模拟电子技术B卷2014-2015(1)答案
模拟电子技术ⅡB习题答案及评分标准
(模拟电子技术Ⅱ)课程考试试卷(B)卷 考试时间 120分钟，满分100分要求：闭卷[√ ]，开卷[ ]；答题纸上答题[√]，卷面上答题[ ] (填入√)一、填空（20分）1．PN 结加反向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．当晶体管工作在放大区时，发射结电压 偏，集电结电压应为 偏。
3．工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到32μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。
4．在本征半导体中加入五价元素，形成N 型半导体，其多数载流子为： 。
5．放大电路的静态分析通常使用的两种方法是 、 。
6．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
7．差分放大电路主要用来抑制 。
8．振荡电路一般有三种，分别是： 、 、 。
9．互补对称式功率放大电路中，根据静态工作点的设置不同，电路可以处在甲类、乙类和甲乙类，则甲类功放电路缺点是： ，乙类功放电路的缺点是： ，甲乙类功放电路的优点是： 。
10．整流的作用是将 电转换成 电。
11．集成运放理想化的三个条件是： 、 、 。
二、（10分）如图示，tV u V E i ωsin 105==，，二极管正向压降忽略，画出输出电压uo 的波形。
（第二题图）三、（15分）电路如图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的Au 和Ri 及Ro 。
四、（10分）已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Au f ＝20，其基本放大电路的电压放大倍数Au 的相对变化率为10％，Au f 的相对变化率小于0.1％，试问F 和Au 各为多少？（第四题图） （第五题图）五、（10分）判断如图的电路为什么类型的负反馈？六、（10分）求如图输出U O 与输入U I2、U I2之间的关系。
（第六题图） （第七题图）七、（10分）计算如图中的阈值电压，并画出电压传输特性。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术试题库与答案
模拟电子技术试题库与答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
A、三价；B、六价。
C、四价；D、五价；正确答案：A2.集成运放工作在非线性应用电路时，（）的概念不再适用。
A、基准B、虚短C、虚断D、虚地正确答案：B3.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、仍为正弦波。
B、等腰三角波；C、矩形方波；D、正弦半波；正确答案：D4.差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。
A、正确;B、错误正确答案：A5.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。
（）A、错B、对:正确答案：A6.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。
正确答案：B7.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
正确答案：A8.场效应管正常工作时，电路中的电流是由（）构成的。
A、多子B、自由电子载流子C、少子D、空穴载流子正确答案：A9.若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：B10.绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A、为零;B、较小;C、无法判断。
D、较大;正确答案：A11.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
()A、正确;B、错误正确答案：B12.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。
A、四价B、三价C、五价正确答案：B13.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。
A、虚短和虚地B、虚断和虚地C、线性和非线性D、虚短和虚断正确答案：D14.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。
2014电子技术专业英语期末试题B卷LEO
广州工程技术职业学院机电工程（系）院 （2014—2015学年 第一学期） 《电子技术专业英语》期末考试试卷 B 卷共4页 2014年12月 考试形式：□开卷 √闭卷 考试时间：120分钟I. Multiplechoice(20’)1. The sixth power of two is .A. 12B. 36C. 642. Electrons, as one knows, are minute charge of electricity.A. negativeB. positiveC. reverse3. A resistor is an electrical component that the flow of electrical current.A. increasesB. resistsC. changes4. “The current is directly proportional to the voltages across it.” These can be described by formula _______.A. I=u/RB. p=u*IC. I=q/t5. The algebraic sum of the ________ entering any node is zero.A. currentB. reactanceC. voltage6. The conductivity of semiconductors is ______ than that of insulator but ________ than that of conductors.A. lower…lowerB. lower…higherC. higher….lower7. For a 4-band resistor with “color code ”, the first band is the values.A. hundredsB. tensC. ten8. An electronic device often used for amplifying voltage and current is _____________.A. diodeB. conductorC. transistor9. In a diode, current flows in ________ direction across the junction.A. only oneB. twoC. three班级___________ 姓名___________ 学号_____________--------------------------------------------------------------装订线------------------------------------------------10. A __________ amplifier provides signal amplification with little or no distortion, so that the output is proportional to the input.A. nonlinearB. linearC. electronicII. Match up(20’)1.模拟电子技术（）2.直流电路（）3.电子元件（）4.机械调节（）5.外阻（）6.放大器（）7.脉冲直流（）8.电压源（）9.系统设计（）10.逻辑运算（）（1）internal resistance （2）pulsating DC （3）voltage sources（4）logic circuits （5）analog electronics （6）logic operation（7）external resistance （8）number systems （9）direct current circuits （10）amplifier （11）mechanical adjust （12）digital logic circuits（13）system design （14）anode of diode （15）electrical componentsIII. phrase translation(20’)1. Passive electrical circuits2. Assembler language3. Specific meters4. Analog multimeter5. Semiconductor material6. Forward biased7. peak-to-peak voltage8. under this circumstance9. demodulating equipment10. Ohm's lawIV. Sentence tranlation(20’)1. The amount of current (I) flowing in a resistor is directly proportional to the voltage across it and inversely proportional to the resistance of the resistor.2. A multimeter is a general-purpose meter capable of measuring DC and AC voltage, current, resistance, and in some cases, decibels.3. The motherboard is the main circuit board inside the PC which holds the processor, memory and expansion slots and connects directly or indirectly to every part of the PC（Fig 9.1）.4. Moore's law, which predicted that the number of devices integrated on a chip would be doubled every two years, was accurate for a number of years.V. put the following into english(20’)C is commonly considered to be a structured language with some similarities to Pascal. In C, a block of code is a logically connected group of program statements that can be treated as a unit. You can create a block of code by placing lines of code between opening and closing curly braces. For example:if(x<10){printf (“too low, try again”);reset_counter(-1);}The two statements after "if" that are between the curly braces are executed if x is less than 10. These two statements with the braces represent a block of code. They are linked together: one of the statements cannot execute without the other also executing.。
电力电子B试卷带答案
******************882014－2015 学年第一学期 出题教师：【电力电子技术】课程 试题 (B 卷) 【闭卷考试】姓名 学号 专业及班级本试卷共有4道大题一、填空题（共20分，每空1分，共11道小题）1. 电力变换通常可以分为四大类，即交流变直流（AC-AC 、整流）、直流变交流（DC-AC 、逆变）、交流变交流（AC-AC ）和直流变直流（DC-DC ）。
2.按照载流子参与导电的情况，电力电子器件分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。
3.电力二极管的工作特性是由其主要构成PN 结的单向导电性质来决定的。
4. 晶闸管有阳极A 、阴极K 和门极（控制端）G 三个联接端。
5. 按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，阻感性负载和反电动势负载三大类。
6. 要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用 双脉冲 触发；二是用 宽脉冲 触发。
7.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E 时（变压器二次侧电压有效值为U 2，忽略主电路各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。
停止导电(角) 8.在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
9.为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电 路种类很多，但归纳起来可分为零电压电路与零电流电路两大类。
10.逆变电路中，当交流侧接在电网上时称为有源逆变；当交流侧直接和负载连接时称为无源逆变。
11.逆变电路根据直流侧电源性质的不同分为两种：直流侧是电压源的称为电压型逆变电路；直流侧是电流源的称为电流型逆变电路。
二、选择题（满分20分，每小题2分，共10道小题）1.电力二极管属于 A 。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件2．电力电子器件不具有的特征有 B 。
A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在放大状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器3. 晶闸管内部有 C 个PN结。
模拟电子技术+试题(B)参考答案及评分标准
反馈组态为：电压并联负反馈（无详细分析过程，可得 4 分） 根据虚短、虚断: if ii ， vo 得：
- if Rf
2分 1分
Arf
Avsf
vo vo Rf ii if
R vo v o f vs if Rs Rs
1分
3
(1) VB
RB 2 VCC 2.8V RB1 RB 2
VB VBE 2mA RE1 RE 2
2分
IC I E
2分 2分
IB
IC
=20uA
1分
VCE VCC I C ( RC RE1 RE 2 ) 3.3V
(2) 小信号模型： （3 分）
常熟理工学院试题参考答案及评分标准 准
2
2分 2分 2分
（b）由题意可知，D2 导通，D1 截止，Vo1=（-3+0.7）=-2.3V。 5、 （本小题 10 分）
4分
解：级间反馈电阻为 Rf，输入端为电流叠加，故为并联反馈； 由瞬时极性关系，为负反馈； 因反馈量： i f
2分 2分
vB - vo ，由输出短路法可知为电压反馈； 2 分 Rf
2 0.2 VCC 6.4W 2 RL
3分
（2）晶体管的最大功耗 （能说明最大功率原理给 2 分）
PTmax 0.2 PoM
3、 （本小题 10 分）
3分
解:
由叠加原理及虚短得： 3分 3分
VP
R3 R2 R1 us1 us 2 VN u0 R2 R3 R2 R3 R1 R f
所以， u0
R1 R f R1 ( R2 R3 )
( R3us1 R2us 2 )
模拟电子技术复习题及答案
模拟电子技术复习题及答案集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#一、填空题：1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流子：电子和空穴。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N 型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。
当把P 型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截止区、放大区区和饱和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。
当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体，加入 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数提高；负反馈使放大倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点，交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保持稳定，因而增大了输出电阻。
模拟电子技术及应用 习题解答资料
习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。
答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。
利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。
若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。
利用这个特性，可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N 区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。
这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。
内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。
因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。
当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。
由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。
模拟电子技术B卷2010-2011(1)答案
重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷2010 ~2011学年第 1 学期 开课学院：电气工程学院 课程号：15012335 考试日期：考试方式：考试时间： 120 分钟一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题， 每小题2分，共20分)1．A 2．A 3．D 4．A 5．C 6．C 7．C 8．A 9．A 10．D 二、（20分）解： 1.VI R R V V mAA I I AR R V V I C E C CC CE B C E B BE cc B 2.11885.0)152.6(30)(2885.085.810085.8151011007.015)1(11=⨯+-=+-==⨯===⨯+-=++-=μβμβ (6分)2. 略。
（5分）3. 16.62.68.32)//)1(//(35.6//)1(//27.326)1(2121'-=+=Ω=Ω=++=-=++-=Ω=++=u is ius o E E be B i E E be LC u Ebb be A R R R A k R k R R r R R R R r R R A k I m Vr r ββββ （6分）4. {}V R R R R R R R R I U U V CL E E CL C L CQ CES CEQomm 4.2////////),(min 21=+⋅-= (3分)三、(15分) 解：1． A 1组成反相比例电路，A 2组成单门限比较器，A 3组成电压跟随器；（3分） 2． A 1和A 3工作在线性区，A 2工作在非线性区； （3分） 3． v O1 = -10V ，v O2 = 12V ，v O3 = 6V 。
（9分）四、(10分) 解：V V R R R V V V R R R V VR R R V VV R R R VV OL th OH th Z OLZ OH 3)32(23)32(29)32(37.09)32(37.0-=+==+=-=++-==++=-+ （8分）（2分）五、(15分) 解：（1）最大不失真输出电压最大值V 235.12)(CES CC L4Lomm ≈-⋅+=V V R R R V最大不失真输出电压有效值V 65.82)(CES CC L4Lom ≈-⋅+=V V R R R V传输特性命题人：申利平组题人：审题人： 唐治德命题时间：教务处制学院 专业、班 年级 学号 姓名公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊封线密（2）负载电流最大值 A 53.1L4CESCC Lmax ≈+-=R R V V i（3）最大输出功率和效率分别为%644πW35.92CC4CES CC L2ommom ≈--⋅=≈=V V V V R V P R η六、(10分) 解：（1）根据起振条件22'W 'W f ＞，＞R R R R +k Ω。
2014-2015学年第一学期《模拟电子》(本)复习题.
2014-2015学年第一学期《模拟电子技术》期末考核参考复习题适用于2013级（本）自动化、电气自动化、电子信息工程专业一、填空题1、在本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（ N ）型半导体，其多数载流子是（自由电子 ）；若掺入微量的三价元素，则形成（ P ）型半导体，其多数载流子是（ 空穴 ）。
2、PN 结在（ 正偏 ）时导通，（ 反偏 ）时截止，这种特性称为（ 单向导电 ）性。
3、晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结（ 正偏导通 ），集电结（ 反偏 ）4、某晶体管工作在放大区，如果基极电流从uA 10变化到uA 20，集电极电流从mA 1变化到mA 99.1，则交流电流放大系数=β（ 99 ）5、如图：，它是（ NPN ）（填NPN 还是PNP)，其电流放大系数β=（ 49）6、场效应管从结构上可分为（MOS ）和（ 结型 ）；根据导电沟道的不同又可分为（ P 沟道）和（ N 沟道）；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为（耗尽型 ）和（ 增强型 ）7、场效应管的转移特性曲线如图：，画出该场效应管的符号：（ MOS ，N 沟道,耗尽型 ）8、共集电极放大电路的特点是输出电压与输入电压（ 同 ）相，电压放大倍数近似为（ 1 ），输入电阻（ 大 ），输出电阻 （ 小）9、差分放大电路对（ 差模 ）输入信号具有良好的放大作用，对（ 共模 ）输入信号具有很强的抑制作用。
10、在单管共射放大电路中，如果静态工作点设置过高，则容易出现（ 饱和）失真。
（填截止或饱和）11、在晶体管乙类互补对称功率放大电路中，采用双电源供电的电路称为（ OCL ）电路，采用单电源供电的电路称为（ OTL ）电路。
12、两级放大电路中，第一级的电压增益为40dB ，第二级的电压放大倍数为10倍，则两级总电压的放大倍数为（1000 ）13、反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则为（电压 ）反馈。
《模拟电子技术》期末复习 全书课后习题+参考答案
晶体二极管及应用电路1 图（a）和图（b）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v的波形。
2在T=300K时，某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。
图P1-23在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：I=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
（1）若反向饱和电流10S（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。
1 图（a ）和图（b ）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v 的波形。
[解]图P1-8输入正半周时，D 1导通，D 2截止。
输入正半周时，D 1D 3导通，D 2D 4截止。
输入负半周时，D 2导通，D 1截止。
输入负半周时，D 2D 4导通，D 1D 3截止。
（a ）（b ）两整流电路0v 波形相同（图P1-8-1）：2 在T=300K 时，某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA 。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。
[解]S I I >>，两管已充分导通，故VA 关系为/T V V S I I e =，由此lnT S IV V I =，取26T V =mV （T=300K ）∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。
O图P1-8-13在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：（1）若反向饱和电流10SI=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术习题及答案完整版本
习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。
（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。
（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
（）（6）在集成电路中元件的对称性差。
（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。
题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题参考答案《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1M Ω，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1M Ω，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
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组 题 人 ：
公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊
审 题 人 ：
年级
考试提示
1.严禁随身携带通讯工具等电子设备参加考试；
封
） 。
命 题 时 间 ：
3. 复合管如图 1 所示，已知 T1 的130，T2 的250，则复合后的约为
( A )。
2.考试作弊，留校察看，毕业当年不授学位；请人代考、 替他人考试、两次及以上作弊等，属严重作弊，开除学籍。
图3
图4
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图5 解： （1）振荡周期 T≈（R1＋R2）C ln3≈3.3mS （2）脉冲宽度 T1≈R1C ln3≈1.1mS uO 和 uC 的波形如解图所示。 解：1.变压器二次电压有效值 V2 = 15V; 输出电压 Vo= 6V；(3 分) 2.稳压管 DZ 的动态电阻 rz =20, Vo /VI = 0.02，Ro20。(4 分) 3．波形如图示( 3 分)
12
五、 （20 分）一简单稳压电路如图 5 所示，电路参数如下：
VZ 6V ,VI 18V , C 1000 F , R 1k, RL 1k, 求变压器二次电压有效值 V2 、输出电压 Vo 的值； 1． 若稳压管 DZ 的动态电阻 rz =20, 求Vo /VI 的值及电路的内阻（输 出电阻）Ro。 2． 若电容 C 断开，试画出 vI 、vo 的波形。
Rb2 Rb1
RC
51kΩ
+ 3.5kΩ vi
图6
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解：
1．
静态工作点：IB = 12/51-0.7/3.5 = 22（35）A VCE = 12- I C Rc= 6.39( （6 分） （4
2．画小信号等效电路 ；略。 rbe =200+(1+50)26/1.1=1405( 958)
六、 （20 分）在图 6 所示放大电路中，已知三极管的 VBE =0.7V，β =50， Vcc=12V, rbbˊ = 200Ω . 1．画电路的直流通路，求静态工作 点； 2．画小信号等效电路；
3．计算
Av , Ri , Ro ；
4．求最大不失真输出电压幅值 Vom。 +VCC 5.1kΩ + T vo
A．1500
B．80
C．50
D．30
专业、班
T1
T1 T2 (a) (b) 图2
T1
一、 （10 分，每小题 1 分） 填空题：在下列各题中，将正确的答案填入空 白处。 1．三极管是 电流 控制元件；场效应管是 电压 控制元件。三极管的 三个管脚分别为 基极 ， 集电极 ， 发射极 。场效应管的四个管脚分别 为 栅极 ， 源极 ， 漏极 ， 衬底 。 2． 在乙类双电源互补对称功放电路中， 若电源电为12V， 负载电阻为 8, 则 最大输出功率为 9W ；电路中功放管的集电极最大功耗约为 1.8W ；如输入为正弦信号，输出会出现 交越 失真；为避免出现 失真应采用 甲乙类 互补对称功放电路。
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重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ） 》课程
姓名
2014 ~2015 学年
第 1 学期
3 ．某放大电路输入信号为 10pA, 输出为 500mV, 它的增益是 51010 。 4．集成运放一般由 输入 、 中间 、 放大 和 偏置 电路四部分组 成。 5． 放大电路模型有四种， 电压放大、 电流放大和 互阻放大 导放大 模型。 ， 以及
8．为了提高输入电阻，减小温漂，集成运放的输入级大多采用（ 电路。 A 共射或共源 B 共集或共漏 C 差放电路
三、(15 分) 电路如图 3 所示，其输入电压 uI1 和 uI2 的波形如图（b）所示 ，二极管导通电压 UD＝0.7V。试画出输出电压 uO 的波形，并标出幅值。 四、(15 分) 在图 4 所示电路中，已知 R1＝10 kΩ ，R2＝20 kΩ ，C＝0.01μ F，集成运放的最大输出电压幅值为±12V，二极管的动态电阻可忽略不计。 （1）求出电路的振荡周期； （2）画出 uO 和 uC 的波形。
A.输入电阻大
B.输入电阻小
C.输出电阻大
D.输出电阻小
解：uO 的波形如解图所示。
6．为了提高输入电阻，减小温漂，集成运放的输入级大多采用（ 电路。 A 共射或共源 B 共集或共漏 C 差放电路
C
）
7．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ( B )，而低 频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( A )。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 C ）
图1
(c)
教 务 处 制
线
4.图 2 中哪种组合电路构成 PNP 型复合管(
B )。
学院
5．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路 A 和 B，对同一 个具有内阻的电压信号源进行放大。 在负载开路的条件下测得 A 的输出电压 小，这说明 A 的（ B ） 。
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分） 3．计算
Av , Ri , Ro
（8 分）
Av 50 5.1 /(1.4 3.5) 52(57)
Ri =3.5+51//1.4(0.958)=4.9(4.5)k Ro = RC =
5.1 k
4． 求最大不失真输出电压幅值 Vom。 Min{ 6.39V, 1.15.1=5.61} 或 min{3.1V, 1.755.1=8.925 } Vom = 5.61V. 或 3.1V （2 分）
互
命 题 人 ：
开课学院：电气工程学院 课程号：15012335 考试日期：
考试方式：
密
考试时间： 120 二 20 三 15 四 15 五 20 六 20 七 总 分
分钟
学号
题 号 分值 得 分
一 10
二、 （20 分，每小题 2 分） 单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答 案代码填入括号内。 1．差模输入信号是两个输入端信号的（ A 信号的（ C ） 。 A.差 B.和 C.平均值 2. PN 结外加反向电压时，其空间电荷区（ A.不变 B.变宽 C.变窄 B