大学物理下归纳总结

大学物理下归纳总结

黄海波整理制作 2010-12-13于厦门

电学

基本要求：

1．会求解描述静电场的两个重要物理量：电场强度E 和电势V 。

2．掌握描述静电场的重要定理：高斯定理和环路定理（公式内容及物理意义）。 3．掌握导体的静电平衡及应用；介质的极化机理及介质中的高斯定理。 主要公式： 一、 电场强度 1

计算场强的方法（3种）

1、点电荷场的场强及叠加原理

点电荷系场强：∑=i i i r r

Q E 3

04πε 连续带电体场强：⎰

=Q r dQ

r E 3

4πε

（五步走积分法）(建立坐标系、取电荷元、写E d

、分解、积分)

2、静电场高斯定理：

物理意义：表明静电场中，通过任意闭合曲面的电通量（电场强度沿任意闭合曲面的面积分），等于该曲面内包围的电荷代数和除以0ε。

对称性带电体场强：

3、利用电场和电势关系：

x E x

U

=∂∂-

二、电势

电势及定义：

1．电场力做功：⎰

⋅=∆=2

1

0l l l d E q U q A

2. 静电场环路定理：静电场的保守性质

物理意义：表明静电场中，电场强度沿任意闭合路径的线积分为0。

3．电势：)0(00

=⋅=⎰p p a

a U l d E U ；电势差：⎰⋅=∆B A

AB l d E U

电势的计算：

1．点电荷场的电势及叠加原理

点电荷系电势：∑=

i

i

i

r Q U 04πε

（四步走积分法）(建立坐标系、取电荷元、写dV 、积分) 2．已知场强分布求电势：定义法

⎰⎰⋅=⋅=l

v p

dr E l d E V 0

三、静电场中的导体及电介质

1. 弄清静电平衡条件及静电平衡下导体的性质

2. 了解电介质极化机理，及描述极化的物理量—电极化强度P , 会用介质中的高斯定理，

求对称或分区均匀问题中的

,,D E P 及界面处的束缚电荷面密度σ

。

3. 会按电容的定义式计算电容。

磁学 恒定磁场（非保守力场）

基本要求：

1．熟悉毕奥-萨伐尔定律的应用，会用右手螺旋法则求磁感应强度方向；

3．掌握描述磁场的两个重要定理：高斯定理和安培环路定理（公式内容及物理意义）；并会用环路定理计算规则电流的磁感应强度；

3．会求解载流导线在磁场中所受安培力，磁力矩；

4．理解介质的磁化机理，会用介质中的环路定律计算H 及B.

主要公式：

1．毕奥-萨伐尔定律表达式

1）有限长载流直导线，垂直距离r

（其中。向之间的夹角流方向与到场点连线方分别是起点及终点的电和21

θθ） 无限长载流直导线，垂直距离r

半无限长载流直导线，过端点垂线上且垂直距离r 2）圆形载流线圈，半径为R ，在圆心O

半圆形载流线圈，半径为R ，在圆心O 3）螺线管及螺绕环内部磁场 自己看书，把公式记住 2．无源场）(因为磁场线是闭合曲线,从闭合曲面一侧穿入,必从

另一侧穿出.)

物理意义：表明稳恒磁场中，通过任意闭合曲面的磁通量（磁场强度沿任意闭合曲面的面积分）等于0。

3．磁场安培环路定理

有旋场）

物理意义：表明稳恒磁场中，磁感应强度B 沿任意闭合路径的线积分，等于该路径内包围的电流代数和的0μ倍。0μ称真空磁导率 4. 洛伦兹力及安培力

1）洛伦兹力： B v q F

⨯=（磁场对运动电荷的作用力）

2）安培力：⎰⨯=l

B l Id F

（方向沿B l Id ⨯方向，或用左手定则判定）

积分法五步走:1.建坐标系;2.取电流元l Id

;3.写θsin IdlB dF =;4.分解;5.积分.

3）载流闭合线圈所受磁力矩：

B m M

⨯＝（要理解磁矩的定义及意义）

5.介质中的磁场

1

2）有磁介质的安培环路定理

电磁感应

基本要求：

1． 理解法拉第电磁感应定律和楞次定律的内容及物理意义；

2． 会求解感应电动势及动生电动势的大小和方向；了解自感及互感； 3． 掌握麦克斯韦方程组及意义，了解电磁波。

主要公式：

1．法拉第电磁感应定律： t

d d Φ

-

=ε，会用楞次定律判断感应电动势方向。 2．动生电动势()⋅=⋅⨯=⎰⎰βαεcos )sin (dl vB l d B v l

l

⋅

⨯.;

方向的夹角的方向与是的夹角与是L B v B

v

βα

注：感应电动势的方向沿B v

⨯的方向，从低电势指向高电势。

3．感生电动势及感生电场：;S d t B l d E s

L

⋅∂∂-=⋅=⎰⎰⎰感ε

4．麦克斯韦方程组及电磁波：

⎰∑⎰==

⋅V

dV ρεε0

0i s

1

q S d E

0S d B s

=⋅⎰

S t B l E S

L

d d ⋅∂∂-=⋅⎰⎰ 变化的磁场产生电场 S t D S J l H S

S L d d d ⋅∂∂+⋅=⋅⎰⎰⎰0 变化的电场产生磁场

波动光学

基本要求：

掌握杨氏双缝干涉、单缝衍射、劈尖干涉、光栅衍射公式；理解光程差的含义与半波损失发生条件及增透膜、增反膜原理； 主要公式：

1．光程差与半波损失

光程差：几何光程乘以折射率之差：2211r n r n -=δ

半波损失：当入射光从折射率较小的光疏介质投射到折射率较大的光疏密介质表面时，反射光比入射光有的跃变即光程发生的相位突变2

λ

π，。

（若两束相干光中一束发生半波损失，而另一束没有，则附加

2

λ

的光程差；若两有或两无，则无附加光程差。） 2．杨氏双缝干涉：（D-缝屏距；d-双缝间距；k-级数）

条纹特征：明暗相间均匀等间距直条纹，中央为零级明纹。条纹间距x ∆与缝屏距D 成正比，与入射光波长λ成正比，与双缝间距d 成反比。

3．会分析薄膜干涉