半导体激光器参数测试仪(精)
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半导体激光器(LD)参数测试仪
苏美开
(济南福来斯光电技术研究室,**************)
1.概述
LD参数测试仪是测量半导体激光器主要性能参数和特性指标的仪器。通过给受试LD 提供不同的工作电流,采集不同工作条件下受试LD的各种参数信号,计算得出该LD的光电转换特性、伏安特性、光谱特性、远场/近场特性(近场特性正在开发中)和热特性。打印测试报告,保存数据。主要特点是:
1.1系统按功能模快化,采用单片机控制, 性能稳定可靠,维修使用方便;
1.2 测试功率覆盖范围宽:mW~1000W以上;
1.3 测试封装类型多:TO系列、光纤输出系列、Bar系列、管芯系列以及各种组件等等;
1.4 高质量的LD驱动电源:既可连续工作,又可脉冲工作,具有LD过流保护功能,低噪声、无浪涌和过脉冲;
1.5自动化程度高:整个测试、数据采集和数据处理、显示及打印都由系统自动完成;
1.6操作简单、测量速度快。
1.7 USB/RS232接口自选
2 功能
系统主要功能包括测量LD的光电特性(PI和PI M)、伏安特性(VI)、光谱特性(SP)、远场特性(FF)和热特性(R),具体如下:
2.1进行PIV和PI测试,绘制PIV曲线和PI
曲线,检测、推算工作电流、输出光功率、
M
工作电压、阈值电流、功率效率、斜率效率、微分电阻、背光电流等参数;
2.2进行光谱测试:绘制光谱曲线,推算峰值波长、光谱谱宽;
2.3进行远场测试: 绘制远场曲线,推算水平发散角、垂直发散角;
2.4进行热阻测试;
2.5测试数据能够保存、导入,可打印标准测试报告。
2.6可测量参数见表1:
表1 可测量参数
I O工作电流I th 阈值电流
P O输出光功率E S斜率效率
V O工作电压E P功率效率
R d微分电阻λp激光峰值波长
I M背光电流Δλ波长宽度
θ∥远场水平发散角θ⊥远场水平发散角
Rth 热阻
3主要技术指标
测试仪按照功率分类应包括小功率测试仪(0-100mW);中功率测试仪(0-10W),大功率测试仪(0-100W以上)。表2给出了不同功率类型仪器的主要技术指标。
仪器类型
主要技术要求
小功率中功率大功率
功率测量范围与精度1~100mW;
分档:0-10 mW, 0-50
mW, 0-100 mW ;
精度:量程的±5.0%
0.1~10W ;
分档:0-500 mW ,0-1000 mW,
0-3000mW, 0-10000mW;
精度:量程的±5.0%
1~100W, 或1-500W以上;
分档:1-10W, 1-50W,
1-100W ,1-500W以上;
精度:量程的±5.0%
驱动电源控制范围与精度电压范围0-5V,误差:
±0.2V;
电流范围:0~400mA,
连续和脉冲(脉冲参
数: 占空比t:50~500us
f:50~500Hz, t、f可任意
匹配);
分档: 0-50mA, 0-100
mA, 0-400 mA;
误差:±0.5%
电压范围:0-5V,误差:±
0.2V;
电流范围:0~12000mA,连续
和脉冲(脉冲参数: 占空比
t:50~200us f:50~200Hz, t、f
可任意匹配);
分档:0-500mA,0-1000mA,
0-3000 mA,0-5000 mA,
0-8000mA,0-12000mA;
误差:±1%
电压范围:根据需要,误差:
±0.2V;
电流范围:0~150A,连续或脉
冲(脉冲参数: 占空比
t:50~200us f:50~200Hz, t、f
可任意匹配,上升沿宽度:
20us) ;
分档: 0-10A; 0-50A; 0-100A,
0-150A;
误差:量程的±1.0%
波长测量范围与精度650-1650nm,
分辩率:0.1 nm
精度:±0.4nm
650-1650nm,
分辩率:0.1 nm
精度:±0.4nm
650-1650nm,
分辩率:0.1 nm
精度:±0.4nm
发散角测量范围与精度θ⊥:-60~+60º,
θ∥:-30~+30º,
分辩率:0.4º
θ⊥:-60~+60º,
θ∥:-30~+30º,
分辩率:0.4º
θ⊥:-60~+60º,
θ∥:-30~+30º,
分辩率:0.4º
温度控制范围与精度TEC控制:0-50℃;
电加热控制:室温
-100℃
精度:±0.3℃
TEC控制:0-50℃;
水循环控制:0-60℃
精度:±0.5℃
水循环控制:0-60℃
精度:±0.5℃
10V60A,500W半导体激光器综合参数测试系统
激光二极管(LD)管芯测试系统
PIV曲线,光谱曲线和远场特性(发散角)曲线