哈工大半导体物理上课例题
半导体物理习题讲课稿
半导体物理习题附： 半导体物理习题第一章 晶体结构1. 指出下述各种结构是不是布拉伐格子。
如果是，请给出三个原基矢量；如果不是，请找出相应的布拉伐格子和尽可能小的基元。
（1） 底心立方（在立方单胞水平表面的中心有附加点的简立方）； （2） 侧面心立方（在立方单胞垂直表面的中心有附加点的简立方）； （3） 边心立方（在最近邻连线的中点有附加点的简立方）。
2. 证明体心立方格子和面心立方格子互为正、倒格子。
3. 在如图1所示的二维布拉伐格子中，以格点O 为原点，任意选取两组原基矢量，写出格点A 和B 的晶格矢量A R 和B R 。
4. 以基矢量为坐标轴（以晶格常数a 为度量单位，如图2），在闪锌矿结构的一个立方单胞中，写出各原子的坐标。
5.石墨有许多原子层，每层是由类似于蜂巢的六角形原子环组成，使每个原子有距离为a的三个近邻原子。
试证明在最小的晶胞中有两个原子，并画出正格子和倒格子。
第二章晶格振动和晶格缺陷1.质量为m和M的两种原子组成如图3所示的一维复式格子。
假设相邻原子间的弹性力常数都是β，试求出振动频谱。
2.设有一个一维原子链，原子质量均为m，其平衡位置如图4所示。
如果只考虑相邻原子间的相互作用，试在简谐近似下，求出振动频率ω与波矢q之间的函数关系。
3.若把聚乙烯链—CH=CH—CH=CH—看作是具有全同质量m、但力常数是以1β，2β交替变换的一维链，链的重复距离为a，试证明该一维链振动的特征频率为}])(2sin41[1{2/1221221212ββββββω+-±+=qam并画出色散曲线。
第三章 半导体中的电子状态1. 设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近的能量)(k E c 为mk k m k k E c 21222)(3)(-+=ηη（3.1）价带极大值附近的能量)(k E v 为mk m k k E v 2221236)(ηη-=（3.2）式中m 为电子质量，14.3,/1==a a k πÅ。
半导体物理历年真题参考答案---bySYP哈工大半导体考研真题
14)简并半导体：当杂质浓度足够高时，费米能级接近导带底甚至进入导带(N型)或者接近价带甚至进入价带的情况(P型)．说明导带底附近的量子态基本被电子占据，价带顶附近基本被空穴占据，这种情况玻尔兹曼分布来近似已不适合，必须用费米分布函数来分析能带中的载流子统计分布问题，称之为载流子的简并化，这时半导体称为简并半导体．
33)表面复合：半导体表面处杂质和表面特有的缺陷（表面态或界面态）在禁带中形成复合中心（也称为表面能级），通过这种复合中心在半导体表面发生复合的过程，称为表面复合，它是一种间接复合。
34)表面复合率：半导体表面复合过程中单位时间内通过单位表面积上复合掉的电子-空穴对数，称为表面复合率。实验证明，表面复合率US=s·（Δp）S.
19)载流子：能够荷载电流的粒子称为载流子，在半导体里有电子和空穴两种载流子。
20)热载流子：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子平均能量比热平衡时大，因而载流子能量大于晶格系统能量，载流子和晶格系统不再处于热平衡状态，称此状态下的载流子为热载流子。
21)准费米能级：在热平衡情况下可以用统一的费米能级EF描述半导体中电子在能级之间的分布.当有非平衡载流子存在时,不再存在统一的费米能级. 在这种情况下,处于非平衡状态的电子系统和空穴系统, 费米能级和统计分布函数仍适用，可以定义各自的费米能级,称为准费米能级，它们都是局部的费米能级，包括导带准费米能级和价带准费米能级.
53)扩散长度：表示半导体中载流子边扩散边复合的过程中，载流子浓度减小至原值的1/e的距离，有空穴扩散长度Lp和电子扩散长度Ln。
半导体物理习题答案
半导体物理习题答案半导体物理是固体物理的一个重要分支，它研究的是半导体材料的物理性质及其在电子器件中的应用。
以下是一些常见的半导体物理习题及其答案。
习题一：半导体的能带结构问题：简述半导体的能带结构，并解释价带、导带和禁带的概念。
答案：半导体的能带结构由价带和导带组成，两者之间存在一个能量间隔，称为禁带。
价带是半导体中电子能量最低的能带，当电子处于价带时，它们是被束缚在原子周围的。
导带是电子能量最高的能带，电子在导带中可以自由移动。
禁带是价带顶部和导带底部之间的能量区间，在这个区间内不存在允许电子存在的能级。
半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要因为其禁带宽度较小，电子容易从价带激发到导带。
习题二：PN结的形成与特性问题：解释PN结的形成过程，并描述其正向和反向偏置特性。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的结构。
P型半导体中存在空穴，而N型半导体中存在自由电子。
当P型和N型半导体接触时，由于扩散作用，P型中的空穴会向N型扩散，而N型中的电子会向P型扩散。
这种扩散导致在接触区域形成一个耗尽层，其中电子和空穴复合，留下固定电荷，形成内建电场。
正向偏置时，外加电压使内建电场减弱，允许更多的电子和空穴通过PN结，从而增加电流。
反向偏置时，外加电压增强了内建电场，阻碍了电子和空穴的流动，导致电流非常小。
习题三：霍尔效应问题：描述霍尔效应的基本原理，并解释霍尔电压的产生。
答案：霍尔效应是指在垂直于电流方向的磁场作用下，载流子受到洛伦兹力的作用，导致电荷在样品一侧积累，从而在垂直于电流和磁场方向上产生一个横向电压差，即霍尔电压。
霍尔效应的发现为研究材料的载流子类型和浓度提供了一种有效的方法。
霍尔电压的大小与电流、磁场强度以及材料的载流子浓度有关。
习题四：半导体的掺杂问题：解释半导体掺杂的目的和方法，并举例说明。
答案：半导体掺杂的目的是为了改变半导体的导电性能。
通过在纯净的半导体中掺入微量的杂质原子，可以增加或减少半导体中的载流子数量。
哈工大半导体物理上课例题.
某P型半导体掺杂浓度NA=1016/cm3， 少子寿命 p 10 s，在均匀光的照射 下产生非平衡载流子，其产生率 g=1018/cm2· s，试计算室温时光照情 况下的费米能级并和原来无光照时 的费米能级比较，设本征载流子浓 度ni=1010/cm3。
• 掺施主浓度Nd= 1015/cm3的n型硅，室 温下光稳定照射产生非平衡载流子浓 度为△n=△p= 1014/cm3，光照突然撤 销后，经过20μs，假如非平衡空穴准 费米能级的位置偏离平衡态时的费米 能级为0.3eV，求n型材料寿命。
证明非简并的非均匀半导体中的电子
dE J n n dx
n F
电流形式为
• 设一均匀的n型Si样品，在左半部用一 稳定的光照射，均匀产生电子-空穴对， 产生率为g0，若样品足够长，试求稳 态时样品两边的空穴浓度分布。
现有一块均匀的n型硅材料，在t=0 以前进行长时间均匀光照，到t=0时 光照突然去掉，假如光照后样品产 生均匀的电子-空穴对，其产生率为 G0。求在低注入条件下t=0以前和 t=0以后全部时间电子和空穴浓度。
A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2
• 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于 禁带中央，则它对电子的俘获率（ B ）空穴的 俘获率，它是（ D ）。
A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的复 合中心； E. 有效陷阱
• 小注入下的直接复合，N型半导体的非平衡 载流子的寿命与（ F ）；间接复合为主时， 强0成正比； E. Δ p成反比； F. n0成反比。 G. 复合中心浓度成正比； H. 复合中心浓度成反比；
• 最有效的陷阱能级在（ C ），最有效的复 合中心能级在（ A ）
湖北工业大学半导体物理课程试卷
湖北工业大学半导体物理课程试卷一、选择填空（含多选题）（30分）1、与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）；A、比半导体的大，B、比半导体的小，C、与半导体的相等。
2、室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷，则电子浓度约为（），空穴浓度为（），费米能级为（）；将该半导体由室温度升至570K，则多子浓度约为（），少子浓度为（），费米能级为（）。
（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，570K 时，ni≈2×117cm-3）A.1014cm-3B.1015cm-3C、1.1×1015cm-3D、2.25×103、施主杂质电离后向半导体提供（），受主杂质电离后向半导体提供（），本征激发后向半导体提供（）；A、空穴，B、电子。
4、对于一定的p型半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（），本征流子浓度（），A、增加，B、不变，C、减少。
5、对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei；A、Ec，B、Ev，C、Eg，D、EF。
6、热平衡时，半导体中的电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与（）有关，而与（）无关；A、杂质浓度B、杂质类型C、禁带宽度，D、温度。
7、当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍；A、1，B、1/2，C、1/3，D、1/4。
8、最有效的复合中心能级位置在（）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，A、EA，B、ED，C、EF，D、EiE、少子F、多子。
9、载流子的扩散运动产生（）电流，漂移运动产生（）电流。
A、漂移B、隧道C、扩散10、MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。
A、相同B、不同C、增加D、减少二、证明题：（15分）p型半导体的费米能级在n型半导体的费米能级之下。
半导体物理课后习题解答
半导体物理习题解答1－1．（P 32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c （k ）和价带极大值附近能量E v （k ）分别为：E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h －0223m k h ；m 0为电子惯性质量，k 1＝1/2a ；a ＝0.314nm 。
试求： ①禁带宽度；②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量；④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
[解] ①禁带宽度Eg根据dk k dEc )(＝0232m kh ＋012)(2m k k h -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值：k min ＝143k ，由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min =2104k m h ； 由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0；并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝02126m k h ；∴Eg ＝E min －E max ＝021212m k h ＝20248a m h ＝112828227106.1)1014.3(101.948)1062.6(----⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯＝0.64eV ②导带底电子有效质量m n0202022382322m h m h m h dk E d C =+=；∴ m n ＝022283/m dk E d h C= ③价带顶电子有效质量m ’2226m h dk E d V -=，∴0222'61/m dk E d h m Vn -== ④准动量的改变量h △k ＝h (k min -k max )= ah k h 83431=[毕]1－2．（P 33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
[解] 设电场强度为E ，∵F =hdtdk=q E （取绝对值） ∴dt =qE h dk∴t=⎰tdt 0=⎰a qE h 21dk =aqE h 21代入数据得： t ＝E⨯⨯⨯⨯⨯⨯--1019-34105.2106.121062.6＝E 6103.8-⨯（s ）当E ＝102 V/m 时，t ＝8.3×10－8（s ）；E ＝107V/m 时，t ＝8.3×10－13（s ）。
半导体物理经典例题讲解
第一章 半导体中的电子状态例1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。
即：v(k )= －v(－k )，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。
思路与解：K 状态电子的速度为：1()()()()[]x y zE k E k E k v k i j k h k k k ∂∂∂=++∂∂∂ （1）同理，－K 状态电子的速度则为：1()()()()[]x y zE k E k E k v k i j k h k k k ∂-∂-∂--=++∂∂∂ （2）从一维情况容易看出：()()x x E k E k k k ∂-∂=-∂∂ （3）同理有：()()y yE k E k k k ∂-∂=-∂∂ （4）()()zz E k E k k k ∂-∂=-∂∂ （5） 将式（3）（4）（5）代入式（2）后得：1()()()()[]x y zE k E k E k v k i j k h k k k ∂∂∂-=-++∂∂∂ （6）利用（1）式即得：v(－k )= －v(k )因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即： E(k)=E(－k)故电子占有k 状态和-k 状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)，故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。
评析：该题从晶体中作共有化运动电子的平均漂移速度与能量E 的关系以及相同能量状态电子占有的机率相同出发，证明K 状态和-K 状态的电子速度大小相等，方向相反，以及无电场时，晶体总电流为零。
例2. 已知一维晶体的电子能带可写成：2271()(cos 2cos6)88h E k ka ka m a ππ=-+式中，a 为晶格常数。
试求：（1） 能带的宽度；（2） 能带底部和顶部电子的有效质量。
思路与解：（1）由E(k)关系得：223(2sin 2sin 6)4dE h ka ka dk m a πππ=-＝231(3sin 2sin 2)4h ka ka m a πππ- （1）222221(18sin 2cos 2cos 2)2d E h ka ka ka dk m ππππ=- （2）令 0dE dk = 得：21sin 212ka π=1211cos 2()12ka π∴=±当cos 2ka π=2）得：222211(18)0121221212d E h dk m m π=⨯⨯-⨯=>对应E(k)的极小值。
半导体物理 习题2和习题3答案
（3）
d 2 Ev (k ) 6h 2 =− 2 k m0
，
3 hk =h(kmin −kmax) = hk1 =7.9×10−25kg⋅m/ s （4） 4
2. 点阵常数为0.25nm的一维晶体，当外 加102 V / m ， 7 V / m 的电场时，试分别计算电 10 子自能带底运动到能带顶所需的时间。 dk dk =q E 由准动量定理 F = h d t 得，h
mn* E0 13.6 ∆ED = ⋅ 2 = 0.015× 2 = 7.06×10−4eV ii) m0 εr 17
o h2 m0 1 r= ( * )ε r = 0.53× ×17 = 600.67 A 2 mee mn 0.015
2. 磷化镓的禁带宽度 Eg = 2.26eV ，相对介电 * m ε r = 11.1 ，电子的有效质量 mp = 0.86m0 ，0 常数 为电子的惯性质量，求i）施主杂质电离能； ii）受主弱束缚空穴基态轨道半径。 i) ∆E = m ⋅ E = 0.86× 13.6 = 9.49×10 eV
(1)由 小值时
dEc (k) 2h2k 2h2 (k − k1) = + =0 k 3m0 m0
k min
3 = k1 4
可以得出，当 Ec (k) 取最 ， E = E (k) = h k
2 2 1 min c k=kmin
4m0
同理由
E m ax
dEv (k ) 6h 2 k =− =0 k m0
半导体物理习题 课
1.设点阵常数为a的一维晶体，导带极小值附 近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k) 分别为 E ( k ) = h k + h ( k − k ) 3m m 和 h k 3h k
半导体物理习题与问题
第一章半导体中的电子状态例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。
即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。
解：K状态电子的速度为：（1）同理，－K状态电子的速度则为：（2）从一维情况容易看出：（3）同理有：（4）（5）将式（3）（4）（5）代入式（2）后得：（6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。
例2.已知一维晶体的电子能带可写成：式中，a为晶格常数。
试求：（1）能带的宽度；（2）能带底部和顶部电子的有效质量。
解：（1）由E(k)关系（1）（2）令得：当时，代入（2）得：对应E(k)的极小值。
当时，代入（2）得：对应E(k)的极大值。
根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。
故：能带宽度（3）能带底部和顶部电子的有效质量：习题与思考题：1 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。
2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
3 试指出空穴的主要特征。
4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。
求：（1）能带宽度；（2）能带底和能带顶的有效质量。
6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性？9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为什么？10有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。
哈尔滨工业大学 半导体物理 真题 荟萃
1．说明下列名词或概念：（20分）
（1）状态密度（6）表面态
（2）复合中心（7）半导体功函数
（3）施主与受主杂质（8）热载流子
（4）简并半导体（9）直接和间接带隙式半导体
（5）异质结（10）准费米能级
2．画出零偏、正偏和反偏下，p-n结的能带图。（10分）
1．布里渊区6.高度补偿半导体
2.光生伏特效应7.状态密度
3.本征吸收8.消光系数
4.间接带隙式半导体9.表面复合率
5.准费密能级10.光电导增益
二、分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响(30分)。
三、在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出空穴的爱因斯坦关系式（30分）
四、画出理想p-n结和硅p-n结的电流电压曲线（15分），并根据曲线的差异简述硅p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素（15分）
十一、解释下列名词或概念（30分）：
1．有效质量6.空穴
2.复合中心7.表面复合速度
3.载流子散射8.光生电动势
4.简并半导体9.表面态
5.少子寿命10.表面强反型状态
二、画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化曲线(10分),并解释其变化规律(20分)。
三、用能带论解释金属、半导体和绝缘体的导电性（30分）。
3．如图所示，有一均匀掺杂的n型半导体，在稳定光照下，体内均匀地产生非平衡载流子，产生率为gP，寿命为τP,仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为SP，载流子的扩散长度为LP，试确定非平衡载流子分布。（20分）
4．试画出理想硅p+-n栅控二极管反向电流IR随栅压VG的变化曲线，说明不同栅压范围内反向电流IR的构成。若SiO2层中存在Na+,曲线如何变化？若Si-SiO2存在界面态，曲线将如何变化？（20分）
哈工大--课件半导体物理(第二章)模板
故
ED
mn* m0
E0
2 r
0.1213.6 0.00637eV 162
对于Si，ml＝0.98m0 , mt =0.19m0, r =12 代入可得mn* 0.26m0
故
ED
mn* m0
E0
2 r
பைடு நூலகம்
0.26 13.6 122
0.025eV
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.3 杂质的补偿作用
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.4 深能级杂质
深能级的形成
Ⅵ族杂质.多于两个价电子被两个正电荷的杂质中心束缚， 类似于一个氦原子，其每个电子平均受到大于一电子电荷 的正电中心的作用，从而深能级杂质的电离能比浅能级杂 质要大。在电离出一个电子后，带有两个正电荷的杂质中 心使第二个电子电离需要更大能量，对应更深的能级，所 以Ⅵ族杂质在硅锗中一般产生两重施主能级，如锗中的硒、 碲。
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.1 硅锗晶体中的杂质能级
浅能级杂质：电离能小的杂质称为浅能级杂质。
所谓浅能级，是指施主能级靠近导带底，受主 能级靠近价带顶。
室温下，掺杂浓度不很高的情况下，浅能级杂 质几乎可以可以全部电离。五价元素磷（P）、 锑（Sb）在硅、锗中是浅受主杂质，三价元 素硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In） 在硅、锗中为浅受主杂质。
杂质补偿：半导体中存在施主杂质和受 主杂质时，它们的共同作用会使载流子 减少，这种作用称为杂质补偿。在制造 半导体器件的过程中，通过采用杂质补 偿的方法来改变半导体某个区域的导电 类型或电阻率。
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.3 杂质的补偿作用
1）ND NA ： 受主能级低于施主能级，剩余杂质 ND NA
哈工大微电子器件课堂问题
课后思考题 第 4章 1、试结合图2－15c、d说明，随着注入水平提高，基区中发射结侧边界 少子浓度提高，而大注入时基区少子浓度梯度下降之间的统一性。 2、特大注入时，基区边界少子浓度是否还满足小注入时与电压的关系？为什么？ 第 5章 1、如何理解晶体管的反向运用？ 2、饱和状态时，晶体管中电流、电压和载流子是怎样的？ 3、晶体管开关特性与频率特性对晶体管有哪些共同的要求？ 第 6章 1. JFET漏源击穿的实质是什么？
8. 在大功率晶体管中采用发射极镇流电阻有何作用和影响？
9. 通常形成镇流电阻的方式有哪些？
11月3日
1. 晶体管开关特性研究哪些问题？
2. 二极管作为开关与理想开关有何差别？ 3. 什么是电荷贮存效应？ 4. 什么是二极管的反向恢复时间？ 5. 处于饱和区的晶体管有何特点？
6. 晶体管开关过程可以分为哪几个阶段？
9月18日
1. p-n结是什么？
2. p-n结空间电荷区是如何形成的？p-n结空间电荷区自建电场是
如何建立起来的？ 3. 根据不同制造工艺，p-n结的杂质分布有哪几种典型情况？
4. 什么是导带？什么是价带？费米能级有何物理意义？
5. 什么是平衡p-n结？什么是p-n结平衡状态？ 6. 平衡p-n结的能带图是怎样的？有何特点？
月 日
1. 什么是MOSFET的阈值电压？ 2. 什么是强反型状态？MOS结构还有什么状态？ 3. MOS结构强反型时有哪些电荷？ 4. 如何理解“场感应结”？ 5. 理想MOS结构的阈值电压是怎样的？如何理解？ 6. 实际MOS结构的阈值电压是怎样的？如何理解？ 7. 哪些因素如何影响MOSFET的阈值电压？
第7章
1. 短沟MOSFET中载流子速度饱和后，漏压继续增大会怎样？
半导体物理学试题库完整(2020年九月整理).doc
一．填空题1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。
（二阶导数.内部势场）2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。
（状态密度.费米分布函数）3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。
（正.相等）4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。
（[100]. 间接带隙）5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。
（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷）6．在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。
（1/2.1/1+exp(2)）7．从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。
（间接带隙.直接带隙）8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。
（玻尔兹曼分布.费米分布）9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。
（温度.禁带宽度）10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。
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A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2
• 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于 禁带中央，则它对电子的俘获率（ B）空穴的 俘获率，它是（ D ）。
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某P型半导体掺杂浓度NA=1016/cm3， 少子寿命 p 10s，在均匀光的照射 下产生非平衡载流子，其产生率 g=1018/cm2·s，试计算室温时光照情 况下的费米能级并和原来无光照时 的费米能级比较，设本征载流子浓 度ni=1010/cm3。
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• 掺施主浓度Nd= 1015/cm3的n型硅，室 温下光稳定照射产生非平衡载流子浓 度为△n=△p= 1014/cm3，光照突然撤 销后，经过20μs，假如非平衡空穴准 费米能级的位置偏离平衡态时的费米 能级为0.3eV，求n型材料寿命。
A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的复 合中心； E. 有效陷阱
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• 小注入下的直接复合，N型半导体的非平衡 载流子的寿命与（ F ）；间接复合为主时， 强P型半导体的少子寿命与（ H ）
C. Δn成正比；
D.ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ0成正比；
E. Δp成反比；
F. n0成反比。
G. 复合中心浓度成正比； H. 复合中心浓度成反比；
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证明非简并的非均匀半导体中的电子
电流形式为
J
nn
dE
n F
dx
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• 设一均匀的n型Si样品，在左半部用一 稳定的光照射，均匀产生电子-空穴对， 产生率为g0，若样品足够长，试求稳 态时样品两边的空穴浓度分布。
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现有一块均匀的n型硅材料，在t=0 以前进行长时间均匀光照，到t=0时 光照突然去掉，假如光照后样品产 生均匀的电子-空穴对，其产生率为 G0。求在低注入条件下t=0以前和 t=0以后全部时间电子和空穴浓度。
• 最有效的陷阱能级在（ C ），最有效的复 合中心能级在（ A ）
A、Ei； B、Et； C、EF， D、 Ec； E、Ev
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• 某n型半导体硅，其掺杂浓度 Nd=1015/cm3, 少子寿命 p 5 s,若由于外 界作用，使其少数载流子全部被清除， 试求此时电子-空穴对的产生率是多大？ 设ni=1.5×1010/cm3.
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