半导体设备保护用熔断体

半导体设备保护用熔断体

1 总则

除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

半导体设备保护用熔断体应符合IEC 60269-1：2006所有要求，并且还应符合本部分规定的补充要求。

1.1 范围和目的

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000V或直流1 500V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。

注1：此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。

注2：在多数情况下，组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性，难以作出一般的规定；组合设备是否适合作熔断器底座，宜由用户与制造厂协商。但是，如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件，他们

应符合IEC 60269-1：2006的相关要求。

注3：IEC 60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。

本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了：

a) 熔断体的下列特性：

1) 额定值；

2) 正常工作时的温升；

3) 耗散功率；

4) 时间-电流特性；

5) 分断能力；

6) 截断电流特性和I2t特性；

7) 电弧电压特性。

b) 验证熔断体特性的型式试验；

c) 熔断体标志；

d) 应提供的技术数据（见附录BB）。

1.2 规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

IEC 60269-1：2006 低压熔断器第1部分：基本要求（Low-voltage fuses - Part 1: General requirements）

IEC 60269-2：2006 低压熔断器第2部分：专职人员使用的熔断器的补充要求（主要用于工业的熔断器）标准化熔断器系统示例A至J（Low-voltage fuses - Part 2: Supplementary requirements for fuses for use by authorized persons (fuses mainly for industrial application)- Examples of standardized systems of fuses A to J）

IEC 60269-3 低压熔断器第3部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求（主要用于家用和类似用途的熔断器）标准化熔断器系统示例A至F（Low-voltage fuses-Part 3：Supplementary requirements for fuses for use by unskilled persons（fuses mainly for household and similar applications)-

1

Examples of standardized systems of fuses A to F）

IEC 60417 设备用图形符号（Graphical symbols for use on equipment）

ISO 3 优先数优先数系列（Preferred numbers–Series of preferred numbers）

2 术语和定义

除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

2.2一般术语

2.2. 101

半导体设备 Semiconductor device

基本特性是由于载流子在半导体中流动引起的一种设备。

[IEV 521-04-01]

2.2. 102

半导体熔断体 Semiconductor fuse-link

在规定条件下，可以分断其分断范围内任何电流的限流熔断体（见7.4）。

2.2. 103

信号装置 Signalling device

作为熔断器的部件，用于向远处发出熔断器动作信号的装置。

注：信号装置由撞击器和辅助开关组成，也可以由电子装置组成。

2.2. 104

电压源逆变器 voltage source inverter

VSI

稳压逆变器。

[IEV 551-12-11]

注：也可指稳压逆变器，即该逆变器在提供电流时，其输出电压无任何实质性地改变。

2.2. 105

电压源逆变器熔断体 voltage source inverter fuse-link

VSI熔断体 VSI fuse-link

在规定条件下，能分断电压源逆变器内直流侧的电容器放电产生的短路电流的限流熔断体。

注1：本文件使用缩略语“VSI熔断体”。

注2：为了在高频下能正常运行，VSI熔断体通常在短路电流下动作，该短路电流由直流侧的电容器通过很低的电感放电所产生。此短路条件导致很高的电流上升率（相当于低的时间常数值，典型值为1ms至3ms）。即使在短路期间，当电流上升时外加电压降低，电源电压仍为直流。

注3：在某些复合交流驱动运用中，单个输出逆变器可能远离主输入整流器。在这种情况下，相关的故障电路阻抗可能影响熔断体的动作。由此当选择适当的短路保护时，需考虑相关的时间常数和电容器的尺码。

3 正常工作条件

除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

3.4电压

3.4.1额定电压

对于交流，熔断体的额定电压与外加电压有关，它以正弦交流电压的有效值表示。可以假定在熔断体的熔断过程中，外加电压保持不变。验证额定值的所有试验以此为基础。