第二章_材料的电学性能(金属及合金的导电性及电阻的测量)

合集下载

材料的电学性能分析课件

材料的电学性能分析课件

电容和电感的应用
1. 电容的应用
电容在各种电子设备和系统中都有应用,如滤波器、耦合器、去耦电路、调谐器等。电容还可以用于储能和缓冲 ,例如在闪光灯中用于提供瞬时大电流。此外,电容传感器在测量位移、压力、温度等方面也有广泛应用。
电感的应用
电感在变压器、扼流圈、振荡器等电子设备和系统中有着广泛的应用。电感还可以用于信号筛选和抑制电磁干扰 。例如,在音频设备中,电感常用于低音提升电路来调整低频信号的幅度。此外,电感在电机控制、电磁阀等工 业控制领域也有着重要的应用。
金属的导电能力与其纯度、温 度、金属的种类等因素有关。
绝缘体的导电性
绝缘体通常具有较高的电阻,其导电 能力非常有限。
在特定条件下,绝缘体也可以转变为 导体,这种现象称为“导电性转变” 。
绝缘体的导电性能与其内部结构、分 子排列、电子亲和力等因素有关。
半导体的导电性
半导体的导电能力介于金属和绝 缘体之间,其电阻率可在较大范
电容和电感测量实验
总结词
电容和电感是表征材料存储电荷和传来自 磁场的能力的参数,通过电容和电感测 量实验可以深入了解材料的电磁性能和 物理性质。
VS
详细描述
在电容和电感测量实验中,通常采用电桥 法或交流阻抗谱法来测量材料的电容和电 感。该实验可以在不同温度、不同频率等 条件下进行,以研究材料电磁性能的变化 规律。此外,通过对比不同材料之间的电 容和电感差异,可以深入了解材料的物理 性质和潜在应用价值。
绝缘强度
衡量电介质在一定电场强度下保持绝 缘性能的能力,主要包括耐压强度、 漏电流和电气间隙等参数。
电介质的应用
电容器
利用电介质的介电常数来 储存电能,广泛用于电子 设备和电力系统中的滤波 、耦合和去耦等场合。

第二章 材料的电学性能(二)

第二章 材料的电学性能(二)
接触电位形成的原因之二: 两种金属的自由电子密度不同 电子发生扩散 形成空间电场 扩散和漂移相互竞争 达到平衡状态 形成一定的电位差
金属的接触电位差为这两个原因形成电位差的叠加。
2.11.2 金属-半导体的接触电效应
1. 半导体存在表面势 2. 金属电子的逸出功和半导体存在表面势不同 3.金属-半导体接触。 4.发生扩散 5. 在金属和半导体间形成电位差
第II类超导体 除金属元素钒、锝和铌外,第II类超导体主要包括金属化合物 及其合金。第II类超导体和第I类超导体的区别主要在于: 1)第II类超导体由正常态转变为超导态时有一个中间态(混合 态) 2)第II类超导体的混合态中有磁通线存在,而第I类超导体没有; 3)第II类超导体比第I类超导体有更高的临界磁场。
超导体的完全抗磁性机理:
这是由于外磁场在试样表面感应产生一个感应 电流,此电流由于所经路径电阻为零,故它所产 生的附加磁场总是与外磁场大小相等,方向相反, 因而使超导体内的合成磁场为零。 因此感应电流能将外磁场从超导体内挤出,故 称抗磁感应电流或屏蔽电流。
2.10.3 超导电性的影响因素和基本临界参数
2.9.5 电介质的介电损耗
介质损耗:电介质在外电场作用下,其内部会有发 热现象,表明部分电能已转化为热能耗散掉,这 种介质内的能量损耗。其损耗原因是电导作用和 极化作用引起。
2.10 超导电性
2.10.1 超导电性的发现与进展 什么是超导体?
1. 零电阻 将超导体冷却到某一临界温度 (TC)以下时电阻突然降为零的现 象称为超导体的零电阻现象。不同 超导体的临界温度各不相同。1911 年昂纳斯首先发现,汞在低于临界 温度4.15K时电阻变为零。
2.9 绝缘体的电学性能
2.9.1 电介质的极化

材料的电学性能1PPT课件

材料的电学性能1PPT课件
第二章 材料的电学性能
1
整体概述
概况一
点击此处输入相关文本内容 点击此处输入相关文本内容
概况二
点击此处输入相关文本内容 点击此处输入相关文本内容
概况三
点击此处输入相关文本内容 点击此处输入相关文本内容
2
目录
2.1导体、绝缘体和半导体的划分 2.2金属的导电性 2.3半导体的电学性能 2.4电介质材料及其介电性能 2.5压电材料及其介电性能 2.6热释电材料及其介电性能 2.7铁电材料及其介电性能 2.8热电材料及其介电性能 2.9超导材料及其超导电性
经典自由电子论的问题根源在于它是立足于牛顿力学 的,而对微观粒子的运动问题,需要利用量子力学的 概念来解决。
14
➢ 量子自由电子论
金属离子所形成的势场各处都是均匀的,价电子是共 有化的,它们不束缚于某个原子上,可以在整个金属内 自由地运动,电子之间没有相互作用。电子运动服从量 子力学原理 。(将量子力学观点引入电子理论)
自由电子占据空间服从泡利不相容原理; 能量分布按费米-狄拉克分布函数
15
由于在量子自由电子中,电子的能级是分立的不连续的,只 有那些处于较高能级的电子才能够跳到没有别的电子占据的 更高能级上去,那些处于低能级的电子不能跳到较高能级去, 因为那些较高能级已经有别的电子占据着。这样,热激发的 电子的数量远远少于总的价电子数,所以用量子自由电子论 推导出的比热可以解释实验结果。
金属固体
解决前面全 部问题
固体、晶体 10
➢ 经典自由电子论
金属是由原子点阵组成的,价电子是完全自由的,可以在整 个金属中自由运动。自由电子的运动遵守经典力学的运动规 律,遵守气体分子运动论。服从麦-玻(MaxwellBoltzmann)统计规律。

第二章 材料的电学性能(电阻分析)

第二章 材料的电学性能(电阻分析)
编辑课件ppt122能带理论1931编辑课件ppt13当kk1只要波数稍有增加能量则便由a跳到b当kk2只要波数稍有增加能量则便由成c跳到d能隙多对应的能带或不允许电子能量存在的能量范围称为禁带电子可以具有的能级所组成的能带或允许电子能量存在的能量范围称为允带完全被电子占据的能带称为满带完全未被占据的称为空带部分被占据的称为导带
由公式R=ρL/S、 σ=1/ρ,根据电阻率ρ和电导 率σ的大小,判定材料导电性能好坏, ρ值越小, 电阻则越小, σ越大,说明材料的导电性越好。 按ρ值的大小把材料进行分类:

体:
ρ<10-2
Ωm
半导体:
绝缘体:10-3 <源自<109 Ωmρ>109 Ωm
2、导电物理本质(金属的导电理论)
经典自由电子理论 量子自由电子理论 能带理论
第二章 材料电学性能
§3.1电阻分析
导电性 晶体的能带 金属的导电性 电阻的测量 电阻分析的应用
一、导电性
1、电阻率和电导率 欧姆定律:U=RI R表示导体的电阻,可以用来评价材料导电性, 但电阻R不仅与导体材料本身的性质有关,而且还 与其长度l及截面积S有关即: 其值R=ρL/S,式中ρ 称为电阻率或比电阻。 电阻率只与材料特性有关,而与导体的几何尺寸无 关,因此评定材料导电性的基本参数是电阻率或 电导率,电阻率的单 位为Ω· m 电导率:电阻率ρ的倒数σ即为电导率,即σ=1/ρ,电 导率的单位为S/m或Ω-1· -1 m
量子自由电子理论的电阻率表达式
e为电子的电荷量; m﹡为电子的有效质量; n﹡为单位体积内实际参加导电的电子数。 经典电子理论较好的解释了金属导电的物理本质,但是 它是假定金属中所产生的电场使均匀的,不能解释解释 半导体,绝缘体导电性与金属的巨大差异。

高中物理 第2章 第11节 实验 测定金属的电阻率课件 新人教版选修3-1

高中物理 第2章 第11节 实验 测定金属的电阻率课件 新人教版选修3-1


法,测量值小于真实值,使电阻率的测量值偏小.


3. 金属丝的长度测量、电流表和电压表的读数等会带来偶然误
差.
4. 由于金属丝通电后发热升温,会使金属丝的电阻率变大,造
完整版ppt
栏 目 链 接
13
5.本实验由于电流表量程0~0.60 A,测量时通过金属丝的电
流应控制在0.6 A以下,每次通电时间应尽量短(以能读取电表数据为
准),读数完毕立即断开单刀开关,防止温度升高使金属丝长度和电
阻率发生明显变化.
栏 目
6.求R平均值有两种方法:第一种是用R=
U I
算出各次测量
完整版ppt
栏 目 链 接
10
4.检查线路无误后闭合单刀开关,调节滑动变阻器读出几组
I、U值,分别计算电阻R再求平均值,设计表格把测量的d、L、
U、I填空.
栏 目
5.数据处理,将测得的d、L、U、I的值,代电阻率的计算
链 接
式ρ=π4Ld2Rx中,计算出金属丝的电阻率.
6.拆除电路,整理好实验器材.
电压,用电流表测金属丝中的电流,根据Rx=
U I
计算金属电阻Rx,
然后用米尺测量金属丝的长度L,计算出横截面积S;根据电阻定律
Rx=ρSL,得出计算金属丝电阻率的公式ρ=RLxS=UILS.
完整版ppt
2
2.螺旋测微器的构造原理及读数.
(1)螺旋测微器的构造.
如下图所示是常用的螺旋测微器.它的小砧A和固定刻度G固定
完整版ppt
11
五、数据处理
1.在求Rx的平均值时可用两种方法.
(1)用Rx=UI 分别算出各次的数值,再取平均值.

材料物理性能——电学性能

材料物理性能——电学性能
• p、q为体积百分数。
p 1 q 2
pq 1
• c1、c2为质量百分数。
c11 c2 2
c1 c2 1
两相片状组织
导电方向
c11 c2 2
导电方向
c11 c2 2
导电性的测量
• 电桥法(单电桥,双电桥-克服附加电阻) • 直流电位差计测量法(消除连线电阻和接触电阻) • 半导体电阻的测量(四探针法) • 绝缘体电阻的测量(电容和冲击检流计测量法)
• 回火能促使偏聚区的形成。 • 加热到高温或进行强烈的冷加工,使偏聚区消失,可降低
电阻率。 • 铝铜合金。加热到单相区固溶;淬火形成过饱和单相固溶
体;加温时效,析出GP区、θ’’,θ ’等。 • 可用电阻分析法研究铝合金的时效过程。
铝合金在180℃时效5 秒钟,铜原子的偏聚
金属化合物的导电性
马基申定律
• 低浓度下固溶体电阻
(T ) (T ) c
• (T )溶剂电阻(晶格热振
动,电子散射),与温度 有关,绝对零度时为零。
• 残余电阻(合金原子,
空位、间隙原子及位错 等),与温度无关。
• 低浓度下溶质原子引起的残余电阻与温度无关,固溶体的 电阻温度系数低于纯金属,而固溶体电阻率随温度变化的 斜率与纯金属相同。
无外加电场,PN区内无电流。
PN结的单向导电性
外加正向电压, PN区内建电位差减小,空穴和自由电子的扩散和漂移的平 衡被打破,扩散大于漂移,产生P指向N的正向电流。U越大,电流越大。
外加反向电压, PN区内建电位差增大,扩散小于漂移,以致与停止。但产 生N指向P的反向电流。由于是少子产生,故电流极小。
评价超导材料的性能指标:

材料物理性能

材料物理性能

2.本征半导体的迁移和电阻率
自由电子和空穴热运动,在外电场的作用下做定 向漂移运动,形成电流。漂移过程中不断碰撞,有一 定的漂移速度。 迁移率:单位场强下,载流子的平均漂移速度。
分别用μn和μP分别表示自由电子和空穴的迁移率。
(1)迁移率与外电场强成正比。 (2)自由电子的迁移率较空穴高。 (3)能带宽度大的迁移率低。 本征半导体电阻率:
金属导体的能带分布特点:无禁带 导带 价带 价 带 ( 导 带 )
第一种:价带和导带重叠。 第二种:价带未被价电子填满,价带本身就是导带。
这两种情况下的价电子就是自由电子,所以金属 即使在温度较低的情况下仍有大量的自由电子,具有 很强的导电能力。
非导体的能带分布特点:有禁带
在绝对零度时,满价带和空导带,基本无导电能力。
绝缘体:
禁带宽度大。在室温下,几乎没有价电子能跃迁 到导带中去,故基本无自由电子和空穴,所以绝缘体 几乎没有导电能力。
2.4 金属的导电性
2.4.1 金属导电的机制与马基申定律
金属导电的机制: 经典理论 在外电场的作用下,自由电子在导体中定向移动。 量子理论
在外电场的作用下,自由电子以波动的形式在晶 体点阵中定向传播。
2.8.2 半导体中的能量状态—能带
原子结合状态:价电子共有的共价键。 以Si为例:
单原子能级:3s2 3p2 ,3p 中有4个电子空位。
若有 N 个原子的无缺陷硅单晶:
能带:共价键结合后,能级分裂成满带和空带
满带: 4N 个价电子全部占满,能量 EV 。 空带:有 4N 个空位,没有电子,能量 EC 。 禁带:
2.5.2 金属化合物的导电性
两种金属的原子形成化合物 时,由于原子键合的方式发生本 质变化,使得化合物的电阻较固 溶体大大增大,接近于半导体的 导电性。 原因 部分结合方式由金属键变为 共价键或离子键。

金属材料的导电性与电阻率实验测定

金属材料的导电性与电阻率实验测定

金属材料的导电性与电阻率实验测定导言金属材料的导电性与电阻率是材料科学中重要的物性参数。

通过实验测定金属材料的导电性和电阻率,可以评估材料的导电能力和电阻性能,为材料选择和应用提供依据。

本实验旨在利用简单的实验装置和方法,测定金属材料的导电性和电阻率,并探讨影响导电性与电阻率的相关因素。

实验步骤1. 实验材料和仪器准备本实验所需材料包括金属导线、电源、电流表、电压表和导电金属样品。

确保实验仪器的准确性和稳定性,如电流表和电压表的刻度准确、样品接触良好等。

2. 测量电路搭建使用导线将电流表、电压表和电源连接成串联电路,确保电路接线无误。

3. 金属样品处理清洁金属样品表面的油脂和氧化物,以保证电流顺利通过样品。

观察并记录金属样品的基本信息,如形状、尺寸、材料等。

4. 测定电阻率a) 将金属样品夹持在恒温水槽中,保持恒定的温度。

b) 依次调节电源和电流表,使电流依次通过金属样品,记录电流值I。

c) 依次调节电源和电压表,测量样品两端的电压V。

d) 根据欧姆定律,计算金属样品的电阻R = V/I。

e) 根据电阻率的定义,计算电阻率ρ = R * A / L,其中A为样品横截面积,L为样品长度。

5. 测定导电性a) 保持金属样品的恒定温度和电流。

b) 分别测量样品两端的电压V1、V2、V3等,并记录相应的电流I。

c) 根据电导率的定义,计算电导率σ = I / (V1 + V2 + V3)。

d) 将电导率与电阻率互为倒数,即σ = 1/ρ,可得到导电性与电阻率之间的关系。

结果与讨论通过上述实验步骤,我们可以得到不同金属材料的导电性和电阻率数据。

根据实验数据,我们可以进一步讨论导电性与电阻率的影响因素。

1. 温度对电阻率和导电性的影响实验中通过恒温水槽控制金属样品的温度,观察电阻率和导电性是否随温度的变化而变化。

通常情况下,温度升高,金属材料的电阻率会增加,导电性会降低。

这是因为温度升高时,金属晶体中电子受热运动加剧,电子与晶格之间的散射增多,电子的自由运动能力减弱,导致电阻率的增加。

南昌大学材料性能学重点 材料电学性能

南昌大学材料性能学重点 材料电学性能

第二章材料电学性能内容概要:本章介绍金属的导电机理,以及影响金属导电的因素,导电率的测量方法及其它材料的电学性质。

具体内容和学时安排如下:第一节导电性能及本质要求学生掌握导电的三大理论:经典电子理论;电子的量子理论;能带理论。

这三大理论的成功或不足点。

理解自由电子、能级和能带、周期性势场、能带密度、K空间的概念。

第二节金属导电性能影响因素理解温度、相变、应力和热处理(淬火和退火)对材料导电性能的影响。

第三节合金的导电性能理解固溶体和化合物的导电性第四节电阻率的测量电阻率的测量方法有单电桥法;双电桥法;电子四探针法。

重点要求掌握单电桥法。

第五节电阻分析应用根据电阻率与温度的线性关系,可来研究材料的相变,材料的组织结构变化。

第六节超导电性掌握超导的两大性能:完全导电性和完全抗磁性。

掌握超导态转变为正常态的三个条件:临界温度;临界电流;临界磁场。

超导的本质-BCS理论。

第七节材料的热电性能了解三大热电现象:第一热导效应、第二热电效应、第三热电效应。

第八节半导体导电性的敏感效应了解半导体能带结构特点;半导体导电有本征导电和杂质导电;实现导电的条件。

第九节介电极化与介电性能掌握电介质极化机理和介电常数的本质第十节电介质的介电损耗了解电介质的能量损耗。

(共12个学时)第一节导电性能及本质材料的电学性能是指材料的导电性能,与材料的结构、组织、成分等因素有关。

一、电阻与导电的概念R=U/I R 不仅与材料的性质有关,还与材料的几何形状有关 。

SL R ρ=L 与材料的长度,s与材料的横截面积,ρ为电阻率,单位为 m Ω∙ρσ1=值越小,a 值越大。

ρ 值愈小,σ值愈大。

纯金属:e 为10-8~10-7合金: 10-7~10-5半导体:10-3~109绝缘体:﹥109导电性能最好的金属是银、铜、金,其电阻率分别为1.5×10-8Ω⋅m 、1.73×10-8Ω⋅m 、等 二、导电机理及能带理论关于材料的导电机理有三大理论:经典电子理论;电子的量子理论;能带理论。

高二物理选修课件第二章实验测量金属的电阻率

高二物理选修课件第二章实验测量金属的电阻率

03
数据记录与处理
数据记录表格设计
1 2 3
表格标题
金属电阻率测量数据记录表
表格列项
实验序号、金属丝长度(L)、金属丝直径(d) 、电压(U)、电流(I)、电阻(R)、电阻率 (ρ)
数据记录
在实验过程中,按照实验序号顺序,依次记录各 个测量环节的数据,包括金属丝的长度和直径、 电压和电流的数值等。
总结实验的主要发现和结论,强调实验的重要性和意义。
06
拓展延伸:其他金属电阻 率测量方法简介
四探针法测量金属薄膜电阻率
01 02
原理
四探针法是一种广泛应用的测量金属薄膜电阻率的方法。其基本原理是 通过在待测金属薄膜上施加恒定的电流,同时测量产生的电压降,从而 计算出电阻率。
优点
该方法具有测量精度高、对样品形状无特殊要求、可测量小面积样品等 优点。
02
实验器材与步骤
主要器材介绍
01
电源
提供稳定的电压和电流,通常 使用直流电源。
02
电流表
测量电路中的电流强度,需选 择合适的量程。
03
电压表
测量电阻两端的电压降,同样 需选择合适的量程。
主要器材介绍
滑动变阻器
通过改变接入电路中的电阻丝长度来改 变电阻,从而控制电路中的电流和电压 。
金属丝
作为待测电阻,其长度、直径和材料已 知。
选择高精度测量仪器
选用精度高、稳定性好的测量 仪器,以减小仪器误差。
控制测量环境
保持测量环境的稳定,并尽可 能使环境符合测量要求,以减 小环境误差。
多次测量取平均值
采用多次测量取平均值的方法 ,可以减小随机误差的影响。
05
实验报告撰写要求及范例 展示

高中物理 第2章 第11节 实验 测定金属的电阻率课件 新人教版选修3-1

高中物理 第2章 第11节 实验 测定金属的电阻率课件 新人教版选修3-1

在框架F上,测微螺杆P、可动刻度H、调动旋钮K和微调旋钮K′连
在一起.
栏 目


ppt精选
3
(2)螺旋测微器的原理.
固定刻度G之间的精密螺纹的螺距为0.5 mm,即旋钮K每旋转
一周,P前进或后退0.5 mm,而可动刻度H上的刻度为50等份,因此
每等分为0.01 mm,即可动刻度的精确度为0.01 mm.读数时要估读
的示数为 0.44 A;当换用 3 A 量程时,每一小格为 0.1 A,表针示数
为 2.20 A.

②电压表使用 3 V 量程时,每小格表示 0.1 V,表针示数为 1.70 V; 目

使用 15 V 量程时,每小格为 0.5 V,表针示数为 8.5 V.

答案:见解析
点评:对于基本测量仪器如游标卡尺、螺旋测微器等要了解其原
栏 目 链 接
(5)提示:游标卡尺的读数应注意下列几点:
①看清精确度;②主尺上的单位应为厘米;③区分零刻度与标尺
最前端.
ppt精选
9
三、实验器材 被测金属丝、毫米刻度尺、螺旋测微器、电流表、电压表、滑 动变阻器、电池组、开关、导线若干. 四、实验步骤 1.用螺旋测微器三次测量金属丝不同位置的直径取平均值d, 求出其横截面积S=π4d2. 2.将金属丝两端固定在接线柱上悬空拉直,用毫米刻度米尺测 量接入电路的金属丝长度,测三次,求出平均值L. 3.根据所选测量仪器和选择电路的原则画好电路图(如前面介 绍所示),然后依电路图按顺序给实物连线并将滑动变阻器的阻值调 到最大.
ppt精选
23
【审题指导】(1)螺旋测微器的读数方法是固定刻度读数加上可
动刻度读数,在读可动刻度读数时需估读;

2-3金属材料的电学性能

2-3金属材料的电学性能

2.3 金属材料的电学性能金属材料是常用的导电材料,本节主要介绍金属材料电阻产生的机制及影响金属材料导电性的因素。

这些因素包括温度、化学成分、晶体结构、杂质和缺陷等,它们的影响机理及影响程度各不相同。

2.3.1 金属电阻率的马基申定则量子力学证明,当电子波在绝对零度(0K)下通过一个理想的完整晶体时,将不受散射而无阻碍传播,此时电阻率为零。

实际上,金属内部存在着缺陷和杂质,在温度不为0K 时,由于温度引起的离子运动(热振动),以及晶体中存在的杂质原子、位错、点缺陷等都会使晶体点阵的周期性遭到破坏,电子波在这些地方发生散射而产生附加电阻,降低导电性能。

因此,金属的总电阻包括基本电阻(与温度相关)和溶质(杂质)浓度引起的电阻(与温度无关),即马基申定则(Matthiessen Rule),用下式表示: 0ρρρ′+=T (2-18)式中,ρT 为与温度有关的金属基本电阻,0ρ′取决于化学缺陷和物理缺陷而与温度无关的残余电阻。

化学缺陷为杂质原子以及人工加入的合金元素原子;物理缺陷指空位、间隙原子、位错等。

如果金属材料是没有缺陷的理想晶体,残余电阻0ρ′为零;这样ρT 可理解为理想晶体的电阻率。

从马基申定则可以看出,在高温时金属的电阻率取决于ρT ,而在低温时则取决于残余电阻0ρ′。

由于0ρ′主要由杂质和缺陷引起的,如果认为按一定方法制备的金属具有相似的缺陷浓度,则可以用0ρ′的大小来评定金属的纯度。

由于0K温度不能达到,一般用4.2K的极低温度来代替。

4.2K温度下金属的电阻率叫剩余电阻率。

金属在300K温度时的电阻率与剩余电阻率的比ρ300K /ρ4.2K 叫剩余电阻比RRR(residual resistivity ratio) 。

RRR 越高,金属纯度越高。

目前制备的纯金属RRR 可高达104-105。

2.3.2 影响金属导电性的因素1. 温度对金属导电性的影响金属电阻率随温度升高而增大。

尽管温度对有效电子数和电子平均速度几乎没有影响,然而温度升高会使晶格振动加剧,瞬间偏离平衡位置的原子数增加,使电子运动的自由程减小,散射几率增加而导致电阻率增大。

材料的电学性能课件

材料的电学性能课件

电介质的损耗
电介质损耗
电介质在电场作用下,由于电导和极化的原因,将电能转换为热 能的现象。
损耗与电介质性能的关系
损耗的大小反映了电介质的导电和极化能力,是评估电介质性能的 重要参数。
损耗的测量方法
通过测量电介质在交流电场下的功率损耗或相位角来计算。
电介质的击穿
01
02
03
击穿
当电场强度足够高时,电 介质丧失其绝缘性能的现 象。
热电材料的应用
温差发电
利用热电材料将热能转 化为电能。
温度传感器
利用热电材料对温度的 敏感性,检测温度变化

热电制冷
利用热电材料的皮尔兹 效应实现制冷效果。
航天器热控
利用热电材料调节航天 器内部温度。
热电材料的发展趋势
高性能热电材料研究
提高热电材料的转换效率,降 低成本。
多功能化
开发具有多种功能的热电材料 ,如导热、导电、发光等。
材料的电学性能研究历史与现状
材料的电学性能研究始于19世纪初, 随着电子学的兴起和发展,逐渐成为 一门独立的学科。
随着新材料和新技术的发展,材料的 电学性能研究将不断深入,为电子器 件和集成电路的发展提供更多的理论 和技术支持。
目前,材料的电学性能研究已经取得 了长足的进展,涉及的研究领域不断 扩大,研究手段和方法也日益丰富和 先进。
材料的电学性能课件
目录
CONTENTS
• 引言 • 材料的导电性能 • 材料的介电性能 • 材料的磁学性能 • 材料的铁电性能 • 材料的热电性能
01 引言
材料的电学性能定义
材料的电学性能是指材料在电场 作用下的各种物理性质,包括导 电性、电阻、电导率、电场效应

第二章 材料的电性能

第二章 材料的电性能

3) 金属熔化时,电阻增高 金属熔化时,电阻增高1.5-2倍,金属原子 倍 规则排列遭到破坏,增加了对电子散射。 规则排列遭到破坏,增加了对电子散射。 如右图: , 正常 如右图:K,Na正常 反常, 但Sb反常,共价键变为金属键 反常 铁磁性金属有时发生反常。 铁磁性金属有时发生反常。 Tc: 居里点 铁磁性金属内d及s壳层电子云相互作用的特 铁磁性金属内 及 壳层电子云相互作用的特 点决定的
2.2.4 冷加工和缺陷对电阻率的影响
纯金属: 冷加工后纯金属的电阻率增加2%-6%, 纯金属: 冷加工后纯金属的电阻率增加 , W的电阻增加 的电阻增加30%,Mo增加 增加15-20% 的电阻增加 , 增加 固溶体: 一般增加10%-20% 固溶体: 一般增加 有序固溶体: 有序固溶体:100%
有时大的压力使材料由半导体和绝缘体变为导体。 有时大的压力使材料由半导体和绝缘体变为导体。
原因: 原因: 金属原子间距变小,内部缺陷形态,电子结构,费密能和能带结构都将发生变化, 金属原子间距变小,内部缺陷形态,电子结构,费密能和能带结构都将发生变化,大部分金 属电阻率是下降的。 属电阻率是下降的。
+ ∆ρ位错
∆ρ = Aε + Bε
n
空位
∆ρ = Cε
n
m
位错
m,n在0-2之间变化。 , 在 之间变化 之间变化。
空位,间隙原子及它们的组合,位错使金属电阻增加。前二者的作用远超过后者。 空位,间隙原子及它们的组合, 位错使金属电阻增加。前二者的作用远超过后者。
2.2.4 冷加工和缺陷对电阻率的影响
反常:Ni-Cr, Ni-Cu-Zn, Fe-Cr-Al等形成 等形成K 反常: 等形成 状态,电阻率降低。 状态,电阻率降低。

材料的导电性能

材料的导电性能

电导率理论公式:
=材料p的导h 电e 性+能 n e e
2.3.3.半导体结构与能带特征
晶体结构特征: 维持键合特点,保持原子比例,使平均价电子数为4; 掺杂原子代位固溶;掺杂量很少,保持基体结构不变; 纯度极高 晶体缺陷极低
材料制备—— 超常规条件与技术 超净室技术 区域熔化提纯技术起源 单晶体生长技术—— 完全消除晶界 低位错密度晶体生长技术 离子注入合金化技术/快速扩散掺杂
迁移率
材料的导电性能
电流密度-单位面积的电流 本征半导体在电场E作用下,空穴载流子将沿E方向作定向漂
移运动,产生空穴电流ip;自由电子将逆电场方向作定向 漂移运动,产生电子电流 in 。
总电流密度J为: J qnv
J J n J p e iv n n e iv p p e in n E e i p n E
导带
Eg
EF
0 材料的导电性能
k
价带
4)本征导体的电导率
本征载流子(自由电子和空穴)浓度:
材料的导电性能
本征载流子迁移率-单位场强下自由电子和空穴的平均漂移 速度
在漂移过程中,载流子不断地互相碰撞,使得大量载流 子定向漂移运动的平均速度为一个恒定值,并与电场强度E 成正比。自由电子和空穴的定向平均漂移速度分别为
材料的导电性能
半导体材料的发展与器件紧密相关。可以说,电子工业的发展 和半导体器件对材料的需求是促进半导体材料研究和开拓的强 大动力;而材料质量的提高和新型半导体材料的出现,又优化 了半导体器件性能,产生新的器件,两者相互影响,相互促进。
20世纪70年代以来,电子技术以前所未有的速度突飞猛进, 尤其是微电子技术的兴起,使人类从工业社会进人信息社会。 微电子技术是电子器件与设备微型化的技术,一般是指半导体 技术和集成电路技术。它集中反映出现代电子技术的发展特点, 从而出现了大规模集成电路和超大规模集成电路。这样就促使 对半导体材料提出了愈来愈高的要求,使半导体材料的主攻目 标更明显地朝着高纯度、高均匀性、高完整性、大尺寸方向发 展。

教科版高中物理必修第三册精品课件 第二章 电路及其应用 4 实验 测量金属的电阻率

教科版高中物理必修第三册精品课件 第二章 电路及其应用 4 实验 测量金属的电阻率
体,当其与测量爪相贴时,即可锁定螺钉,读取数据。
②游标卡尺是比较精密的测量工具,要轻拿轻放,不得碰撞或跌落地下。
③用游标卡尺测量零件时,不允许过分地施加压力,所用压力应使两个测量
爪刚好接触零件表面。
④游标卡尺读数时不需要估读。
应用体验
典例1 (2022四川成都青羊期中)在形形色色的计量器具家族中,游标卡尺
外接
法。
(2)如果希望在尽可能大的范围内改变待测电阻两端的电压,滑动变阻器的
接法应该采用 分压 的形式。
也可以采用限流式
二、实验操作
1.用螺旋测微器测出金属丝的直径d,用S=π
2
2
计算出金属丝的横截面积
S。
2.用刻度尺测量导体的长度l。
3.测量导体电阻R:电路经检查确认无误后,闭合开关,移动滑动变阻器的滑
读可动刻度读数时需要估读。
针对训练2
用螺旋测微器测某一圆柱体直径,示数如图所示,此示数为
mm。
答案 4.078
解析 螺旋测微器的固定刻度为4 mm,可动刻度为7.8×0.01 mm=0.078 mm,
所以最终读数为(4+0.078) mm=4.078 mm。
探究三
测量金属丝的电阻率
知识归纳
1.数据分析
C.电流表A1(量程为0~150 mA,内阻约为10 Ω);
D.电流表A2(量程为0~0.6 A,内阻约为2 Ω);
E.滑动变阻器R(阻值范围为0~5 Ω);
F.电动势约为4.5 V的电源,内阻不计;
G.开关S,导线若干。
为精确测量圆柱形合金的电阻,电压表应选
(选填字母)
,电流表应选

(4)实验中测得该合金材料的直径为D、长度为L,该合金材料接入电路后,

第二章材料的电学性能(金属及合金的导电性及电阻的测量)

第二章材料的电学性能(金属及合金的导电性及电阻的测量)

4. 不均匀固溶体( K 状态)的电阻 大多固溶体在冷加工和退火时具有与纯金属同样的 规律。即冷加工使得电阻增大、退火使得电阻减小。 但有一些含有过渡族金属元素的合金Ni-Cr,Ni-Cu 等,具有在经过冷加工电阻减小、退火后电阻增大的反 常状态,这种反常状态称为K 状态。
由于组元原子在晶体中不均匀分布的结果。冷加工 在一定程度上促使固溶体不均匀组织的破坏,电阻减小。 而之后的退火又使其组织恢复到原来状态。
2.7.5 研究材料的疲劳性
原理:外应力(拉伸和扭转应力)使得材料内部 出现位错、裂纹等缺陷,是的材料的电阻
率增大。并随时间的增长,效果变强。
在连续固溶体中,合金 成分距组元越远,电阻率越 高。在二元合金中,最大电 阻率一般出现在 50% 浓度 处,而且比组元电阻高几倍。
2. 固溶体电阻与温度的关系 固溶体中加热时,电阻率通常增大,但其电阻温 度系数与纯金属相比降低,电阻率随成分而变。 低浓度时电阻率为:
ρT 为溶剂组元的电阻率,ρ, 为残余电阻率。
2.5.2 金属化合物的导电性
两种金属的原子形成化合物 时,由于原子键合的方式发生本 质变化,使得化合物的电阻较固 溶体大大增大,接近于半导体的 导电性。 原因 部分结合方式由金属键变为 共价键或离子键。
2.6 导电性的测量
利用欧姆定律和一些测试方法,对材料的电阻进行 精确测量。
2.6.1 导体电阻的测量
0 K 时:
其大小决定于晶体缺陷的类型和数量。
极低温时:电子散射占主要地位,声子散射很弱,基
本电阻与温度的平方成正比。( T ≤ 2 K )
随着温度的升高,声子散射散射作用逐渐增强, 并占据主导地位。 根据德拜理论,原子热振动存在两个规律性区域, 区分区域的温度被称为德拜温度θD。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
在弹性限度内,单向拉伸或扭转应力能提高金属 的电阻率。
ρ0 为无负荷电阻率,αγ 应力系数,σ为拉应力。
(2)压力的影响 对于大多数金属,压力能降低金属的电阻率。
ρ0 为真空下电阻率,υ 压力系数,为负值,p为拉应力。 在高压下,原子间距缩小,内部缺陷的形态、电 子结构、费米面、能带结构及电子散射机制等都发生 了变化,从而影响材料的导电性,甚至可能导致物质 的金属化。 发生从绝缘体→半导体→金属 →超导体的某些转变 。

2.7.4 研究淬火钢的回火

图中曲线表明,淬火后在110℃回火时电 阻开始急剧降低,其原因时产生了马氏 体的分解。 在230℃左右时由于残余奥氏体发生分解, 电阻又发生了更为激烈的下降。 当温度高于300℃时,电阻下降很小,说 明固溶体分解基本结束,开始发生亚稳 碳化物向稳定碳化物转变且聚集的过程。
C 为杂质原子含量,ξ 为溶入1%杂质原子时引起的
附加电阻率。
附加电阻率ξ 的大小取决于溶剂和溶质金属的价数,
原子价差别越大, ξ 越大。
a、b 为常数,ZZ 、 ZJ 分别为溶质和溶剂的原子价 数。 3. 有序固溶体(超结构)的电阻 合金有序化时,电阻降低。
主要原因:晶体的离子势场在有序化后对称性增强, 对电子的散射几率大大降低,使得有序合 金的残余电阻减小。
1.低温时效: 电阻随时间的增长而增大。
原因: 低温时,均匀固溶体随着时间的增加, 溶质原子在晶格点阵中发生优势偏聚, 乃至形成小的晶核等结构缺陷。使得电 阻增大。
2.高温时效: 电阻随时间的增长而减小。 原因: 高温时,均匀固溶体随着时间的增加, 从固溶体中析出一些有序相,降低了溶 质浓度。使得电阻降低。

2.7.2 合金的有序-无序转变
合金有序后电阻率降低。
2.7.3 测量固溶体的溶解度
合金溶解度增加,电阻率增大。
2.7.3 测量固溶体的溶解度
有一含碳量为1.22%的钢采用850℃淬火,然后进行 回火,于室温侧电阻变化如图所示,试分析该钢 从100℃到400℃连续加热的过程中电阻随曲线的 变化规律,并分析原因。
2.5.2 金属化合物的导电性
两种金属的原子形成化合物 时,由于原子键合的方式发生本 质变化,使得化合物的电阻较固 溶体大大增大,接近于半导体的 导电性。 原因 部分结合方式由金属键变为 共价键或离子键。
2.6 导电性的测量
利用欧姆定律和一些测试方法,对材料的电阻进行 精确测量。
2.6.1 导体电阻的测量
1. 单电桥(惠斯通电桥)法 2. 双电桥(开尔文电桥)法 3. 直流电位差计测量法
2.7 电阻分析的应用
材料的电阻对材料的成分、结构和组织变化很敏感, 故可利用测量电阻的方法,间接对材料的成分、结构和 组织变化进行分析。较多的被用于对合金的研究。
2.7.1 研究合金的时效性
合金的 时效性 均匀固溶的合金随着时间的变化,其 组织结构发生变化。 伴随电阻改变。
在连续固溶体中,合金 成分距组元越远,电阻率越 高。在二元合金中,最大电 阻率一般出现在 50% 浓度 处,而且比组元电阻高几倍。
2. 固溶体电阻与温度的关系 固溶体中加热时,电阻率通常增大,但其电阻温 度系数与纯金属相比降低,电阻率随成分而变。 低浓度时电阻率为:
ρT 为溶剂组元的电阻率,ρ, 为残余电阻率。
2.7.5 研究材料的疲劳性
原理:外应力(拉伸和扭转应力)使得材料内部 出现位错、裂纹等缺陷,是的材料的电阻
率增大。并随时间的增长,效果变强。
因此,金属室温以上的线性关系被破坏。
金属多晶型转变 多晶型金属的不同结构具有不同的物理性质,电 阻温度系数也不同,电阻率随温度变化将发生突变。 (3)铁磁金属的电阻-温度关系反常
铁磁材料随温度的变化,在一定温度下发生铁磁顺磁的磁相转变,从而导致电阻-温度关系反常。
2. 受力情况对金属电阻的影响 (1)拉力的影响
对于非过渡族金属: θD ≤ 500 K,当 T > 2/3 θD 时,
可略去高次项,具有线性关系。
(室温以上)
室温以上
电阻温度系数
纯金属的电阻温度系数大多近似为 过渡族金属特别是磁性金属较大,如铁的值为 (2)过渡族金属和多晶型转变 过渡族金属

在过渡族金属中电阻与温度的关系复杂,Mott认 为这是由于过渡族金属中存在着不同的载体。 传导电子有可能从 s- 壳层向 d- 壳层过渡,对电阻 带来明显影响。另外,在 时,s态电子在 d 态电子上的散射将变得很可观。
2.4 金属的导电性
2.4.1 金属导电的机制与马基申定律
金属导电的机制: 经典理论 在外电场的作用下,自由电子在导体中定向移动。 量子理论
在外电场的作用下,自由电子以波动的形式在晶 体点阵中定向传播。
根据量子电子论和能带理论得出电导率计算公式:
e 电子的电荷量,n* 单位体积内的有效电子数, m*电子的有效质量,τ电子两次相邻散射的时间间隔。
6. 几何尺寸效应对金属电阻的影响
当试样的尺寸与导电电子的平均自由程在同一数 量级时,电子在表面发生散射,产生附加电阻。
7. 电阻率的各向异性
一般立方晶系的单晶体电阻表现为各向同性,但 对称性较差的六方、四方、斜方等晶系单晶体的导电 性表现为各向异性。 多晶体各向同性。
Байду номын сангаас
2.5 合金的导电性
2.5.1 固溶体的导电性
其中:
令: (散射系数)
则电阻率为:
电阻的本质 电子波在晶体点阵中传播时,受到散射,从而产 生阻碍作用,降低了导电性。 电子波在绝对零度下,通过一个理想点阵时,将 不会受到散射,无阻碍传播,电阻率为0。
电阻产生 的机制 (1)晶体点阵离子的热振动(声子),对电子波产 生散射。 (2)晶体点阵电子的热振动,对电子波产生散射。 (3)晶体点阵的完整性被破坏(存在杂质原子、晶 体缺陷等),对电子波产生散射。
1. 固溶体的电阻与组元浓度的关系 在形成固溶体时,与纯组元相比,合金的导电 性能降低(电阻增大)。即使是在低导电性的金属 溶剂中加入高导电性的金属溶质也是如此。 原因 主要原因:原子半径差引起的晶格点阵畸变,增加了 对电子的散射,使得电阻增大。半径差越 大,越明显。(与合金热阻的规律相同)
另外还有:(1)杂质对理想晶体的局部破坏。 (2)合金化对能带结构起了作用,改变了 电子能态的密度和有效电子数。 (3)合金化影响了弹性常数,点阵振动的 声子谱改变。
0 K 时:
其大小决定于晶体缺陷的类型和数量。
极低温时:电子散射占主要地位,声子散射很弱,基
本电阻与温度的平方成正比。( T ≤ 2 K )
随着温度的升高,声子散射散射作用逐渐增强, 并占据主导地位。 根据德拜理论,原子热振动存在两个规律性区域, 区分区域的温度被称为德拜温度θD。
时:
时:
电阻率随温度的变化规律:
铝铜合金低温时效和高温时效电 阻将发生怎样的变化?简述其变 化的原因。
合金时效往往伴随脱溶过程,从而使电 阻发生显著的变化。低温时效电阻升高 是由于时效初期形成了极细的弥散分布 区即G.P区,使导电电子发生了散射。 高温时效使电阻降低,是由于从固溶体 中析出了CuAl2相降低了溶质的含量,使 点阵畸变减小,溶质点阵的对称性得到 了恢复。
基本电阻: 原因(1)、(2)产生,0K时为0。 电阻 残余电阻: 原因(3)产生,0K时的电阻。
马基申定律 金属固溶体 电阻率:
基本电阻率ρ(T):由热运动引起,与温度有关。 残余电阻率ρC:决定于化学缺陷和物理缺陷, 与温度无关。
2.4.2 影响金属导电性的原因
1. 温度对金属电阻的影响 (1)一般规律
4. 不均匀固溶体( K 状态)的电阻 大多固溶体在冷加工和退火时具有与纯金属同样的 规律。即冷加工使得电阻增大、退火使得电阻减小。 但有一些含有过渡族金属元素的合金Ni-Cr,Ni-Cu 等,具有在经过冷加工电阻减小、退火后电阻增大的反 常状态,这种反常状态称为K 状态。
由于组元原子在晶体中不均匀分布的结果。冷加工 在一定程度上促使固溶体不均匀组织的破坏,电阻减小。 而之后的退火又使其组织恢复到原来状态。
但一些碱金属、碱土金属和第ν族的半金属元素 出 现反常。
3. 冷加工对金属电阻的影响 冷加工的形变使金属的电阻率提高。
4. 晶格缺陷对金属电阻的影响 晶格缺陷使金属的电阻率提高。 5. 热处理对金属电阻的影响 冷加工后,再退火,可使电阻降低。当退火温度 接近于再结晶温度时,可降低到冷加工前的水平。 但当退火温度高于再结晶温度时,电阻反而增大。 新晶粒的晶界阻碍了电子的运动。 淬火能够固定金属在高温时的空位浓度,而产生残 余电阻。淬火温度越高,残余电阻越大。
相关文档
最新文档