轻松识别DDR内存颗粒编号!
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轻松识别DDR内存颗粒编号!
内存传输标准 PC3-10600 是什么意思啊数字越大越好吗?
浏览次数:2046次悬赏分:0 |解决时间:2011-5-30 09:14 |提问者:螺丝帽789
最佳答案
PC3-10600=DDR3 1333
PC3代表DDR3
10600是用带宽来命名,1333*64/8=10664,1333是DDR等效频率
现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候,往往会选择性价比最高的内存,呵呵,DDR内存就是目前最好的选择了。可是DDR到底是什么呀?(我倒~~~)DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器,通常简称其为DDR。由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输,所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别,二者具有相同的长度与同样的管脚距离。但是,DDR内存具有184只管脚,比传统的SDRAM多16只,这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。(明白什么是DDR了吧!)
既然我们现在已经知道了DDR为何物了,那么我们就开始选够吧。可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存,以低容量内存冒充高容量,以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生,为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者,我特地教给你们一手,如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存,不让JS的奸计得成!一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号,由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范,因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的,所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。由于各生产厂家的内存编号不近相同,因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。
现代DDR内存:
随着各大内存和主板厂商的跟近,使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平,支持DDR的主板芯片组技术日益成熟,那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了,并得到了大家的认可。HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR 的生产行列,但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的,下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。
HY XX X XX XX XX X X X X X X X
1 2 34 5 6 78 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);
3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、1
6、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、
H :DDR266B、K :DDR266A
三星DDR内存:
在目前的DDR内存市上三星的DDR内存销量可以说是最大的。搞清楚内存颗粒上的编号的含义,对于用户的选购是绝对有好处的,下面我们就来看看这些数字代表什么意思。
KM X XX X XX X X X X X
1 234567 8 9 10
1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的
2、内存芯片类型:4表示DDR SDRAM
3、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
4、工作电压:H=DDR SDRAM,3.3V、L=DDR SDRAM,2.5V
5、内存密度组成:4:4Mbit、8:8 Mbit、16:16 Mbit、32:32 Mbit、64:64 Mbit、12:128 Mbit、25:256 Mbit、51:512 Mbit
6、芯片容量和刷新速度:0:64m /4K [15.6μs]、1:32m/2K [15.6μs]、2:128m/8K [15.6μs]、3:64m/8K [7.8μs]、4:128m/16K [7.8μs]
7、表示内存排数:3:4排、4:8排
8、代表接口电压:0:混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1:SSTL_2(2.5V)
9、表示封装类型:T:66针TSOP II、B:BGA、C:微型BGA(CSP)
10、工作频率:0:10ns、100MHz(200Mbps);8:8ns、125MHz(250Mbps);Z:7.5ns、133MHz(266Mbps);Y:6.7ns、150MHz(300Mbps);6:6ns、166MHz(333Mbps);5:5ns、200MHz(400Mbps)