庞磁电阻效应和强关联电子

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磁阻效应的名词解释

磁阻效应的名词解释

磁阻效应的名词解释磁阻效应,也称为磁阻纳米结构效应,是指在磁性材料中,当电流通过材料时,磁阻会发生改变的现象。

这种现象是由材料内部磁矩的旋转或磁矩方向的改变引起的。

磁阻效应最早由物理学家吴健雄在1988年发现,并因此获得了诺贝尔物理学奖。

吴健雄的实验以及随后的研究表明,当电流通过非磁性微细导线时,材料的电阻会因为磁场的存在而产生变化。

这种变化可以通过改变材料的磁场或者改变材料内磁矩的方向来实现。

磁阻效应的发现对磁存储技术和磁传感器领域产生了重大影响。

在磁存储领域,磁阻效应被广泛应用于硬盘驱动器的读取头,用于检测和读取硬盘上的磁道信息。

而在磁传感器领域,磁阻效应被用于测量和检测磁场。

为了更好地理解磁阻效应的原理,我们可以从材料的电子结构和自旋的角度来解释。

在普通的金属中,电子会根据泡利不相容原理填充不同的能级。

每个能级都有两个自旋态,上自旋态和下自旋态。

在没有磁场的情况下,这两个自旋态是等价的,电阻率是常数。

然而,当有磁场存在时,自旋角动量与磁场相互作用,导致自旋向磁场方向倾斜。

这将导致两个自旋态的能量差异,进而改变了电子的能带结构和电子在能带中的分布。

由于电子在材料中的散射过程和自由路径的变化,材料的电阻率也会受到影响。

这就是磁阻效应的基本原理。

在磁阻效应的应用中,最重要的是磁阻比的定义和计算。

磁阻比是指磁场引起的电阻变化与没有磁场时的电阻的比值。

磁阻比通常以百分数表示,可以通过下面的公式计算:磁阻比 = (Rm - R0) / R0 x 100%其中,Rm是在磁场作用下的电阻,R0是没有磁场时的电阻。

根据磁阻比的不同取值,磁阻效应可分为正磁阻效应和负磁阻效应。

正磁阻效应指的是磁场增强了材料的电阻,而负磁阻效应指的是磁场降低了材料的电阻。

在实际应用中,最常见的磁阻效应是巨磁阻效应(GMR)和隧道磁阻效应(TMR)。

巨磁阻效应是由金属和非磁性材料交替堆叠而成的薄膜结构产生的,可以用于制造高灵敏度的磁传感器和读取头。

磁控溅射法的工作原理

磁控溅射法的工作原理

(R, A)n1MnnO3n+1
二、锰氧化物的结构及其庞磁电阻效应
1.钙钛矿锰氧化物基本的晶格
一般泛指的锰氧化物(Manganites)是基于钙钛矿结构来说 的,它的通式可以写为:(R, A)n1MnnO3n+1(其中R 为稀土元素, A 为碱土元素) ,通常也称作Ruddlesden-Popper(RP)相。在 RP化合物中,“n”代表MnO6 八面体顺着晶体[001]方向堆 垛的层数。如图1所示,单层 n = 1 的(R,A)2 MnO4化合物具有 二维的K2NiF4 结构,由一层MnO6八面体层和一层(R/A,O)交替 堆垛组成。n =2的双层(R,A)3Mn2O7和n = 3的三层(R,A)4Mn3O10化合 物分别有两层MnO6 八面体和三层 MnO6八面体与一层 (R/A,O)交 替堆垛组成。n =∞的化合物 (R,A)MnO3 具有无穷层的三维钙钛 矿结构。其中结构为(R,A)Mn2O7和 (R,A)MnO3的部分化合物表现出 CMR效应。
极化度 、电场E、诱导偶极矩m三者之间的关系:
E
拉曼和红外是否活性判别规则: (1) 相互排斥规则: 凡具有对称中心的分子,具
有红外活性(跃迁是允许),则其拉曼是非活性(跃迁是 禁阻)的;反之,若该分子的振动对拉曼是活性的,则 其红外就是非活性的。
层状晶格图形如下
2. CMR效应 CMR效应存在于钙钦矿结构的掺杂锰氧化物中。不
同于GMR和TMR依赖于人工制备的纳米结构,钙钦矿锰 氧化物的CMR效应是大块材料的体效应。由于其磁电 阻值特别巨大,为了区别于金属多层膜中的GMR效应, 人们将这种钙钦矿结构中的磁电阻效应冠之以超大磁 电阻效应(eolossalMagnetoresistanee),简称CMR效 应。CMR的一个显著特征是在磁相变的同时伴随着金 属到绝缘态的转变,并且磁电阻的陡然变化通常发生 在居里点()附近,一旦温度偏离居里点,磁电阻迅速 下降。这种极大的磁电阻效应实际上暗示了锰氧化物 材料中自旋一电荷间存在着强烈的关联性。现在己经 确认,锰氧化物具有电子的强关联特性,其CMR机理, 与铜氧化物的高温超导电性是一样的,是多电子强关 联系统中十分有趣和困难的问题。

庞磁电阻材料的研究

庞磁电阻材料的研究

庞磁电阻材料的研究摘要:近年来GMR和TMR在物理、材料和器件研究方面取得很大成绩,但也有不足之处,即磁电阻效应不大。

钙钛矿结构的锰氧化物具有接近100%的自旋极化率,在铁磁居里温度附近表现出巨大磁电阻效应,即庞磁电阻效应(几特斯拉场强下可达108%)而引起了广泛的关注。

正是由于磁存储产业对更敏感和具有更快响应速度的磁探测器的需求和这一系统在其中的应用前景,锰氧化物及其CMR效应成了人们研究的焦点。

关键词:庞磁电阻材料,CMR,锰氧化物一、庞磁电阻效应的研究意义磁电阻效应是指材料在磁场作用下电阻发生变化的现象。

对于普通金属,电子的自旋是简并的,所以不存在净的磁矩,费米面自旋向上和自旋向下的电子态完全一样,因而输运过程中电子流是自旋非极化的,在磁场作用下金属电阻改变很小。

不过,对于铁磁过度金属来说,交换作用能与动能的平衡使系统不同自旋的子带发生交换劈裂,自旋向上的子带发生相对位移,引起自发磁化。

这样,电子具有电荷同时具有自旋磁矩。

近年来GMR和TMR在物理、材料和器件研究方面取得很大成绩,但也有不足之处,即磁电阻效应不大。

钙钛矿结构的锰氧化物具有接近100%的自旋极化率,在铁磁居里温度附近表现出巨大磁电阻效应,即庞磁电阻效应(几特斯拉场强下可达108%)而引起了广泛的关注。

正是由于磁存储产业对更敏感和具有更快响应速度的磁探测器的需求和这一系统在其中的应用前景,锰氧化物及其CMR效应成了人们研究的焦点。

为了揭示产生CMR效应丰富的物理机制和内涵,为了大大地提高存储器的容量以满足人们日常生活中对存储器更高的要求,从而引起计算机存储器方面的革命,科技工作者从上个世纪90年代开始就对庞磁电阻、巨磁电阻效应展开了铺天盖地的研究,并取得一些成绩,但是在室温庞磁电阻效应研究方面进展并不大。

寻找低场室温的庞磁电阻材料体系又成了材料科技工作者新的研究热点。

在过去的20年中,随着金属多层膜和颗粒膜中巨磁电阻(GMR)及稀有氧化物中庞磁电阻(CMR)的发现和磁电阻材料制备技术的提高,以研究、利用和控制自旋极化的电子输运过程为核心的磁电子学得到很大发展。

巨磁电阻效应及应用实验报告

巨磁电阻效应及应用实验报告

巨磁电阻效应及其应用2007年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻( Giant magneto resistance,简称GMR)效应的发现者:法国物理学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得·格伦贝格尔( Peter Grunberg )。

诺贝尔奖委员会说明:“这是一次好奇心导致的发现,但其随后的应用却是革命性的,因为它使计算机硬盘的容量从几百、几千兆,一跃而提高几百倍,达到几百G乃至上千G。

”凝聚态物理研究原子,分子在构成物质时的微观结构,它们之间的相互作用力,及其与宏观物理性质之间的联系。

人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。

量子力学出现后,德国科学家海森伯(W. Heisenberg,1932年诺贝尔奖得主)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用,这个交换作用是短程的,称为直接交换作用。

图 1 反铁磁有序后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁有序状态,即在有序排列的磁材料中,相邻原子因受负的交换作用,自旋为反平行排列,如错误!未找到引用源。

所示。

则磁矩虽处于有序状态,但总的净磁矩在不受外场作用时仍为零。

这种磁有序状态称为反铁磁性。

法国科学家奈尔(L.E. F. Neel)因为系统地研究反铁磁性而获1970年诺贝尔奖。

在解释反铁磁性时认为,化合物中的氧离子(或其他非金属离子)作为中介,将最近的磁性原子的磁矩耦合起来,这是间接交换作用。

另外,在稀土金属中也出现了磁有序,其中原子的固有磁矩来自4f电子壳层。

相邻稀土原子的距离远大于4f电子壳层直径,所以稀土金属中的传导电子担当了中介,将相邻的稀土原子磁矩耦合起来,这就是RKKY型间接交换作用。

直接交换作用的特征长度为0.1~0.3nm,间接交换作用可以长达1nm以上。

1nm已经是实验室中人工微结构材料可以实现的尺度。

1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念,所谓的超晶格就是指由两种(或两种以上)组分(或导电类型)不同、厚度d极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料。

自旋电子学与自旋电子器件简述

自旋电子学与自旋电子器件简述

自旋电子学与自旋电子器件简述陈闽江,邱彩玉,孙连峰(国家纳米科学中心 器件研究室 北京 )一、引言2007年10月,瑞典皇家科学院宣布,将该年度诺贝尔物理学奖授予在1988年分别独立发现纳米多层膜中巨磁电阻效应的法国Albert Fert 教授和德国Peter Grunberg 教授。

其随后的应用不啻为革命性的,因为它使得计算机硬盘的容量从几十兆、几百兆,一跃而提高了几百倍,达到几十G 乃至上百G 。

越来越多的人开始了解这个工作及其对我们生活的影响,并意识到这个工作方向的重要意义。

1988年在磁性多层膜中发现巨磁电阻效应(Giant Magnetoresistance ,GMR),1993年和1994年在钙钛矿锰氧化物中发现庞磁电阻效应(Colossal Magnetoresistance ,CMR),特别是1995年在铁磁性隧道结材料中发现了室温高隧穿磁电阻效应(Tunneling Magnetoresistance ,TMR)以及后续形成的稀磁半导体等研究热潮,这些具有里程碑意义的人工合成磁性材料的成功制备和深入研究,不仅迅速推动了近20年凝聚态物理新兴学科——自旋电子学(spintronics)的形成与快速发展,也极大地促进了与自旋极化电子输运相关的磁电阻材料和新型自旋电子学器件的研制和应用。

中国科学院物理研究所朱涛研究员表示:“Albert Fert 和Peter Grunberg 种下了一粒种子,随着20世纪90年代应用的突破,这粒种子长成了一棵小苗——自旋电子学,这是一个成长很快、前景广阔的磁学分支。

”二、电子自旋与自旋电子学要阐明自旋电子学,就不得不先简述一下电子自旋这一概念。

电子自旋不是电子的机械自转,电子自旋及磁矩是电子本身的内禀属性,所以也被称为内禀角动量和内禀磁矩。

它们的存在标志电子还有一个新的内禀自由度。

所以电子状态的完全描述不但包括空间三个自由度的坐标(r ),还必须考虑其自旋状态。

超导材料的强关联与超导机制

超导材料的强关联与超导机制

超导材料的强关联与超导机制超导现象是一种令科学界着迷的奇特物理现象。

它指的是某些物质在低温下具有完全零电阻和完全排斥磁场的性质。

人们对超导现象的研究已经进行了数十年,但至今仍存在很多未解之谜。

近年来,研究人员发现,超导材料的强关联效应在超导机制中发挥着重要作用。

强关联是指电子之间的相互作用非常强烈,以至于传统的简单能带理论无法准确描述材料的行为。

在强关联体系中,电子的行为不再是相互独立的,而是集体地协同作用。

非常著名的强关联效应是高温超导现象的发现。

高温超导,即在相对较高的温度下出现超导现象,远远超过了传统的低温超导现象。

最早于1986年由材料科学家Bednorz和Müller在铜氧化物中发现,这一突破引起了科学界的极大关注。

但是,很长时间内无人能够解释高温超导现象的机制,直到近年来强关联效应的重要性逐渐得到认可。

在强关联体系中,电子之间的相互作用可以产生独特的电子态。

例如,在铜氧化物中,电子倾向于形成所谓的“奇偶配对”状态。

这种状态可以让电子在没有散射的情况下流动,从而导致了超导现象的出现。

这一发现揭示了超导机制的新方向,也为寻找更高温度下的超导材料提供了新的思路。

除了高温超导,强关联也在其他超导材料中起着重要作用。

例如,铁基超导体是另一类引人关注的材料。

铁基超导材料中的铁原子形成了特定的排列模式,导致电子之间的相互作用非常强烈。

这种强关联效应不仅影响了超导性质,还能够导致其他奇特的行为,如磁性、自旋电荷分离等。

因此,深入理解铁基超导体中的强关联效应对于揭示超导机制具有重要意义。

理论上,超导机制还包括了说典型的BCS机制和传导对数机制,它们分别适用于低温和高温超导材料。

BCS机制是指在弱关联体系中,由于库珀对的形成而导致的超导现象。

这种机制已经成功解释了一系列低温超导材料的行为。

传导对数机制则是一种将强关联与超导结合的模型,可以解释一些高温超导现象中的行为。

总而言之,超导材料的强关联效应在超导机制中起着重要作用。

磁阻效应原理

磁阻效应原理

磁阻效应原理磁阻效应是一种重要的磁性效应,它在磁传感器和磁阻存储器等领域有着广泛的应用。

磁阻效应是指当磁场作用于磁性材料时,材料的电阻发生变化的现象。

磁阻效应的原理是基于磁性材料在外加磁场下磁矩方向发生变化,从而影响了电子在材料中的运动,导致了电阻的变化。

磁阻效应的原理可以通过以下几个方面来解释:1. 磁性材料的磁矩方向变化,磁性材料内部的原子、分子或电子具有磁矩,当外加磁场作用于磁性材料时,磁矩会发生重新排列,从而改变了材料的磁性质。

这种磁矩方向的变化会影响了材料的电子运动轨迹,导致电阻的变化。

2. 磁阻效应与磁场强度的关系,磁阻效应的大小与外加磁场的强度有关,一般来说,外加磁场越强,磁性材料的磁矩方向发生的变化也就越大,从而导致了电阻的变化也越大。

3. 磁阻效应与磁性材料的特性有关,不同的磁性材料具有不同的磁阻效应特性,一些磁性材料在外加磁场下会出现较大的磁阻效应,而另一些磁性材料则会出现较小的磁阻效应。

磁阻效应的原理不仅在理论上有着重要的意义,而且在实际应用中也有着广泛的应用。

磁阻传感器就是利用磁阻效应来测量磁场强度的一种传感器,它具有灵敏度高、响应速度快、体积小等优点,被广泛应用于汽车、航空航天、电子设备等领域。

另外,磁阻存储器也是利用磁阻效应来实现信息的存储和读取,它具有存储密度高、功耗低等优点,是一种重要的存储器件。

总之,磁阻效应原理是一种重要的磁性效应,它在磁传感器、磁阻存储器等领域有着广泛的应用。

磁阻效应的原理是基于磁性材料在外加磁场下磁矩方向发生变化,从而影响了电子在材料中的运动,导致了电阻的变化。

磁阻效应的原理不仅在理论上有着重要的意义,而且在实际应用中也有着广泛的应用,对于推动磁性材料和磁性器件的发展具有重要的意义。

庞磁电阻效应和强关联电子

庞磁电阻效应和强关联电子
庞磁电阻效应和强关 联电子
目 录
• 庞磁电阻效应概述 • 强关联电子系统 • 庞磁电阻效应和强关联电子的关联 • 实验方法和研究技术 • 研究挑战和未来方向
01
庞磁电阻效应概述
定义和特性
定义
庞磁电阻效应是指当磁场垂直于电流 方向施加于金属或半导体材料时,电 阻值会随着磁场强度的增加而增大, 反之减小。
定义和特性
定义
强关联电子系统是指电子之间相互作 用非常强烈的材料系统,导致电子行 为受关联效应主导。
特性
表现出显著的非费米液体行为,如元 激发、量子相变等现象。
物理现象和特性
01
庞磁电阻பைடு நூலகம்应
在强关联电子系统中,当磁场垂 直于电流方向时,电阻会急剧增 加,表现出显著的磁电阻效应。
02
03
金属-绝缘体相变
铁磁金属
铁磁金属如铁、钴、镍等是常见 的庞磁电阻材料,其电阻值随磁 场强度的变化较大。
半金属材料
半金属材料如半金属化合物、稀 磁半导体等也具有较好的庞磁电 阻效应,其电阻值变化范围较广。
氧化物材料
一些氧化物材料如锰氧化物、铬 氧化物等也表现出一定的庞磁电 阻效应,但其应用价值相对较低。
02
强关联电子系统
描述强关联电子系统中的电子行为和相 互作用的模型,如Hubbard模型、t-J模 型等。
VS
理论预测
基于理论和模型,预测庞磁电阻效应在强 关联电子系统中的表现和变化规律。
研究现状和展望
研究现状
目前对庞磁电阻效应和强关联电子的研究已取得一定进展,但仍面临许多挑战,如实验验证、理论模 型的完善等。
未来展望
去除异常值和噪声,确保数据准确性和可靠性。

巨磁电阻实验

巨磁电阻实验

巨磁电阻效应及其应用巨磁电阻( Giant magneto resistance, 简称GMR)效应表示在一个巨磁电阻系统中, 非常弱小的磁性变化就能导致巨大的电阻变化的特殊效应. 法国科学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国科学家彼得·格林贝格尔( Peter Grunberg )因分别独立发现巨磁阻效应而共同荣膺2007年诺贝尔物理学奖.G MR是一种量子力学和凝聚态物理学现象, 是磁阻效应的一种, 可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层(几个纳米厚)结构中观察到. 在量子力学出现后,德国科学家海森伯(W. Heisenberg, 1932年诺贝尔奖得主)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用, 这个交换作用是短程的, 称为直接交换作用. 随后, 科学家们又发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物也具有反铁磁有序状态, 即在有序排列的磁材料中, 相邻原子因受负的交换作用, 自旋为反平行排列, 如图1所示. 此时磁矩虽处于有序状态, 但总的净磁矩在不受外场作用时仍为零. 这种磁有序状态称为反铁磁性. 反铁磁性通过化合物中的氧离子(或其他非金属离子)将最近的磁性原子的磁矩耦合起来, 属于间接交换作用. 此外, 在稀土金属中也出现了磁有序, 其中原子的固有磁矩来自4f电子壳层. 相邻稀土原子的距离远大于4f电子壳层直径, 所以稀土金属中的传导电子担当了中介, 将相邻的稀土原子磁矩耦合起来, 这就是RKKY型间接交换作用.直接交换作用的特征长度为0.1—0.3nm, 间接交换作用可以长达1nm以上. 据此美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念.所谓的超晶格就是指由两种(或两种以上)组分(或导电类型)不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料, 其特点是这种复合材料的周期长度比各薄膜单晶的晶格常数大几倍或更长. 上世纪八十年代, 制作高质量的纳米尺度样品技术的出现使得金属超晶格成为研究前沿. 因此凝聚态物理工作者对这类人工材料的磁有序, 层间耦合, 电子输运等进行了广泛的基础方面的研究. 其中相关的代表性研究工作简介如下.其一是德国尤利希科研中心的物理学家彼得·格伦贝格尔. 他一直致力于研究铁磁性金属薄膜表面和界面上的磁有序状态, 其研究对象是一个三明治结构的薄膜, 两层厚度约10nm的铁层之间夹有厚度为1nm的铬层. 之所以选择选择这一材料系统, 首先是因为金属铁和铬是周期表上相近的元素, 具有类似的电子壳层, 容易实现两者的电子状态匹配. 其次, 金属铁和铬的晶格对称性和晶格常数相同, 它们之间晶格结构相匹配. 这两类匹配非常有利于对基本物理过程进行探索. 尽管如此, 长期以来该课题组所获得的三明治薄膜仅为多晶体. 随着制备薄膜技术的发展, 分子束外延(MBE)方法的应用才使得结构完整的单晶样品得以问世, 其成分依然是铁-铬-铁三层膜. 此后, 为了进一步获得铁磁矩的有关信息, 科研工作者将光散射应用于对金属三层膜进行相关研究. 在实验过程中, 薄膜上的外磁场被逐步减小直至消失. 结果发现, 在铬层厚度为0.8nm的铁-铬-铁三明治中, 两边的两个铁磁层磁矩从彼此平行(较强磁场下)转变为反平行(弱磁场下). 亦即, 对于非铁磁层铬的某个特定厚度, 在无外磁场时, 两边铁磁层磁矩处于反平行状态, 这一现象成为巨磁电阻效应出现的前奏. 在对这一现象的进一步研究过程中, 格伦贝格尔等发现当两个磁矩反平行时,铁-铬-铁三明治呈现高电阻状态. 而当两个磁矩平行时, 则对应与其低电阻状态, 且两种不同状态下的阻值差高达10%. 之后, 格伦贝格尔将此结果写成论文,并申请了将这种效应和材料应用于硬盘磁头的专利.另一位科研工作者是巴黎十一大学固体物理实验室物理学家阿尔贝·费尔, 其课题组将铁、铬薄膜交替制成几十个周期的铁-铬超晶格, 亦称周期性多层膜. 通过对此类物质的研究, 他们发现了当改变磁场强度时, 超晶格薄膜的电阻下降近一半, 即磁电阻比率达到50%. 据此该现象被命名为巨磁电阻现象, 并用两电流模型予以合理解释. 显然, 该周期性多层膜可视为若干个格伦贝格尔三明治的重叠, 因此德国和法国的这两个独立发现实属同一个物理现象.除了上述两位诺贝尔奖获得者的开创性工作, IBM公司的斯图尔特·帕金( S. P. Parkin )将GMR的制作材料做了进一步推广, 为其工业化应用奠定了基础. 他于1990年首次报道了铁-铬超晶格系列之外的钴-钌和钴-铬超晶格体系亦有巨磁电阻效应, 并且随着非磁层厚度增加, 其磁电阻值振荡下降. 此后, 科学家在过渡金属超晶格和金属多层膜中又发现了20种左右不同的体系均存在巨磁电阻振荡现象. 帕金的工作首先为寻找更多的GMR材料开辟了广阔空间, 为寻找适合硬盘的GMR材料提供了可能, 1997年制成了GMR磁头即是其成功之一. 其次, 在薄膜制备方法上帕金采用较普通的磁控溅射技术用以替代精密的MBE方法, 并使之成为工业生产多层膜的标准. 磁控溅射技术克服了物理发现与产业化之间的障碍, 使巨磁电阻成为基础研究快速转换为商业应用的国际典范. 同时, 巨磁电阻效应也被认为是纳米技术的首次真正应用.巨磁电阻效应发现的另一重大意义在于打开了一扇通向新技术世界的大门—自旋电子学. GMR作为自旋电子学的开端具有深远的科学意义. 传统的电子学是以电子的电荷移动为基础的, 电子自旋往往被忽略了. 巨磁电阻效应表明电子自旋对于电流的影响非常强烈, 电子的电荷与自旋两者都可能载运信息. 自旋电子学的研究和发展引发了电子技术与信息技术的一场新的革命. 目前电脑, 音乐播放器等各类数码电子产品中所装备的硬盘磁头, 基本上都应用了巨磁电阻效应. 利用巨磁电阻效应制成的多种传感器, 已广泛应用于各种测控领域. 除利用铁磁膜-金属膜-铁磁膜的GMR效应外, 由两层铁磁膜夹一极薄的绝缘膜或半导体膜构成的隧穿磁阻(TMR)效应, 已显示出比GMR效应更高的灵敏度. 此外, 在单晶和多晶等多种形态的钙钛矿结构的稀土锰酸盐, 以及一些磁性半导体中, 都发现了巨磁电阻效应.实验目的1了解GMR效应的原理.2 测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线.3 测量GMR的磁阻特性曲线.4 测量GMR开关(数字)传感器的磁电转换特性曲线.5 用GMR传感器测量电流.6 用GMR梯度传感器测量齿轮的角位移, 了解GMR转速传感器的原理.7 通过实验了解磁记录与读出的原理.实验原理根据导电的微观机理, 电子在导电时并非沿电场直线前进, 而是不断和晶格中的原子产生碰撞(又称散射), 每次散射后电子都会改变运动方向, 总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射运动的叠加. 电子在两次散射之间走过的平均路程称为平均自由程, 电子散射几率小, 则平均自由程长, 电阻率低. 在电阻定律 R=ρl/S中, 电阻率ρ可视为常数, 与材料的几何尺度无关. 这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程(例如铜中电子的平均自由程约34nm), 可以忽略边界效应. 然而, 当材料的几何尺度小到纳米量级且只有几个原子的厚度时(例如, 铜原子的直径约为0.3nm), 电子在边界上的散射几率大大增加, 此时可以明显观察到厚度减小, 电阻率增加的现象.电子除本身携带电荷外, 还具有自旋特性. 自旋磁矩又分为平行或反平行于外磁场方向的两种不同取向. 在自旋磁矩与材料的磁场方向平行的情况下, 电子散射的几率远小于二者反平行条件下的散射几率. 与此相应, 材料的电阻在自旋磁矩与外磁场方向平行时将远小于二者反平行时的阻值. 事实上, 材料的总电阻可视为两类自旋电流的并联电阻, 因此总电流则为两类自旋电流之和, 此即两电流模型.如图2所示, 无外磁场时, 多层膜结构中的上下两层磁性材料反平行(反铁磁)耦合. 当施加足够强的外磁场后, 两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致, 外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合. 电流的方向在多数应用中与膜面方向平行.无外磁场时顶层磁场方向无外磁场时底层磁场方向图 2 多层膜GMR结构图事实上, 有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献:其一, 界面上的散射. 在无外磁场条件下, 上下两层铁磁膜的磁场方向相反, 无论电子的初始自旋状态如何, 从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变(平行-反平行, 或反平行-平行), 电子在界面上的散射几率很大, 对应于高电阻状态; 在有外磁场存在时, 上下两层铁磁膜的磁场方向一致, 电子在界面上的散射几率很小, 对应于低电阻状态.其二, 铁磁膜内的散射. 即使电流方向平行于膜面, 由于无规散射, 电子也有一定的几率在上下两层铁磁膜之间穿行. 在无外磁场时, 上下两层铁磁膜的磁场方向相反, 无论电子的初始自旋状态如何, 在穿行过程中都会经历散射几率小(平行)和散射几率大(反平行)两种过程, 两类自旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的并联, 对应于高电阻状态. 在有外磁场时, 上下两层铁磁膜的磁场方向一致, 自旋平行的电子散射几率小, 自旋反平行的电子散射几率大, 两类自旋电流的并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻的并联, 对应于低电阻状态.多层膜GMR结构简单, 工作可靠, 磁阻随外磁场线性变化的范围大, 在制作模拟传感器方面得到广泛应用. 在数字记录与读出领域, 为进一步提高灵敏度, 发展了自旋阀结构的GMR. 如图3所示.自旋阀结构的SV-GMR(Spin valve GMR)由钉扎层, 被钉扎层, 中间导电层和自由层构成. 其中, 钉扎层使用反铁磁材料, 被钉扎层使用硬铁磁材料, 铁磁和反铁磁材料在交互耦合作用下形成一个偏转场, 此偏转场将被钉扎层的磁化方向固定, 不随外磁场改变. 自由层使用软铁磁材料, 它的磁化方向易于随外磁场转动. 这样, 很弱的外磁场就会改变自由层与被钉扎层磁场的相对取向, 对应于很高的灵敏度. 制造时, 使自由层的初始磁化方向与被钉扎层垂直, 磁记录材料的磁化方向与被钉扎层的方向相同或相反(对应于0或1), 当感应到磁记录材料的磁场时, 自由层的磁化方向就向与被钉扎层磁化方向相同(低电阻)或相反(高电阻)的方向偏转, 检测出电阻的变化, 就可确定记录材料所记录的信息, 硬盘所用的GMR磁头就采用这种结构.自由层中间导电层被钉扎层钉扎层图3自旋阀SV-GMR结构图实验仪器一. 主体名称:ZKY-巨磁电阻效应及应用实验仪 构成及功能:电流表部分:做为一个独立的电流表使用.两个档位:2mA 档和200mA 档, 可通过电流量程切换开关选择合适的电流档位测量电流.电压表部分:做为一个独立的电压表使用.两个档位:2V 档和200mV 档, 可通过电压量程切换开关选择合适的电压档位. 恒流源部分:可变恒流源.实验仪还提供GMR 传感器工作所需的4V 电源和运算放大器工作所需的±8V 电源. 二. 各种组件 1. 基本组件:基本特性组件由GMR 模拟传感器, 螺线管线圈及比较电路, 输入输出插孔组成. 用以对GMR 的磁电转换特性, 磁阻特性进行测量.GMR 传感器置于螺线管的中央.螺线管用于在实验过程中产生大小可计算的磁场, 由理论分析可知, 无限长直螺线管内部轴线上任一点的磁感应强度为: B = μ0nI . 式中n 为线圈密度, I 为流经线圈的电流强度,m H /10470-⨯=πμ为真空中的磁导率. 采用国际单位制时, 由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉(1特斯拉=10000高斯).2. 电流测量组件:电流测量组件将导线置于GMR 模拟传感器近旁, 用GMR 传感器测量导线通过不同大小电流时导线周围的磁场变化, 就可确定电流大小. 与一般测量电流需将电流表接入电路相比, 这种非接触测量不干扰原电路的工作, 具有特殊的优点.3. 角位移测量组件: 角位移测量组件用巨磁阻梯度传感器作传感元件, 铁磁性齿轮转动时, 齿牙干扰了梯度传感器上偏置磁场的分布, 使梯度传感器输出发生变化, 每转过一齿, 就输出类似正弦波一个周期的波形. 利用该原理可以测量角位移(转速, 速度). 汽车上的转速与速度测量仪利用的就是这一原理.4. 磁读写组件:磁读写组件用于演示磁记录与读出的原理. 磁卡做记录介质, 磁卡通过写磁头时可写入数据, 通过读磁头时将写入的数据读出来.巨磁电阻效应及其应用实验报告一、实验时间:年月日二、样品:巨磁阻基本特性组件, 磁读写组件, 电流测量组件, 角位移测量组件, 巨磁阻试件, 磁卡以及巨磁电阻效应及应用实验仪(01-001).三、实验目的:1、了解巨磁电阻效应实验原理;2、了解巨磁阻的模拟传感器磁电转换特性;3、了解巨磁阻的磁阻特性;4、通过实验了解磁记录与磁读写的原理.四、实验内容:1、GMR模拟传感器的磁电转换特性测量:μ=4π×10-7H/m (1) n= 24000 T/m (2) (3) 输出电压与磁感应强度B 之间的关系曲线:图(1)2、GMR 磁阻特性测量:由式(3)可得磁感应强度B, 巨磁阻两端电压为4V , 则由欧姆定律可得磁阻R.表2 磁阻特性测量 磁阻两端电压4V输出电压磁感应强度B 与输出电压U 之间的关系曲线0 2575 100 125 150 175 200 225 250 275-40.0-30.0-20.0-10.00.010.020.030.0磁感应强度B50 U(V)0B nI μ=磁阻与磁感应强度关系曲线:图(2)3、GMR开关(数字)传感器的磁电转换特性曲线测量表3开关特性曲线4、用GMR模拟传感器测量电流表4待测电流与输出电压关系曲线:图(3)偏执电压越大U-I直线斜率越大, 灵敏度越高.5、GMR梯度传感器的特性应用:表5 齿轮角位移的测量齿轮角位移的测量:图(4)6、磁记录与读出:表6 二进制数字的写入与读出图(1)注意事项:1、由于巨磁阻传感器具有磁滞现象, 因此在实验中, 恒流源只能单方向调节, 不可回调. 否则测得的实验数据将不准确.2、测试卡组件不能长期处于“写”状态.3、实验过程中,实验环境不得处于强磁场中.。

巨磁电阻效应与自旋电子学

巨磁电阻效应与自旋电子学

新材料探索
科研人员不断探索新型磁性材料,以 提高巨磁电阻效应的灵敏度和稳定性。
器件微型化
自旋电子学
巨磁电阻效应作为自旋电子学中的重 要组成部分,推动了自旋电子学领域 的发展,有望在未来实现更高效、更 低能耗的电子器件。
随着微纳加工技术的发展,巨磁电阻 效应器件的微型化程度不断提高,为 新一代电子器件的发展提供了可能。
自旋传感器利用巨磁电阻效应 将磁场变化转化为电信号的变 化,从而实现磁场的高精度测 量。
巨磁电阻效应的应用提高了自 旋传感器的性能,包括更高的 灵敏度、更快的响应速度以及 更好的稳定性。
04 巨磁电阻效应与自旋电子 学的未来展望
提高巨磁电阻效应的灵敏度
巨磁电阻效应的灵敏度是衡量其性能的重要指标,提高其灵敏度有助于实现更精确的磁信息读取和存 储。
通过控制自旋场效应晶体管中的电流方向,可以实现不同自旋极化的电子注入,进 而实现信息的存储和传输。
巨磁电阻效应的应用提高了自旋场效应晶体管的性能,包括更高的开关速度、更低 的能耗以及更好的稳定性。
巨磁电阻效应在自旋传感器中的应用
自旋传感器是自旋电子学中的 另一种重要器件,利用巨磁电 阻效应可以实现磁场的高灵敏 度检测。
20世纪80年代,巨磁电阻效应 的发现为自旋电子学的发展奠定
了基础。
20世纪90年代,自旋阀和磁隧 道结等自旋电子器件的研制成功, 推动了自旋电子学的快速发展。
进入21世纪,自旋电子学在信 息存储、逻辑运算、传感器等领
域的应用研究不断取得突破。
自旋电子学的研究领域
自旋注入与输运
研究如何将自旋极化的电流注 入到其他材料中,以及如何实
现自旋的输运和操控。
自旋逻辑器件
利用自旋极化电流实现逻辑运 算的器件设计及制备。

强电子关联体系性质及高温超导机理探究

强电子关联体系性质及高温超导机理探究

强电子关联体系性质及高温超导机理探究本文将探究强电子关联体系的性质以及高温超导机理。

强电子关联体系是指具有强关联效应的电子系统,其中电子之间的相互作用对材料性质具有重要影响。

高温超导材料则是指能够在相对较高的温度下表现出超导性质的材料。

本文将首先介绍强电子关联体系的性质,然后深入研究高温超导的机理。

强电子关联体系的性质是由电子之间的相互作用决定的。

一般情况下,电子之间会有库伦相互作用、自旋相互作用以及晶格相互作用等。

在强关联体系中,这些相互作用会导致电子行为发生剧烈变化,远离自由电子气体的行为模式。

强关联电子系统中的自旋自发磁化、电荷序、电子局域化等现象都是强电子关联的结果。

在强电子关联体系中,高温超导材料是一个引人注目的研究领域。

传统的BCS理论难以解释高温超导的机理,因为BCS理论认为超导是由电子与晶格振动之间的相互作用导致的。

然而,在高温超导材料中,这种相互作用似乎无法解释其高温超导性质。

为了解释高温超导的机理,研究人员提出了多种理论模型,包括强关联电子的格林函数理论、自旋液体理论、强关联系统理论等。

最具有代表性的高温超导材料是铜氧化物超导体。

铜氧化物超导体的超导转变温度较高,可达到液氮温度以下。

其中,碱稀土铜氧化物(例如YBCO)和铁基超导体(例如FeSe)是磁性和强关联效应共存的材料。

研究表明,这些材料中电子之间的强关联系统对超导性质起着重要作用。

在强电子关联体系中,有几个重要的理论模型被用于解释高温超导的机理。

其中最有影响力的是格林函数理论,该理论可以用于描述强关联电子的动力学行为。

自旋液体理论则是另一种解释高温超导的模型,该模型假设存在一种无序自旋液体相,并认为这种相变与高温超导之间有密切的关联。

此外,强关联系统理论也被用于解释铁基超导体中的高温超导性质。

在研究高温超导机理的过程中,研究人员还发现了其他有趣的现象。

例如,量子霍尔效应、拓扑绝缘体等也是强关联体系的重要研究领域。

这些现象在理论和实验研究中都得到了广泛关注。

巨磁电阻效应及应用实验报告

巨磁电阻效应及应用实验报告

巨磁电阻效应及其应用2007年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻( Giant magneto resistance,简称GMR)效应的发现者:法国物理学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得·格伦贝格尔( Peter Grunberg )。

诺贝尔奖委员会说明:“这是一次好奇心导致的发现,但其随后的应用却是革命性的,因为它使计算机硬盘的容量从几百、几千兆,一跃而提高几百倍,达到几百G乃至上千G。

”凝聚态物理研究原子,分子在构成物质时的微观结构,它们之间的相互作用力,及其与宏观物理性质之间的联系。

人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。

量子力学出现后,德国科学家海森伯(W. Heisenberg,1932年诺贝尔奖得主)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用,这个交换作用是短程的,称为直接交换作用。

图 1 反铁磁有序后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁有序状态,即在有序排列的磁材料中,相邻原子因受负的交换作用,自旋为反平行排列,如错误!未找到引用源。

所示。

则磁矩虽处于有序状态,但总的净磁矩在不受外场作用时仍为零。

这种磁有序状态称为反铁磁性。

法国科学家奈尔(L.E. F. Neel)因为系统地研究反铁磁性而获1970年诺贝尔奖。

在解释反铁磁性时认为,化合物中的氧离子(或其他非金属离子)作为中介,将最近的磁性原子的磁矩耦合起来,这是间接交换作用。

另外,在稀土金属中也出现了磁有序,其中原子的固有磁矩来自4f电子壳层。

相邻稀土原子的距离远大于4f电子壳层直径,所以稀土金属中的传导电子担当了中介,将相邻的稀土原子磁矩耦合起来,这就是RKKY型间接交换作用。

直接交换作用的特征长度为0.1~0.3nm,间接交换作用可以长达1nm以上。

1nm已经是实验室中人工微结构材料可以实现的尺度。

1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念,所谓的超晶格就是指由两种(或两种以上)组分(或导电类型)不同、厚度d极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料。

巨磁阻效应的原理及应用

巨磁阻效应的原理及应用

巨磁阻效应的原理及应用物质在一定磁场下电阻改变的现象,称为磁阻效应。

磁性金属和合金材料一般都有这种现象。

一般情况下,物质的电阻率在磁场中仅发生微小的变化,在某种条件下,电阻减小的幅度相当大,比通常情况下约高十余倍,称为巨磁阻效应(GMR )。

要说这种效应的原理,不得不说一下电子轨道及自旋。

种角动量在原子物理学中,对于单电子原子(包括碱金属原子)处于一定的状态,有一定的能量、轨道角动量、自旋角动量和总角动量。

表征其性质的量子数是主量子数n 、角量子数l 、自旋量子数s =1/2,和总角动量量子数j 。

主量子数(n=1,2,3,4 …)会视电子与原子核间的距离(即半径座标r )而定。

平均距离会随着n 增大,因此不同量子数的量子态会被说成属于不同的电子层。

角量子数(l=0,1 … n-1)(又称方位角量子数或轨道量子数)通过关系式来代表轨道角动量。

在化学中,这个量子数是非常重要的,因为它表明了一轨道的形状,并对化学键及键角有重大形响。

有些时候,不同角量子数的轨道有不同代号,l=0的轨道叫s 轨道,l=1的叫p 轨道,l=2的叫d 轨道,而l=3的则叫f 轨道。

磁量子数(ml= -l ,-l+1 … 0 … l-1,l )代表特征值,。

这是轨道角动量沿某指定轴的射影。

从光谱学中所得的结果指出一个轨道最多可容纳两个电子。

然而两个电子绝不能拥有完全相同的量子态(泡利不相容原理),故也绝不能拥有同一组量子数。

所以为此特别提出一个假设来解决这问题,就是设存在一个有两个可能值的第四个量子数—自旋量子数。

这假设以后能被相对论性量子力学所解释。

“我们对过渡金属的电导率有了如下认识:电流由s 电子传递,其有效质量近乎于自由电子。

然而电阻则取决于电子从 s 带跃迁到 d 带的散射过程,因为跃迁几率与终态的态密度成正比,而局域性的 d 带在费米面上的态密度是很大的。

这就是过渡金属电阻率高的原因。

这种 s-d 散射率取决于 s 电子与 d 电子自旋的相对取向。

磁电阻效应简答题

磁电阻效应简答题

磁电阻效应简答题
磁电阻效应是指材料在外加磁场作用下导电性发生改变的现象。

当材料处于磁场中时,电流通过材料时会受到磁场的影响,导致电阻发生变化。

磁电阻效应可以分为两种类型:巨磁电阻效应和隧穿磁电阻效应。

巨磁电阻效应(GMR)是指在两个磁性层之间夹有非磁性层时,材料的电阻会随着两个磁性层之间的磁矩方向相对或者反时产生变化。

当两个磁性层的磁矩方向相对时,电阻较大;当两个磁性层的磁矩方向一致时,电阻较小。

这种效应可以用于磁阻传感器、硬盘驱动器等领域。

隧穿磁电阻效应(TMR)是指在两个磁性层之间夹有绝缘层时,材料的电阻会随着两个磁性层之间的磁矩方向相对或者反时产生变化。

与GMR相比,TMR效应更为显著,电阻变化
更大。

这种效应可以用于磁存储器、磁隧穿结形式的传感器等领域。

磁电阻效应的产生原因是由于外加磁场会改变材料内部的电子自旋结构。

当材料内部的电子自旋偏离正常方向时,电子在杂质、晶格等的散射过程中会较为频繁地改变运动方向,从而增加电阻。

这种自旋散射可通过磁电阻效应来表征。

磁电阻效应在现代电子技术中发挥着重要作用,尤其是在磁存储器、磁传感器和磁隧穿结等领域。

通过研究和应用磁电阻效
应,可以实现对磁场的高灵敏度检测、存储密度的提高以及能耗的降低等目标。

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(计算另讲)
Mn3+和Mn4+ 1,电荷棋盘 2,自旋zigzag 3,轨道转向,
38
电荷、自旋、轨道有序(6)
小结:形成电荷、自旋和轨道有序的原因? 1,电荷有序: 势能大于动能 U 》t , 例如,一个格点只能有一个 eg 电子。 2,轨道有序:畸变能大于动能 g 》t。 例如,eg、 t2g 电子的轨道要对于 J-T 晶格畸变 方向取向。 3,自旋有序 (接下一页)
2
对CMR的兴趣何在?
强关联电子理论 超越“传统的能带理论” 课题:Mott绝缘体、 Wigner 电子晶体、高温超导、庞磁电阻、 重费米子、巡游电子等 注意,各种磁电阻(MR)现象受到关注,但物理机制不同: AMR,GMR,TMR ---能带论框架内“自旋极化电子散射过程” CMR ---非能带理论的“强关联电子跃迁过程”
为甚麽同时有序?
超交换作用: 轨道排布不同 , → 波函数重叠不同 → 自旋排列也不同
34
*电荷、自旋、轨道有序(2)
LaMnO3 的反铁磁?
Mn3+离子自旋排列为AFM。 原因:同一格座上 eg与t2g的洪德FM耦合。 相邻格座超交换AFM作用
实际的轨道波函数的情况稍微复杂, Jahn-Teller 效应(电声子作用)
La1 x Srx MnO3
当x=0 和1, 为 反铁磁性、绝缘体 当0。2 < x < 0。4, 为 铁磁性、金属
8
三种反铁磁氧化物的“掺杂”
原型化合物电价和轨道L源自2CuO4Cu2+, 3d9
LaMnO3
Mn3+, 3d4
LaTiO3
Ti3+,3d1
“单”电子态 1个空穴
磁性 掺杂化合物 磁性 电性 电子有序 AFM High Tc 非磁 超导 电子条纹相
半d能级1个空穴
AFM CMR 铁磁 金属 电荷、轨道、自旋序
1个电子
AFM 重电子 非磁 重电子金属 电荷序
9
Ti、Mn、Cu电子态DOS示意图
10
本讲以下的议题
1,为什么 LaMnO3 是反铁磁Mott绝缘体? 回忆Wigner的讨论:动能与位能的比较(电荷关联) 2,为什么掺杂反铁磁体 La1 x Srx MnO3 是金属?
24
双交换模型(4)
物理意义 1,相邻局域自旋如果平行排列(铁磁性), 有利于eg电子的巡游(金属性) 2,eg电子的巡游(金属性)通过洪德耦合,会导致 所经过的Mn离子局域自旋平行排列(铁磁性) (当然,要超过“超交换”) 金属性、铁磁性都来源于“双交换机制”
25
*基于双交换模型解释实验(1) 磁场效应 条件:掺杂造成 4价Mn离子的出现 从而导致 绝缘→金属转变(Mott转变) 外磁场使相邻格点局域自旋间夹角减小, 增加跃迁概率,从而增加电导(减小电阻) 这就是MR效应
1
背景:能带论框架下的困惑
物理学重大事件--高温超导发现20周年 1986年,对反铁磁绝缘体掺杂后,得到高温超导体。 1987年1月,Anderson重提Mott强关联效应。 1987年, 获奖。 1987年- 强关联效应的广泛深入研究。 能带论框架下的困惑早(1936-)已存在 1995年-,重提CMR(另一个例子)。 强关联效应研究的一个切入点?
17
CMR的再发现 (2)
CMR= 99.99 % Mott转变转变
18
CMR的再发现 (3)
压力效应(上图) 类似 磁场效应(下图): 提高Tc
降低电阻率。
19
掺杂材料
La1 x Ax MnO3 的电子结构(1)
掺杂后:形成 Mn3+/ Mn4+ 混合价状态 电荷掺杂成为导体(Jonker & Van Santen 1950)
t2g电子的 能量较低
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为什么 LaMnO3 是反铁磁性绝缘体?(4)
Mn3+的自旋状态 4个d-电子自旋平行, 电子强关联
1×巡游电子, S=1/2 3×局域电子, S=3/2
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为什么 LaMnO3 是反铁磁性绝缘体?(5)
一,自旋位形? 每个Mn格点上,4个d电子自旋平行 相邻Mn格点间,氧的超交换作用,自旋相互反平行
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第一部分 较早的工作
1,能带论的成功
1920年代,量子力学成功应用于固体――能带论 (Bethe 1928;Sommerfeld 1928;Bloch 1929)
量子力学怎样解释金属性和绝缘性? 位阱中的电子气模型→能带中的Bloch函数。 ( 电子间相互作用的平均场处理)
能带论成功范例:半导体 1930年代 半导体能带论(Wilson 1931;Fowler 1933) 1947年 发明晶体管(W.Shockley,W.Brattain,J.Bardeen ) 1959年 固体电路、集成电路 1962年 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
掺杂过程:一个La3+被A2+替代, 为了达到电荷平衡,就要求有一个Mn3+丢失eg电子变为一个Mn4+。 即,(2+)(4+)=(-2)×3
Mn3+本来有3个t2g和1个eg共4个电子。去掉1个eg电子成为Mn4+。 Mn4+就有三个t2g电子,以及一个eg“空穴”! Mn3+格点上的eg电子, 跳跃前、后,体系的状态能量简并。即跃迁并不耗能。 这就是导体。
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电荷、自旋、轨道有序(7)
3,自旋有序: 离子内,Hund 耦合大于动能 JH 》t , 例如,离子内部eg 自旋要平行於t2g自旋。
相邻离子间,超交换作用。
本质上都是库仑作用 Pauli 原理保证轨道有序与自旋有序的协调 总之,库仑作用的强关联效应。
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8,相分离
本讲开始部分提出问题: (一块)材料是金属还是绝缘体?
Mn3+ 与 Mn4+交换 双交换:两次跃迁过程 两个状态相同(简并) eg电子→氧离子 氧离子电子→ Mn4+
用简并微扰论计算
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**双交换模型(2)从Mn3+“跃迁”到Mn4+
1,Mn4+ 无eg 电子,eg电子间库仑能不会变化,但是 2,eg电子与局域t2g自旋间的洪德耦合会改变 解释:Mn3+ 和Mn4+之间,自旋夹角为 θ。 eg在局部自旋平行态(Mn3+),能量=-JH eg到了局部自旋平行态(Mn4+),能量=-JH cosθ 导致洪德能量的增量为 = JH(1-cosθ) 平行,无增量。有利于跃迁。 反平行增量最大
结果:自旋序和轨道序关联(看下图)
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*电荷、自旋、轨道有序(3)
LaMnO3
自旋用箭头表示 轨道为eg电子波函数
3x 2 r 2 , 3 y 2 r 2
看前面的简易图7-(1) (含有氧原子)
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*电荷、自旋、轨道有序(4) 掺杂情况
下图中, 圆圈 Mn4+ 波瓣 Mn3+
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*
La0.5 Sr0.5 MnO3 电荷、自旋、轨道有序(5)
办法:寻找减小迁移率 的机制 (右图)
途径之一:Jahn-Teller 效应
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6, Jahn-Teller 效应(1)
Mn3+离子 简并 两个eg轨道只有一个电子 晶格将发生一小的畸变量ξ,
两个后果: ➟ 1,简并的电子能级将分裂, 电子占低能级, 能量降低 -aξ ➟ 2,晶格畸变导致
弹性能增加bξ2
Zener的双交换模型(电荷、自旋关联)
3,关联和有序(电荷、自旋、轨道)
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为什么 LaMnO3
是反铁磁性绝缘体? (1)
Mn原子的 5个状态
Ar3d 5 4s 2
两类轨道状态
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为什么 LaMnO3 是反铁磁性绝缘体?(2)
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为什么
LaMnO 3
是反铁磁性绝缘体?(3)
eg 电子的 能量较高
tij t cos(ij / 2)
加压增大t ,
加磁场减小θij 共同结果:增大动能tij 提高Tc,扩大铁磁相区域,和降低电阻率。
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基于双交换模型解释实验(4) 定量的偏差(双交换模型的局限)
1,计算电阻率 远低于实验值 2,计算居里点 远高于实验值 原因:Zener模型中的 载流子过于自由
目录 第一部分 较早的工作 1,能带论的成功;金属性和绝缘性的解释 2,能带论的困难;Mott绝缘体,Wigner 电子晶体 3,重新研究反铁磁性 4,庞磁电阻(CMR)的发现 5,双交换模型 6,Jahn-Teller效应
第二部分 近年的进展 7,电荷、自旋和轨道有序 8,相分离 9,电场效应;低维性质
电子带着畸变一起运动 比较“不自由” 结果:电子有效质量增大 与晶格的“散射” 增加 导致电阻增加
V
V
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观察 Polaron
Nature 440(7087) p1025Apr.20,2006
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第二部分 近年进展 7,关联和有序
电荷、自旋、轨道有序(1) 前面,已经讨论过了电 荷有序--Wigner电 子晶体
这是,反铁磁性排列
二, 电荷分布? 每个Mn格点上一个eg电子有可能巡游。但是, 跃迁能量 t << 库仑能量 U,无法“跳跃”“巡游”
这是,绝缘体 电子之间的库仑作用是关键!
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4,CMR效应
CMR的再发现(1) 1990s
La0.8 Sr0.2 MnO3
大磁电阻
相变: 铁磁、金属― 顺磁、绝缘体
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掺杂材料 La1 x Ax MnO3 电子结构(2)
极限情形:掺杂到x=1,在AMnO3中, Mn离子全部是Mn4+ , 形成离子自旋为S=3/2的局域自旋的晶格, 还是反铁磁绝缘体。
结论:反铁磁绝缘体(X=0) → 铁磁导体(0。2 < X < 0。4) →反铁磁绝缘体(X=1)
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