单片机面试问题集.pdf
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单片机面试问题集
单片机的最小系统?内部的主要结构? 答：最小系统：电源、晶振(为系统提供基本的时钟信号)、复位电路;内部 结构：ROM/RAM、计时器、中断、I/O 串并行口、总线扩展控制。 RAM 和 ROM 的区别? 答：ROM(只读存储器)：它的信息一次写入后只能被读出，而不能被操作 者修改或者删除。一般用于存放固定的程序或数据表格。但是，只读这个概 念有时候可以被一些新特性的器件颠覆。 RAM(随机存储器)：它就是我们平时说的内存，主要用来存放各种现场的 输入/输出数据、中间计算结果，以及与外部存储器交换信息，或者作堆栈 (特点：先进后出，后进先出)用。它的存储单元根据具体需要可以读出或者 改写。 两者区别：RAM 只能用于暂时存放程序与数据。一旦电源关闭或发生断 电，RAM 中的数据就会丢失。而 ROM 中的数据在电源关闭或者断电后仍然 会保留下来。 简而言之：相同点它们都是用来存储数据的
1、立即寻址，寻址空间为 ROM; 2、直接寻址，寻址空间为片内 RAM 的低 128B 和特殊功能寄存器; 3、寄存器寻址，寻址空间为 A、B、DPTR、CY、通用工作寄存器等; 4、寄存器间接寻址，片内 RAM 低 128B、片外 RAM; 5、相对寻址，寻址空间为 ROM; 6、变址寻址，寻址空间为 ROM; 7、位寻址，寻址空间为片内 RAM 低 128B 的位寻址区的 128 个位，其字 节地址为 20H~2FH;以及部分可以位寻址的特殊功能寄存器。 参考：AT89C51 单片机能直接认识和执行的机器指令有 255 条，有 7 种寻 址方式，即立即寻址、直接寻址、寄存器寻址、寄存器间接寻址、变址寻 址、相对寻址和位寻址。 1. 直接寻址： 指令中直接给出参与操作的数据的地址，该地址一般用 direct 表示。 汇编指令：MOV A,direct
综上所述：灌电流负载，是合理的;而拉电流负载和上拉电阻会产生很大的 无效电流，并且功耗大。 设计单片机的负载电路，应该采用灌电流负载的电路形式，以避免无谓的 电流消耗。 在数字电路中，只有二种状态，要幺是高电平，要幺是低电平，在通电初 期，这些输出状态是不确定的，为了使电路确定状态，必需使用上拉电阻或 下拉电阻，使一个原来不确定电平变高的叫上拉电阻，否则就是下拉电阻， 上拉电阻就是从电源上接一只电阻到这个状态口上就可以了，(就是把高的电 压加到这个点上去，这个点的电位就高了)下拉电阻的接法，从这个状态口接 一只电阻到负极(或数字接地)，因电路形式与类别不同，当输入端有信号， 这种变化会反应到输出口，从输出口得到了一个状态，本来应该完成任务 了，但这会儿输入口已没信号了，可输出端还是这个状态(这个人习惯不好， 开门后总是不关门，加一只弹簧，(电阻)让它自己关门，)这时候也要用到上 下拉电阻，这里有复位的作用。 常见的时钟电路有哪些?为什幺要使用 PLL? 答：先了解一下什幺是时钟电路? 时钟电路就是产生像时钟一样准确运动的振荡电路，任何工作都按时间顺 序。用于产生这个时间的电路就是时钟电路。 组成：晶体振荡器、晶震控制芯片和电容组成。
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现在流行的串行时钟电路有：DS1302、DS1307、PCF8485 等 它们的特点：接口简单、价格低廉、使用方便。 DS1302：具有涓细电流充电能力的电路，主要特点：采用串行数据传输， 可为掉电保护电源提供可编程的充电功能，并且可以关闭充电功能。采用普 通 32.768KHz 晶振。 PLL(PhaseLocked Loop):锁相环电路。用来统一整合时脉讯号，使高频器 件正常工作。如：内存的存取资料等。PLL 用于振荡器中的反馈技术。许多 电子设备要正常工作，通常需要外部的输入信号与内部的振荡信号同步。一 般的晶振由于工艺与成本原因，做不到很高的频率，而在需要高频应用时， 有相应的器件 VCO，实现转成高频，但不稳定，故利用锁相环路就可以实现 稳定且高频的时脉冲讯号。 什幺是时脉：指同步电路中时钟的基础频率，它以(若千次周期每秒)来度 量，单位是(Hz) 总之：PLL 可以同步频率，相位正交。倍频、变频。 单片机的寻址方式有哪些? 答：80C51 有七种寻址方式：
该指令的功能是将片内 RAM 地址 direct 单元中的内容(参与操作的数据)传 送到累加器 A 中，双字节指令。 2. 立即寻址： 指令中直接给出参与操作的数据，称立即数，用 data 表示。在汇编语言 中，为标明立即数，为 data 加前缀#。立即数可以是 8 位和 16 位二进制数， 分别用#data 和#data16 表示。 汇编语言指令：MOV A,#data 该指令将立即数 data 传送到累加器 A 中，双字节指令。 3. 寄存器寻址： 参与操作的数据存放在寄存器中，汇编指令中直接以寄存器名来表示参与 操作的数据地址，寄存器包括工作寄存器 R0～R7、累加器 A、AB、数据指 针 DPTR 和位运算寄存器 C。 汇编语言指令：MOV A,Rn ;n=0~7 该指令将 Rn 中的内容传送到累加器 A 中，单字节指令。 4. 寄存器间接寻址：
不同点存储数据的方式与数据能不能在二次加工不同 单片机 I/O 口有什幺作用?I/0 口的驱动能力?上拉电阻与下拉电阻的作用? 答：I/O 口最主要的功能用来与外部器件实现数据信息的交互、速度匹配、 数据传送方式和增强单片机的负载能力。它在两者之间扮演桥梁的作用，单 片机拥有着串行与并行接口。每个种类的单片机的不同并行口也有着各自不 同的功能。 单片机输出低电平时，将允许外部器件，向单片机引脚内灌入电流，这个 电流，称为灌电流，外部电路称为灌电流负载。 单片机输出高电平时，则允许外部器件，从单片机的引脚拉出电流，这个 电流，称为拉电流，外部电路称为拉电流负载。 单片机输出驱动能力的问题：每个单个的引脚，输出低电平的时候，允许 外部电路，向引脚灌入的最大电流为 10 mA;每个 8 位的接口(P1、P2 以及 P3)，允许向引脚灌入的总电流最大为 15 mA，而 P0 的能力强一些，允许 向引脚灌入的最大总电流为 26 mA;全部的四个接口所允许的灌电流之和，最 大为 71 mA。而当这些引脚输出高电平的时候，单片机的拉电流能力呢?可 以说是太差了，竟然不到 1 mA。 结论就是：单片机输出低电平的时候，驱动能力尚可，而输出高电平的时 候，就没有输出电流的能力。
单片机的最小系统?内部的主要结构? 答：最小系统：电源、晶振(为系统提供基本的时钟信号)、复位电路;内部 结构：ROM/RAM、计时器、中断、I/O 串并行口、总线扩展控制。 RAM 和 ROM 的区别? 答：ROM(只读存储器)：它的信息一次写入后只能被读出，而不能被操作 者修改或者删除。一般用于存放固定的程序或数据表格。但是，只读这个概 念有时候可以被一些新特性的器件颠覆。 RAM(随机存储器)：它就是我们平时说的内存，主要用来存放各种现场的 输入/输出数据、中间计算结果，以及与外部存储器交换信息，或者作堆栈 (特点：先进后出，后进先出)用。它的存储单元根据具体需要可以读出或者 改写。 两者区别：RAM 只能用于暂时存放程序与数据。一旦电源关闭或发生断 电，RAM 中的数据就会丢失。而 ROM 中的数据在电源关闭或者断电后仍然 会保留下来。 简而言之：相同点它们都是用来存储数据的
1、立即寻址，寻址空间为 ROM; 2、直接寻址，寻址空间为片内 RAM 的低 128B 和特殊功能寄存器; 3、寄存器寻址，寻址空间为 A、B、DPTR、CY、通用工作寄存器等; 4、寄存器间接寻址，片内 RAM 低 128B、片外 RAM; 5、相对寻址，寻址空间为 ROM; 6、变址寻址，寻址空间为 ROM; 7、位寻址，寻址空间为片内 RAM 低 128B 的位寻址区的 128 个位，其字 节地址为 20H~2FH;以及部分可以位寻址的特殊功能寄存器。 参考：AT89C51 单片机能直接认识和执行的机器指令有 255 条，有 7 种寻 址方式，即立即寻址、直接寻址、寄存器寻址、寄存器间接寻址、变址寻 址、相对寻址和位寻址。 1. 直接寻址： 指令中直接给出参与操作的数据的地址，该地址一般用 direct 表示。 汇编指令：MOV A,direct
综上所述：灌电流负载，是合理的;而拉电流负载和上拉电阻会产生很大的 无效电流，并且功耗大。 设计单片机的负载电路，应该采用灌电流负载的电路形式，以避免无谓的 电流消耗。 在数字电路中，只有二种状态，要幺是高电平，要幺是低电平，在通电初 期，这些输出状态是不确定的，为了使电路确定状态，必需使用上拉电阻或 下拉电阻，使一个原来不确定电平变高的叫上拉电阻，否则就是下拉电阻， 上拉电阻就是从电源上接一只电阻到这个状态口上就可以了，(就是把高的电 压加到这个点上去，这个点的电位就高了)下拉电阻的接法，从这个状态口接 一只电阻到负极(或数字接地)，因电路形式与类别不同，当输入端有信号， 这种变化会反应到输出口，从输出口得到了一个状态，本来应该完成任务 了，但这会儿输入口已没信号了，可输出端还是这个状态(这个人习惯不好， 开门后总是不关门，加一只弹簧，(电阻)让它自己关门，)这时候也要用到上 下拉电阻，这里有复位的作用。 常见的时钟电路有哪些?为什幺要使用 PLL? 答：先了解一下什幺是时钟电路? 时钟电路就是产生像时钟一样准确运动的振荡电路，任何工作都按时间顺 序。用于产生这个时间的电路就是时钟电路。 组成：晶体振荡器、晶震控制芯片和电容组成。
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现在流行的串行时钟电路有：DS1302、DS1307、PCF8485 等 它们的特点：接口简单、价格低廉、使用方便。 DS1302：具有涓细电流充电能力的电路，主要特点：采用串行数据传输， 可为掉电保护电源提供可编程的充电功能，并且可以关闭充电功能。采用普 通 32.768KHz 晶振。 PLL(PhaseLocked Loop):锁相环电路。用来统一整合时脉讯号，使高频器 件正常工作。如：内存的存取资料等。PLL 用于振荡器中的反馈技术。许多 电子设备要正常工作，通常需要外部的输入信号与内部的振荡信号同步。一 般的晶振由于工艺与成本原因，做不到很高的频率，而在需要高频应用时， 有相应的器件 VCO，实现转成高频，但不稳定，故利用锁相环路就可以实现 稳定且高频的时脉冲讯号。 什幺是时脉：指同步电路中时钟的基础频率，它以(若千次周期每秒)来度 量，单位是(Hz) 总之：PLL 可以同步频率，相位正交。倍频、变频。 单片机的寻址方式有哪些? 答：80C51 有七种寻址方式：
该指令的功能是将片内 RAM 地址 direct 单元中的内容(参与操作的数据)传 送到累加器 A 中，双字节指令。 2. 立即寻址： 指令中直接给出参与操作的数据，称立即数，用 data 表示。在汇编语言 中，为标明立即数，为 data 加前缀#。立即数可以是 8 位和 16 位二进制数， 分别用#data 和#data16 表示。 汇编语言指令：MOV A,#data 该指令将立即数 data 传送到累加器 A 中，双字节指令。 3. 寄存器寻址： 参与操作的数据存放在寄存器中，汇编指令中直接以寄存器名来表示参与 操作的数据地址，寄存器包括工作寄存器 R0～R7、累加器 A、AB、数据指 针 DPTR 和位运算寄存器 C。 汇编语言指令：MOV A,Rn ;n=0~7 该指令将 Rn 中的内容传送到累加器 A 中，单字节指令。 4. 寄存器间接寻址：
不同点存储数据的方式与数据能不能在二次加工不同 单片机 I/O 口有什幺作用?I/0 口的驱动能力?上拉电阻与下拉电阻的作用? 答：I/O 口最主要的功能用来与外部器件实现数据信息的交互、速度匹配、 数据传送方式和增强单片机的负载能力。它在两者之间扮演桥梁的作用，单 片机拥有着串行与并行接口。每个种类的单片机的不同并行口也有着各自不 同的功能。 单片机输出低电平时，将允许外部器件，向单片机引脚内灌入电流，这个 电流，称为灌电流，外部电路称为灌电流负载。 单片机输出高电平时，则允许外部器件，从单片机的引脚拉出电流，这个 电流，称为拉电流，外部电路称为拉电流负载。 单片机输出驱动能力的问题：每个单个的引脚，输出低电平的时候，允许 外部电路，向引脚灌入的最大电流为 10 mA;每个 8 位的接口(P1、P2 以及 P3)，允许向引脚灌入的总电流最大为 15 mA，而 P0 的能力强一些，允许 向引脚灌入的最大总电流为 26 mA;全部的四个接口所允许的灌电流之和，最 大为 71 mA。而当这些引脚输出高电平的时候，单片机的拉电流能力呢?可 以说是太差了，竟然不到 1 mA。 结论就是：单片机输出低电平的时候，驱动能力尚可，而输出高电平的时 候，就没有输出电流的能力。