光电技术第4章(1)

4.2.3 光电倍增管的结构
1. PMT的入射窗结构 2. 倍增极结构
1）倍增极材料 锑化铯（CsSb）材料具有很好的二次电子发射功 能，它可以在较低的电压下产生较高的发射系数，电压 高于400V时的二次发射系数δ 值可高达10倍。 氧化的银镁合金材料也具有二次电子发射功能，它 与锑化铯相比二次电子发射能力稍差些，但它可以工作 在较强电流和较高的温度（150℃）。
常规的光电阴极属于正电子亲和势(PEA)类型， 即表面的真空能级位于导带之上。如果给半导体 的表面作特殊处理，使表面区域能带弯曲，真空 能级降低到导带之下，从而使有效的电子亲和势 为负值，经过特殊处理的阴极称作负电子亲和势 光电阴极(NEA)。
1963年Simon根据半导体物理的研究提出了负电子亲和势 的理论，1965年J.J.Scheer和J.V.Laar首先研制出了GaAsCs负 电子亲和势阴极。
充气型光电管的工作原理 光照生电子在电场的作用下运动，途中与惰性气 体原子碰撞而电离，电离又产生新的电子，它与 光电子一起都被阳极收集，形成数倍于真空型光 电管的光电流 。
4.2.2 光电倍增管组成及工作原理
光电倍增管(Photomultiplier Tube (PMT) 是一种真空 光电发射器件。 光入射窗 光电阴极 电子光学系统 倍增极 阳极
定义：在某波长范围内的积分辐射作用于光电阴极时， 光电阴极输出电流Ik与入射辐射通量φe之比为光电阴极 的积分灵敏度Se。
Ik Se Φe,λ d e Ik
0
量纲为mA/W或A/W。
在可见光波长范围内的“白光”作用于光电阴极时， 光电阴极电流Ik与入射光通量φv之比为光电阴极的 白光灵敏度Sv。
1. 灵敏度 光电发射阴极的灵敏度应包括光谱灵敏度、积分灵 敏度和色光灵敏度。
1)
光谱灵敏度
定义在单色（单一波长）辐射作用于光电阴极时，光 电阴极输出电流Ik与单色辐射通量φ e,λ 之比为光电阴极的 光谱灵敏度Se,λ 。
Se,
Ik e ,
其量纲为µ A/W或A/W。
2)
积分灵敏度
0.2(U DD )
0.7
对于氧化的银镁合金（AgMgO）材料有经验公式
δ=0.025UDD
对于锑化铯倍增极材料
G (0.2) U
N
0.7N DD
对银镁合金材料
G (0.025) U
N
N DD
光电倍增管在电源电压确定后，电流放大倍数可以 从定义出发，通过测量阳极电流Ia与阴极电流Ik确定。
Ik S v 780 Φv,λ d v Ik
380
量纲为mA/lm
2.量子效率 定义在单色辐射作用于光电阴极时，光电阴极 发射单位时间发射出去的光电子数Ne,λ ,与入射的光 子数之比为光电阴极的量子效率η λ （或称量子产
额）。即
N e, λ N p, λ
。
量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种 表示方法。它们之间的关系为
EA2 Ec2
E0 对于P型Si的发射阈值是
EA1
Ev2 Ec1
Eg2
Eg1
Ev1
Cs2O
Ed1=EA1+Eg1,电子进入导带后需 要克服亲和势EA1才能逸出表面 由于表面存在n型薄层，使耗尽 区的电位下降，表面电位降低 Ed。光电子在表面受到耗尽区 电场的作用。
EAe
Si EC1 Si-CsO2光电阴极：在p型Si基 上涂一层金属Cs，经过特殊处 理而形成n型Cs2O。 Ef 在交界区形成耗尽层，耗尽区 的电位下降Ed,造成能带弯曲。
工作原理：
1.光子透过入射窗口入射在光电阴极上; 2.光电阴极上的电子受光子激发，离开表面发射到真空中;
3.光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍 增级上，倍增级将发射出比入射电子数目更多的二次电子。 入射电子经N级倍增极倍增后，光电子就放大N次； 4.经过倍增后的二次电子由阳极收集，形成阳极光电流。
A
G
Ik Ik Sk EA
V
+HV
2、阳极灵敏度
定义光电倍增管阳极输出电流Ia与入射光谱辐射通量
之比为阳极的光谱灵敏度，并记为
S a ,λ
Ia Φe, λ
若入射ห้องสมุดไป่ตู้射为白光，则定义为阳极积分灵敏度，记为Sa
Sa
Ia
0 e, λ d

10-10~10-6lm E A
G
－HV
一、真空光电管工作原理
1、结构与工作原理 真空光电管由玻壳、光电 阴极和阳极三部分组成 。
真空光电管构造示意图
光电阴极即半导体光电发射材料，涂于玻壳内壁， 受光照时，可向外发射光电子。阳极是金属环或金 属网，置于光电阴极的对面，加正的高电压，用来 收集从阴极发射出来的电子。
特点：光电阴极面积大，灵敏度较高，一般积分灵 敏度可达20～200μA/lm；暗电流小，最低可达1014A；光电发射弛豫过程极短。 缺点：真空光电管一般体积都比较大、工作电压高 达百伏到数百伏、玻壳容易破碎等
4.1.2 光电阴极材料 1、银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极
350nm,800nm
2、单碱锑化物光电阴极 金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种 化合，能形成具有稳定光电发射的发射体。最常 用的是锑化铯，其阴极灵敏度最高，广泛用于紫 外和可见光区的光电探测器中。 3、多碱锑化物光电阴极
当锑和几种碱金属形成化合物时，具有更高的响应率
第4章 光电发射器件 Photoemissive Device
真空光电器件是基于外光电效应的光电探测器。
光电管
真空光电器件 光电倍增管 特点：灵敏度高、稳定性好、响应速度快和噪声小
缺点：结构复杂，工作电压高，体积大
4.1 光电发射阴极
4.1.1 光电发射阴极的主要参数
光电发射阴极的主要特性参数为灵敏度、量子效率、 光谱响应和暗电流等。
I a Sa G I k Sk
4.3.3 暗电流
光电倍增管在无辐射作用下的阳极输出电流称为暗电
流，记为ID。光电倍增管的暗电流值在正常应用的情况下
是很小的，一般为~nA，是所有光电探测器件中暗电流最 低的器件。
影响暗电流的主要因素： 1. 欧姆漏电
欧姆漏电主要指光电倍增管的电极之间玻璃漏电、 管座漏电和灰尘漏电等。欧姆漏电通常比较稳定，对噪 声的贡献小。在低电压工作时，欧姆漏电成为暗电流的 主要部分。
Ev1
EA2
Ed E0
-
+ + +
从Si的导带底部漂移到表面Cs2O的导带底部。此时， 电子只需克服EA2就能逸出表面。对于P型Si的光电 子需克服的有效亲和势为 EAe=EA2-Ed
由于能级弯曲，使Ed>EA2,这样就形成了负电子亲 和势。 负电子亲和势阴极与正电子亲和势阴极的区别在于：
1)参与发射的电子是导带的热化电子，或称为“冷” 电子； ２)NEA阴极中导带的电子逸入真空不需作功。
此，增益G应修正为
G 1 (i )
N
对于非聚焦型光电倍增管, η1近似为90%。 ηi要高于 η1 ，但小于1；
对于聚焦型的，尤其是在阴极与第1倍增极之间具有 电子限束电极F的倍增管，其η1≈ηi ≈ 1。
倍增极的二次电子发射系数δ 可用经验公式计算，对 于锑化铯（Cs3Sb）倍增极材料有经验公式
特点：
1.高吸收，低反射性质； 2.高量子效率，50%~60%; 3.光谱响应可以达到1um以上； 4.冷电子发射光谱能量分布较集中，接近高斯分布 5.光谱响应平坦； 6.暗电流小； 7.在可见、红外区，能获得高响应度； 8.工艺复杂，售价昂贵。
4.2
真空光电管与光电倍增管的工作原理
(phototube)
V

4.3.2
电流放大倍数（增益）
电流放大倍数表征了光电倍增管的内增益特性，
它不但与倍增极材料的二次电子发射系数δ 有关，而且
与光电倍增管的级数N有关。理想光电倍增管的增益G与 电子发射系数δ 的关系为
G
N
当考虑到光电阴极发射出的电子被第1倍增极所收集，
其收集系数为η 1，且每个倍增极都存在收集系数ηi，因
A photomultiplier tube, useful for light detection of very weak signals, is a photoemissive device in which the absorption of a photon results in the emission of an electron. These detectors work by amplifying the electrons generated by a photocathode exposed to a photon flux.
Photomultipliers acquire light through a glass or quartz window that covers a photosensitive surface, called a photocathode, which then releases electrons that are multiplied by electrodes known as metal channel dynodes. At the end of the dynode chain is an anode or collection electrode. Over a very large range, the current flowing from the anode to ground is directly proportional to the photoelectron flux generated by the photocathode.
4. 场致发射 光电倍增管的工作电压高时还会引起管内电极尖端 或棱角的场强太高产生的场致发射暗电流。显然降低工 作电压场致发射暗电流也将下降。 5. 玻璃壳放电和玻璃荧光 当光电倍增管负高压使用时，金属屏蔽层与玻璃壳之 间的电场很强，尤其是金属屏蔽层与处于负高压的阴极电 场最强。在强电场下玻璃壳可能产生放电现象或出现玻璃 荧光，放电和荧光都要引起暗电流，而且还将严重破坏信 号。因此，在阴极为负高压应用时屏蔽壳与玻璃管壁之间 的距离至少为10~20mm。
2. 热发射
由于光电阴极材料的光电发射阈值较低，容易产生热 电子发射，即使在室温下也会有一定的热电子发射，并被 电子倍增系统倍增。
I d t AT 5 / 4e
qEth KT
降低光电倍增管的温度是减小热发射暗电流的有效方法。
3. 残余气体放电
光电倍增管中高速运动的电子会使管中的残余气体电 离，产生正离子和光子，它们也将被倍增，形成暗电流。 这种效应在工作电压高时特别严重，使倍增管工作不稳定。
Se, λ hc 1240Se, λ Ik / q λ Φe, λ / h q
3. 光谱响应
光电发射阴极的光谱响应特性用光谱响应特性曲线
描述。光电发射阴极的光谱灵敏度或量子效率与入射辐
射波长的关系曲线称为光谱响应。
4. 暗电流
光电发射阴极中少数处于较高能级的电子在室温下 获得了热能产生热电子发射，形成暗电流。光电发射阴 极的暗电流与材料的光电发射阈值有关。一般光电发射 阴极的暗电流极低，其强度相当于10-16~10-18Acm-2的电 流密度。
铜-铍合金（铍的含量为2%）材料也具有二次电子发射 功能，不过它的发射系数δ比银镁合金更低些。
新发展起来的负电子亲和势材料GaP[Cs]，具有更高 的二次电子发射功能，在电压为1000V时，倍增系数可大 于50或高达200。
（2） 倍增极结构
光电倍增管按倍增极结构可分为聚焦型与非聚焦型 两种。非聚焦型光电倍增管有百叶窗型（图4-4（a）） 与盒栅式（图4-4（b））两种结构；聚焦型有瓦片静电 聚焦型（图4-4（c））和圆形鼠笼式（图4-4（d））两种 结构。
4.3
1、阴极灵敏度
光电倍增管的基本特性
4.3.1 灵敏度
定义光电倍增管阴极电流Ik与入射光谱辐射通量之比 为阴极的光谱灵敏度，并记为
S k ,λ
Ik Φe, λ
若入射辐射为白光，则以阴极积分灵敏度，IK与光谱 辐射通量的积分之比，记为Sk
Sk Ik
0 e, λ d

10-5~10-2lm E
锑铯(Cs3Sb)光电阴 极是最常用的，量子效率 很高的光电阴极。长波限 约为650nm，对红外不灵 敏。锑铯阴极的峰值量子 效率较高，一般高达 20%~30%，比银氧铯光电 阴极高30多倍。两种或三 种碱金属与锑化合形成多 碱锑化物光阴极。其量子
效率峰值可高达30% 。
4、负电子亲和势光电阴极