宇,邹应全.用于LCD 的重氮萘醌系正性抗蚀剂的研究.数字成像技术及影像材料科
学. 2006;
【3】喻小琦. LCD 正型光致抗蚀剂感光树脂的研制. 2006,6(33) 【4】衷红钦,周立锋.液晶显示器用正性光刻胶研究.市场研讨会论文。

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