电子技术试题

１

Kaizhiyejishuxuexiao 试卷

一、单选题(每题2分)

1. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。

A B C

D

2. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同

量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。

A. 直流，相同，相同

B. 交流，相同，相同

C. 直流，不同，不同

D. 交流，不同，不同

3. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。

A. 左移，下移

B. 右移，上移

C. 左移，上移

D. 右移，下移

4. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。

A. 少子

B. 多子

C. 杂质离子

D. 空穴

5. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ） 。

A. U I e S

B. T

U U I e

S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I

6. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。

A. 0

B. 死区电压

C. 反向击穿电压

D. 正向压降

7. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数

据可能正确：（ ）。

A U th ≈0.525V ，I S ≈0.05pA

B U th ≈0.525V ，I S ≈0.2pA

C U th ≈0.475V ，I S ≈0.05pA

D U th ≈0.475V ，I S ≈0.2pA

8. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0

B. I D < I Z 且I D > I ZM

C. I Z > I D > I ZM

D. I Z < I D < I ZM

9. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂

移电流。

A. 小于，大于

B. 大于，小于

C. 大于，大于

D. 小于，小于

10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。

２

A 0.1V

B 0.2V

C 0.5V

D 0.7V

二、判断题(每题2分)

1. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ）

2. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）

3. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ）

4. 二极管在工作电流大于最大整流电流I F 时会损坏。 （ ）

5. 二极管在工作频率大于最高工作频率f M 时会损坏。 （ ）

6. 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。 （ ）

7. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM 时会损坏。 （ ）

三、填空题(每题2分)

1. 光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。

2. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。

3. 构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的 方能实现稳压。

4. 二极管P 区接电位 端，N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。

5. 在本征半导体中掺入 价元素得N 型半导体，掺入 价元素则得P 型半导体。

6. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。

7. PN 结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。

8. 发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。

9. 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。 10. 发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增加而上升。

四、计算分析题(每题10分)

1. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。设二极管

的导通压降为0.7V 。

V

o

(a)

V

(b)

o

３

2. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。

(a)

(b)