置换型固溶体

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置换型固溶体名词解释

置换型固溶体名词解释

置换型固溶体名词解释
嘿,你知道啥是置换型固溶体不?这玩意儿可有意思啦!就好比一个大集体,里面的成员可以互相替换。

比如说吧,在一个班级里,有个同学请假了,然后另一个同学来顶替他的位置,这就有点像置换型固溶体的概念啦!
置换型固溶体呢,是指溶质原子占据溶剂晶格中的结点位置而形成的固溶体。

哎呀,说简单点,就是一种原子挤占了另一种原子的“地盘”。

想象一下啊,就像一场游戏,原本在某个位置上的“角色”被另一个“角色”给取代了。

这种取代可不是随便来的哦,是有条件的呢!就像参加比赛得符合规则一样。

溶质原子和溶剂原子的尺寸得差不多才行,不能相差太大,不然可塞不进去或者会把“房子”给挤坏咯。

而且它们的化学性质也不能相差太悬殊,不然也没法和谐共处呀。

在实际中,置换型固溶体的例子可多啦!比如在金属材料中,经常会有不同的金属原子相互置换。

这会给材料带来各种不同的性质呢!有时候会让材料变得更硬,有时候又会让它更有韧性。

你说神奇不神奇?这置换型固溶体就像是一个魔法盒子,打开后能发现好多奇妙的变化。

它可不是孤立存在的哦,它和其他的概念也都有着千丝万缕的联系呢。

我觉得啊,置换型固溶体真的是一个很重要的概念,它让我们对物质的结构和性质有了更深的理解。

它就像是一把钥匙,能打开好多知识的大门呢!你是不是也对它很感兴趣啦?。

03-固溶体

03-固溶体

例2. 尖晶石MgAl2O4在高温下与Al2O3形成无限互溶的
固溶体:四面体位置上的Mg2+离子以3:2的比例被Al3+
代替,固溶体化学势可写为Mg1-3xVxAl2+2xO4
(2)填隙阴离子:
例1. 氟化钙溶解少量氟化钇:Ca2+1-xY3+xF-2+x,F占据萤石结构中的大空隙。
例2. UO2(萤石结构)氧化时伴随填隙O2-和U6+的产 生:
一、X射线粉末衍射
常用d间距公式
正交晶系
四方晶系
立方晶系
二、差热分析 (differential thermal analysis, DTA)
差热分析是在程序控 制温度下,测量物质和参 比物的温度差与温度的关 系的一种方法。
当试样发生物理或化 学变化时,所释放或吸收 的热量使试样的温度高于 或低于参比物的温度,从 而相应地在差热曲线上可 得到放热或吸热峰。
例如:MgO和CoO都是NaCl结构
离子半径:Mg2+: 0.066nm; Co2+: 0.072nm
MgO中的Mg2+位置可无限地被Co2+占据,生成 MgxCo1-xO(x=0~1) (2)填隙型固溶体:杂质原子进入溶剂晶格中的间隙 位置
2、按杂质原子在晶体中的溶解度划分 (1)无限固溶体:溶质和溶剂两种晶体可以按任意比 例无限制地相互溶解,又称为连续固溶体或完全互溶 固溶体。 如: MgO+NiOMgxCo1-xO (x=0~1) PbTiO3+PbZrO3 Pb(ZrxTi1-x)O3 (x=0~1) (2)有限固溶体:杂质原子在固溶体中的溶解度是 有限的,也称不连续固溶体或部分互溶固溶体。 如何两种晶体结构不同或相互取代的离子半径差别较 大,就会生成有限固溶体。

3.2 置换型固溶体

3.2 置换型固溶体
高温立方相稳定,所以为连续SS
• Fe2O3和Al2O3(0.0645nm和0.0535nm),比值:
0.0645 0.0535 17.05% 0.0645
虽然结构同为刚玉型,但它们只能形成有限固溶体。
•在石榴子石Ca3Al2(SiO4)3和Ca3Fe2(SiO4)3中,均为孤岛状 结构,Fe3+和Al3+能形成连续置换,因为它们的晶胞比氧化 物大八倍,结构的宽容性提高。
PbZrO3
2
2
是 Fe3 Nb5 2 Zr 4 的B位取代。
N
a
1
B
i
3 1
TiO3
PbTiO3
2
2

1 2
Na
1 2
Bi 3
Pb2 的A位取代。
4. 电负性
电负性相近:有利于SS的形成,
电负性差别大:趋向生成化合物。
Darken认为电负性差 < 0.4 的,一般具有很大的固溶 度,是衡量固溶度大小的一条边界。
NiO-MgO都具有面心立方结构,且Δr<15%,可形成连续固溶 体;
MgO-CaO晶体结构类型相同,阳离子半径相差超过15%,只 能形成有限固溶体;
PbZrO3和PbTiO3的Zr4+(0.072nm)与Ti4+(0.061nm),比值: 0.072 0.061 15.28% 15% 0.072
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3. 置换型固溶体的“组分缺陷”类型
高价置换低价
阳 离 子 出 现 空 位
CaCl 2
KCl
Ca
K
V
K
2ClCl
阴离子进入间隙

置换固溶体

置换固溶体


K

[VO
]n
P2
1 2
O2
应用示例:
1)掺杂对电导的影响: 通常NiO为具有Ni缺位的非化学计量氧化物,p型半导体
1 2
O2 (g)

VN i

2h

OOX
在NiO中掺杂微量的Li+, Na+,K+等一价金属离子
Li2O Ni1 xO2LiNi 2h OOX
可见,掺Li+后,空穴浓度p要增大,NiO的电导率上升。
若在NiO中掺杂微量Fe3+,Cr3+等三价金属离子。
Fe2O3
Ni1x O
2
Fe
Ni

2e
3OOX
可见,掺入Fe3+后,电子浓度补偿了空穴浓度,
e h 0
使NiO电导率下降。
2)气氛对电导的影响:由上例
1 2
形成固溶体的条件
1.结构因素:晶格类型相同是形成无限固溶体的必要条件
晶格类型差别愈大,固溶度愈低 2.离子半径因素
离子半径相对差值
r r大 r小 100% r小
r: <15%
15%~40%
>40
形成的固溶体:无限
有限
非固溶体
3.化学性质
化学性质相似,酸碱性接近的组元易形成固溶体
1 2
X 2(g)
VMX

X
X X
VMX VM h 正离子缺位 一价电离
VM VM h 正离子缺位 二价电离
如果缺陷反应充分,则有
1 2
X 2 (g)
VM
2h

X

第5章固溶体

第5章固溶体
CaF2 ZrO2
§5-3 间隙型固溶体
1.定义:杂质原子进入晶格的间隙位置而形成的固溶体。
2.影响因素 (1)溶质原子的大小和溶剂晶体空隙大小 溶质原子的半径小和溶剂晶体结构空隙大容易形成间隙型 固溶体。例:MgO只有四面体空隙可以填充,TiO2结构中还有 1/2 八面体空隙孔可以利用,CaF2中有1/2“立方体空隙”可以被 利用。沸石由硅、铝氧四面体组成的架状结构比长石开敞得多, 有很多大小均一的空洞和孔道为阳离子和水分子所占据,结合 很松,水可以可逆的脱附,阳离子也容易发生可逆的离子交换。 片沸石结构式为 Ca4[(AlO2)8(SiO2)28]•24H2O: 则晶体形成间隙固溶体的次序必然是: 片沸石>CaF2>TiO2&g. 按溶质原子在溶剂晶格中的位置划分: a. 置换型固溶体:晶体中一种离子被杂质原子置换。 Cr2O3→Al2O3 , MgO-CoO,PbZrO3-PbTiO3 ,在金
属氧化物中,主要发生在金属离子位置上的置换。
b. 填隙型固溶体:杂质原子进入晶格中的间隙位置。 金属和H、B、C、N等形成的固溶体都是间隙式固 溶体。
点为490℃,发生相变时,晶格常数剧烈变化,在常温下发生 开裂。PbZrO3 是一种反铁电体,居里点为230℃。两者结构 相同,Zr4+、Ti4+离子尺寸相差不多,能在常温生成连续固溶 体Pb(ZrxTi1-x)O3,x=0.1~0.3。在斜方铁电体和四方铁电体的 边界组成Pb(Zr0.54Ti0.46)O3处,压电性能、介电常数都达到最 大值,烧结性能也很好,被命名为PZT陶瓷。
1)高价置换低价产生阳离子空位: Al2O3―→2AlMg.. +VMg''+ 3Oo 2)低价置换高价产生阴离子空位:

晶体结构缺陷-类型-面缺陷-固溶体-5

晶体结构缺陷-类型-面缺陷-固溶体-5

(2) MgO溶解到Al2O3晶格中
2 MgO 2 Mg VO 2OO Al Al2O3
(1-4)
Mgi 3OO 3 MgO 2 Mg Al
Al2O3
(1-5)
(1-5〕较不合理。因为Mg2+进入间隙位置不易发生。
材料科学基础(Fundamentals of Materials Science)
(2) 间隙原子 间隙(interstitial)原子用Mi、Xi表示M或X原子 处于间隙位置。
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(3) 错位原子 错位原子用MX、XM等表示,MX表示M原子占 据X的位置。 (4) 自由电子和电子空穴 在典型离子晶体中,电子(electron)或电子 空穴(hole)是属于特定的离子,可以用离子价来 表示。但在有些情况下,有的电子或空穴可能并不 属于某一特定的离子,在外界的光、电、热作用下, 可以在晶体中运动,这样的电子与孔空称为自由电 子和电子孔空,分别用e’和h表示。其中右上标分 别表示一个单位的负电荷和一个单位正电荷。
材料科学基础(Fundamentals of Materials Science)
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3.2 点缺陷
3.2.1 点缺陷的符号表征-Kroger-Vink符号
(1)空位 空位(Vacancy)用V来表示,则VM、VX分别表示M 原子和X原子空位。符号中的右下标表示缺陷所在位置, VM、VX分别表示M或X位置是空的。
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(4) 电荷缺陷
质点排列的周期性未受到破坏,但因电子或

置换型固溶体Substitutionalsolidsolution

置换型固溶体Substitutionalsolidsolution

b ·ξ= - b 相互逆向平行,纯螺旋位错
柏格斯矢量 (Burgers Vector)
柏格斯回路
右手规则: 拇指----位错线方向 四指转向-----柏格斯回路转向
肖特基缺陷 (Schottky Defect):(c)离子对空位
弗兰克尔缺陷(Frenkel Defect):(e)等量的正离子空位和正离子间隙
EXAMPLE PROBLEM 5.1
Calculate the equilibrium number of vacancies per cubic meter for copper at1000 ℃. The energy for vacancy formation is 0.9 eV/atom; the atomic weight and density (at 1000℃) for copper are 63.5 g/mol and 8.40 g/cm3, respectively.
3)非化学计量化合物 (Nonstoichiometric): 组分比偏差于化学式的化合物 (含变价离子) 实质是由金属的高氧化态和低氧化态形成的固溶体 其电中性(electroneutrality)由空孔或间隙离子平衡
Figure 5.4
3. 根据固溶度划分: 1) 有限固溶体: 固溶度 <100% 2) 无限固溶体(连续固溶体): 固溶度 0 ~100% 4.根据各组元原子分布的规律性划分:
B. 间隙离子进入后需空位或其它高价反电荷离子 以置换方式平衡电中性。
•固溶体的判断
固溶体的理论密度: ρc = N · A / V ·NA N、V 分别为晶胞的原子数和体积 A 为固溶体平均相对原子质量 NA为阿佛伽德罗常数 测定固溶体实际密度 ρe 若: ρc〈 ρe : 间隙式 ρc = ρe : 置换式 ρc 〉ρe : 缺位式 (缺阵点原子)

【免费下载】XRD在固溶体中的应用

【免费下载】XRD在固溶体中的应用

XRD在固溶体中的应用固溶体是指溶质原子进入溶剂晶格中而保持溶剂类型的多元素物相。

通常以一种化学物质为基体溶有其他物质的原子或分子所组成的晶体,在合金和硅酸盐系统中较多见,在其他多原子物质中亦存在。

固溶体分为间隙型固溶体和置换型固溶体,间隙型固溶体是由溶质原子溶于溶剂晶格中原子之间的而形成的间隙(四面体间隙或八面体间隙)中构成,置换型固溶体是由溶质原子代替溶剂晶格中的原子构成。

掺杂原子的进入,在一定程度上,影响原来物质的晶体结构,发生晶格畸变。

通过阅读文献,发现国内外学者主要研究置换型固溶体,而对间隙型固溶体的研究很少。

点阵参数是晶体结构最基本的参数,任何一种晶体物质在一定状态下都有一定的点阵参数,但当温度、受力状态、化学成分等任一条件发生变化时,都会引起点阵参数的相应变化。

利用精确的XRD数据,辅助精修软件,可以准确计算出晶体物质的点阵参数,得到空间群类型,进而确定晶体物质的晶体结构。

测定点阵参数的目的是为了求得物质的物理参量以及研究溶入外来元素后引起的性质变化和参数的关系等。

为获得精确的XRD数据,需要稳定高能的XRD光源,现在使用较多的是同步辐射光源的XRD线站。

1921年,Vegard[1]在Phs.上发表了《the constitution of mixed crystals and the space occupied by atoms》,指出具有相同晶体结构两组元(1,2)所形成的的固溶体,其晶格常数(a)是掺入原子浓度(c1)的线性函数:a=ca1+(1-c1)a2,后人称之为Vegard定律。

但是,Vegard定律经常与实际固溶体的a—c1曲线发生偏离,随着固态物理学的发展进步,后来有学者指出Vegard定律与实际情况不相符的根本原因在于它没有考虑到溶质和溶剂原子在固溶体中由于近邻原子的不同而引起原子电子结构状态的变化[2],提出了广义Vegard定律。

广义Vegard 定律是指单固溶体合金的晶格参量为该合金系统中所含原子的价电子状态的特征晶格参量按其相应的状态原子浓度线性叠加,即如果知道某合金各状态的价电子结构以及状态浓度便可计算出该合金的晶格参量。

无机材料科学基础复习知识点总结

无机材料科学基础复习知识点总结

无机材料科学与基础1.名词解释二八面体:在层状硅酸盐矿物中,若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为二八面体结构。

三八面体:在层状硅酸盐矿物中,若全部的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体结构。

稳态扩散:扩散质点浓度不随时间变化。

不稳态扩散:扩散质点浓度随时间变化,扩散通量与位置有关。

互扩散:有浓度差的空间扩散。

自扩散:没有浓度差的扩散。

顺扩散:由高浓度区向低浓度区的扩散叫顺扩散,又称下坡扩散。

逆扩散:由低浓度区向高浓度区的扩散叫逆扩散,又称上坡扩散。

本征扩散:不含有不含有任何杂质的物质中由于热起伏引起的扩散。

非本征扩散:非热能引起,如由杂质引起的扩散。

刃型位错:滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

螺型位错:位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错热缺陷:在没有外来原子时,当晶体的热力学温度高于0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较大的原子离开正常的平衡位置,造成缺陷,这种由于原子热振动而产生的缺陷称为热缺陷。

杂质缺陷:由于杂质进入晶体而产生的缺陷。

点缺陷:在三维方向上尺寸都很小(远小于晶体或晶粒的线度)的缺陷。

线缺陷:是指晶体内部结构中沿着某条线(行列)方向上的周围局部范围内所产生的晶格缺陷。

它的表现形式主要是位错。

弗兰克尔缺陷:在晶格内原子振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置后,进入晶格点的间隙位置,变成间隙原子,而在原来的位置上形成一个空位,这样的缺陷称为弗兰克尔缺陷。

肖特基缺陷:如果正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置,跳跃到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。

类质同晶:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其他离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。

同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

一致熔融化合物:是一种稳定的化合物,它与正常的纯物质一样具有固定的熔点,熔化时所产生的液相与化合物组成一致,故称一致熔融化合物。

材料化学-固溶体

材料化学-固溶体
27
4.4 异价取代固溶体
等价取代,可以保持电荷平衡; 异价取代,需要形成缺陷以保持电荷平衡: 1. 空位或填隙子 —— 离子补偿; 2. 电子或空穴 —— 电子补偿。
28
离子补偿机制
阳离子空位: 基质结构中的阳离子被高价阳离子取代时,可以通过形成
阳离子空位来达到电荷平衡。 实例:CaCl2 掺杂 NaCl:Na1-2xCaxVxCl
向于生成有限固溶体。
16
无限固溶体实例:Pb(Zr,Ti)O3
压电材料 BaTiO3((A2+B4+)O3 型钙钛矿结构化合物): Ba —— Pb,Sr,Ca等等取代; Ti —— Zr,Sn等等取代; —— 复合化合物(A1,A2,…Ak)(B1,B2,…Bl)O3(钙钛矿结
构):
17
决定固溶体的形成能力。
41
4.6 固溶体的性质
杂质 进入
晶格 常数
机械 性能
密度
光学 性能
电性能
42
卫格定律(Vegare’s Law)与雷特格定律(Retger’s Law):固溶体中,晶胞的尺寸随组成连续变化,对于立 方结构的晶体,晶格常数与组成的关系可以表示为: (ass )n (a1)n c1 (a2 )n c2
35
2. 阴离子吸附形成的阳离子空位:
例如,氧化物加热时吸收氧,氧分子离解,氧原子从低 氧化态过渡金属得到电子形成 O2- 离子,
实例:
NiO O2 Ni123x Ni23xVNi,xO
绝缘体
半导体
36
阴离子填隙: 混合价阳离子伴随填隙阴离子而形成。
实例:高温超导体 YBa2Cu3O 体系。 1. 当 = 6,Cu:+1,+2 的混合价; 2. 当 = 6.5,Cu:+2 价; 3. 当 = 7,Cu:+2,+3 的混合价。

第五章固溶体

第五章固溶体
固溶体可以在晶体生长过程中生成,也可以从溶液或熔体中析晶时形成,还可以通过烧结过程由原子扩散而形成.
A、B形成固溶体,A和B之间以原子尺度混合成为单相均匀晶态物质。机械混合物A、B是A和B以颗粒态混合,A和B分别保持本身原有的结构和性能,A、BA和B形成化合物AmBn,A:B≡m:n有固定的比例。
固溶体中由于杂质原子占据正常格点的位置,破坏了基质晶体中质点排列的有序性,引起晶体内周期性势场的畸变,这也是一种点缺陷范围的晶体结构缺陷。
又如Fe2O3和A12O3两者的半径差为18。4%,虽然它们都有刚玉型结构,但它们也只能形成有限置换型固溶体。但是在复杂构造的柘榴子石Ca3Al2(SiO4)3和Ca3Fe2(SiO4)3中,它们的晶胞比刚玉晶胞大八倍,对离子半径差的宽容性就提高,因而在柘榴子石中Fe3+和Al3+能连续置换.
(3)离子电价的影响
固溶体中由于杂质原子占据正常格点的位置破坏了基质晶体中质点排列的有序性引起晶体内周期性势场的畸变这也是一种点缺陷范围的晶体结构缺固溶体在无机固体材料中所占比重很大人们常常采用固溶原理来制造各种新型的无机材料
第二章 固溶体
一种组分(溶剂)内“A物质溶解在B物质中形成的,一般将原组分BAl2O3晶体中溶入Cr2O3为例,A12O3为溶剂:Cr3+溶解在A12O3中以后,并不破坏Al2O3原有晶体结构。但少量Cr3+(约0.5wt%~2wt%)的溶入,由于Cr3+能产生受激辐射,就会使原来没有激光性能的白宝石(α-Al2O3)变为有激光性能的红宝石。
(二置换型固溶体
在天然矿物方镁石(MgO)中常常含有相当数量的NiO或FeO,Ni2+和Fe2+离子置换晶体中Mg2+离子,生成连续固溶体。固溶体组成可以写成(Mg1-xNix)O,x=O~1.能生成连续固溶体的实例还有:Al2O3—Cr2O3;ThO4-UO2;PbZrO3-PbTiO3等。除此以外,还有很多二元系统可以形成有限置换型固溶体。例如MgO—A12O3;MgO-CaO;ZrO4-CaO等等.

无机材料科学基础第五章固溶体

无机材料科学基础第五章固溶体

将外来组元引入晶体结构,占据主晶相质点位置一部分或间隙位置一部分,仍保持一个晶相,这种晶体称为固溶体(即溶质溶解在溶剂中形成固溶体),也称为固体溶液。
固溶体的分类
置换型固溶体
间隙型固溶体
形成固溶体后对晶体性质的影响
固溶体的研究方法
第五章 固溶体
A
根据外来组元在主晶相中所处位置 ,可分为置换固溶体和间隙固溶体。
在金属氧化物中,主要发生在金属离子位置上的置换,如:MgO-CaO,MgO-CoO,PbZrO3-PbTiO3,Al2O3-Cr2O3等。
C3S的固溶体C54S16MA2.相当于18个Si中有两个被置换。
间隙式固溶体,亦称填隙式固溶体,其溶质原子位于点阵的间隙中。
01
金属和非金属元素H、B、C、N等形成的固溶体都是间隙式的。如:在Fe-C系的α固溶体中,碳原子就位于铁原子的BCC点阵的八面体间隙中。
3、固溶强化
实际应用:铂、铑单独做热电偶材料使用,熔点为1450℃,而将铂铑合金做其中的一根热电偶,铂做另一根热电偶,熔点为1700℃,若两根热电偶都用铂铑合金而只是铂铑比例不同,熔点达2000℃以上。
4、形成固溶体后对材料物理性质的影响 固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化,但一般都不是线性关系。固溶体的强度与硬度往往高于各组元,而塑性则较低。
主要是氧化镁杂质的存在,阻碍了晶界的移动速度,使气体容易消除,从而得到透明氧化铝陶瓷。
另外,氧化铝掺杂其他一些氧化物可制的相应颜色的各类宝石制品。
详见P79页。
透明Al2O3 陶瓷

A
B
C
固溶体类型的大略估计
固溶体类型的实验判别
固溶体组成的确定
五、固溶体的研究方法

固溶体---

固溶体---


PbZrO3和PbTiO3的Zr4+(0.072nm)与Ti4+(0.061nm),比值 : 0.072 0.061 15.28% 15% 高温立方相稳定,所以为连续SS 0.072
• 在石榴石Ca3Al2(SiO4)3和Ca3Fe2(SiO4)3中,均为孤岛状结构, Fe3+和Al3+能形成连续置换,因为它们的晶胞比氧化物大八倍, 结构的宽容性提高。 • Fe2O3和Al2O3(0.0645nm和0.0535nm),比值 : 0.0645 0.0535 17.05% 0.0645
MgO Al2O3
晶体颗粒态 MgO结构+Al2O3结构 两相(或多相),有界面
4
二.从热力学角度分析---由 G= H-T S关系式讨
论:
(1) 溶质原子溶入溶剂晶格内,使H大大提高——不
能生成SS。
(2)溶质原子溶入溶剂晶格内——大大地降低H , 系统趋向于形成一个有序的新相,即生成化
R(Mg2+)=0.072nm, R(Ca2+)=0.1nm
0.08-0.074 15% (0.1-0.072)/0.1=28%>15% =7.5%< 2018/10/20 0.08
11
(2) 晶体的结构类型
形成连续固溶体,两个组分应具有相同的晶体结构或化学式类似。

MgO和NiO、Al2O3和Cr2O3、 Mg2SiO4和Fe2SiO4、
<15%
>30%
形成连续固溶体
不能形成固溶体
15%~30% 形成有限固溶体
如:MgO-CoO固溶体,溶质-溶剂晶体可
按任意比例无限互溶
(MgXCo1-X)O,X=0~1,

何谓置换固溶体

何谓置换固溶体

1-4 相结构
(四) 有序固溶体(超点阵、超结构)
1. 以面心立方为基的有序固溶体
Cu3Au 型
Cu3Au型有序固溶体
1-4 相结构
CuAu I型
CuAu I型有序固溶体
CuAu II型
CuAuII型有序固溶体
1-4 相结构
2. 以体心立方为基的有序固溶体 CuZn型 Fe3A1型
CuZn (-黄铜) 型有序固溶体
Fe3A1型有序固溶体
1-4 相结构
3. 以密排六方为基的有序固溶体 MgCd3型
Mg
Cd
MgCd3型有序固溶体
1-4 相结构
(五) 中间相的性质和应用
(1) 具有超导性质的中间相 ; (2) 具有特殊电学性质的中间相; (3) 具有强磁性的中间相; (4) 具有特殊吸释氢本领的中间相(贮氢材料);
1-4 相结构
一、基本概念 合金
组元

组织
1-4 相结构
一、基本概念(续) 单相合金
多相合金
固溶体
中间相(金属间化合物)
1-4 相结构
二、固溶体 (一)固溶体的结构特源自及分类1. 固溶体的结构特点
2. 固溶体的分类
按溶质原子在溶剂点阵中所处的位置 按溶质原子在溶剂中的溶解度 按溶质原子在溶剂点阵中的分布规律
电子浓度为 21 / 13:-黄铜结构(复杂立方结构的相)
电子浓度为 7 / 4(或 21 / 12):密排六方结构
1-4 相结构
思考题: Mg2Si、Mg2Sn、Mg2Pb、Cu3Al、Cu5Si、
Cu5Zn8、CuZn3、Au5Zn8化合物中,哪些属于
正常价化合物?哪些属于电子浓度化合物?
(5) 具有耐热特性的中间相;

材料科学基础名词解释(40个)

材料科学基础名词解释(40个)

名词解释(40个)1 同质多晶:化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象,称为同质多晶现象。

类质同晶:化学组成相似或相近的物质,在相同的热力学条件下,形成相同结构晶体的现象,称为类质同晶现象。

反萤石结构:如果晶体的结构与萤石完全相同,但阴阳离子的位置与萤石刚好相反,这种结构称为反萤石结构。

铁电效应:压电效应:晶体在外力作用下发生变形,正负电荷中心产生相对位移,使晶体总电矩发生变化所表现的现象,称为压电效应。

四面体空隙:等径球体作最紧密堆积时,由其中四个球体球心连线而构成的正四面体所围成的空隙。

八面体空隙:等径球体作最紧密堆积时,由其中六个球体球心连线而构成的正八面体所围成的空隙。

位移性转变:在同质多晶中,两个变体之间由于结构差异小,转变时只是原子的位置发生少许位移,仅仅是键长和键角的调整,不涉及旧键的破坏和新键的产生,这类变体之间的转变称为位移性转变,其特点是转变速度很快。

重建性转变::在同质多晶中,两个变体之间由于结构差异大,转变时必须破坏原子间的键,形成一个具有新键的结构,这类变体之间的转变称为重建性转变,其特点是转变速度很慢。

2 结构缺陷:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。

点缺陷:又称零维缺陷,缺陷尺寸处于原子大小数量级上,即三维方向上缺陷的尺寸都很小。

点缺陷包括空位、间隙质点、杂质质点和色心等。

线缺陷:指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维上很小,故又称二维缺陷。

如晶界、表面、堆积层错等,与材料的断裂韧性有关。

面缺陷:是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向上较长,另外二维方向上很短,故又称一维缺陷热缺陷:当晶体温度高于绝对0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较高的原子偏离平衡位置所造成的缺陷,称为热缺陷(又称本征缺陷)。

弗伦克尔缺陷:当晶格热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而在原来位置形成空位,这种缺陷称弗伦克尔缺陷。

材基简答题

材基简答题

1、置换固溶体溶解度的影响因素1) 尺寸因素:由于溶质和溶剂原子尺寸差异,溶质原子的存在导致晶体内产生点阵畸变,尺寸差异越大,引起的点阵畸变越大,一般而言,溶质和溶剂间尺寸差异越大,溶质在溶剂中最大固溶度越小。

2) 晶体结构因素:一般而言,晶体结构不同,只能形成有限固溶体;晶体结构相同,固溶度通常较大,并有可能形成无限固溶体。

3) 电负性因素:电负性差越小,越易形成固溶体,且形成的固溶体溶解度也较大;电负性差越大,固溶度越小;电负性差很大时,往往形成比较稳定的金属化合物。

4) 电子浓度因素:电子浓度指合金中各组成元素价电子数总和与原子总数之比。

当超过极限电子浓度,固溶体就不稳定,形成新相——中间相尺寸因素、电负性差、电子浓度及晶体结构是影响固溶体溶解度的四个主要因素,当此四个因素均有利时,有可能形成无限固溶体2、由相关数据画相图例:铋熔点为271.5℃,锑熔点为630.7℃,在液态和固态时铋锑均能彼此无限互溶。

wBi=50%的合金在520℃时开始结晶出成分为wSb=87%的固相。

wBi=80%的合金在400℃时开始结晶出成分为wSb=64%的固相,根据上述条件,1)绘出Bi-Sb相图,并标出各线和各相区名称;2)从相图上确定含锑量为40%合金开始结晶和结晶终了温度,并求出它在400℃时平衡相成分及相对量。

解:1)根据题意,520℃时液相成分为wSb=50%,结晶出固相成分为wSb=87%;400℃时液相成分为wSb=1-wBi=1-80%=20%,结晶出固相成分为wSb=64%,因此,液相线四个坐标为(271.5,0),(400,20),(520,50),(630.7,100);固相线四个坐标为(271.5,0),(400,64),(520,87),(630.7,100)。

将上述四点在坐标纸上标出并光滑连接即得Bi-Sb相图2)根据相图,含锑量为40%合金开始结晶温度约为490℃,终了结晶温度约为350℃。

05-固溶体

05-固溶体
相互取代的离子尺寸越接近,就越容易形成固溶体; 原子半径 相差越大,溶解度越小。
若以r1和r2分别代表半径大和半径小的溶剂(主晶相)或溶质(杂质) 原子(或离子)的半径,则:
r1 -r2 r1
<15% >30%
形成连续固溶体 不能形成固溶体
15%~30% 形成有限固溶体
<15%是形成连续固溶体的必要条件,而不是充分必要条件。
5、透明陶瓷及人造宝石
(1)PLZT透明陶瓷 PLZT( 基本配方 Pb1-xLax(Zr0.65Ti0.35)1-x/4O3) 中 La+ 取代 A 位的 Pb2+ 使晶格中产生离子空位,有利于气孔扩散而消除气孔。而PZT(基本 配方Pb(ZrxTi1-x)O3,x=0.1~0.3)中是等价取代不产生离子空位,气孔 靠热缺陷扩散,扩散系数小,不利于气孔消除,因此在同样有液相 存在的条件下PZT不透明而PLZT能透明。 (2)Al2O3透明陶瓷 在纯Al2O3中添加0.3%~0.5%的MgO形成固溶体,在氢气氛下, 1750 ℃左右烧成得到Al2O3透明陶瓷。 (3)人造宝石 纯的单晶Al2O3是无色透明的称为白宝石,利用Cr2O3能与Al2O3 生成无限固溶体的特性,可获得红宝石和淡宝石;在Al2O3中少量的 Ti4+取代Al3+,使Al2O3呈现蓝色,成为蓝钛宝石。
第五章
固溶体 (SS: Solid Solution)
5-1 固溶体的分类
5-2 置换型固溶体 5-3 间隙型固溶体 5-4 固溶体的性质 5-5 固溶体的研究方法
固溶体 (SS: Solid Solution)
定义:含有外来杂质原子的单一均匀的晶态固体。
例:MgO晶体中含有FeO杂质 → Mg1-xFexO

第3章 固溶体

第3章  固溶体

固溶体化学式 : Zr0.85Ca0.15O1.85 为氧空位型固溶体。 附:当温度在1800℃急冷后所测的D和d计算比较,发现该固溶 体为阳离子填隙形式,而且缺陷类型随着CaO溶入量或固溶体的组 成发生明显的变化。
本章小结:
1、缺陷的分类
点缺陷 热缺陷(Frankel缺陷和Schttyq缺陷) 杂质缺陷 2、书写缺陷反应式应遵循的原则。
• 固溶体对材料物理性质的影响;固溶体的电学、热学、
• •



第三节 固溶体的研究方法 点阵常数( 晶格参数)与成分 的关系:Vegard定律。 同晶型的盐形成连续固溶体时, 固溶体的点阵常数正比于任意 组元(任意种盐)的浓度。 实际固溶体大多数都不完全符 合Vegard定律。 Vegard定律只反映尺寸影响因 素,实际固溶体产生偏离的原 因是由于其他因素(电子浓度、 负电性等)综合作用的结果。 物理性能与成分的关系;通过 对物理性能的研究判定材料组 成的变化。
2Al3+ 3Mg2+ VMg 2 : 3 x : : 1 x/3
通式:
2x/3 :
若有0.3分数的Mg2+被置换,则尖晶石化学式可写为
[Mg0. 7Al0.2(VMg)0.1]Al2O4 ,则每30个阳离子位置中有1个空位。
(2)出现阴离子空位。如CaO加入到ZrO2中,缺陷反应式为:
(3)离子电价——离子价相同或离子价态和相同。例如——
钠长石Na[AlSi3O8]——钙长石Ca[Al2Si2O8], 离子电价总和为 +5价:
Na Si Ca Al
4 2
3
• 复合钙钛矿型压电陶瓷材料(ABO3型)中,
5 Pb Fe 3 Nb O3 PbZrO3 1 1 2 2
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g(r) = ρ(r) / ρ0 ρ(r) 为r 处原子的数目密度; ρ0 为整个样品的平均原子数密度 可求两个参数: 配位数:第一峰面积 原子间距:峰位置
3、非晶态结构模型 微晶(不连续) 无规拓朴(连续)
A. 硬球无序密堆
除四面体外, 有
八、十二、十四面体: 6%, 4%, 4%
密度上限: 0.637
Figure 5.3
2. 线缺陷(位错Dislocation): 仅一维尺寸可与晶体线度比拟的缺陷 一或数列原子发生有规则的错排
1) 棱位错(刃位错 Edge Dislocation) 位错线与滑移方向(柏格斯矢量)垂直
EF ⊥ BB’ 压力、拉力
Figure 5.7
2)螺旋位错(Screw Dislocation): 位错线与滑移方向(柏格斯矢量)平行 AD ∥ B’B 与位错线垂直的平面在螺旋斜面
掺杂: 中温时少量杂 质能加速扩散
NaCl中加 CdCl2后钠离 子扩散系数的 变化
2)非晶体
无序结构,有空穴,通过自由体积进行(缺陷)。
在长链聚合物中(高分子)扩散有: 自扩散:包括分子链段的运动,并且与材料的粘滞流动相关。 外来分子的扩散:关系到聚合物呈现的渗透性和吸收性能。 渗透性:高分子膜的分离,耐腐蚀性,分子间隙 吸收性:引起溶胀,化学反应。
无缺陷
3. 面缺陷 (Interfacial Defects): 仅一平面方向上尺寸可与晶体线度比拟的缺陷 如由一系列刃位错排列成一个平面形成的缺陷
4.体缺陷 (Volume Defects): 各方向尺寸均可与晶体线度比拟的缺陷 如 空洞、嵌块等。
2-6-3 非晶体 (Noncrystalline)
Figure 6.3
扩散通道:沿位错、晶界、外表面
扩散的激活能(Activation Energy) – Q : 扩散系数(Diffusion Coefficient)
Section 6.5
D = D o e –Q/RT
金属
金属的扩散激活能 (kcal/mol)
Tm
Q
离子料的扩散激活能
空位机制
2-6 固体中的原子无序
Imperfections in Solids
Chapter 5
Defects in Crystals Point, vacancy and self- interstitial Frenkel and Schottky defect, Stoichiometry Linear, edge and screw dislocation, Burgers Vector Interfacial, Bulk Solid Solution (alloys) substitutional and interstitial Noncrystalline Diffusion
(真密堆:0 .74)
致密度
B.无规网络
(二氧化硅玻璃)
桥氧键角变化较大
2-6-4 扩散(Diffusion)
Chapter 6
1. 扩散现象:原子(或分子)通过热运动改变位置而移动
1) 自扩散(self-diffusion): 纯固体中,同种元素的原子 从一个点阵位置移动到另一个点阵位置 2) 互扩散(interdiffusion): 不同种元素接触后原子相互移动换位
1.非晶材料: 结构在体积范围内 缺乏重复性 的材料 (非晶型、无定形 amorphous)
无平移对称,无长程有序,原子位置排布完全无周期性,
具有统计规律。 (密乱堆垛,无规网络等)
2. 分布函数:
径向分布函数:J(r) = 4πr2 ρ(r) 双体分布函数:以某原子为原点,
距离r 处找到另一原子的几率
3) 扩散的原因 原子不是静止的; 原子围绕其平衡位置进行小振幅的振动; 部分原子具有足够振幅,位置移动。 温度影响扩散;晶体中的缺陷类型和数量影响扩散。
2. 扩散机制(Diffusion Mechanisms) 1) 晶体
空位扩散(Vacancy Diffusion):一个原子与一个相邻空位交换位置 多数金属和置换固溶体 间隙扩散(Interstitial Diffusion):间隙式固溶体 H, C, N, O 直接交换机制:极难,很少发生 下页
SOLUTION This problem may be solved by using Equation 5.1; it is first necessary, however,to determine the value of N, the number of atomic sites per cubic meter for copper, from its atomic weight ACu , its density , and Avogadro’s number NA, according to
受剪切力作用易发生
FIGURE 5.8 (
位错有两个特征:
一个是位错线的方向,它表明给定点上位错线的方向, 如EF, AD,用单位矢量ξ表示, 另一个是为了表明位错存在时,晶体一侧的质点相对另 一侧质点的位移,用一个柏格斯矢量 b 表示。
它是指该位错的单位滑移距离,其方向和滑移方向平行
b ·ξ= 0 相互垂直,纯棱位错
Δc /Δx:浓度梯度
(Concentration Gradient)
非稳态(Nonsteady-state):Fick第二定律: Δc /Δt = D Δ2c /Δx2 c 为物质的体积浓度,x 为距离。
边界条件求解。
EXAMPLE PROBLEM 6.1
A plate of iron is exposed to a carburizing (carbon-rich) atmosphere on one side and a decarburizing (carbon-deficient) atmosphere on the other side at 700℃. If a condition of steady state is achieved, calculate the diffusion flux of carbon through the plate if the concentrations of carbon at positions of 5 and 10 mm (5×10-3 and 10-2 m) beneath the carburizing surface are 1.2 and 0.8 kg/m3, respectively. Assume a diffusion coefficient of 3×10-11 m2/s at this temperature.
3)非化学计量化合物 (Nonstoichiometric): 组分比偏差于化学式的化合物 (含变价离子) 实质是由金属的高氧化态和低氧化态形成的固溶体 其电中性(electroneutrality)由空孔或间隙离子平衡
Figure 5.4
3. 根据固溶度划分: 1) 有限固溶体: 固溶度 <100% 2) 无限固溶体(连续固溶体): 固溶度 0 ~100% 4.根据各组元原子分布的规律性划分:
肖特基缺陷 (Schottky Defect):(c)离子对空位
弗兰克尔缺陷(Frenkel Defect):(e)等量的正离子空位和正离子间隙
EXAMPLE PROBLEM 5.1
Calculate the equilibrium number of vacancies per cubic meter for copper at1000 ℃. The energy for vacancy formation is 0.9 eV/atom; the atomic weight and density (at 1000℃) for copper are 63.5 g/mol and 8.40 g/cm3, respectively.
B.键性(极化): Zn++(共价性) C. 晶体结构类型和晶胞大小
Fe++(离子性)
D.电价: 电价差使置换难(大晶胞中需其它离子补足)
2)间隙型固溶体 (Interstitial solid solution) : 较小的原子进入晶格间隙形成的固溶体
Figure 5.5
影响因素:
A. 晶格结构的空隙大小
SOLUTION
2-6 固体中的原子无序 (Imperfections in Solids)
2-6-1 固溶体(Solid Solution):
杂质原子(或离子、分子)均匀分布(溶)于基质晶格中的固体
通常特征:杂质和基质原子共同占据原基质的晶格点阵; 有一定的成分范围 ---- 固溶度 1. 根据相图划分: 1) 端部固溶体(初级固溶体): 包括纯组分的固溶体 2) 中部固溶体(二次固溶体): 0<任一组元<100% (无任一组元的结构,以化合物为基) 相图端部 相图中部
B. 间隙离子进入后需空位或其它高价反电荷离子 以置换方式平衡电中性。
•固溶体的判断
固溶体的理论密度: ρc = N · A / V ·NA N、V 分别为晶胞的原子数和体积 A 为固溶体平均相对原子质量 NA为阿佛伽德罗常数 测定固溶体实际密度 ρe 若: ρc〈 ρe : 间隙式 ρc = ρe : 置换式 ρc 〉ρe : 缺位式 (缺阵点原子)
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2. 根据溶质在点阵中的位置划分: 1) 置换型固溶体(Substitutional solid solution): 晶体原 (离)子被其它原(离)子部分代换后形成
置换量不同可:
完全互溶; 部分互溶; 不形成固溶体
Figure 5.5
影响置换因素:下列诸因素相同(近)易置换;否则难成固溶体 A. 离子大小: 同晶型时 半径差 <15%, 20~40%, 完全互溶 部分互溶 难置换
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