MEMS工艺-表面微机械加工技术
mems 工艺流程
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mems 工艺流程MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微电子机械系统)是集成电路技术与微机械技术相结合的一种新型技术,能够将微小的机电结构、传感器、执行器和电路等集于一体,成为一种具有微小尺寸、高度集成度和多功能性的系统。
MEMS技术的广泛应用使得 MEMS 工艺流程愈发重要,下面我们将详细介绍 MEMS 工艺流程。
MEMS工艺流程主要分为六个阶段:晶圆准备、芯片前端加工、芯片背面加工、封装与封装测试、器件测试和后封测试。
第一阶段是晶圆准备阶段。
晶圆通常用硅(Si)材料,首先要清洗晶圆,去除表面的污垢,然后用化学气相沉积(CVD)方法在晶圆上生长一层二氧化硅(SiO2),形成绝缘层。
随后,还需要完成一系列的光刻步骤,即利用光刻胶和光掩模将图案转移到晶圆上,以形成预期的结构和形状。
第二阶段是芯片前端加工阶段。
这个阶段主要涉及到利用湿法和干法的化学刻蚀方法来去除不需要的材料,并在晶圆上的金属层中创造出微小的结构和连接线。
此外,还可以利用离子注入和扩散工艺来调整电阻、电导率或阈值电压等特性。
第三阶段是芯片背面加工阶段。
这个阶段主要涉及到将晶圆从背面进行背面研磨和化学机械抛光,以使芯片变得更加薄,并且可以通过背面晶圆连接器连接到其他系统。
第四阶段是封装与封装测试阶段。
此阶段的主要任务是将制造好的 MEMS 芯片进行封装,以保护并提供使其正常运行所需的外部连接。
封装的方法包括胶封、承载式封装和芯片柔性封装。
随后,对封装后的芯片进行测试以确认其性能和质量。
第五阶段是器件测试阶段。
在这个阶段,将芯片插入到测试设备中,对其进行各种电学、力学或物理特性的测试。
测试可以包括压力测试、温度测试、震动测试等,以验证 MEMS 芯片的性能和可靠性。
最后一个阶段是后封测试阶段。
在这个阶段,将经过器件测试的芯片进行再次封装,以保护芯片不受外界环境的影响,并进行最后的测试以确保其正常运行。
mems 工艺
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mems 工艺
MEMS 工艺,全称为微机电系统工艺,指的是将微型机械结构与电子元器件相结合,从而形成一种高度集成的混合技术。
在MEMS应用中,微机电系统工艺是制造小型器件的一种重要技术。
本文将围绕MEMS工艺讲解相关的步骤。
1. 原材料选择
在MEMS工艺中,需要选择一些适于制造微型器件的原材料。
这些材料通常需要具备以下几个特性:高精度、高硬度、高强度、高化学性能和良好的稳定性。
常用的MEMS材料有硅、氧化硅、玻璃等。
2. 制造微型结构
制造微型结构通常采用半导体加工技术,即利用光刻、蒸镀、刻蚀等方式将微型结构加工成所需形状。
比如,利用光刻技术可以将光刻胶涂覆到硅片上,而利用蒸镀技术可以在硅片上放置一层金属,从而实现金属电极的制造。
3. 封装
在制造完微型器件之后,需要对其进行封装,以保护其免受外界干扰和损坏。
一般采用微型结构封装的形式来封装MEMS器件,通常采用微型焊接、微型粘接等方式来实现。
4. 测试
对于MEMS器件的正常工作,需要对其进行严格的测试。
测试内容包括机械性能测试、电学测试、失效分析等。
通过测试来确定器件的良品率,并对不良的器件进行分析和处理。
总之,MEMS工艺是一种集成了微型机械结构与电子元器件的混合技术。
在制造MEMS器件的过程中,需要考虑多个因素,其中包括原材料选择、微型结构制造、封装和测试等步骤。
这些步骤相互关联,需要不断地优化和实验来找到最优的工艺路线。
mems工艺技术路线
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mems工艺技术路线MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)是一种将微电子技术与微机械技术相结合的新型技术,它能够在微米级别上制造出微小尺寸的机械结构。
MEMS技术在传感器、光学、生物医学等领域起着重要作用,因此MEMS技术的研究和发展受到了广泛关注。
MEMS工艺技术路线主要包括六个步骤:定义、制作图形、加工、建立结构、封装和测试。
首先是定义阶段,需要在硅片的表面上制作出所需的图形。
这一步主要依靠光刻技术,通过在硅片表面涂覆光刻胶,然后利用掩膜进行光阻曝光,再进行光刻胶的显影和刻蚀,最终形成所需图形。
这一步骤非常重要,也是MEMS工艺技术的核心。
接下来是制作图形阶段,即利用显影和刻蚀技术将所需图形转化为凹槽或凸起的结构。
这一步骤主要依靠湿法腐蚀和干法腐蚀技术来进行刻蚀,以形成所需的结构。
然后是加工阶段,需要对硅片进行剩余的加工处理。
这一步骤包括掺杂、扩散、沉积等工艺,以获得所需要的电学、磁学和光学特性。
建立结构阶段是通过层叠和结合不同材料形成完整的MEMS器件。
这一步骤需要利用薄膜沉积和刻蚀等工艺,将不同材料的层叠结合成为一体。
封装是将MEMS器件封装到特定的封装中,保护器件并提供良好的电气和机械性能。
这一步骤主要包括背面研磨、切割、粘接等工艺。
最后是测试阶段,对制造好的MEMS器件进行各种测试。
这一步骤主要包括电学测试、机械测试、光学测试等,以确保器件的性能符合设计要求。
总的来说,MEMS工艺技术路线是一个复杂而精细的过程,需要运用各种微加工和微细结构制造技术。
这一技术路线的研究与发展为MEMS技术的进一步应用和推广提供了重要的支持。
同时,MEMS工艺技术路线也需要不断地进行改进和创新,以适应不断发展的科技需求。
MEMS的制造技术
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4.1. 体微加工
硅的体微加工技术包含硅的湿法和干法技术,硅 刻蚀自终止技术、LIGA技术、以及DEM技术。
4.1.1. 湿法刻蚀技术 技术原理:硅表面点作为随机分布的局部区域的阳 极与阴极。由于这些局部区域化电解电池的作用,硅 表面发生了氧化反应并引起相当大的腐蚀电流,一般 超过100A/cm2。 硅表面的缺陷、腐蚀液的温度、腐蚀液所含的杂质、 腐蚀时扰动方式以及硅腐蚀液界面的吸附过程等因素 对刻蚀速度以及刻蚀结构的质量都有很大的影响。
图4.2表面取向对腐蚀速率的影响与温度的关系
图4.3 腐蚀速率与温度的关系(高HF区,无稀释) 自下而上每族曲线对应的配比为:95%HF+5% HNO3, 90%HF+10% HNO3,85%HF+1F+20% HNO3+15%H2O, 20%HF+60% HNH3+20%H2O
硝酸硅发生氧化反应生成二氧化硅,然后由HF将 二氧化硅溶解 Si+HNO3+HF=H2SiF6+HNO2+H2O+H2
水和乙酸(CH3COOH)通常作为稀释剂,在HNO3 溶液中,HNO3几乎全部电离,因此H+浓度较高, 而CH3COOH是弱酸,电离度较小,它的电离反应 为
CH3COOH=CH3COO-+H+
图4.5腐蚀速率与成分的关系
下图给出分别用H2O和CH3COOH作为稀释剂的HF+ HNO3,系统腐蚀 硅的等腐蚀线(常用的浓酸的重量百分比是49.2%HF和69.5% HNO3)。
H2O和CH3COOH作为稀释剂的功能相似,共同特 点: (1)在低HNO3及高HF浓度区(见图4.6的顶角区), 等腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线,由于该区有过量 的HF可溶解反应产物SiO2,所以腐蚀速率受HNO3的 浓度所控制。 (2)在低HF高HNO3区(见图4.6的右下角),等腐 蚀线平行于HF浓度线。 (3)当HF HNO3=1 1,稀释液浓度百分比小于 10%时,随稀释液的增加对腐蚀速率影响较大草原稀 释液从10% 30%,腐蚀速率随秋耕释液的增加呈减 小;稀释液大于30%后,稀释的微小变化会引起腐蚀 速率的很大变化。
MEMS工艺
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MEMS工艺
Ø 表面微加工过程特点:
Ø添加——图形——去除 Ø添加:薄膜沉积技术 Ø图形:光刻 Ø去除:腐蚀技术
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MEMS工艺
2.残余应力
在微机械加工中是固有的
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MEMS工艺
3.存在于薄膜结构中本身的应力
Ø由微加工过程中原子结构局部变化产 生的
Ø例如,过量掺杂会导致结构在表面微 加工后产生很大的残余应力
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MEMS工艺
粘连
Ø两个分离薄片粘附在一起的现象称为 粘连;
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MEMS工艺
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MEMS工艺
表面微机械加工的特点
Ø 1、在表面微机械加工中,硅片本身不被刻 蚀,没有穿过硅片,硅片背面也无凹坑。
Ø 2、表面微机械加工适用于微小构件的加工, 结构尺寸的主要限制因素是加工多晶硅的 反应离子刻蚀工艺。
Ø 3、形成层状结构的特点为微器件设计提供 较大的灵活性。
Ø酒精、液态CO2置换水; Ø依靠支撑结构防止塌陷。
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MEMS工艺
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典型牺牲层腐蚀工艺
Ø 氧化,做体硅腐蚀掩膜层; Ø 光刻氧化层,开体硅腐蚀窗口; Ø 体硅腐蚀出所需底层结构; Ø 去除SiO2; Ø 生长或淀积牺牲层材料; Ø 光刻牺牲层材料成所需结构; Ø 生长结构材料; Ø 光刻结构材料; Ø 牺牲层腐蚀,释放结构层; Ø 防粘结处理。
MEMS工艺
MEMS工艺(表面硅加工技术)
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D、横向腐蚀形成空腔
腐蚀掉SiO2形成空腔,即得到多晶硅桥式可活动 的硅梁
五、影响牺牲层腐蚀 的因素
牺牲层厚度 腐蚀孔阵列
多晶
LT
塌陷和粘连及防止方法
酒精、液态 置换水; 酒精、液态CO2置换水; 依靠支撑结构防止塌陷。 依靠支撑结构防止塌陷。
六、表面微加工特点及关键 技术
表面微加工过程特点:
ASSEMBLY INTO PACKAGE
PACKAGE SEAL
FINAL TEST
采用特殊的检测和划 片工艺保护释放出来的机 械结构封装时暴 Nhomakorabea部分零件
机、电系统 全面测试
三、表面微加工原理 表面微加工技术主要靠在基底上逐 层添加材料而构造微结构 表面微加工器件是由三种典型的部 件组成:⑴牺牲层;⑵微结构层; ⑶绝缘层部分
MEMS的典型生产流程
膜越厚, 膜越厚,腐蚀 次数越少。 次数越少。
多次循环 成膜
DEPOSITION OF MATERIAL
去除下层材料, 去除下层材料, 释放机械结构
光刻
PATTERN TRANSFER
腐蚀
REMOVAL OF MATERIAL
PROBE TESTING
SECTIONING
INDIVIDUAL DIE
添加——图形——去除 添加:薄膜沉积技术 图形:光刻 去除:腐蚀技术 表面微加工和IC工艺的区别:形成机械结构! 形成机械结构! 形成机械结构
参考文献
[1]任小中 现代制作技术 任小中.现代制作技术 武汉: 任小中 现代制作技术[M].武汉:华中科技大学,2009,9. 武汉 华中科技大学, [2]微电机系统(MEMS)原理、设计和分析 微电机系统( 西安: 微电机系统 )原理、设计和分析[M].西安:西安 西安 电子科技大学出版社, 电子科技大学出版社,2009,5.
典型MEMS工艺流程
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典型MEMS工艺流程
MEMS表面微机械加工工艺是指所有工艺都是在圆片表面进行的MEMS制造工艺。
表面微加工中,采用低压化学气相淀积(LPCVD)这一类方法来获得作为结构单元的薄膜。
表面微加工工艺采用若干淀积层来制作结构,然后释放部件,允许它们做横向和纵向的运动,从而形成MEMS执行器。
最常见的表面微机械结构材料是LPVCD淀积的多晶硅,多晶硅性能稳定且各向同性,通过仔细控制淀积工艺可以很好的控制薄膜应力。
此外,表面微加工工艺与集成电路生产工艺兼容,且集成度较高。
下面结合北京大学微系统所的MEMS标准工艺,以一个MEMS中最主要的结构梁为例介绍一下MEMS表面加工工艺的具体流程。
1.硅片准备
2.热氧生长二氧化硅(SiO2)作为绝缘层
3.LPCVD淀积氮化硅(Si3N4)作为绝缘及抗蚀层。
MEMS工艺(5表面硅加工技术)
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表面微加工
表面微加工技术主要靠在基底上逐 层添加材料而构造微结构
表面微加工器件是由三种典型的部 件组成:⑴牺牲层;⑵微结构层; ⑶绝缘层部分
基本概念
在微机械加工中,通常将两层薄膜中的下 面一层腐蚀掉,只保留上面的一层,这种 技术称为牺牲层腐蚀,又称为分离层腐蚀。 利用牺牲层腐蚀技术直接在衬底表面制作 微机械元件结构的技术被称为“硅表面微 机械加工技术”。
不同淀积方法生成的二氧化硅性质表
。)
PECVD 200℃ SiO1。9(H) 可变(Adams 说 不一致) 失氢 2.3 1.47 300(压)到300 (拉) 3到6
淀积类型 典型温度 成分 台阶覆盖率 热稳定性 密度(g/cm3) 折射率 应力(Mpa) 电介质强度 (106V/cm或 102V/μm) 腐蚀速率 (nm/min)(H2O: HF=100:1)
多晶硅材料的主要特点 (2)多晶硅薄膜对生长衬底的选择不 苛刻。衬底只要有一定的硬度、平整度 及能耐受住生长工艺温度即可。 (3)可以通过对生长条件及后工艺的 控制来调整多晶硅薄膜的电阻率,使它 成为绝缘体、导体或半导体,从而适应 不同器件或器件不同部分的需要。
多晶硅材料的主要特点
(4)多晶硅薄膜作为半导体材料 可以像单晶硅那样通过生长、扩散 或离子注入进行掺杂,形成N型或 P型半导体,制成p-n结;可以采用 硅平面工艺进行氧化、光刻、腐蚀 等加工。
二氧化硅当然是硅加工实验室中最常用的 介质。它可以自身生长,也可以淀积,有 无掺杂剂都行,既使掺杂后仍然绝缘。
热生长型SiO2常用作MOS门绝缘层。如 果淀积的SiO2 中掺入磷,那就叫做磷硅 玻璃、“P玻璃”或PSG,它常用作最终 钝化层;
如果掺入硼,那就叫做硼硅玻璃或BSG;如 果在玻璃中掺入磷和硼的混合物,则常称为 BPSG或低温氧化物(LTO),它具有良好 的低温回流特性,可使高深宽比表面结构 “光洁化”或平面化。 在IC工艺中,SiO2是一种多用途的基本材料, 它通过热氧化生长和为满足不同要求采用不 同工艺淀积获得。
mems主要工艺
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mems主要工艺MEMS(微机电系统)主要工艺是一种将微型机械结构与电子元件集成在一起的技术。
它通过制造微米级的机械结构和集成电路,实现了传感器、执行器和微型系统的功能。
MEMS主要工艺包括以下几个方面。
首先是材料选择和加工。
MEMS主要使用的材料有硅、玻璃、陶瓷、金属等。
这些材料具有良好的机械性能和化学稳定性,适合微型加工。
MEMS的加工技术主要包括光刻、薄膜沉积、湿法腐蚀、离子注入等。
这些技术能够实现微米级的结构制造。
其次是微加工技术。
MEMS的制造过程主要是通过微加工技术来实现的。
微加工技术包括光刻、薄膜沉积、湿法腐蚀、离子注入等。
光刻是将光敏材料暴露在紫外线下,通过光影效应形成图案,然后进行腐蚀或沉积等处理。
薄膜沉积是将薄膜材料沉积在基底上,形成所需的结构。
湿法腐蚀是通过溶液对材料进行腐蚀,形成微结构。
离子注入是将离子注入材料中,改变材料的性能。
其次是封装技术。
MEMS器件制造完成后,需要进行封装,以保护器件并提供连接接口。
封装技术主要包括封装材料的选择和封装工艺的设计。
常用的封装材料有环氧树脂、硅胶等。
封装工艺包括封装结构设计、封装材料的选择、封装工艺的优化等。
最后是测试和可靠性验证。
制造完成的MEMS器件需要进行测试和可靠性验证,以确保其正常工作和长期稳定性。
测试主要包括功能测试、性能测试和可靠性测试。
功能测试是检测器件是否能够实现设计的功能。
性能测试是评估器件的性能指标。
可靠性测试是评估器件在长期使用过程中的稳定性和可靠性。
MEMS主要工艺包括材料选择和加工、微加工技术、封装技术以及测试和可靠性验证。
这些工艺的应用使得MEMS能够实现微型化、集成化和高性能化的特点,广泛应用于传感器、执行器和微型系统等领域。
通过不断改进工艺技术,可以进一步提高MEMS器件的性能和可靠性,推动MEMS技术的发展。
MEMS的主要工艺类型与流程
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MEMS的主要工艺类型与流程(LIGA技术简介)目录〇、引言一、什么是MEMS技术1、MEMS的定义2、MEMS研究的历史3、MEMS技术的研究现状二、MEMS技术的主要工艺与流程1、体加工工艺2、硅表面微机械加工技术3、结合技术4、逐次加工三、LIGA技术、准LIGA技术、SLIGA技术1、LIGA技术是微细加工的一种新方法,它的典型工艺流程如上图所示。
2、与传统微细加工方法比,用LIGA技术进行超微细加工有如下特点:3、LIGA技术的应用与发展4、准LIGA技术5、多层光刻胶工艺在准LIGA工艺中的应用6、SLIGA技术四、MEMS技术的最新应用介绍五、参考文献六、课程心得〇、引言一、什么是MEMS技术1、MEMS的概念MEMS即Micro-Electro-MechanicalSytem,它是以微电子、微机械及材料科学为基础,研究、设计、制造、具有特定功能的微型装置,包括微结构器件、微传感器、微执行器和微系统等。
一般认为,微电子机械系统通常指的是特征尺度大于1μm小于1nm,结合了电子和机械部件并用IC集成工艺加工的装置。
微机电系统是多种学科交叉融合具有战略意义的前沿高技术,是未来的主导产业之一。
MEMS技术自八十年代末开始受到世界各国的广泛重视,主要技术途径有三种,一是以美国为代表的以集成电路加工技术为基础的硅基微加工技术;二是以德国为代表发展起来的利用某射线深度光刻、微电铸、微铸塑的LIGA(Lithographgalvanfomungundabformug)技术,;三是以日本为代表发展的精密加工技术,如微细电火花EDM、超声波加工。
MEMS技术特点是:小尺寸、多样化、微电子等。
(1)微型化:MEMS体积小(芯片的特征尺寸为纳米/微米级)、质量轻、功耗低、惯性小、谐振频率高、响应时间短。
例如,一个压力成像器的微系统,含有1024个微型压力传感器,整个膜片尺寸仅为10mm某10mm,每个压力芯片尺寸为50μm某50μm。
MEMS工艺(10加工工艺)

INDIVIDUAL DIE
ASSEMBLY INTO PACKAGE
PACKAGE SEAL
FINAL TEST
采用特殊的检测和划 片工艺保护释放出来的机 械结构
封装时暴露部分零件
机、电系统 全面测试
MEMS 器件的加工
淀积氧化层
裸片
体微加工流程
图形化氧化层
除去氧化层
腐蚀 (Si)
Etch-back
二氧 释放多晶硅结 回火中收缩率低、薄膜稳定 HF 化硅 构 玻璃 构 铝 钛
0 0 10 20 30 40 腐蚀时间(min) 50 60
1.4 0.12 3.6 4.4 很快
横向腐蚀深度
40 30 20 10
度高、腐蚀速率低 体积稳定度低
5:1BHF HF 5:1BHF
磷硅 释放多晶硅结 腐蚀速率高、内应力小; 释放有机结构 与 CMOS 工艺兼容 用于 LIGA 中 释放电铸结构
多晶硅材料的主要特点
(2)多晶硅薄膜对生长衬底的选择不 苛刻。衬底只要有一定的硬度、平整度 及能耐受住生长工艺温度即可。 (3)可以通过对生长条件及后工艺的 控制来调整多晶硅薄膜的电阻率,使它 成为绝缘体、导体或半导体,从而适应 不同器件或器件不同部分的需要。
多晶硅材料的主要特点
(4)多晶硅薄膜作为半导体材料 可以像单晶硅那样通过生长、扩散 或离子注入进行掺杂,形成N型或 P型半导体,制成p-n结;可以采用 硅平面工艺进行氧化、光刻、腐蚀 等加工。
二、表面微加工技术
表面微机械加工以硅片为基体,通过多层 膜淀积和图形加工制备三维微机械结构。 硅片本身不被加工,器件的结构部分由淀 积的薄膜层加工而成,结构与基体之间的 空隙应用牺牲层技术,其作用是支撑结构 层,并形成所需要形状的最基本过程,在 微器件制备的最后工艺中解牺牲层。
MEMS加工工艺及表面加工

这里e+表示空穴,即Si得到空穴后从原子升 到氧化态
腐蚀液中的水解离发生下述反应 H2O=(OH)-+H+
17
Si2+与(OH)-结合,成为:
Si2++2(OH)-——>Si(OH)2
接着Si(OH)2放出H2并形成SiO2,即:
Si(OH)2——> SiO2+H2
44
体与表面微机械技术的比较
表面微机械加工技术
45
硅园片 淀积结构层 刻蚀结构层 淀积牺牲层
刻蚀牺牲层 淀积结构层
刻蚀结构层 释放结构
46
• 微加工过程都是在硅片表面的一些薄膜上进行的, 形成的是各种表面微结构,又称牺牲层腐蚀技术。 • 特点:在薄膜淀积的基础上,利用光刻,刻蚀等 IC常用工艺制备多层膜微结构,最终利用不同材料 在同一腐蚀液中腐蚀速率的巨大差异,选择性的腐 蚀去掉结构层之间的牺牲层材料,从而形成由结构 层材料组成的空腔或悬空及可动结构。
SFx+ F
Deep reactiveion etching ~1995
Surface micromachining
~1986
LIGA ~1978
4
MEMS加工技术的种类
硅微机械加工工艺:体硅工艺和表面牺牲层工艺
美国为代表,伴随硅固态传感器的研究、开发而在集成电路平面 加工工艺基础上发展起来的三维加工技术。具有批量生产,成本 低、加工技术可从IC成熟工艺转化且易于与电路集成
• 优点:与常规IC工艺兼容性好; 器件可做得很小
• 缺点:这种技术本身属于二维平面工艺,它限 制了设计的灵活性。
47
48
关键技术
牺牲层技术 薄膜应力控制技术 防粘连技术
MEMS加工-MEMS制造技术

MEMS加工-MEMS制造技术微机械加工是MEMS 以及微光机电系统的关键技术。
微机械加工可分为体微机械加工和表面微机械加工两种类型。
体微加工技术是指利用蚀刻工艺对块状硅进行准三维机构的微加工,分为蚀刻和停止蚀刻两项关键技术。
表面加工技术不蚀刻掉大部分的硅材料,而是在硅片上采用不同的蚀刻和薄膜淀积方法,在硅表面上形成较薄的结构。
蚀刻技术的主要代表为牺牲层技术(表面微机械加工以硅片微基体,通过多层膜淀积和图形加工制备三维微机械结构。
硅片本身不被加工,器件的结构部分由淀积的薄膜层加工而成,结构与基体之间的空隙应用牺牲层技术)。
主要薄膜淀积技术有蒸镀、溅射、化学气相淀积等,主要蚀刻方法是选择性湿法蚀刻和干法等离子蚀刻。
全球共有250 家MEMS 器件生产企业,产品主要用于满足自身终端消费电子产品的需要。
MEMS 应用领域非常广泛,单个细分市场规模很窄,一家公司以几亿美元规模就能占据1 至2 个产品龙头地位。
例如,德州仪器占据DLP 市场,惠普占据打印机喷墨头市场,安华高科技占据滤波器市场,ADI、ST、飞思卡尔和美新占据加速度计市场,楼氏占据麦克风市场。
为了降低成本、垄断市场,国际大公司都加大了8 英寸MEMS 生产线的建设。
意法半导体2006 年将MEMS 生产线升级到8 英寸,欧姆龙、飞思卡尔也开始筹建8 英寸生产线。
国内MEMS 加工产业还处于导入期,北京青鸟元芯及无锡美新半导体占据领先地位。
青鸟元芯依托北京大学微电子研究院,成为国内第一家批量生产MEMS 微型传感器的高新技术企业,月产MEMS 传感器达10 万只。
无锡美新半导体是全球第一家使用标准CMOS 工艺、单芯片上集成混合信号处理的热对流MEMS 惯性传感器公司;设计生产能力为1500 万片/月,加速计产品500 万片/月,在无锡第二家CMOS-MEMS 工厂已经投产,每月可生产1000 万个加速。
第三章 MEMS制造技术-3

X光过渡掩模板制造工艺流程图
(2) X光光刻胶 同步辐射X (3)同步辐射X光曝光 (4)光刻胶显影 微电铸工艺 目前镍的微电铸工艺比较成熟,镍较稳定, 目前镍的微电铸工艺比较成熟,镍较稳定,且具有一定的硬 可用于微复制模具的制作。 由于金是LIGA LIGA掩模板的阻挡 度 , 可用于微复制模具的制作 。 由于金是 LIGA 掩模板的阻挡 所以, LIGA技术中 金的微电铸技术非常重要。 技术中, 层 , 所以 , 在 LIGA 技术中 , 金的微电铸技术非常重要 。 有些 传感器和执行器需要有磁性作为驱动力,所以, 传感器和执行器需要有磁性作为驱动力,所以,具有磁性的铁 镍合金的微电铸对LIGA 技术也很重要。 其他如银、 LIGA技术也很重要 镍合金的微电铸对 LIGA 技术也很重要 。 其他如银 、 铜等也是 LIGA技术常用的金属材料 技术常用的金属材料。 LIGA技术常用的金属材料。 LIGA的微电铸工艺技术难点之一 是对高深宽比的深孔、 的微电铸工艺技术难点之一, LIGA 的微电铸工艺技术难点之一 , 是对高深宽比的深孔 、 深槽进行微电铸。 深槽进行微电铸。 微复制工艺
第三章 MEMS制造技术
内容提要 3.1 3.2 3.3 3.4 集成电路基本制造技术 体微加工技术 表面微加工技术 其他微加工技术
集成电路和体微加工技术回顾
3.3 表面微加工
主要问题
表面微加工过程 结构层 牺牲层 薄膜应力 粘连 应用
表面微加工
表微加工机理: 表微加工机理:图给出了表面微加工的基本过程 与体微加工相比较, 与体微加工相比较 , 表面微加工技术对于微小结构的尺寸更 易控制。 易控制。
MEMS封装 MEMS封装
MEMS封装 MEMS封装
MEMS封装 MEMS封装
MEMS的主要工艺类型与流程
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MEMS的主要工艺类型与流程MEMS(微机电系统)是一种将微型机械结构与微电子技术相结合的技术,具有广泛的应用前景,在传感器、加速度计、微流体器件等领域有重要的作用。
MEMS的制备过程包括几个主要的工艺类型和相应的流程,本文将详细介绍这些工艺类型和流程。
1.半导体工艺半导体工艺是MEMS制备中最常用的工艺类型之一、它借鉴了集成电路制造的技术,将MEMS结构与电路结构集成在一起。
半导体工艺的制备流程主要包括以下几个步骤:(1)硅片准备:选择高纯度的单晶硅片作为基底材料,通常使用化学机械抛光(CMP)等方式使其表面光滑。
(2)掩膜和光刻:使用光刻胶将掩膜图形转移到硅片表面,形成所需的结构图案。
(3)蚀刻:使用干法或湿法蚀刻技术去除光刻胶外部的硅片,仅保留需要的结构。
(4)沉积:在蚀刻后的硅片表面沉积不同材料,如金属、氧化物等,形成MEMS结构的各个层次。
(5)光刻:重复进行掩膜和光刻步骤,形成更多的结构图案。
(6)终结:最后,进行退火、切割等步骤,完成MEMS器件的制备。
2.软件工艺软件工艺是MEMS制备中的另一种主要工艺类型。
与半导体工艺不同,软件工艺使用聚合物材料作为主要基底材料,并采用热压、激光加工等方式形成MEMS结构。
软件工艺的制备流程主要包括以下几个步骤:(1)选择聚合物材料:根据应用需求选择合适的聚合物材料作为基底材料。
(2)模具制备:根据设计要求制作好所需的模具。
(3)热压:将聚合物材料放置在模具中,通过加热和压力使其形成所需的结构。
(4)取模:待聚合物冷却后,从模具中取出完成的MEMS结构。
3.LIGA工艺LIGA(德语为"Lithographie, Galvanoformung, Abformung"的首字母缩写)工艺是一种利用光刻、电沉积和模具制备的工艺方法,主要适用于高纵深结构的制备。
LIGA工艺的制备流程主要包括以下几个步骤:(1)光刻:使用光刻胶将掩膜图形转移到聚合物或金属表面,形成结构图案。
典型MEMS工艺流程
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典型MEMS工艺流程下面结合北京大学微系统所的MEMS标准工艺,以一个MEMS中最主要的结构——梁为例介绍一下MEMS表面加工工艺的具体流程。
1.硅片准备2.热氧生长二氧化硅(SiO2)作为绝缘层3.LPCVD淀积氮化硅(Si3N4)作为绝缘及抗蚀层4.LPCVD淀积多晶硅1(POL Y1)作为底电极5.多晶硅掺杂及退火6.光刻及腐蚀POLY1,图形转移得到POLY1图形7.LPCVD磷硅玻璃(PSG)作为牺牲层8.光刻及腐蚀PSG,图形转移得到BUMP图形9.光刻及腐蚀PSG形成锚区10.LPCVD淀积多晶硅2(POL Y2)作为结构层11.多晶硅掺杂及退火12.光刻及腐蚀POLY2,图形转移得到POLY2结构层图形13.溅射铝金属(Al)层14.光刻及腐蚀铝层,图形转移得到金属层图形15.释放得到活动的结构至此,我们利用MEMS表面加工工艺完成了一个梁的制作。
这个工艺流程中共有五块掩膜版,分别是:1.POL Y1,用的是阳版,形成的多晶1图形用来提供机械层的电学连接,地极板或屏蔽电极;2.BUMP,用的是阴版,在牺牲层上形成凹槽,使得以后形成的多晶硅机械层上出现小突起,减小在释放过程或工作过程中机械层与衬底的接触面积,起一定的抗粘附作用;3.ANCHOR,用的是阴版,在牺牲层上刻孔,形成机械层在衬底上的支柱,并提供电学连接;4.POL Y2,用的是阳版,用来形成多晶硅机械结构;5.METAL,用的是阳版,用来形成电连接或测试接触。
MEMS加工技术如前所述,加工技术主要分为三种,分别以美国为代表集成电路技术、日本以精密加工为特征的MEMS 技术和德国的LIGA技术.第一种是以美国为代表的硅基技术,它是利用化学腐蚀或集成电路工艺技术对硅材料进行加工,形成硅基器件。
这种方法可与传统的工艺兼容,并适合廉价批技术量生产,已成为目前的硅基主流.各向异性腐蚀技术就是利用单晶硅的不同晶向的腐蚀速率存在各向异性的特点而进行腐蚀技术,其主要特点是硅的腐蚀速率和硅的晶向、搀杂浓度及外加电位有关。
mems 加工工艺
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mems 加工工艺
MEMS(微机电系统)加工工艺是一种高精度、高效率的制造技术,用于生产微型机械和电子设备。
这种技术结合了微电子和微机械加工技术,使得在微米级别上制造复杂的三维结构和器件成为可能。
MEMS加工工艺主要包括表面微机械加工、体微机械加工和特殊微机械加工等几种类型。
表面微机械加工是一种“添加”工艺,通过在单晶片表层的一边沉析出若干由不同材料构成的薄层,然后有选择地蚀刻这些薄层,形成“隆起”结构,最终转变为附着在晶片衬底之上的、可动的微机械结构。
体微机械加工则是一种“去除”加工过程,通过从晶体基底去除某种物质,形成诸如空洞、凹槽、薄膜和一些复杂三维结构。
在MEMS加工工艺中,光刻、薄膜沉积、掺杂、刻蚀、化学机械抛光等微电子工艺技术也被广泛应用。
光刻技术用于在硅片上制作精细的图形,薄膜沉积技术则用于在硅片上沉积各种材料的薄膜,掺杂技术用于改变硅片的电学性质,刻蚀技术用于将硅片上不需要的部分去除,而化学机械抛光技术则用于使硅片表面更加光滑。
此外,MEMS加工工艺还涉及许多特殊的微加工方法,如键合、LIGA、电镀、软光刻、微模铸、微立体光刻与微电火花加工等。
这些方法各具特色,可根据具体需求选择合适的工艺组合。
总的来说,MEMS加工工艺是一种高度复杂且精密的制造技术,它结合了微电子和微机械加工技术的优势,为微型机械和电子设备的制造提供了强大的支持。
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方法二:采用疏水涂层
在微结构和衬底上采用疏水涂层可以降低结合能,从而降低粘附。 表面覆盖一层自组装的长链分子,这种长链分子叫做单层疏水自组 装。
除了用于防粘附涂层外,疏水表面处理还可以应用于其他领域。 例如: 采用疏水的图形化区域降低了表面结合能,就可以不采用牺牲 层湿法刻蚀便从模具中提起圆片级尺度的器件; 局部疏水处理可以使小部件按照自组织方式进行自动组装。
2.它制造的机械结构基本上都是二 维,因为机械 结构的厚度完全受限 于沉积薄膜的厚度。
2.由于体微机械加工 工艺无法做到零部件 的平面化布局,因此 它不能够和微电子线 路直接兼容。
在硅片上淀积一层牺牲层
二、基本工艺流程
光刻定义图形层
淀积结构层薄膜
图形化结构层薄膜
去除牺牲层,释放结构层
形成最终结构
•举例:方案一 —— 微型马达基本制造工艺流程
一.基本概念
•微机械加工
微机械加工技术是加工微米量级机械的技术,即是为微传感 器、微执 行器和微电子机械系统制作微机械部件和结构的加工技术。
•分类方法
硅基微机械加工
按加工材料分类 非硅基微机械加工 体微机械加工 在工艺中经常 同时使用
按加工类型分类
表面微机械加工
复合微机械加工
•表面微机械加工的定义
悬浮结构与衬底的接触会导致不可逆的损坏。一旦接触,强大的分子力(例如范 德华力)会加强悬浮结构和衬底间的吸引。另外,由于存在新的反应副产品,很 可能会产生固体桥接。 微结构的这种失效模式称为粘附(stiction)。 粘附(stiction)=粘连(sticking)+摩擦(friction) 解决粘附问题的方法均源于以下四种途径之一: 1. 改变固体与液体界面的化学性质以减小毛细吸引力。 2. 防止产生过大的结合力,如提高溶液温度或减少表面接触面积。 3. 采用各种形式的能量输入释放粘附在衬底上的结构,这些方法 可以局部进行也可以整体进行。 4. 为机械结构提供反向力以防止其相互接触,如利用本征应力引 起的弯曲现象。 下面详细介绍利用上述途径的两种典型方法。
第11章 表面微机械加工
汇报人:胡文艳 时 间:2017.6.10
目录
01 - 相关基本概念介绍
02 - 表面微机械加工基本工艺介绍
Contents
03 - 结构层材料和牺牲层材料的选择
04 - 加速牺牲层刻蚀的方法——钻蚀释放速度的技术 05 - 粘附机制和抗粘附的方法——与烘干工艺相关的失效以及改进方法
在氢氟酸刻蚀牺牲层时的低刻蚀速率
氮化硅
3SiH4+4NH3 绝缘的电解质,具有本征张应力。 =Si3N4+24H SiH4+O2 =SiO2+2H2
二氧化硅 500℃
附加的磷化氢气体掺入LTO(低温氧化硅,即没有被掺杂的二氧化 硅),可生成磷硅玻璃(PSG),掺入磷原子可加速二氧化硅在氢 氟酸中的刻蚀速率。 PECVD
•结构层和牺牲层材料的制备方法
实际中广泛应用到的结构层和牺牲层材料的淀积方法是化学气相沉积(CVD), 根据提供能量不同有如下分类:
能量仅由热能提供且 反应在低压中进行
能量由等离子能源提供
低压化学气相沉积 (LPCVD)
等离子体增强化学 气相沉积(PECVD)
LPCVD沉积腔(多 个温度区用于提高材 料生长的均匀性)
体微机械加工 微机械加工工艺 表面微机械加工 复合微机械加工
定义:能够制造附着于衬底表面附近的微结构的工艺。 与体微机械加工不同,表面微机械加工没有移除或刻蚀 体衬底材料。
•表面微机械加工和体微机械加工工艺特点:
表面微机械加工 优点 充分利用了现有的IC生产工艺,对 机械零部件尺度的控制与IC一样好, 因此这种技术和IC完全兼容。 1.机械加工层越 多微 型元件的布局 问题、平面化问题 和减小残余应力 问题也更难解决。 缺点 体微机械加工 可以相对容易地 制造 出大质量的零部 件。 1.很难制造精细灵敏 的悬挂系统。
这些孔可以使其下的牺牲层被快速移除而不需要借助大尺寸的刻 蚀孔。因为孔尺寸达到纳米量级,所以它们对器件的工作影响很 小。
五、粘附机制和抗粘附的方法
——与烘干工艺相关的失效以及改进方法
牺牲层去除常常采用化学溶剂来完成,因为其刻蚀速率高,设备简单刻蚀选择性好。 它常需要采用自然蒸发或强制蒸发的后处理方法对圆片和芯片进行干燥。具体情况如 下图。
四、加速牺牲层刻蚀的方法
——钻蚀释放速度的技术
方法一:
以上图磁执行器为例,每个板由两个悬臂梁支撑,板上的四个刻蚀孔使得牺牲层钻蚀不但可以在板 的边缘发生,而且可以在其内部进行。这种方法可以大大减少刻蚀所需时间。 右图为刻蚀孔的显微照片。大多数情况下,刻蚀孔应当比较小,以免在器件工作时产生不良影响。
方案三 —— 微型马达制造工艺流程改进
为了解决上述由于转子和定子的接触而产生额外摩擦问题,这里采用氮化硅 作为接触面以降低转子和定子间的摩擦系数。 定子的侧壁具有摩擦控制层,底槽区域内沉积的氮化硅可以防止定子落到衬 底表面。
三、结构层材料和牺牲层材料
工艺材料选择标准:
理想工艺规则: 1. 将结构层淀积在牺牲层上时,不能导致牺牲层熔化、溶解、开裂、 分解、变得不稳定或其他形式毁坏。 2. 用于结构层图形化的工艺不能破坏牺牲层和衬底上已有的其他薄层。 3. 用于除去牺牲层的工艺不能侵蚀、溶解、损坏结构层和衬底。 多重结构层和牺牲层规则(如前述微型马达工艺流程): 1. 淀积的材料层不能破坏其底层材料。 2. 牺牲层刻蚀工艺中不能破坏硅片上的其他任何材料。 3. 将牺牲层或者结构层图形化的任何工艺过程,不能刻蚀损坏现存硅 片上的其它层材料。
(刻蚀孔、改变刻蚀方法和刻蚀材料等)
05 - 粘附机制和抗粘附的方法——与烘干工艺相关的失效以及改进方法
(超临界流体烘干、采用疏水涂层等)
本章小结:
01 - 相关基本概念介绍
(微机械加工、表面微机械加工、分类方法、表面微机械加工和体微机械比较)
02 - 表面微机械加工基本工艺介绍
(以微型马达基本制造工艺流程为例,三种方法的改进)
03 - 结构层材料和牺牲层材料的选择
(工艺材料选择标准、结构层和牺牲层材料的制备方法)
04 - 加速牺牲层刻蚀的方法——钻蚀释放速度的技术
刻蚀剂对牺牲层的刻蚀速率
刻蚀剂对结构层的刻蚀速率
Q&A:这个比值应该尽可能的大还是小?
刻蚀选择性=
rs a rs t
理想情况下,较高的牺牲层刻蚀速率rsa意味着完成牺牲层刻蚀过程的 时间减少。 如果两种备选方案具有相同的刻蚀选择性,那么具有较高牺牲层刻蚀 速率rsa的方案更受青睐。 如果其中的一种方案对牺牲层的刻蚀速率较慢但是比另一种方案的刻 蚀选择性高,那么在选择方案时应考虑其他因素。 综上,可以看出,刻蚀选择性应当尽可能地大。
溅射
除LPCVD外的 其他方法:
硅、氧化硅、氮化硅
多晶硅
•其他表面微机械加工材料与工艺:
其他材料及其优点: 锗硅及多晶锗: 1. 较低的加工温度(多晶硅580℃,锗硅工艺温度只有450℃) 2. 与多晶硅相比,锗硅的生长速率更高。 聚合物及金属薄膜: 1. 在更低的温度下加工。 2. 采用更简单的设备进行沉积。 其他工艺 对于聚合物材料: 旋涂、汽相涂覆、喷涂和电镀。 对于金属元素: 蒸发及溅射:沉积薄金属膜(小于1μm) 电镀:制造厚金属膜(大于2μm)
a) b) c) d) e) f) g) h)
在硅片上淀积一层牺牲层。 淀积多晶硅作为结构层材料,制造转子。 光刻胶作掩膜,反应离子刻蚀使图形转移到多晶硅结构层上。 硅片表面沉积另一层氧化物牺牲层(材料可能与前一层不同,常选择 LPCVD 二氧化硅) 加工出与衬底相连的锚区窗口(为了制造定子,限制转子的侧向平移) 沉积第二层结构层,该结构层通过锚区窗口与衬底相连(制造定子) 再次涂敷光刻胶用于光刻第二层结构形状。 浸入氢氟酸刻蚀液以除去两层牺牲层。
在MEMS中应用的LPCVD材料主要有三种:多晶硅、氮化硅和二氧化硅:
LPCVD 材料 反应 温度 580℃ ~ 620℃ 800℃ 化学反应 方程式 保形性 SiH4=Si+2H2 应力 刻蚀速率
其他性质及其他
保形覆盖的目的是覆盖三维结构的图形 对于螺母结构:会引起扣住的现象
多晶硅
对于悬臂梁结构:厚度方向的梯度应力会引起形变
方法二:改变刻蚀方法和刻蚀材料
在某些应用中,刻蚀孔对器件性能有一定的影响。例如, 光反射器上的刻蚀孔不但会降低反射系数,而且会导致衍射 的发生。所以除此方法外,据研究表明,以下材料具有非常 快的刻蚀速率和很高的刻蚀选择性: 1. 树状聚合物,例如超分支聚合物。 2. 氧化锌薄层。 若牺牲层是金属,可通过加偏压使其在电解液中溶解的方法来 加速钻蚀。 使用自组装的单分子层来释放大面积的微器件而不需要采用化 学湿法刻蚀。
•方案一带来的问题:
定子 转子 衬底
1. 转子在重力作用下很容易落在衬底上,产生大面积接触。 2. 转子在高速转动过程中会与定子产生接触,产生额外的摩 擦和磨损。
方案二 —— 微型马达制造工最主要的不同之处是第二层结构层(定子)的材料用氮化硅取代了多晶硅。
产生的问题:转子和衬底仍有可能粘连,但接触的可能性减小到微小的凸 点上。
方法一:超临界流体烘干
可以防止液体与空气界面处出现反向表面张力,超临界相出现在高温高压的环境下。下图为 超临界相技术的典型烘干工艺。 1、将带有释放微结构的芯片浸 入液体中并置于合适的压强和室 温下。初始状态在相图中用点1 表示。 2、增加液体的温度并保持压强 不变,溶剂从液相转变为超临 界相(点2) 3、降低超临界相流体的压力, 使得超临界流体转变为汽相 (点3) 优点:从液相转变为超临界相以及从超临界相转变为汽相的过程中不存在表面张力。