半导体光电子学 §4.3 同质结及异质结激光器11

§4.3.3 双异质结LD
❖ 单异质结中的一个np同
质结用一个异质结代替
+
❖ 优点：
①高效率向有源区注入 载流子
②有源区两边异质结分 别对e和h进行限制
-
p GaAlAs
p GaAs N GaAlAs
n GaAs
③还能利用异质结 产生光波导效应， 而且对称性好
④有源层无需重掺 杂就可以使非平 衡电子浓度比注 入源区（N）高 （超注入）
§4.3 同质结及异质结激光器
§4.3.1 同质结
一.同质结LD的有源区构成
有源区构成：
P
高浓度受主
杂质扩散
进n型GaAs
P
半导体中
扩散 n
- - ++ - - ++ n - - ++
有源区：
①空间电荷区 → 外加电场可忽略 ②p型材料中e的扩散区 → 外加电场时同质结 的有源区
③ n型材料中h的扩散区 → 外加电场时可忽 略
n
nLeabharlann Baidu
p
g
同质结LD在垂直于pn结方向上的折射率分布， 增益分布，光强分布
二.同质结激光器 Jth 与温度T的关系 Jth 高且随T发生剧烈变化
1. T↑ ↑e p区电子扩散区lh↑
中和↑ 反转↓ 维持 ↑Jth 2. T↑ 光波导效应↓ 光场限制↓
J ↑th
3. T↑ 激射长波长↑（λ红移）↑ 光子在p区吸收增加 光子损耗↑ J ↑th q
⑤阈值电流密度下 降
N
p
P
n
I
p
n
T1
T2
0
§4.3.2 单异质结LD
一.构成
+ p GaAlAs
p GaAs
n GaAs
-
二.优点： ①当P-GaAs层厚度小于一个电子扩散长度， 层内非平衡少数载流子增长
②异质结折射率差形成光波导效应，减少光 子损耗
③工艺简单，只多一次外延
三.缺点 ①pn同质结电子注入效率低 ② pn同质结对有源层的空穴扩散没限制 ③对光子微弱光波导效应