半导体激光器参数测试仪(精)
半导体激光器实验报告
半导体激光器实验报告半导体激光器实验报告引言：半导体激光器是一种重要的光电子器件，具有广泛的应用领域，如通信、医疗、工业等。
本实验旨在通过搭建实验装置，研究半导体激光器的工作原理和性能特点，并探索其在光通信领域的应用。
实验一：激光器的工作原理激光器的工作原理是基于光放大和光反馈的原理。
在实验中，我们使用一台半导体激光器，通过电流注入激发半导体材料，产生光子。
这些光子在激光腔中来回反射，不断受到增益介质的放大，最终形成激光束。
实验装置中的关键组件包括半导体激光器、激光腔、准直器和光探测器。
半导体激光器通过电流注入，激发载流子跃迁，产生光子。
光子在激光腔中来回反射，经过准直器调整光束的方向，最后被光探测器接收。
实验二：激光器的性能特点在实验中，我们测试了激光器的输出功率、波长和光谱宽度等性能指标。
通过改变注入电流和温度等参数，我们研究了激光器的输出特性。
首先，我们测试了激光器的输出功率。
通过改变注入电流，我们观察到激光器输出功率随电流增加而增加的趋势。
然而，当电流达到一定值后，激光器的输出功率不再增加，甚至出现下降。
这是由于激光器的光子数饱和效应和损耗机制导致的。
其次，我们测量了激光器的波长。
通过调节激光腔的长度，我们观察到激光器的波长随腔长的变化而变化。
这是由于激光腔的谐振条件决定了激光器的输出波长。
最后，我们研究了激光器的光谱宽度。
通过光谱仪测量激光器的光谱分布，我们发现激光器的光谱宽度与注入电流和温度有关。
随着注入电流的增加和温度的降低，激光器的光谱宽度变窄，光纤通信系统中要求的窄光谱宽度可以通过适当的调节实现。
实验三：半导体激光器在光通信中的应用半导体激光器在光通信领域有着重要的应用。
我们通过实验研究了激光器在光纤通信中的应用。
首先，我们将激光器的输出光束通过光纤传输。
通过调节激光器的输出功率和波长，我们实现了光纤通信中的光信号传输。
通过光探测器接收光信号，并通过示波器观察到了传输过程中的光信号波形。
半导体参数分析仪技术参数
半导体参数分析仪技术参数
一、设备名称：半导体参数分析仪
二、采购数量：1台
三、技术参数及配置要求：
1. 半导体参数分析仪主机具有可扩展能力，可用插槽数目：不小于8个；
2. 具有4路SMU模块，可测量IV特性；其中2路中功率SMU模块输出能力：10mA@100V, 10mA@50V, 10mA@30V, 100mA@10V，其中2路高功率SMU模块输出能力：50mA@200V, 100mA@100V, 100mA@40V, 1A@20V, 1A@2V，SMU模块最小测量分辨率为：电流 50fA，电压 0.5uV；
3. 具有1路电容测量模块，电容测试模块测试频率范围：1kHz至5MHz，电容测试精度（1pF,1MHz）±1.2%；电容测量扫描方式：C-V（直流偏置），C-f(测试频率)；
4. 提供用于TO，DIP封装器件的测试夹具；
5. 仪表内置Window7操作系统，带触摸式显示屏
6. 提供专用的测试软件对仪表进行控制和提取测试数据，具有曲线追踪功能，便于观察器件击穿和饱和情况；
四、安装、售后及培训：
1、交货期：合同正式生效后45天内到货。
2、质保期：自验收之日起，仪器设备至少免费保修三年。
保修期内维修上门取货送货；
3、包含该设备运输，上楼搬运。
仪器安装、验收：专业工程师提供免费的安装调试，并按照出厂指标验收。
4、培训：免费提供该仪器设备培训；提供本设备全套操作教学视频。
五、注意事项：
招标现场提供相关证据，证明能达到的功能和参数。
1。
半导体激光治疗仪参数要求
半导体激光治疗仪参数要求
半导体激光治疗仪1台，设备需原装进口，并需满足下列参数要求。
1、需适用于医疗机构开展去除人体毛发的临床治疗工作。
2、半导体激光波长需为755nm或者810nm。
3、脉宽需为3-125ms。
4、需具有多种快速无痛的脱毛模式和多种肤色的治疗模式。
5、需具有彩色触摸屏控制方式。
6、需具有激光内置式手具，不需光纤传导可实现直接传输；手具上需具有控制开关，可实现手动控制；激光输出窗口介质需为宝石材质。
7、光斑形状需为方形光斑，半导体手具光斑尺寸需不小于15x10mm。
8、需为内置接触式冷却方式，可直接对激光输出窗口介质进行冷却。
9、半导体激光能量密度755nm波长需为1-60J/cm2可调，810nm波长需为1-120J/cm2可调，重复频率需为0.5-10Hz可调。
10、需配备专用激光防护眼镜1副。
11、整套设备自验收合格之日起原厂保修期不低于两年。
许昌市中心医院。
半导体激光器特性测量实验报告
半导体激光器特性测量一、实验目的：1.通过本实验学习半导体激光器原理。
2.测量半导体激光器的几个主要特性。
3.掌握半导体激光器性能的测试方法。
二、实验仪器：半导体激光器装置、WGD-6型光学多道分析器、电脑等。
三、实验原理：WGD-6 型光学多道分析器，由光栅单色仪，CCD 接收单元，扫描系统，电子放大器，A/D 采集单元，计算机组成。
该设备集光学、精密机械、电子学、计算机技术于一体。
光学系统采用C－T 型，如图M1 反射镜、M2 准光镜、M3 物镜、M4 转镜、G 平面衍射光栅、S1 入射狭缝、S2 光电倍增管接收、S3 CCD 接收。
入射狭缝、出射狭缝均为直狭缝，宽度范围0－2mm 连续可调，光源发出的光束进入入射狭缝S1、S1 位于反射式准光镜M2 的焦面上，通过S1 射入的光束经M2 反射成平行光束投向平面光栅G 上，衍射后的平行光束经物镜 M3 成像在S2 上。
四、实验内容及数据分析1.半导体激光器输出特性的测量：a)将各仪器按照要求连接好；b)打开直流稳压电源，打开光多用仪；c) 将激光器的偏置电流输入插头接于稳压电源的电流输出端；d) 将激光器与光多用仪的输入端相连并使探头正好对激光器输出端，打开光多用仪； e) 缓慢增加激光器输入电流（0mA~36mA ），注意电流不要超过ＬＤ的最大限定电流（实验中不超过38mA ）。
从功率计观察输出大小随电流变化的情况； f) 记录数据； g) 绘图绘成曲线。
实验数据及结果分析： I （mA ） 1.02.03.04.05.06.07.0 8.09.010.011.0 12.0 P (uW) 0.40 0.80 1.25 1.75 2.25 2.85 3.54.255.05 5.956.98.0I （mA ） 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0 21.0 22.0 23.0 24.0 P (uW) 9.310.7512.4514.5517.8522.941.0311.5753.51179.51594.51845.0根据以上实验数据绘制I —P 曲线:半导体激光器输出特性2004006008001000120014001600180020000510152025I(mA)P(uW)实验结果分析：通过半导体激光器的控制电源改变它的工作电流I ，测量对应的发光功率P ，以P 为纵轴，I 为横轴作图，描成曲线。
半导体激光治疗仪技术参数要求
半导体激光治疗仪技术参数要求
1、激光类型：半导体激光器（进口激光器）
2、波长： 980nm（±10nm）
3、光学技术：光学耦合技术
★4、最大输出功率：30W±2W ，连续可调
5、输出方式：连续脉冲，重复脉冲，单脉冲
6、重复脉冲宽度：0.01ms-1000ms, 脉冲频率 0.5Hz-10000Hz
7、单脉冲宽度：0.01ms-1000ms
8、传输系统：带SMA-905标准连接器的400μm,600μm光纤和探头，并且注册
证中包含光纤传输系统
★9、适用范围：注册证中须注明可对体表和腔道内血管性病变进行接触式汽化、凝固、切割治疗
10、指示光：激光二极管635nm（±20nm）≤5mW 亮度1-7档可调
★11、出光定时：0—999秒，连续可调
12、操作方式：高档精密彩色触摸液晶屏（800×600像素）
13、电源输入：220V ,5A,50Hz
14、冷却方式：风冷
15、激光类别：4类激光
16、安全分类：Ⅰ类B型
17、方案存储：可存储16种治疗方案，方便随时调取
★18、功率检测：内置激光功率反馈监测系统，可以检测和校准功率，确保激光输出功率精确
★19、认证：欧盟CE认证
★20、所投机型在四川省内医院装机台数≥5台，并提供用户名单和联系电话。
以上参数为参考参数，具体参数及要求以询价文件为准。
附件二
潜在投标人报名备案表。
半导体激光器测试方法
半导体激光器测试方法
半导体激光器是一种常见的光电器件，通过将电能转化为光能产生激光。
为了确保半导体激光器的性能和质量，需要进行各种测试。
以下是常见的半导体激光器测试方法：
1.激光器波长测试：使用光谱仪进行激光器波长的检测，以确保激光器的波长符合要求。
2.光功率测试：测量激光器的输出功率，以确保激光器的输出功率符合要求。
这可以使用功率计或功率传感器进行测量。
3.光电特性测试：通过测量激光器的光电流和光谱特性等参数，来确定激光器的光电特性。
4.稳定性测试：对激光器进行长时间的稳定性测试，以确保激光器的性能和可靠性。
5.阈值电流测试：测试激光器的阈值电流，以确定激光器的启动电流和电压。
6.温度测试：测试激光器在不同温度下的性能，以确定激光器在各种环境下的工作条件。
半导体激光器测试是半导体激光器制造过程中非常重要的一环，只有通过严格的测试可以确保激光器的性能和质量。
- 1 -。
《InP基1550nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着信息技术的快速发展，光通信技术在长距离、大容量通信系统中发挥着重要作用。
作为光通信系统的核心元件之一，半导体激光器在光电领域得到了广泛的应用。
本文针对InP基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行了深入研究，为进一步优化激光器性能、提升通信系统效率提供理论支持。
二、InP基1550 nm半导体激光器概述InP基1550 nm半导体激光器是一种以InP为基底材料，工作波长为1550 nm的半导体激光器。
由于其具有低损耗、高带宽等优点，在光通信系统中得到了广泛应用。
然而，激光器的性能受外延结构、材料质量、制造工艺等多种因素影响。
因此，对InP 基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行研究具有重要意义。
三、外延结构设计3.1 结构设计思路本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器外延结构，主要考虑了以下几个方面：波导层、有源区、注入区以及电流阻挡层等。
通过优化各层厚度、掺杂浓度及组分等参数，实现激光器的优异性能。
3.2 具体结构设计本结构采用多量子阱（MQW）作为有源区，以提高激光器的增益和光子寿命。
同时，通过引入电流阻挡层，有效控制电流的分布，降低阈值电流密度。
此外，优化波导层的设计，提高光束质量，降低传输损耗。
四、光电性能研究4.1 实验方法本实验采用分子束外延（MBE）技术制备InP基1550 nm半导体激光器外延片，并通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备器件。
利用光学测试系统、电流电压测试仪等设备对激光器的光电性能进行测试和分析。
4.2 实验结果与分析（1）阈值电流密度：本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器阈值电流密度较低，表明器件具有较好的电流注入效率。
这主要得益于电流阻挡层的优化设计以及有源区的多量子阱结构。
（2）光束质量：通过优化波导层设计，本激光器具有较低的光束发散角和较小的传输损耗。
半导体激光治疗仪产品技术要求森众医疗电子
型号、规格 IM-011
结构及组成 产品适用范围/预期用途
由主机、手腕带、充电器（含充电线）和表环组成，主机包括锂电池、半导体激光器和 控制系统。 用于缓解高脂血症和高粘血症引起的临床症状。本产品不可替代药物或其他医嘱的治疗 方法。
1. 性能指标
1.1 激光峰值波长
激光峰值波长应在 650nm±10nm 范围内。
1.2光斑直径
主机激光出口处单支激光器光斑直径：3.5mm 士 10%。 注：主机含 5 支激光器。 1.3 激光输出
1.3.1 终端激光输出功率 4.0mW±20%。
1.3.2 终端激光输出功率不稳定度 St 应优于±10%。
1.3.3 终端激光输出功率复现性 Rp 应优于±10%。
1.3.4 调制脉冲
1.5.3 支持治疗时间设置功能：10min~40min 分四档可调，步进为 10min，默认时
间为 30min。
1.5.4 支持治疗强度设置功能:按激光输出时间划分为四个等级。
1.5.5 过压提示功能：当治疗仪工作时，由内部电源供电的电压低于最低正常工 作电压时，显示屏右上角电池图标会闪烁，同时设备发出滴滴声，治疗仪 停止激光输出。
1.8 电磁兼容 治疗仪的电磁兼容应符合 YY0505-2012 的要求。|
1.9环境试验 环境试验应按照GB/T 14710-2009标准中机械环境II组及表1的要求。
表 1 环境试验要求及检测项目
试验要求
检测项目
试验项目
持续 时间
恢复 时间
h
h
通电 状态
实验 条件
初始 中间 检测 检测
最后 检测
设备提供四种调至脉冲的工作方式，按激光输出时间划分为四个等级：
半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪技术标准可能包括以下内容：
1. 治疗波长：半导体激光治疗仪使用的激光波长应符合相关国家或行业标准，例如在医疗领域常用的激光波长为650纳米至1000纳米。
2. 激光功率和能量密度：治疗仪的激光功率和能量密度应符合安全标准，并能够满足不同治疗需求，例如在医疗领域通常要求功率在几毫瓦至几十瓦的范围内。
3. 光斑大小和均匀性：治疗仪的光斑大小和均匀性应满足治疗需求，例如在医疗领域通常要求光斑直径在几毫米至几厘米的范围内，而且应具有均匀的能量分布。
4. 工作模式和治疗参数：治疗仪应支持不同的工作模式，例如连续输出模式和脉冲输出模式，并且应允许用户调整治疗参数，如激光功率、脉冲频率等。
5. 安全性能：治疗仪应具备相应的安全性能，包括但不限于过热保护、过载保护、电磁辐射等。
6. 使用界面和操作方式：治疗仪的使用界面应简洁明了，操作方式应方便易懂，以提高操作者的使用体验和效率。
7. 质量和可靠性：治疗仪应具备良好的质量和可靠性，能够稳定可靠地工作，并且应符合相关国家或地区的质量认证标准。
8. 兼容性：治疗仪应具备一定的兼容性，能够与其他相关设备或系统进行连接和通信，以便实现数据传输和管理。
以上仅为一般性的技术标准，具体的半导体激光治疗仪技术标准可能还会因不同的应用领域和行业而有所区别。
半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪是一种应用于医疗领域的设备，使用半导体激光器发射出的特定波长的激光光束，对人体进行治疗和康复。
以下是一些半导体激光治疗仪的常见技术标准：
1. 波长范围：半导体激光治疗仪通常具有特定的波长范围，常见的波长包括650纳米、808纳米、980纳米等。
不同波长的光能在治疗过程中具有不同的作用和效果。
2. 输出功率：输出功率是指激光器每秒钟发射的激光能量，通常以瓦特（W）为单位。
输出功率的大小会影响治疗的深度和强度。
3. 能量密度：能量密度是指激光能量在单位面积上的分布情况，通常以焦耳/平方厘米（J/cm²）为单位。
适当的能量密度可以确保治疗效果，并避免对组织造成损伤。
4. 脉冲模式：半导体激光治疗仪可能支持不同的脉冲模式，如连续波、脉冲和调制等。
不同脉冲模式可以适应不同的治疗需求。
5. 治疗模式：半导体激光治疗仪可以提供多种治疗模式，如单点照射、扫描治疗、面板照射等。
不同的治疗模式适用于不同的治疗场景和部位。
6. 安全性：半导体激光治疗仪需要符合相关的安全标准和规定，确保在使用过程中对患者和操作人员的安全。
7. 制造质量：半导体激光治疗仪的制造商应符合相关的质量管理体系和认证要求，如ISO 13485标准等，以确保产品的质量和可靠性。
请注意，具体的技术标准可能因不同的产品和厂家而有所差异。
在购买半导体激光治疗仪时，建议与厂家沟通，并了解其具体的技术规格和性能参数。
半导体激光治疗仪-产品技术要求-性能指标
2.性能指标2.1外观与结构2.1.1治疗仪外形应端正、表面应光洁、色泽均匀，不应有明显的划痕、裂纹、锋棱、毛刺。
2.1.2治疗仪上的文字和标记应清晰、准确、牢固。
2.1.3治疗仪各控制件操作应灵活、可靠，紧固件应无松动现象。
2.2激光性能2.2.1输出激光波长：650nm±20nm。
2.2.2终端输出最大激光功率：应在1mW～5mW范围内。
2.2.3终端输出激光功率不稳定度St：应为±10%。
2.2.4终端输出激光功率复现性Rp：应为±10%。
2.2.5光路系统要求：在患者配合下，激光光束应能照射至人体佩戴部位。
2.2.6定时功能：定时时间设置范围：10min～60min，步长10min，默认时间为30min，定时时间误差应不超过设定值的±5%。
2.2.7控制功能：在激光输出且屏亮的状态下，按下“开关”按键时，激光输出应立即停止。
2.2.8输出光斑尺寸2.2.8.1主机的输出光斑尺寸：5mm×2.5mm，允差±1.5mm。
2.2.8.2A型外接激光治疗头的输出光斑直径：2mm，允差±1.5mm。
2.2.9可达发射极限（AEL）：单个激光器小于5×10-3W。
2.2.10激光强度2.2.10.1激光输出占空比：分三档可调，激光点亮时间与激光亮暗周期之比为1档43%、2档68%、3档100%，误差±10%。
2.2.10.2激光强度控制：输出激光占空比分三档强度可调，在显示屏上以段位表示。
按功率调节键，步进1档，设置1档时，显示“”；设置2档时，显示“”；设置3档时，显示“”。
2.3安全要求应符合GB 9706.1-2007和GB 7247.1-2012标准的要求。
2.4电磁兼容性应符合YY 0505-2012标准的要求。
2.5环境试验要求治疗仪的环境试验应符合GB/T 14710-2009中气候环境试验Ⅱ组、机械环境试验Ⅱ组及表2的规定，治疗仪的运输试验、电源适应能力试验应符合GB/T 14710-2009中第4章、第5章的规定。
实验5-1 半导体激光器的特性测试实验
光信息专业实验指导材料（试用）实验5－1 半导体激光器的特性测试[实验目的]1、通过测量半导体激光器工作时的功率、电压、电流，画出P-V、P-I、I-V曲线，让学生了解半导体的工作特性曲线；2、学会通过曲线计算半导体激光器的阈值，以及功率效率，外量子效率和外微分效率，并对三者进行比较；3、内置四套方波信号或者外加信号直接调制激光器，通过调整不同的静态工作点，和输入信号强度大小不同，观察到截至区，线性区，限流区的信号不同响应（信号畸变，线性无畸变），了解调制工作原理。
[实验仪器]实验室提供：半导体激光器实验箱（内置三个半导体激光器），示波器，两根电缆线。
[实验原理]半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特殊。
常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。
激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。
同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。
半导体激光器具有体积小、效率高等优点，广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处理等方面。
一、半导体激光器的结构与工作原理1.半导体激光器的工作原理。
半导体材料多是晶体结构。
当大量原子规则而紧密地结合成晶体时，晶体中那些价电子都处在晶体能带上。
价电子所处的能带称价带（对应较低能量）。
与价带对应的高能带称导带，价带与导带之间的空域称为禁带。
当加外电场时，价带中电子跃迁到导带中去，在导带中可以自由运动而起导电作用。
同时，价带中失掉一个电子，相当于出现一个带正电的空穴，这种空穴在外电场的作用下，也能起导电作用。
因此，价带中空穴和导带中的电子都有导电作用，统称为载流子。
没有杂质的纯净半导体，称为本征半导体。
如果在本征半导体中掺入杂质原子，则在导带之下和价带之上形成了杂质能级，分别称为施主能级和受主能级。
实验一-半导体激光器P-I特性测试实验
常用光纤器件特性测试实验 实验一 半导体激光器P-I 特性测试实验一、实验目的1、学习半导体激光器发光原理和光纤通信中激光光源工作原理2、了解半导体激光器平均输出光功率与注入驱动电流的关系3、掌握半导体激光器P 〔平均发送光功率〕-I 〔注入电流〕曲线的测试方法二、实验内容1、测量半导体激光器输出功率和注入电流，并画出P-I 关系曲线。
2、根据P －I 特性曲线，找出半导体激光器阈值电流，计算半导体激光器斜率效率。
三、预备知识1、光源的种类2、半导体激光器的特性、内部结构、发光原理四、实验仪器1、ZY12OF13BG3型光纤通信原理实验箱 1台2、FC 接口光功率计 1台3、FC/PC-FC/PC 单模光跳线 1根4、万用表 1台5、连接导线20根五、实验原理半导体激光二极管〔LD 〕或简称半导体激光器，它通过受激辐射发光，是一种阈值器件。
处于高能级E 2的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子，而跃迁到低能级E 1，这个过程称为光的受激辐射，所谓一模一样，是指发射光子和感应光子不仅频率一样，而且相位、偏振方向和传播方向都一样，它和感应光子是相干的。
由于受激辐射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产生高功率〔≥10mW 〕辐射，而且输出光发散角窄〔垂直发散角为30～50°，水平发散角为0～30°〕，与单模光纤的耦合效率高〔约30％～50％〕，辐射光谱线窄〔Δλnm 〕，适用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进展高速信号〔>20GHz 〕直接调制，非常适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。
阈值电流是非常重要的特性参数。
图1-1上A 段与B 段的交点表示开始发射激光，它对应的电流就是阈值电流th I 。
半导体激光器可以看作为一种光学振荡器，要形成光的振荡，就必须要有光放大机制，也即激活介质处于粒子数反转分布，而且产生的增益足以抵消所有的损耗。
将开始出现净增益的条件称为阈值条件。
半导体激光治疗仪技术参数
半导体激光治疗仪技术参数
产品技术规格及基本要求：
1、激光器基本参数
1.1GaAS半导体激光器
1.2波长：810nm(±10nm)
1.3光纤末端输出功率：0-30W,连续可调
1.4输出模式：连续、重复脉冲
2、瞄准激光
2.1激光二极管，亮度强弱可调节
2.2红色半导体激光指示光
3、传输系统
3.1带HP-SMA-905国际标准光纤连接器
3.2光纤芯径：400μm,600Um,
3.3光纤传导率295%
3.4光纤未连接自动报警
4、操作方式
4.1精密真彩色触摸液晶屏
5、预设方式
5.1具备预存工作模式功能
5.2预设激光参数：脉宽、频率、功率、定时设置等
5.3治疗过程中，脉宽、频率、功率、脉冲数、脉冲方式、定时总时间及剩余时间同步被显示
6、打印功能：可打印使用设备的手术起始时间、频率、功率、脉冲方式、脉冲数及总能量
7、声音报警提示，蜂鸣器声音大小可调
8、配备
8.1自动高低温报警和控制系统
8.2全机性能自检功能
9、激光器冷却系统：半导体制冷，空气冷却。
半导体激光器常用参数的测定
半导体激光器常用参数的测定半导体激光器是一种利用半导体材料作为激光发射媒介的激光器件，其具有体积小、功耗低、效率高、寿命长等优点，因而广泛应用于通信、显示、医疗、测量等领域。
要对半导体激光器进行准确的性能评估和优化设计，需要对其常见参数进行测定和分析。
以下是常用参数的测定方法。
1.阈值电流阈值电流是指激光器开始工作并产生激射的电流值。
常用方法是在不同电流下，通过测量输出光功率与电流之间的关系曲线，找到电流达到稳定值时的临界点。
2.工作电流范围工作电流范围是指激光器可以稳定工作的电流范围。
方法是在不同电流下，测量激光器的输出光功率和电流之间的关系曲线，确定允许的工作电流范围。
3.工作温度范围工作温度范围是指激光器可以稳定工作的温度范围。
方法是在不同温度下，测量激光器的输出光功率与温度之间的关系曲线，确定允许的工作温度范围。
4.光谱特性光谱特性包括波长、谱线宽度等参数。
波长可以通过光谱仪精确测量，谱线宽度可以通过测量激光器输出光功率随波长的变化规律来评估。
5.输出功率输出功率是指激光器的实际输出功率。
测量方法是将激光器的输出光功率直接测量或者通过标定其他光源进行对比测量。
6.效率效率是指激光器将输入电功率转换为输出光功率的比值。
测量方法是通过测量激光器的输入电功率和输出光功率来计算效率。
7.时域特性时域特性包括上升时间、下降时间等参数，用来评估激光器的调制响应能力。
常见方法是通过测量激光器的脉冲响应曲线来获取。
8.光束质量光束质量是指激光器输出光束的直径、发散角等参数,可以通过光学系统和束探在对应测距仪等获取。
9.寿命寿命是指激光器长时间稳定工作的能力，可以通过对激光器在一定时间内的功率衰减进行监测和检测来评估。
总之，半导体激光器的性能评估和优化设计需要测定一系列的参数，如阈值电流、工作电流范围、工作温度范围、光谱特性、输出功率、效率、时域特性、光束质量和寿命等。
通过准确测量和分析这些参数，可以评估激光器的性能，并为激光器的应用提供参考和指导。
光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法
光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法光通信用高速直接调制半导体激光器是光纤通信中常用的一种光源。
为了确保其性能稳定和可靠，需要对其进行一系列测量和测试。
以下是关于光通信用高速直接调制半导体激光器的50条测量方法，并进行详细描述：1. 光谱测量：使用光谱仪对激光器的输出光谱进行测量，以确定其中心波长和光谱纯度。
2. 输出功率测量：使用功率计测量激光器在给定电流和温度下的输出功率。
3. 波长调谐测试：控制激光器的温度和电流，测量其输出波长随温度和电流的变化情况。
4. 相位噪声测试：使用频谱分析仪测量激光器的相位噪声，以评估其可用于调制和解调的性能。
5. 调制带宽测试：通过测量激光器输出光的响应速度来评估其调制带宽。
6. 脉冲响应测试：通过输入脉冲信号，并测量激光器输出光的时间响应来评估其响应速度和脉冲特性。
7. 直接调制混频测试：将激光器输出光与微波信号混合，测量混频信号的特性，如幅度、频率和相位。
8. 噪声谐波测试：测量激光器输出光的噪声谐波情况，以评估其噪声特性。
9. 直接调制耦合效率测试：测量激光器输出光的耦合效率，即将光耦合到光纤中的能力。
10. 跳模测试：通过测量激光器输出光的跳模特性来评估其输出光的稳定性和功率峰值。
11. 温度稳定性测试：通过控制激光器的温度并测量输出光功率的变化来评估其温度稳定性。
12. 效率测试：测量激光器的效率，即输入电功率与输出光功率之间的比值。
13. 相位与频率特性测试：通过输入调制信号并测量其在激光器输出光中引起的相位和频率变化来评估其调制特性。
14. 灯丝电流测试：测量激光器灯丝电流以确定激光器的工作状态。
15. 泵浦电流测试：测量激光器泵浦电流以评估其性能和稳定性。
16. 泵浦功率测试：测量激光器泵浦功率以评估其工作状态和光输出特性。
17. 高温性能测试：将激光器暴露于高温环境中并测量其输出性能，以评估其高温运行能力。
18. 耐受性测试：测量激光器对温度变化、振动、湿度等外部环境因素的耐受能力。
半导体激光器的光学特性测试
实验八半导体激光器的光学特性测试[实验目的]1、通过实验熟悉半导体激光器的光学特性。
2、掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节。
3、根据半导体激光器的光学特性考察其在光电子技术方面的应用。
[实验仪器]1、半导体激光器及可调电源2、光谱仪3、可旋转偏振片4、旋转台5、光功率计图1. 半导体激光器的结构[实验原理]1、半导体激光器的基本结构至今，大多数半导体激光器用的是GaAs或Ga1-x Al x As材料，p-n结激光器的基本结构如图1所示。
P—n结通常在n型衬底上生长p型层而形成。
在p区和n区都要制作欧姆接触，使激励电流能够通过,这电流使结区附近的有源区内产生粒子数反转，还需要制成两个平行的端面起镜面作用，为形成激光模提供必须的光反馈。
图1中的器件是分立的激光器结构，它可以与光纤传输线连接，如果设计成更完整的多层结构，可以提供更复杂的光反馈，更适合单片集成光路。
2、半导体激光器的阈值条件：当半导体激光器加正向偏置并导通时，器件不会立即出现激光振荡。
小电流时发射光大都来自自发辐射，光谱线宽在数百唉数量级。
随着激励电流的增大，结区大量粒子数反转，发射更多的光子。
当电流超过阈值时，会出现从非受激发射到受激发射的突变。
实际上能够 观察到超过阈值电流时激光的突然发生，只要观察在光功率对激励电流曲线上斜率的急速突变，如图2所示；这是由于激光作用过程的本身具有较高量子效率的缘故。
从定量分析，激光的阈值对应于：由受激发射所增加的激光模光子数(每秒)正好等于由散射、吸收激光器的发射所损耗的光子数（每秒）。
据此，可将阈值电流作为各种材料和结构参数的函数导出一个表达式：)]1(121[8202Rn a Den J Q th +∆=ληγπ （1） 这里，Q η是内量子效率，O λ是发射光的真空波长，n 是折射率，γ∆是自发辐射线宽，e 是电子电荷，D 是光发射层的厚度，α是行波的损耗系数，L 是腔长，R 为功率反射系数。
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半导体激光器（LD）参数测试仪
苏美开
（济南福来斯光电技术研究室，**************）
1.概述
LD参数测试仪是测量半导体激光器主要性能参数和特性指标的仪器。
通过给受试LD 提供不同的工作电流，采集不同工作条件下受试LD的各种参数信号，计算得出该LD的光电转换特性、伏安特性、光谱特性、远场/近场特性(近场特性正在开发中)和热特性。
打印测试报告，保存数据。
主要特点是：
1.1系统按功能模快化,采用单片机控制, 性能稳定可靠，维修使用方便；
1.2 测试功率覆盖范围宽：mW~1000W以上；
1.3 测试封装类型多：TO系列、光纤输出系列、Bar系列、管芯系列以及各种组件等等；
1.4 高质量的LD驱动电源：既可连续工作，又可脉冲工作，具有LD过流保护功能，低噪声、无浪涌和过脉冲；
1.5自动化程度高：整个测试、数据采集和数据处理、显示及打印都由系统自动完成；
1.6操作简单、测量速度快。
1.7 USB/RS232接口自选
2 功能
系统主要功能包括测量LD的光电特性（PI和PI M）、伏安特性（VI）、光谱特性（SP）、远场特性（FF）和热特性（R），具体如下：
2.1进行PIV和PI测试，绘制PIV曲线和PI
曲线，检测、推算工作电流、输出光功率、
M
工作电压、阈值电流、功率效率、斜率效率、微分电阻、背光电流等参数；
2.2进行光谱测试：绘制光谱曲线，推算峰值波长、光谱谱宽；
2.3进行远场测试: 绘制远场曲线，推算水平发散角、垂直发散角；
2.4进行热阻测试；
2.5测试数据能够保存、导入，可打印标准测试报告。
2.6可测量参数见表1：
表1 可测量参数
I O工作电流I th 阈值电流
P O输出光功率E S斜率效率
V O工作电压E P功率效率
R d微分电阻λp激光峰值波长
I M背光电流Δλ波长宽度
θ∥远场水平发散角θ⊥远场水平发散角
Rth 热阻
3主要技术指标
测试仪按照功率分类应包括小功率测试仪（0-100mW）；中功率测试仪（0-10W），大功率测试仪（0-100W以上）。
表2给出了不同功率类型仪器的主要技术指标。
仪器类型
主要技术要求
小功率中功率大功率
功率测量范围与精度1～100mW；
分档：0-10 mW, 0-50
mW, 0-100 mW ；
精度：量程的±5.0%
0.1～10W ；
分档：0-500 mW ,0-1000 mW，
0-3000mW, 0-10000mW；
精度：量程的±5.0%
1～100W, 或1-500W以上；
分档：1-10W, 1-50W，
1-100W ,1-500W以上；
精度：量程的±5.0%
驱动电源控制范围与精度电压范围0-5V，误差：
±0.2V；
电流范围：0~400mA，
连续和脉冲(脉冲参
数: 占空比t:50~500us
f:50~500Hz, t、f可任意
匹配)；
分档: 0-50mA, 0-100
mA, 0-400 mA；
误差：±0.5％
电压范围：0-5V，误差：±
0.2V；
电流范围：0~12000mA，连续
和脉冲(脉冲参数: 占空比
t:50~200us f:50~200Hz, t、f
可任意匹配)；
分档:0-500mA，0-1000mA，
0-3000 mA，0-5000 mA,
0-8000mA，0-12000mA；
误差：±1％
电压范围：根据需要，误差：
±0.2V；
电流范围：0~150A，连续或脉
冲(脉冲参数: 占空比
t:50~200us f:50~200Hz, t、f
可任意匹配,上升沿宽度：
20us) ；
分档: 0-10A; 0-50A; 0-100A,
0-150A；
误差：量程的±1.0％
波长测量范围与精度650-1650nm,
分辩率：0.1 nm
精度：±0.4nm
650-1650nm,
分辩率：0.1 nm
精度：±0.4nm
650-1650nm,
分辩率：0.1 nm
精度：±0.4nm
发散角测量范围与精度θ⊥：-60～＋60º，
θ∥：-30～＋30º,
分辩率：0.4º
θ⊥：-60～＋60º，
θ∥：-30～＋30º,
分辩率：0.4º
θ⊥：-60～＋60º，
θ∥：-30～＋30º,
分辩率：0.4º
温度控制范围与精度TEC控制：0-50℃；
电加热控制：室温
-100℃
精度：±0.3℃
TEC控制：0-50℃；
水循环控制：0-60℃
精度：±0.5℃
水循环控制：0-60℃
精度：±0.5℃
10V60A,500W半导体激光器综合参数测试系统
激光二极管（LD）管芯测试系统
PIV曲线,光谱曲线和远场特性（发散角）曲线。