模电试题1-2
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《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)
一.选择题
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。
A.二
B.三
C.四
D.五
2、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于
B.等于
C.小于
3、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变
B.空穴数增多,自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同
D.自由电子数和空穴数都不变
4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子
B.空穴
C.离子
D.分子
5、PN结加正向电压时,空间电荷区将
A 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D. 无法确定
6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
D. 前者反偏、后者正偏
8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
D. 都有可能
9、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。
A. 83
B. 91
C. 100
D. 10
10、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制电压
D.电压控制电流
11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]
A.NPN 硅管
B.PNP 硅管
C.NPN 锗管
D.PNP 锗管
12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制电压
D.电压控制电流
13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大
区,并防止输入信号短路
B.把基极电流的变化转化为输入电压
的变化
C.保护信号源
D.防止输出电压被
短路
14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。
A.限制集电极电流的大小
B.将输出电
①
0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V
图2
流的变化量转化为输出电压的变化量
C.防止信号源被短路
D.保护直流电压源E C
15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o和晶体管集电极电压u c的波形,二者相位 A 。
A.相同
B.相反
C.相差90°
D.相差270°
16、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b失真消除,这种失真一定是 B 失真。
A.饱和
B.截止
C.双向
D.相位
17、分压式偏置工作点稳定电路,当β=50时,I B=20μA,I C=1mA。若只更换β=100的晶体管,而其他参数不变,则I B和I C分别是 A 。
A. 10μA,1mA
B. 20μA,2mA
C. 30μA,3mA
D. 40μA,4mA
18、有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,测得甲的输
出电压小,这说明甲的 B 。
A.输入电阻大
B.输入电阻小
C.输出电阻大
D.输出电阻小
19、要求组成的多级放大电路体积最小,应
选 B 耦合方式。
A.阻容
B.直接
C.变压器
D.阻容或变压器
20、放大电路的三种组态( C )。
A. 都有电压放大作用
B. 都
有电流放大作用
C. 都有功率放大作用
D. 都
不是
21、一个放大器由两级相同的放大器组成,
已知它们的增益分别为30dB和40dB,则放
大器的总增益为( C )。
A. 30dB
B. 40dB
C. 70dB
D. 1200dB
二.填空
1、PN结中扩散电流的方向是:从P区到
N区,漂移电流的方向是从N区到P区。2、PN结的最大特点是单向导电性。
3、使PN结正偏的方法是:将P区接高电位,N区接低电位。
4、PN结正偏时,有利于多数载流子的运动,阻碍少数载流子的运行。
5、PN结反偏时,内电场与外电场的方向相同,空间电荷区变宽,有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。
6、P型半导体中的多数载流子是空穴,N型半导体中的多数载流子是电子。以上为第一章习题
7、从基极输入,从集电极输出的是共射极电路,从基极输入,从发射极输出的是共集电极电路。
8、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1,共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于1
9、某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB、第二级30dB、第三级-15dB、第四级60dB,放大器的总增益为100 ,总的放大倍数为