第四章离子注入
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射程R的粗略估算 ①注入离子初始能量E0>>Ene： Se(E)为主，则 R≈k1E01/2 k1=2/ke ②注入离子初始能量E0 << Ene： Sn(E)为主，且假设 Sn(E)= Sn0，则 R≈k2E0
4.2 注入离子分布
1.总射程R 定义：注入离子在靶内走过的路径之和。 R与E的关系：根据能量的总损失率， dE dE dE ,有 = + = [S (E ) + S (E )]
4.1 核碰撞和电子碰撞
4.1.1 核阻挡本领Sn(E) Sn(E)=(dE/dx)n (dE/dx)n --核阻挡能量 损失率.
4.1 核碰撞和电子碰撞
①注入离子与靶原子的相互作用 库仑力 F(r)=q2Z1Z2/r2 势能 V(r)=q2Z1Z2/r Z1 、Z2 --核电荷数（原子序数）；r—距离。 ②考虑电子的屏蔽作用 势能 V(r)=[q2Z1Z2/r]f(r/a) f(r/a)--屏蔽函数；a--屏蔽参数； 最简单（一级近似）：f(r/a)=a/r，则Sn=Sn0=常数 （图4.2）； 更精确：托马斯-费米屏蔽函数（图4.3）。
第四章 离子注入
靶：被掺杂的材料，有晶体靶：Si片；无定形靶： SiO2、Si3N4、光刻胶等。 无定形靶：可精确控制注入深度。 离子注入设备 ①离子源；②质量分析器；③加速器；④偏束板；⑤ 扫描器；⑥靶室
离子注入设备
离子注入系统的原理示意
离子注入设备
1.离子源 作用：产生注入用的离子。 原理：杂质原子高能电子轰击（电子放电）注入离子 类型：高频，电子振荡，溅射 2.磁分析器（质量分析器） 作用：将所需离子分选出来。 原理：带电离子在磁场中受洛伦磁力作用，运动轨迹 发生弯曲。
离子注入系统的原理示意图
4.1 核碰撞和电子碰撞
典型的注入能量E0：5 - 500keV 注入离子分布-LSS模型：能量损失模型； （Lindhard，Scharff，Schiot三人创立） ①核碰撞（阻挡） 注入离子与靶原子核碰撞，将能量传给靶核，离子 发生偏转，靶核产生位移。 ②电子碰撞（阻挡） 注入离子与靶内的自由电子和束缚电子碰撞，产生 电子－空穴对。注入离子运动方向基本不变。
4.1 核碰撞和碰撞
4.1.2 电子阻挡本领 LSS模型：认为电子是自由电子气，类似黏滞气体。 Se(E)=(dE/dx)e=CV=ke(E)1/2 (dE/dx)e --电子阻挡能量损失率； V - 注入离子速度；C - 常数； ke- 与Z1、Z2、M1、M2有关的常数： {对非晶Si：ke≈1x103(eV)1/2μm-1； 对非晶AsGa：ke≈ 3x103(eV)1/2μm-1；}
4.3 注入损伤
4.3.1 级联碰撞 1 .损伤的形成 Ed:靶原子离开其平衡位置所需的最低能量。 ET:靶原子与注入离子碰撞后获得的能量。 若 ET<Ed：加剧靶原子的热振动，但不位移； 若 ET>Ed：靶原子位移，留下空位； 若 ET»Ed：位移原子（反冲原子）再与靶原子碰 撞，产生级联碰 撞。 4.3.2 晶格损伤
4.4 热退火
热退火机理： a.无定形层（非晶层）：通过固相外延，使位移原子重 构而有序化。无定形是晶体的亚稳态，这种固相外延 可在较低温度下发生。 b.非无定形层：高温下，原子振动能增大，因而移动能 力增强，可使复杂的损伤分解为简单的缺陷，如空 位、间隙原子等。这些简单的缺陷能以较高的迁移率 移动，相互靠近时，就可能复合而使缺陷消失。 退火工艺条件：温度；时间；方式（常规、快速）。
4.1 核碰撞和碰撞
4.1.3 射程粗略估计 LSS模型：引入简化的无量纲的能量参数ε和射程参 数ρ，即 ρ = (RNM1M24πa2)/(M1+M2)2 ε = E0aM2/[Z1Z2q2(M1+M2)] N- 单位体积的原子数； 以dε/dρ– ε1/2 作图，得图4.5
注入离子能量 ①低能区：核阻挡占主要，电子阻挡可忽略； ②中能区：核阻挡占与电子阻挡相当； ③高能区：电子阻挡占主要，核阻挡可忽略。
第ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ章 离子注入
1954年，Bell Lab. ，Shockley 提出； 应用：COMS工艺的阱，源、漏，调整VT的沟道掺 杂，防止寄生沟道的沟道隔断，特别是浅结。 定义:将带电的、且具有能量的粒子入射到衬底中。 特点: ①注入温度低:对Si，室温；对GaAs,<400℃。避免了 高温扩散的热缺陷；光刻胶，铝等都可作为掩蔽膜。 ②掺杂数目完全受控:同一平面杂质均匀性和重复性在 ±1％（高浓度扩散5％－10％）；能精确控制浓度分 布及结深，特别适合制作高浓度浅结器件。
4.4 热退火
4.4.1 硅材料的热退火特性
退火机理： ①复杂的损伤分解为简单缺陷：空位、间隙原子； ②简单缺陷可因复合而消失； ③损伤由单晶区向非单晶区通过固相外延再生长得到恢复。 二次缺陷：简单缺陷重新组合，形成新的缺陷。 注入剂量与退火温度成正比。 载流子激活所需温度：低于寿命和迁移率恢复所需温度。
4.4 热退火
4.4.2 硼的退火特性 4.4.3 磷的退火特性 4.4.4 热退火过程的扩散效应 （以上请自学）
4.4 热退火
4.4.5 快速退火(RTA，rapid thermal annealing)
常规热退火的缺点 ①激活率an低； ②二次缺陷； ③导致明显的杂质再分布； ④硅片变形。 RTA机理：利用高功率密度的物质作用于晶片表面，使注入层 在短时间内达到高温，以到消除损伤的目的。
4.4.5 快速退火
特点： 退火时间短（10－11－102秒）； 注入杂质激活率高； 对注入杂质分布影响小； 衬底材料的电学参数基本不受影响； 种类 a.脉冲激光 退火机理：固－液相外延模型。 优点：功率密度高；激活率高。
4.4.5 快速退火
b.连续波激光 退火机理：固－固相外延模型。 优点：杂质分布不受影响。 缺点：能量转换率低（1％） c.电子束 退火机理：固－液外延模型。 优点：能量转换率高（50％）。
4.4 热退火
离子注入所形成的损伤有： ①散射中心：使迁移率下降； ②缺陷中心：非平衡少子的寿命减少，漏电流增加； ③杂质不在晶格上：起不到施主或受主的作用。 退火目的：消除注入损伤，使注入离子与位移Si原子 恢复正常的替位位置－－激活。 退火方法：热退火（传统退火）；快速退火。 激活率an: 退火后的载流子数p占注入剂量NS的分数，即 an＝ p/ NS
4.2 注入离子分布
4.2.1 注入离子纵向分布--高斯分布 （注入离子在靶内不断损失能量，最后停止在某处； 注入离子在靶内的碰撞是一随机过程；注入离子按一定 的统计规律分布。） 求解注入离子的射程和离散微分方程，距靶表面为x(cm) 处的浓度分布为 ⎡ 1 x − RP 2 ⎤ ，高斯函数 N( x ) = N exp − ( )
4.4.5 快速退火
d. 宽带非相干光源 光源：卤素灯，电弧灯。 优点：无干涉效应；生产效率高；设备简单。
第五次作业
9.已知硅n型外延层的掺杂浓度为1.5X1016cm-3。现用硼 离子注入形成基区，其能量为60keV。若注入剂量为 1X1015cm-2，试求注入的峰值浓度、结深、及注入离子 的平均浓度（假定为对称的高斯分布）。 10.已知硅n型外延层的掺杂浓度为1.5X1016cm-3。现通 过注入B+来制作集电结，要求掺杂的峰值浓度达到 2X1019cm-3，结深0.4μm。试估算入射离子所需要的能 量和剂量。
例2：As离子，E0=80keV，Rp=50nm，平均S（E）=1.2keV/nm 1个As共产生约4000个位移Si Vdam =π（2.5nm)2(50nm)=1X10-18cm-3 损伤密度=4000/Vdam=4X1021cm-3 (占相应体积中所有原子的8%）
4.3 注入损伤
4.3.3 非晶层的形成 随注入剂量的增加，原先相互隔离的损伤区发生重 叠，最终形成长程无序的非晶层。 临界剂量－形成非晶层所需的最小注入离子剂量； 临界剂量与注入离子质量成反比。 靶温－靶温越高，损伤越轻。
4.3 注入损伤
损伤密度 例1：B离子，E0=80keV，Rp=250nm; 已知:Si晶格间距为0.25nm；初始S（E）=35eV/nm；则 ET=35X0.25=8.75eV<Ed=15eV，Si不位移； 当E=40keV, Rp1=130nm , S（E）=60eV/nm，则 ET=60X0.25=15eV=Ed，Si位移； 设：每个晶面都有1个Si位移，则在B离子停止前，位移Si为 120nm/0.25nm=480 设：Si位移2.5nm,则损伤体积为 Vdam =π（2.5nm)2(120nm)=2.4X10-18cm-3 损伤密度=480/Vdam=2X1020cm-3 (占相应体积中所有原子的0.4%）
dR dR
n
dR
e
n
e
−1 E0 dE R = ∫ dR = − ∫ = ∫ [S n (E ) + S e (E )] dE E0 dE / dR 0 0
式中，E0—注入离子的初始能量。
4.2 注入离子分布
2.投影射程XP： 总射程R在离子入射方向 （垂直靶片）的投影长度 ，即离子注入的有效深度。 3.平均投影射程RP： 投影射程XP的平均值，具 有统计分布规律－几率分 布函数。
max
⎢ ⎣ 2
∆RP
⎥ ⎦
Nmax=0.4NS/ΔRP—峰值浓度（在RP处），NS—注入剂量
4.2 注入离子分布
4.2.2 横向效应 ①横向效应与注入 能量成正比； ②是结深的30％ －50％； ③窗口边缘的离子 浓度是中心处的50％；
4.2 注入离子分布
4.2.3 沟道效应(ion channeling) 非晶靶：对注入离子的 阻挡是各向同性； 单晶靶：对注入离子的 阻挡是各向异性； 沟道：在单晶靶的主晶 轴方向呈现一系列平行 的通道，称为沟道。
4.1 核碰撞和电子碰撞
临界能量（交叉能量）Ene( Ec): Sn(E)=Se(E)处的能量。 ①Ene随注入离子原子量 的增加而增大。 ②轻离子，B: Ene≈15keV， 重离子，P: Ene≈150keV。
4.1 核碰撞和电子碰撞
一级近似的Sn0与Se(E)的比较
4.1 核碰撞和电子碰撞
第四章 离子注入
③无污染:注入离子纯度高，能量单一；背景真空度高 （高真空<10-4Pa，超高真空<10-7Pa）。 ④横向扩散小：有利于器件特征尺寸的缩小。 ⑤不受固溶度限制:原则上各种元素均可掺杂。 ⑥注入深度随离子能量的增加而增加：通过控制能量和 剂量，可得到各种形式的分布。特别适合浅结及突变 型分布。 （诸多优点，使离子注入成为IC工艺的主要掺杂技术） 缺点： ①损伤(缺陷)较多:必须退火。 ②成本高
4.2 注入离子分布
沟道效应：离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射 程比非晶靶远的多。 好处：结较深；晶格损伤小。 不利：难于获得可重复的浓度分布，使用价值小。 减小沟道效应的途径 ①注入方向偏离晶体的主轴方向，典型值7℃； ②提高温度；③增大剂量； ④淀积非晶表面层（SiO2)； ⑤在表面制造损伤层。
离子注入设备
3.加速器 作用：使离子获得所需的能量。 原理：利用强电场，使离子获得更大的速度。 4.偏束板 作用：使中性原子束因直线前进不能达到靶室。 原理：用一静电偏转板使离子束偏转5º--8º作用再进 入靶室。
离子注入设备
⑤扫描器 作用：使离子在整个靶片上均匀注入。 方式：①靶片静止，离子束在X,Y方向作电扫描。② 粒子束在Y方向作电扫描，靶片在X方向作机械运 动。③粒子束静止，靶片在X,Y方向作机械运动。 ⑥靶室（工作室）：高温靶（800℃），低温靶（液氮 温度），冷却靶（小于120 ℃）。
4.2 注入离子分布
4.标准偏差（投影偏差）△RP—反映了RP的分散程度 （分散宽度）。
∆RP = ( X P − RP )2
5. R, RP, △RP间的近似关系 , M1—注入离子质量， M2—靶原子质量
M2 R ≈ 1+ RP 3M1
∆RP 2 M 1 M 2 = RP 3 M1 + M 2
4.2 注入离子分布
1.总射程R 定义：注入离子在靶内走过的路径之和。 R与E的关系：根据能量的总损失率， dE dE dE ,有 = + = [S (E ) + S (E )]
4.1 核碰撞和电子碰撞
4.1.1 核阻挡本领Sn(E) Sn(E)=(dE/dx)n (dE/dx)n --核阻挡能量 损失率.
4.1 核碰撞和电子碰撞
①注入离子与靶原子的相互作用 库仑力 F(r)=q2Z1Z2/r2 势能 V(r)=q2Z1Z2/r Z1 、Z2 --核电荷数（原子序数）；r—距离。 ②考虑电子的屏蔽作用 势能 V(r)=[q2Z1Z2/r]f(r/a) f(r/a)--屏蔽函数；a--屏蔽参数； 最简单（一级近似）：f(r/a)=a/r，则Sn=Sn0=常数 （图4.2）； 更精确：托马斯-费米屏蔽函数（图4.3）。
第四章 离子注入
靶：被掺杂的材料，有晶体靶：Si片；无定形靶： SiO2、Si3N4、光刻胶等。 无定形靶：可精确控制注入深度。 离子注入设备 ①离子源；②质量分析器；③加速器；④偏束板；⑤ 扫描器；⑥靶室
离子注入设备
离子注入系统的原理示意
离子注入设备
1.离子源 作用：产生注入用的离子。 原理：杂质原子高能电子轰击（电子放电）注入离子 类型：高频，电子振荡，溅射 2.磁分析器（质量分析器） 作用：将所需离子分选出来。 原理：带电离子在磁场中受洛伦磁力作用，运动轨迹 发生弯曲。
离子注入系统的原理示意图
4.1 核碰撞和电子碰撞
典型的注入能量E0：5 - 500keV 注入离子分布-LSS模型：能量损失模型； （Lindhard，Scharff，Schiot三人创立） ①核碰撞（阻挡） 注入离子与靶原子核碰撞，将能量传给靶核，离子 发生偏转，靶核产生位移。 ②电子碰撞（阻挡） 注入离子与靶内的自由电子和束缚电子碰撞，产生 电子－空穴对。注入离子运动方向基本不变。
4.1 核碰撞和碰撞
4.1.2 电子阻挡本领 LSS模型：认为电子是自由电子气，类似黏滞气体。 Se(E)=(dE/dx)e=CV=ke(E)1/2 (dE/dx)e --电子阻挡能量损失率； V - 注入离子速度；C - 常数； ke- 与Z1、Z2、M1、M2有关的常数： {对非晶Si：ke≈1x103(eV)1/2μm-1； 对非晶AsGa：ke≈ 3x103(eV)1/2μm-1；}
4.3 注入损伤
4.3.1 级联碰撞 1 .损伤的形成 Ed:靶原子离开其平衡位置所需的最低能量。 ET:靶原子与注入离子碰撞后获得的能量。 若 ET<Ed：加剧靶原子的热振动，但不位移； 若 ET>Ed：靶原子位移，留下空位； 若 ET»Ed：位移原子（反冲原子）再与靶原子碰 撞，产生级联碰 撞。 4.3.2 晶格损伤
4.4 热退火
热退火机理： a.无定形层（非晶层）：通过固相外延，使位移原子重 构而有序化。无定形是晶体的亚稳态，这种固相外延 可在较低温度下发生。 b.非无定形层：高温下，原子振动能增大，因而移动能 力增强，可使复杂的损伤分解为简单的缺陷，如空 位、间隙原子等。这些简单的缺陷能以较高的迁移率 移动，相互靠近时，就可能复合而使缺陷消失。 退火工艺条件：温度；时间；方式（常规、快速）。
4.1 核碰撞和碰撞
4.1.3 射程粗略估计 LSS模型：引入简化的无量纲的能量参数ε和射程参 数ρ，即 ρ = (RNM1M24πa2)/(M1+M2)2 ε = E0aM2/[Z1Z2q2(M1+M2)] N- 单位体积的原子数； 以dε/dρ– ε1/2 作图，得图4.5
注入离子能量 ①低能区：核阻挡占主要，电子阻挡可忽略； ②中能区：核阻挡占与电子阻挡相当； ③高能区：电子阻挡占主要，核阻挡可忽略。
第ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ章 离子注入
1954年，Bell Lab. ，Shockley 提出； 应用：COMS工艺的阱，源、漏，调整VT的沟道掺 杂，防止寄生沟道的沟道隔断，特别是浅结。 定义:将带电的、且具有能量的粒子入射到衬底中。 特点: ①注入温度低:对Si，室温；对GaAs,<400℃。避免了 高温扩散的热缺陷；光刻胶，铝等都可作为掩蔽膜。 ②掺杂数目完全受控:同一平面杂质均匀性和重复性在 ±1％（高浓度扩散5％－10％）；能精确控制浓度分 布及结深，特别适合制作高浓度浅结器件。
4.4 热退火
4.4.1 硅材料的热退火特性
退火机理： ①复杂的损伤分解为简单缺陷：空位、间隙原子； ②简单缺陷可因复合而消失； ③损伤由单晶区向非单晶区通过固相外延再生长得到恢复。 二次缺陷：简单缺陷重新组合，形成新的缺陷。 注入剂量与退火温度成正比。 载流子激活所需温度：低于寿命和迁移率恢复所需温度。
4.4 热退火
4.4.2 硼的退火特性 4.4.3 磷的退火特性 4.4.4 热退火过程的扩散效应 （以上请自学）
4.4 热退火
4.4.5 快速退火(RTA，rapid thermal annealing)
常规热退火的缺点 ①激活率an低； ②二次缺陷； ③导致明显的杂质再分布； ④硅片变形。 RTA机理：利用高功率密度的物质作用于晶片表面，使注入层 在短时间内达到高温，以到消除损伤的目的。
4.4.5 快速退火
特点： 退火时间短（10－11－102秒）； 注入杂质激活率高； 对注入杂质分布影响小； 衬底材料的电学参数基本不受影响； 种类 a.脉冲激光 退火机理：固－液相外延模型。 优点：功率密度高；激活率高。
4.4.5 快速退火
b.连续波激光 退火机理：固－固相外延模型。 优点：杂质分布不受影响。 缺点：能量转换率低（1％） c.电子束 退火机理：固－液外延模型。 优点：能量转换率高（50％）。
4.4 热退火
离子注入所形成的损伤有： ①散射中心：使迁移率下降； ②缺陷中心：非平衡少子的寿命减少，漏电流增加； ③杂质不在晶格上：起不到施主或受主的作用。 退火目的：消除注入损伤，使注入离子与位移Si原子 恢复正常的替位位置－－激活。 退火方法：热退火（传统退火）；快速退火。 激活率an: 退火后的载流子数p占注入剂量NS的分数，即 an＝ p/ NS
4.2 注入离子分布
4.2.1 注入离子纵向分布--高斯分布 （注入离子在靶内不断损失能量，最后停止在某处； 注入离子在靶内的碰撞是一随机过程；注入离子按一定 的统计规律分布。） 求解注入离子的射程和离散微分方程，距靶表面为x(cm) 处的浓度分布为 ⎡ 1 x − RP 2 ⎤ ，高斯函数 N( x ) = N exp − ( )
4.4.5 快速退火
d. 宽带非相干光源 光源：卤素灯，电弧灯。 优点：无干涉效应；生产效率高；设备简单。
第五次作业
9.已知硅n型外延层的掺杂浓度为1.5X1016cm-3。现用硼 离子注入形成基区，其能量为60keV。若注入剂量为 1X1015cm-2，试求注入的峰值浓度、结深、及注入离子 的平均浓度（假定为对称的高斯分布）。 10.已知硅n型外延层的掺杂浓度为1.5X1016cm-3。现通 过注入B+来制作集电结，要求掺杂的峰值浓度达到 2X1019cm-3，结深0.4μm。试估算入射离子所需要的能 量和剂量。
例2：As离子，E0=80keV，Rp=50nm，平均S（E）=1.2keV/nm 1个As共产生约4000个位移Si Vdam =π（2.5nm)2(50nm)=1X10-18cm-3 损伤密度=4000/Vdam=4X1021cm-3 (占相应体积中所有原子的8%）
4.3 注入损伤
4.3.3 非晶层的形成 随注入剂量的增加，原先相互隔离的损伤区发生重 叠，最终形成长程无序的非晶层。 临界剂量－形成非晶层所需的最小注入离子剂量； 临界剂量与注入离子质量成反比。 靶温－靶温越高，损伤越轻。
4.3 注入损伤
损伤密度 例1：B离子，E0=80keV，Rp=250nm; 已知:Si晶格间距为0.25nm；初始S（E）=35eV/nm；则 ET=35X0.25=8.75eV<Ed=15eV，Si不位移； 当E=40keV, Rp1=130nm , S（E）=60eV/nm，则 ET=60X0.25=15eV=Ed，Si位移； 设：每个晶面都有1个Si位移，则在B离子停止前，位移Si为 120nm/0.25nm=480 设：Si位移2.5nm,则损伤体积为 Vdam =π（2.5nm)2(120nm)=2.4X10-18cm-3 损伤密度=480/Vdam=2X1020cm-3 (占相应体积中所有原子的0.4%）
dR dR
n
dR
e
n
e
−1 E0 dE R = ∫ dR = − ∫ = ∫ [S n (E ) + S e (E )] dE E0 dE / dR 0 0
式中，E0—注入离子的初始能量。
4.2 注入离子分布
2.投影射程XP： 总射程R在离子入射方向 （垂直靶片）的投影长度 ，即离子注入的有效深度。 3.平均投影射程RP： 投影射程XP的平均值，具 有统计分布规律－几率分 布函数。
max
⎢ ⎣ 2
∆RP
⎥ ⎦
Nmax=0.4NS/ΔRP—峰值浓度（在RP处），NS—注入剂量
4.2 注入离子分布
4.2.2 横向效应 ①横向效应与注入 能量成正比； ②是结深的30％ －50％； ③窗口边缘的离子 浓度是中心处的50％；
4.2 注入离子分布
4.2.3 沟道效应(ion channeling) 非晶靶：对注入离子的 阻挡是各向同性； 单晶靶：对注入离子的 阻挡是各向异性； 沟道：在单晶靶的主晶 轴方向呈现一系列平行 的通道，称为沟道。
4.1 核碰撞和电子碰撞
临界能量（交叉能量）Ene( Ec): Sn(E)=Se(E)处的能量。 ①Ene随注入离子原子量 的增加而增大。 ②轻离子，B: Ene≈15keV， 重离子，P: Ene≈150keV。
4.1 核碰撞和电子碰撞
一级近似的Sn0与Se(E)的比较
4.1 核碰撞和电子碰撞
第四章 离子注入
③无污染:注入离子纯度高，能量单一；背景真空度高 （高真空<10-4Pa，超高真空<10-7Pa）。 ④横向扩散小：有利于器件特征尺寸的缩小。 ⑤不受固溶度限制:原则上各种元素均可掺杂。 ⑥注入深度随离子能量的增加而增加：通过控制能量和 剂量，可得到各种形式的分布。特别适合浅结及突变 型分布。 （诸多优点，使离子注入成为IC工艺的主要掺杂技术） 缺点： ①损伤(缺陷)较多:必须退火。 ②成本高
4.2 注入离子分布
沟道效应：离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射 程比非晶靶远的多。 好处：结较深；晶格损伤小。 不利：难于获得可重复的浓度分布，使用价值小。 减小沟道效应的途径 ①注入方向偏离晶体的主轴方向，典型值7℃； ②提高温度；③增大剂量； ④淀积非晶表面层（SiO2)； ⑤在表面制造损伤层。
离子注入设备
3.加速器 作用：使离子获得所需的能量。 原理：利用强电场，使离子获得更大的速度。 4.偏束板 作用：使中性原子束因直线前进不能达到靶室。 原理：用一静电偏转板使离子束偏转5º--8º作用再进 入靶室。
离子注入设备
⑤扫描器 作用：使离子在整个靶片上均匀注入。 方式：①靶片静止，离子束在X,Y方向作电扫描。② 粒子束在Y方向作电扫描，靶片在X方向作机械运 动。③粒子束静止，靶片在X,Y方向作机械运动。 ⑥靶室（工作室）：高温靶（800℃），低温靶（液氮 温度），冷却靶（小于120 ℃）。
4.2 注入离子分布
4.标准偏差（投影偏差）△RP—反映了RP的分散程度 （分散宽度）。
∆RP = ( X P − RP )2
5. R, RP, △RP间的近似关系 , M1—注入离子质量， M2—靶原子质量
M2 R ≈ 1+ RP 3M1
∆RP 2 M 1 M 2 = RP 3 M1 + M 2