单结晶体管触发电路原理及各店波形

单结晶体管触发电路原理及各店波形

单节晶体管触发电路

1原理图是：

实验目的是：（1）熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中

各个元件的作用

（2）掌握单结晶体管触发电路的调试步骤与方法

（3）熟悉与掌握单结晶体管触发电路各主要点的波

形测量与分析

实验原理：有原理图可知，由同步变压器变压器副边输出60V 的交流同步电压，经过D1的半波整流得到T1点的波形图，经过稳压管D3的稳压使图T2处的波形进行嵌位，使梯形波电位嵌位，可得到梯形波的波形即T2的波形图如图所示，T1和T2的波形图为下图

(其中蓝色线是T3的波形,橙色表示的是T2的波形,R2未变动之前)

当R2变化时（R2=10kΩ），由于T2处稳压管的嵌位，是的R2变化时T2处电压保持不变，此时R2和滑动变阻器R8串联分T2的电压，由于R2的电阻增大，由电阻串联可知，R2分的的电压就会增大，从而使滑动变阻器两端的电压变小，即T3处的电压变小，图像如下所示：

（蓝线表示的是T3的波形，橙线表示的是T2的波形）

T6后面是由两个三极管构成的放大和移相环节，主要由晶体管Q1和Q2组成，Q1的作用是放大，Ｑ２的作用是等效可变电阻，由外部输入的移相控制电压经晶体管Ｑ１放大后，作为晶体管Ｑ２当梯形波电压过零时单结晶体管的ｅ和第一基极ｂ１导通，电容的基极控制信号，使Q2的集电极电流顺着T6处电压的变化而变化，起到可变电阻的作用。即改变T6处的点位就可改变电容Ｃ的充电时间常数，也就是说改变了单结晶体管峰点电压到来的时刻，从而实现对输出脉冲的移相控制。

此外，单节晶体管Q3和电容器C1共同组成了单结晶体管触发电路的脉冲形成和输出环节，此时同步电源通过R4和三极管

Q2向电容器C1进行充电，电容器两端电压成指数上升，即T4处的波形如图所示：

T2和T4处的波形图

单结晶体管的发射极电压等于电容两端的电压，所以当电容器C1上的充电达到单结晶体管Q3的峰点电压时，单结晶体管Q3由电阻断状态的截止区转变为负阻区时，其发射极e与第一基极B1导通，当单结晶体管导通时，其第一基极的电阻急剧减小，就使电容器C1通过单结晶体管的第一基极B1和R6迅速放电，电容器C1在放电的同时在T5处形成尖脉冲电压，当电容器C1两端的电压下降到单结晶体管的谷点时，单结晶体管截止。截止后，同步电源再次通过R4，三极管Q2向电容器C1充电，重复上述过程，于是在T5处形成的波形为尖脉冲，其波形图如下图所示：

T5处的波形图

此电路中三级管Q1、Q2采用直接耦合的放大电路，其中T6处的电压经过Q1放大后加到Q2上，当调节滑动变阻器R8时（增大R8）,使得T6处的点位升高，流过Q1的基极电流就会升高，同时由于集电极电流等于β倍的基极电流，所以使得集电极电流也升高，从而使得电阻R3的压降升高，使得Q1的集电极电压下降，由于R3的压降升高使得流过Q2的积极电流增大，使得Q2的集电极电流也变大，所以Q2的集电极和发射极之间的等效电阻变小，有时间常数τ=R*C 由于电阻减小，使得时间常数τ减小，从而使得电容C1的充电时间加快，控制角减小，反之，控制角增大，因此Q2相当于一个可变的电阻，通过改变滑动变阻器R8即改变T6处的点位，便可控制输出

脉冲。这样就可以控制单结晶体管的可控触发。此时，T4和T5处的波形图如下所示：

T4波形图