第2章 IC工艺扩散掺杂技术讲解

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微电子工艺之掺杂技术 共63页

微电子工艺之掺杂技术 共63页
b.精确控温,若Δ T=± 1 ℃,则Δ D=5%--10%。
一、扩散原理
3.菲克第二定律—扩散方程
对Si平面工艺,扩散流近似沿垂直Si表面方向(x方
向),则
JJ(x)DN x
根据质量守恒:单位时间内,在相距dx的两个平 面之间,杂质数的变化量等于通过两个平面的流量差, 即

3.菲克第二定律—扩散方程
替位扩散:Ea = Es+ Ev D是描述粒子扩散快慢的物理量,是微观扩散的宏观
描述。
一、扩散原理
①D与Ea成反比 替位扩散:Ea = Es+ Ev ,能量高,慢扩散; 间隙扩散:Ea = Ei,能量低,快扩散。
② D与T成正比 a.高温扩散, T=800-1000℃ ; 例如,室温下Si中替位杂质要等1045 年才能跃迁一 步。
x
;erfc(x)

1-erf(x);
②erfc(0)=1;
③erfc(∞)=0; ④erfc(x)≌ 2 x ,当x«1;

erfc(x)≌ 1 e x 2 ,当x»1;
x
1.恒定表面源扩散
杂质总量
Q 0 N (x ,t) d x 0 N s e( r 2 x f D c ) dt x 2 N s D 1 .t 1N s 3Dt
第二章 掺杂技术
目的:改造半导体的电特性 定义:用人为的方法,将所需的杂质,以一定的方式
掺入到半导体基片规定的区域内,并达到规定的数量 和符合要求的分布。 应用:制作①PN结②IC中的电阻③欧姆接触区④硅 栅⑤多晶硅互连线 方法:①热扩散②离子注入③合金
§1 扩散
定义:将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中,从而达 到将杂质扩散到硅片内的目的。

第二章 扩散工艺

第二章  扩散工艺

5、SiO2中的扩 散
对于常见的杂质,如B,P,As等,其在SiO2中的扩散系数比在 Si中的扩散系数小得多,因此,SiO2经常用做杂质扩散的掩蔽层
SiO2用做扩散掩蔽层的最小厚度估算公式:
影响SiO2的掩蔽效果的主要■
■ ■
扩散时间
2、杂质扩散机制
(1) 填隙扩散(Interstitial Diffusion Mechanism)
■ ■
填隙型杂质扩散很快 对硅掺杂水平无直接贡献
2、杂质扩散机制
(2) 直接交换式扩散(Interstitial Diffusion Mechanism)
本体原子
杂质原子
替位型杂质原子必须打破与周围本体原 子间的键合,才能进行直接交换式扩散。

MOS电容的C—V法
耗尽层宽度
2 (Vbi V ) W qNsub
A C W A2 qN sub 2 (Vbi V )
二极管电容
杂质浓度
8(Vbi V )3 N sub ( z ) 2 A q
dC( z ) dV

扩展电阻法 (1) 将样品磨出一个小角度斜面 (2) 将样品放在载片台上,用一对探针以预定压力与样品 表面接触,测量该电阻值。 (3) 将该电阻值与一个已知浓度的标准值进行比较, 从电阻率反推出载流子的分布。 主要问题 (1) 测量结果取决于点接触的重复性。 (2) 进表面测量比较困难。 (3) 测量样品与校准标准片比较接近。
杂质原子
扩散过程:


替位式杂质原子被自填隙本体原子推到填隙位置;
杂质原子占据另一个晶格位置,该晶格位置上的本体原子 被移开并成为自填隙原子。
注意:只有存在空位扩散时,才能发生推填隙扩散。

扩散工艺培训课件(74页)

扩散工艺培训课件(74页)
39
§3.3 扩散杂质的分布
1.恒定表面源扩散 扩散过程中,硅片表面杂质浓度始 终不变这种类型的扩散称为恒定表面源 扩散。
其扩散后杂质浓度分布为余误差函数 分布
2. 有限表面源扩散 扩散散前在硅片表面先淀积一层 杂质,在整个过程中,这层杂质作 为扩散源,不再有新源补充,杂质 总量不再变化。这种类型的扩散称 为有限表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数 分布
氧过量 • 4PCl5 + 5O2 = 2P2O5 +10Cl2
60
影响扩散参量的因素
• 源POCl3的温度 • 扩散温度和时间 • 气体流量
61
§3.7工艺控制和质量检 测
一.工艺控制 二.质量检测
一.工艺控制
• 污染控制:颗粒、有机物、薄膜、金属离子 污染来源:操作者,清洗过程,高温处理,工具
9
• 二、替位式扩散
• 1、替位杂质:占据晶格位置的外来原子。
• 2、替位式扩散:替位杂质从一个晶格位 置到另一个晶格位置上。只有当替位杂质的近
邻晶格上出现空位,替位杂质才能比较容易地 运动到近邻空位上。运动如下图所示。
• 3、替位杂质运动比间隙杂质更困难,首 先要在近邻出现空位,同时还要依靠热涨落获 得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。
7
6
7
3 1
5 4
2
间隙杂质运动
8
• 3、间隙杂质要从一个间隙位置运动到 相邻的间隙位置上,必须要越过一个势 垒,势垒高度Wi一般为0.6~1.2ev。
• 4、间隙杂质只能依靠热涨落才能获得 大于Wi的能量,越过势垒跳到近邻的间 隙位置上。
• •
5温、度跳升跃高率时:PPi指i=数v0e地-w增i/kT加。

半导体制作工艺----掺杂

半导体制作工艺----掺杂
(2) 在硅片表面的二氧化硅层上确定“窗口” (window)。该窗口的大小和形状对应于需要的掺杂区 域。
(3) 用腐蚀剂去掉窗口内的二氧化硅,但不除去硅,使 窗口的硅表面暴露在外。
(4) 把整个硅片置于掺杂源下,通过扩散或离子注入使 掺杂原子进入二氧化硅未覆盖的区域中,从而改变硅的 杂质性质。
5.1 概述
2、 扩散系数
扩散系数的推导:
首先在替位原子的势能曲线和一维扩散模型的 基础上,来推导扩散粒子流密度J(x, t)的表达式。
晶格常数为a,t时刻在(x-a/2)和(x+a/2)位置处, 单位面积上替位原子数分别为C(x-a/2, t)*a和 C(x+a/2, t) *a。单位时间内,替位原子由(x-a/2)处跳 到(x+a/2处)的粒子数目为
5.2.1 间隙扩散
原子半径比硅小的杂质原子在硅片中不占据格 点位置,只是从一个位置移动到另一个位置
间隙式扩散
➢ 间隙式杂质:存在于晶格间隙的杂质。以 间隙形式存在于硅中的杂质,主要是那些 半径较小、不容易和硅原子键合的原子。
➢ 间隙式扩散:间隙式杂质从一个间隙位 置到另一个间隙位置的运动称为间隙式 扩散。
假设在小体积元Δv=ΔxΔs内的杂质分布是均匀的。
在t时刻,体积元内的杂质浓度为C(x, t),在t+Δt时刻 杂质浓度为C(x, t+Δt) 。经过Δt时间,该体积元内杂质 变化量为
C(x,t)ΔsΔx C(x,t Δt)ΔsΔx C(x,t Δt) C(x,t)ΔsΔx
设杂质在x和x+Δx处的扩散流密度分别为J(x,t) 和J(x+Δx,t),则在Δt时间内, 通过x处和x+Δx处的杂质流量差为
J (x x,t)st J (x,t)st J (x x,t) J (x,t)st

半导体制造工艺基础之扩散工艺培训课件(PPT 28页)

半导体制造工艺基础之扩散工艺培训课件(PPT 28页)
目的是为了控制杂质总量;预淀积现在普遍被离 子注入代替。
推进:高温过程,使淀积的杂质穿过晶体,在 硅片中形成期望的结深。
此阶段并不向硅片中增加杂质,但是高温下形成的 氧化层会影响推进过程中杂质的扩散,这种由硅表 面氧化引起的杂质浓度改变成为再分布。
目的是为了控制表面浓度和扩散深度。
• 激活:使温度稍微升高,此过程激活了杂质 原子。
的扩散速度特别快,造成结平面不平坦,PN结击穿。
(2) 表面玻璃层。硼和磷扩散之后,往往在硅片表面形成一层硼硅玻璃或磷硅玻 璃,此玻璃层与光刻胶的粘附性极差,光刻腐蚀时容易脱胶或产生钻蚀,而 且该玻璃层不易腐蚀。
(3) 白雾。这种现象在固一固扩散及液态源磷扩散经常发生。主要原因是淀积二 氧化硅层(含杂质源)时就产生了或在磷扩散时磷杂质浓度过高以及石英管 中偏磷酸产生大量的烟雾喷射在硅片表面,在快速冷却过程中产生。光刻时 容易造成脱胶或钻蚀。
方块电阻的检测
利用图中所示电路,将电流表所示电流控制在3毫安以内, 读出电压表所示电压,利用下式计算:
RS
CV I
式中常数C是由被测样品的长度L、宽度a、厚度d,以及
探针间距S来确定,常数C可由表查出。
扩散工艺
扩散常见的质量问题
(1) 合金点和破坏点:在扩散后有时可观察到扩散窗口的硅片表面上有一层白雾 状的东西或有些小的突起。 用显微镜观察时前者是一些黑色的小圆点,小圆点称为合金点; 后者是一些黄亮点、透明的突起,透明突起称为破坏点。杂质在这些缺陷处
(2)可以通过对扩散工艺条件的调节与选择,来控制扩散 层表面的杂质浓度及其杂质分布,以满足不同器件的要求。
(3)与氧化、光刻等技术相组合形成的硅平面工艺有利于改 善晶体管和集成电路的性能。

芯片扩散工艺

芯片扩散工艺

芯片扩散工艺芯片扩散工艺是集成电路制造过程中的重要环节之一,它直接影响着芯片的性能和可靠性。

本文将从芯片扩散工艺的定义、工艺步骤、工艺参数和应用领域等方面进行详细介绍。

一、芯片扩散工艺的定义芯片扩散工艺是指将掺杂源材料中的掺杂原子通过扩散过程引入到硅片表面或内部特定位置的一种技术。

通过扩散工艺,可以改变硅片的电学性质,实现不同功能和性能的芯片制备。

1. 准备工作:包括硅片清洗、掺杂源材料制备和掺杂源液体的制备等。

2. 掺杂源涂覆:将掺杂源液体均匀地涂覆在硅片表面。

3. 扩散过程:将涂覆了掺杂源液体的硅片放入高温炉中,在特定温度下进行扩散,使掺杂原子从掺杂源液体向硅片内部扩散。

4. 清洗工艺:将扩散后的硅片进行清洗,去除表面的杂质和残留物。

5. 其他工艺步骤:根据具体需求,可能还需要进行退火、腐蚀、沉积等工艺步骤。

三、芯片扩散工艺的参数1. 温度:扩散过程中的温度是一个重要的参数,它决定了掺杂原子的扩散速率和深度。

2. 时间:扩散时间也是一个关键参数,它决定了掺杂原子扩散的程度。

3. 掺杂浓度:掺杂源液体中掺杂原子的浓度决定了最终芯片的电学性质。

4. 扩散气氛:在扩散过程中,气氛的成分和压力也会对扩散效果产生影响。

四、芯片扩散工艺的应用领域1. 集成电路制造:芯片扩散工艺是集成电路制造过程中的核心环节,它决定了芯片的性能和功能。

2. 太阳能电池:芯片扩散工艺可以用于制备太阳能电池中的p-n结。

3. 传感器制造:芯片扩散工艺可以用于传感器的制造,改变其电学特性,实现不同的传感功能。

芯片扩散工艺是集成电路制造中不可或缺的一环。

通过合理选择工艺参数和优化工艺步骤,可以实现对芯片电学特性的精确控制,进而提高芯片的性能和可靠性。

随着科技的不断进步和创新,芯片扩散工艺也将不断发展,为各个领域的应用提供更加优质的芯片产品。

第二章扩散

第二章扩散

本体原子
杂质原子
不需要自填隙本体原子来推动扩散过程的进行
3、Fair空位模型:
建立在空位扩散机制的基础上
1)“空位电荷":中性空位俘获电子,使其带负电;中性空位 的邻位原子失去电子,可使空位带正电。 2)空位模型:总扩散率是所有荷电状态的空位的扩散率的加权 总和,加权系数是这些空位存在的概率。 带电空位的数量 总扩散率表达式:

硅中杂质的扩散率曲线(低浓度本征扩散):
■ 中性空位的扩散率:
其中,E0a是中性空位的激活能(eV);
D00是一个与温度无关的系数,取决于晶格结构和振动频率。(cm2/s)

如果必须考虑带电空位的扩散率,则扩散率就是位置的函
数,因而费克第二定律方程必须采用数值方法来求解。
4、费克第二定律的分析解
1、横向扩散:杂质在纵向扩散的同时,也进行横向的扩散

一般横向扩散长度是纵向扩散深度的0.75 - 0.85;
横向扩散的存在影响IC集成度,也影响PN结电容。

2、内建电场的影响
高温下杂质处于离化状态,杂质离子与电子(空穴)同时向低浓 度方向扩散。电子(空穴)扩散速度快,形成空间电荷层,建立 一自建电场,使离子运动形式为扩散+漂移。 有效扩散系数Deff
费克简单扩散方程 1) 第一种边界条件:(预淀积扩散) 在任何大于零的时刻,表面的杂质浓度固定
此时扩散方程的解为: 被称为特征扩散长度(pm); Cs是固定的表面杂质浓度(/cm3) 预淀积扩散又被称为恒定表面源(浓度)扩散;在实际工艺中, Cs的值一般都是杂质在硅中的高浓度,与温度有关。
2、杂质扩散机制
(3) 空位扩散(vacancy-assisted Diffusion Mechanism)

2、半导体工艺原理-扩散

2、半导体工艺原理-扩散
结深:当用与衬底导电类型相反的杂质进行扩散时,在硅片内扩散杂质浓度 与衬底原有杂质浓度相等的地方就形成了pn结,结距扩散表面的距离叫结深。
薄层电阻Rs(方块电阻) 表面浓度:扩散层表面的杂质浓度。
扩散层质量参数
方块电阻
方块电阻是标志扩散层质量的另一个重要参数, 一般用R□或Rs表示,单位是Ω/□ 。
2、恒定杂质总量扩散
扩散开始时,表面放入一定量的杂质源,而在以后的扩散
过程中不再有杂质加入。假定扩散开始时硅片表面极薄一层内
单位面积的杂质总量为 QT ,杂质的扩散长度远大于该层厚度,
则杂质的初始分布可取为 函数,扩散方程的初始条件和边界
条件为
0 N (x, t)dx QT
N (,t) 0
2 NS1
D1t1 D2t2
exp
x
2 j
4 D2t2
NB
即可解得
xj 2
D2t2
ln
2 NS1
NB
1
D1t1 D2t2
2
A
D2t2
掺杂分布控制:
3.3 简单理论的修正
前面得出的扩散后的杂质分布是采用理想化假设的结果, 而实际分布与理论分布之间存在着一定的差异,主要有:
1、二维扩散(横向扩散) 实际扩散中,杂质在通过窗口垂直向硅中扩散的同时,也 将在窗口边缘沿表面进行横向扩散。考虑到横向扩散后,要得 到实际的杂质分布,必须求解二维或三维扩散方程。横向扩散 的距离约为纵向扩散距离的 75% ~ 80% 。由于横向扩散的存在, 实际扩散区域大于由掩模版决定的尺寸,此效应将直接影响到 VLSI 的集成度。
2、杂质浓度对扩散系数的影响
前面的讨论假定扩散系数与杂质浓度无关。实际上只有当 杂质浓度比扩散温度下的本征载流子浓度 ni(T) 低时,才可认 为扩散系数与掺杂浓度无关。在高掺杂浓度下各种空位增多, 扩散系数应为各种电荷态空位的扩散系数的总和。

半导体工艺原理—扩散掺杂工艺(2013520)(贵州大学)

半导体工艺原理—扩散掺杂工艺(2013520)(贵州大学)
通常的扩散过程大都是非稳态扩散,为便于求出,还要从 物质的平衡关系着手,建立第二个微分方程式。
讨论晶体中杂质浓度与扩散时间的关系,又称第二Fick定 律。
22
第二扩散定律
C ds x Js J dJ s
t
CJ
DC x
t x
x
C t
D
2C x2
dx
J
J+dJ
S
x x+dx
23
扩散杂质的分布
本征扩散系数: 非本征扩散系数:
Di Di0DiDiDi2Di0
2
DeDi0Dinpi Dinni Di2nni
34
发射区推进效应
e
b
P扩散
n p
n
xbc
掺B δ
掺P
也称为发射区陷落效应。B扩散的增强是由于磷与空 位相互作用形成的PV对,发生分解所带来的复合效应 。
35
氧化增强扩散(OED)
D
2C x2
边界条件为:C(0,t)=Cs
C(∞,t)= 0
初始条件为:C(x,0)=0,x>0
恒定表面源扩散杂质分布情况
C(x,t)
Cs
t1
t2 t3
CB
0
x
xj1 xj2 xj3
Cx,tCserfcx2 Dt
25
恒定表面源扩散
结深
xj
2e
rf1cC CsB
Dt A Dt
杂质数量
Q Cx,tdx2Cs
41
扩散设备与工艺
扩散设备多是炉丝加热的热壁式扩散炉。和氧化炉相类似。 根据扩散源的不同有三种扩散工艺:固态源扩散,液态源扩
散,气态源扩散。 选择源必需满足固溶度、扩散系数要求。 选择好掩蔽膜。

半导体制造工艺之扩散原理概述

半导体制造工艺之扩散原理概述

半导体制造工艺之扩散原理概述引言半导体器件是现代电子化工程的重要组成部分,而半导体制造工艺中的扩散过程是其中的核心步骤之一。

扩散是指将外部杂质或原子通过加热和蒸发的方式引入半导体晶体内部,从而改变其导电性能的过程。

本文将概述半导体制造工艺中的扩散原理,包括扩散的定义、分类、扩散过程的主要步骤以及应用。

扩散的定义和分类扩散在半导体制造加工中是用于改变材料电学特性和形成器件结构的重要工艺。

它通过在半导体材料中掺杂外部杂质或原子,改变其禁带宽度、导电性能和晶格结构,从而实现对器件特性的控制。

根据掺杂的原子种类和结构变化,扩散可以分为以下几类:1.硼扩散(Boron diffusion):将硼原子引入到半导体材料中,可以增加材料的p型掺杂浓度。

2.磷扩散(Phosphorus diffusion):将磷原子引入到半导体材料中,可以增加材料的n型掺杂浓度。

3.氮扩散(Nitrogen diffusion):将氮原子引入到半导体材料中,可以改变半导体材料的特性,如降低材料的电阻率和增加材料的硬度。

4.氢扩散(Hydrogen diffusion):将氢原子引入到半导体材料中,可以提高材料的电阻率。

5.金属扩散(Metal diffusion):在半导体材料中引入金属原子,可以改变材料的特性,如增强导电性能或改变器件结构。

扩散过程的主要步骤扩散过程是一个涉及多个步骤的复杂过程,主要包括以下几个步骤:清洗在扩散之前,半导体晶体需要进行清洗,以去除表面的污染物和杂质,保证扩散过程的准确性和稳定性。

清洗步骤可以使用化学清洗方法或物理清洗方法,如溶剂洗涤、超声波清洗等。

预处理预处理步骤是为了提高扩散效果和降低生产成本而进行的一系列处理。

包括表面氧化、蚀刻、离子注入等工艺,以提高扩散层的质量和一致性。

掺杂掺杂是扩散过程中的核心步骤,通过向半导体晶体中注入外部杂质,改变材料的导电性能。

掺杂过程中需要控制掺杂浓度和深度,以满足器件设计要求。

IC制造工艺-掺杂

IC制造工艺-掺杂
• 直接交换所需要的能量要大于空 位交换
热扩散掺杂
填隙扩散
• 填隙扩散时,填隙硅原子取代了 替位杂质原子的位置,将杂质原 子推到填隙位置
热扩散掺杂
• 杂质原子可能被空位俘获,成为填隙 杂质。这种机制称为Frank-Turnbull机 制
• 杂质原子也可能取代原晶格位置中的 硅原子。这种机制称为挤出机制
• 通过测量霍尔电压,可以直接测量出 总的载流子浓度
• 霍尔效应可以同时测量载流子类型、 迁移率和薄层浓度
热扩散掺杂
扩展电阻分布测量
• 将样品打磨出斜角 • 通过探针测量不同深度的
接触电阻 • 和一个电阻——浓度校准
标准值进行比较,就可得 到载流子分布曲线
热扩散掺杂
二次离子质谱法(SIMS)
• 样品中的杂质将氦离子背散 射出来
• 背散射氦离子带有的能量取 决于杂质的质量和杂质在晶 体中的深度
• 背散射出来的氦离子被收集 并进行能量分析,可以确定 圆片内化学组分在深度方向 的分布情况
热扩散掺杂
• 和RBS分析法相比,SIMS分析法精度高,但所需花费的时间和成 本也高。测量厚度超过1um的样品可能要花费4~8小时时间
• SIMS对百万分之一的杂质 浓度敏感
• Wafer放入装置,并将系统 抽到高真空状态
• 用一束离子束照射样品 • 高能离子撞击样品表面并
破坏表面晶格结构,将材 料溅射出来 • 用质谱仪收集并分析杂质 含量,便可找散射法(RBS)
• 用氦离子以接近法线的方向 入射到样品上
离子注入
离子注入的问题
• 注入倾斜角使得源/漏区不能 与沟道区相连
离子注入
离子注入的问题
• 在简单静电扫描系统中,遮挡 问题显得更加严重

扩散PPT

扩散PPT
372.065.1.01
集成电路工艺原理
第八讲 扩散原理 2
1
第一讲 第二讲 第三讲 第四讲 第五讲 第六讲 第七讲 第八讲
前言 实验室净化及硅片清洗 光刻原理 1 光刻原理 2 热氧化原理 1 热氧化原理 2 扩散原理 1 扩散原理 2
第九讲 第十讲 第十一讲 第十二讲 第十三讲 第十四讲 第十五讲 第十六讲 第十七讲
集成电路工艺原理
第八讲 扩散原理 2
18
1 )OED:对于原子B或P来说,其在硅中的扩散可以 通过间隙硅原子进行。氧化时由于体积膨胀,造成大 量Si间隙原子注入,增加了B和P的扩散系数。
(1+2)Si+2OI+2V↔SiO2+2I+stress
A+I AI
372.065.1.01
集成电路工艺原理
影响杂质分布的其他因素
3
Fick’s Laws: Only valid for diffusion under special conditions Simplification !
372.065.1.01
集成电路工艺原理
第八讲 扩散原理 2 1、电场效应(Field effect)——非本征扩散
电场的产生:由于载流子 的迁移率高于杂质离子, 二者之间形成内建电场。 载流子领先于杂质离子, 直到内建电场的漂移流与 扩散流达到动态平衡。
4
372.065.1.01
集成电路工艺原理
第八讲 扩散原理 2
所以,杂质流由两部分组成:
5
Ftotal Fdiffusion Fdrift
C D EC x


372.065.1.01
集成电路工艺原理
第八讲 扩散原理 2
2)非本征掺杂

半导体器件半导体工艺掺杂PPT

半导体器件半导体工艺掺杂PPT

离子注入系统
束流扫描终端靶室
离化反应室
离子注入系统
离子束与晶圆作用: 1、晶圆电荷积累。利用电子枪提供电子 2、晶体损伤。高温处理
投影射程
离子注入区杂质浓度:
1、薄层二氧化硅 2、 3o - 7o 3、表面不定型层
离子注入系统
离子注入源:气态(气瓶)或固态源 常用气体:AsH3、PH3、BF3
离化反应室:将掺杂物原子离化,低压 (10-3托)电子与杂质源碰撞。
1标准大气压 = 101 325 帕斯卡 1 托(Torr)=133.322帕(Pa)
BF3: B+ BF+ BF+2 BF3 F+ F+2 等
沾污
扩散源
2、气态源 氢化物 AsH3 B2H6
优势: 精确控制 洁净度好 缺点: 管路中容易形成 二氧化硅粉尘
扩散源
3、固态源 最原始 氧化物
近邻源
匙 远程固态源
旋转涂覆源
2、推进氧化drive-in-oxidation
原子数量恒定不变
杂质分布改变
施主
氧化的影响
受主
离子注入
(1)热扩散的限制 (2)离子注入优点
菲克第一定律
j D N N ( x, t ) j D x
N ( x, t ) N ( x, t ) D 2 t x
2

菲克第二定律
扩散方程:
淀积工艺受控制或约束的因素
2、杂质的最大固溶度
误差函数
扩散源
1、液态源 氯化物 溴化物(BBr3,POCl3)
加热
反应气体 4BBr3+3O22B2O3+6Br2
离子注入系统

工艺扩散

工艺扩散

集成电路工艺扩散MaterialsDesignMasksIC Fab TestPackagingFinal TestThermal ProcessesPhoto-lithographyEtch PR stripImplant PR stripMetalizationCMPDielectric depositionWafersIC制造流程2006.11.25P3/31•半导体材料最神奇之处:电学特性(甚至力学特性)对杂质浓度十分敏感。

如何对半导体进行掺杂?方法之一:扩散!•扩散:最常见的一种自然现象,微观粒子普遍的热运动形式。

•微观粒子热运动的结果必然导致浓度趋于均匀,即粒子必然从高浓度区向低浓度区迁移。

•半导体工艺中的扩散是将杂质元素通过扩散的方式掺入到半导体材料体内,以改变材料的电学性质、并力求杂质浓度、分布形式和深度满足要求。

引言2006.11.25P4/31扩散1.扩散的微观描述2.扩散的宏观描述3.杂质扩散方式和浓度分布4.扩散工艺和应用例5.影响杂质分布的其它因素6.扩散炉系统介绍扩散的微观描述杂质在半导体内的扩散模型主要有:(1)间隙式扩散(2)空位式扩散(3)换位式扩散间隙式杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动。

(半径较小的杂质原子以间隙式扩散进行)。

间隙式杂质:存在于晶格间隙的杂质。

Au, Fe, Cu, Ni, Zn, Mg 。

(1)间隙式扩散2006.11.25P7/31•势垒高度: W i ~0.6-1.2eV •振动频率ν0: 1013–1014/s •平均振动能量kT, 空温下0.026eV, 1200摄氏度时为0.13eV 。

依靠涨落,大于W i 几率(根据玻尔兹曼分布):exp (-W i /kT )跳跃率(每秒跳跃次数)P i =ν0exp (-W i /kT )(室温下每分钟一次)间歇杂质势能曲线间隙式扩散(续)2134567W i2006.11.25P8/31(2)替位式扩散•替位杂质:占据晶格位置的外来原子。

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4PCl5 5O2 2P2O5 10Cl2
Si双极npn晶体管芯片的工艺流程
1、衬底制备,2、外延生长,
3、一次氧化,4、一次光刻,
5、基区扩散,6、二次氧化,
7、二次光刻,8、发射区扩散, n+
E
B
9、三次氧化,10、三次光刻, p
11、金属镀膜,12、反刻金属膜 n
13、背面镀膜,14、合金化 n+
C
Wafer fabrication (front-end)
2CS
Dt
– b)恒定杂质总量 Q 即:
Cx,tdx Q
0
Cx,0 0
C,t 0
d0,t 0
dx
– 可得: Cx,t
Q
Dt
exp
x2 4Dt
为一高斯分布;其表面浓度为:
CS C0,t
Q
Dt
– 3)结深xj 在PN结的扩散中,衬底材料中已有导电性 相反的杂质,其浓度为Csub。定义导电性转
– 3)其它扩散机制 a)直接交换 b)Kick-out机制 (page 45,
Kick-out机制的 扩散速率一般超 过替位式扩散 如:Ni等。
• 扩散系数的普遍表达式:
通常高阶电荷态的几率很小可以忽略 (P.43、44;Table:3.2, Example: 3.1) • 而某一种扩散系数可以表达为:
x 由质量守恒,得 C J ,
t x
因而,
Cx,
t
t
D
2Cx,
x 2
t
Fick’s Second Law
– 2)两种边界条件
– a)恒定表面源浓度
即:C0,t CS C,t 0
可得:
一余误差分布。
C
x,
t
CS
erfc
2
其杂质总量为:
Q
x
Dt
C
0
x,
t
dx
0
CS
erf
c
2
x Dt
dx Biblioteka – 有氧时应是什么情况?在氧气氛中再分布时: 1)边界向内移动, 2)杂质在界面分凝。
P型杂质的耗尽和N型杂质的堆积效应(Pile-up)
3)界面空位对扩散系数的影响(p47~48)
预淀积和再分布工艺步骤小结
掺杂工艺与参数变化小结
– 2.2. 实际工艺中的扩散源、扩散方法和应用 – 2.2.1. 杂质源(p60~61)
• 3)恒定表面源扩散时的CS由什么决定?
– 3)高杂质浓度及空位性缺陷的场助增强扩 散作用(?) 可以有:Deff=2D,(N>>ni)
– 2.1. 4. PN结制造中的扩散工艺(p.44-45)
– 1)目标:有确定的表面浓度CS,有确定的杂 质总量Q,有确定的结深xj。
– 2)常规工艺:先在恒定表面源的情况下扩散 一短时间t1,使其在近表面处有一杂质总量 为Q1的高浓度薄层,这一过程通常在氮气氛 中进行,并被称为“预沉积扩散” (predeposition);再在除去外部杂质源的情况 下,在温度稍高的条件下使总量为Q1的杂质 继续向内扩散,进行杂质的“再分
D=D0exp(-ka/kT) 可以得到Arrhenius Plot
• 多种扩散机制共存情况(p48~52)
• 增强扩散
(P.48~49)
• 各向异性扩散
– 2.1. 2. 扩散的数学描述(P 45~47)
– 1)Fick’s扩散定律(一维) (1855) (物理本质是热力学中的化学势梯度)
J D Cx,t Fick’s First Law
Wafer start
Thin Films
Polish
Unpatterned wafer
Completed wafer
Test/Sort
Diffusion Anneal after implant
Photo
Etch
Photoresist mask Implant
Hard mask (oxide or nitride)
固溶度和扩散系数也是 在工艺中对杂质选择时 应考虑的因素
– 2.2.2. 液态源 – 1) B源: (如:硼酸三甲脂)
B(CH3O)3 B2O3 CO2 C H2O 2B2O3 3Si 3SiO2 4B
– 2) P源: (三氯氧磷POCl3)(POCl)
5POCl3 3PCl5 P2O5 2P2O5 5Si 5SiO2 4P
– 2.1.晶体中的杂质扩散 – 2.1. 1.基本扩散机理(模型) – 1)间隙式扩散
间隙原子从一个间隙 位跳到邻近的间隙位, 造成原子的移动。 如:O、Fe、Au等
– 2)替位式扩散 杂质原子在晶
格中移动方式是由 一个晶格跳到下一 个晶格。 如:B、P、Au等。
– 替位式扩散需要杂质 原子的邻近位是一空位(空位交换);或者, 需要将邻近的替位原子推到邻近的间隙位。 因此,这种扩散机制的扩散速率较慢。
布”(drive-in),这一过程通常在氧气氛中进
行。
(可否不用氧?实际工艺中还要复杂!)
预扩散时的表面浓 度由固溶度决定!
– 3)再分布后的杂质总量、分布和结深 在无氧气氛时,
Q1 2CS1
D1t1
CS2
Q2
D2t2
Q1 2CS1
D2t2
D1t1 D2t2
由于预沉积时间短且温度低,可以认为有 xj1<<xj2,因而,C(x,t)仍为高斯分布。
局域掺杂和热处理技术 (p。37)
第二章:扩散掺杂技术 第三章:热氧化技术 第四章:离子注入技术 第五章:快速热处理技术
第二章:扩散掺杂技术
P B
• 基本内容! • 1) 杂质在材料中的扩散机制,和影响扩
散系数的几种因数。
• 2)常见的几种施主和受主杂质以及一些 金属杂质在Si中的扩散。
• 3)扩散源和扩散系统。 • 4)实际的扩散工艺。 • 5)扩散工艺的质量检控和分析。
• 考题:
• 1)设计一个实验来测定某杂质在硅中的 扩散率和扩散激活能。
• 2)在一1100°C的硼扩散工艺中,要求 结深为1m,其误差不超过2%。问:1) 若保证温度精确控制下,扩散时间的误 差应低于多少?2)若保证时间精确控制 下,扩散温度的误差应低于多少?(取 A=5,D0= 0.76cm2/s,E0= 3. 46eV)
换处为结深xj ,即 C x j Csub
xj
2erf c1
Csub CS
Dt
xj
2 ln
CS Csub
Dt
(余误差) (高斯)
x j A Dt
– 2.1. 3. 影响扩散系数的因素
– 1)晶向:一般情况下D[100]D[111]

2)温度:
D
D0
exp
E0 kT
D0为扩散率,E0为激活能;
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