化学机械抛光液行业研究
化学机械抛光液
化学机械抛光液行业研究一、行业的界定与分类 (2)(一)化学机械抛光 (2)1、化学机械抛光概念 (2)2、CMP工艺的基本原理 (2)3、CMP技术所采用的设备及消耗品 (2)4、CMP过程 (2)5、CMP技术的优势 (2)(二)化学机械抛光液 (3)1、化学机械抛光液概念 (3)2、化学机械抛光液的组成 (3)3、化学机械抛光液的分类 (3)4、CMP过程中对抛光液性能的要求 (3)(三)化学机械抛光液的应用领域 (3)二、原材料供应商 (4)三、化学机械抛光液行业现状 (4)(一)抛光液行业现状 (4)1、国际市场主要抛光液企业分析 (4)2、我国抛光液行业运行环境分析 (4)3、我国抛光液行业现状分析 (5)4、我国抛光液行业重点企业竞争分析 (5)(二)抛光液行业发展趋势 (5)(三)抛光液行业发展的问题 (5)四、需求商 (6)(一)半导体硅材料 (6)1、电子信息产业介绍 (6)2、半导体硅材料的简单介绍 (6)(二)分立器件行业 (7)(三)抛光片 (8)化学机械抛光液行业研究一、行业的界定与分类(一)化学机械抛光1、化学机械抛光概念化学机械抛光(英语:Chemical-Mechanical Polishing,缩写CMP),又称化学机械平坦化(英语:Chemical-Mechanical Planarization),是半导体器件制造工艺中的一种技术,用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。
2、CMP工艺的基本原理基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液(由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动,借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,并获得光洁表面。
3、CMP技术所采用的设备及消耗品主要包括,抛光机、抛光液、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等,其中抛光液和抛光垫为消耗品。
化学机械抛光液的应用及原理
化学机械抛光液的应用及原理1. 什么是化学机械抛光液?化学机械抛光液是一种在半导体加工中广泛使用的液体材料,它具有复杂的化学成分和特殊的物理性质。
它主要由溶剂、氧化剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂等组成。
化学机械抛光液的主要作用是对待加工物表面进行腐蚀,以达到去除不均匀材料的目的。
它在微电子、光电子和显示器件制造等领域具有重要的作用。
2. 化学机械抛光液的原理化学机械抛光液利用了腐蚀性和机械性的相互作用原理。
首先,化学机械抛光液中的溶剂和氧化剂起到了腐蚀物料表面的作用,这些溶剂和氧化剂能够与待加工物表面的材料发生化学反应,改变其化学特性。
其次,液体中的表面活性剂能够减小液体与物料表面的表面张力,使得化学机械抛光液能够更好地湿润待加工物表面。
此外,加入适量的腐蚀抑制剂可以控制腐蚀反应的速率,使得抛光过程更加稳定和可控。
3. 化学机械抛光液的应用领域化学机械抛光液在微电子、光电子和显示器件制造等领域得到了广泛应用。
3.1 微电子领域在微电子制造中,化学机械抛光液主要用于去除晶圆上的氧化层,使晶圆表面更加平整。
此外,在集成电路的制造过程中,化学机械抛光液还可以用于去除金属层和多层膜之间的残留物,以确保电路的正常工作和可靠性。
3.2 光电子领域在光电子器件的制造中,化学机械抛光液主要用于去除光学元件表面的缺陷和不均匀材料,以提高元件的光学性能。
化学机械抛光液能够减小光学面的微观凹凸和纳米级表面粗糙度,从而提高光子元件的光学损耗和传输效率。
3.3 显示器件制造领域在显示器件制造过程中,化学机械抛光液主要用于去除显示器件表面的缺陷和不均匀材料,改善显示效果。
化学机械抛光液可以快速地去除元件表面的非均匀材料,使得显示器件的亮度和清晰度更加稳定和高效。
4. 化学机械抛光液的优势和局限性4.1 优势•高效性:化学机械抛光液能够快速而彻底地去除待加工物表面的缺陷和不均匀材料。
•稳定性:化学机械抛光液可以在一定的操作条件下保持稳定的抛光效果。
CMP中抛光液膜特性的数值仿真和实验研究
CMP中抛光液膜特性的数值仿真和实验研究化学机械抛光(Chemical mechanical polishing),简称CMP,是目前在超大规模集成电路制造过程中全面平坦化应用最广泛的技术。
但是CMP技术是从实践中发展起来的,其发明、发展及发展趋势、应用都是在工业界完成而不是在学术界,系统性的研究尤其是理论研究还比较缺乏。
在CMP机理研究的过程中,抛光液膜厚特性的研究在CMP机理研究中占有非常重要的地位。
以往所建立的抛光液膜分析模型大都以晶片与抛光垫不接触、晶片无变形、不考虑粗糙度的情况下的模型。
本文根据CMP中晶片与抛光垫的三种不同接触方式,发展了两种抛光液膜的三维流体动压润滑模型和三维的部分膜流体润滑分析模型。
在此基础上以抛光液膜为研究对象进行了较全面的分析和应用研究。
以Reynolds方程和Reynolds出口边界条件为基础,考虑了晶片变形的影响因素,建立了抛光液膜的三维流体动压润滑分析模型。
在MATLAB平台上用有限元法求解域离散,通过迭代计算得到了抛光液最小液膜厚度、液膜负荷力、晶片倾斜角、晶片变形量等性能参数。
对比分析了抛光载荷、抛光转速对最小液膜厚度、晶片倾斜角的影响。
抛光垫和晶片的表面粗糙度会对抛光液膜的润滑性能产生很大的影响。
以三维流体动压润滑模型为基础将平均液膜厚度的几何方程联立,考虑了由粗糙度引起的压力流量因子和剪切流量因子,建立了部分膜流体润滑模型。
此模型以平均Reynolds和Reynolds出口边界条件为基础,考虑晶片和抛光垫表面粗糙度的影响因素。
通过数值计算得到了抛光液膜的平均液膜厚度、液膜负荷力、晶片倾斜角的性能参数。
分析了抛光载荷、抛光转速、表面粗糙度、晶片变形量对平均液膜厚度、晶片倾斜角的影响。
为了验证数值计算的正确性,采用了LIF技术用于CMP的可视化研究。
在LIF 实验装置上拍摄到抛光垫与晶片间抛光液的荧光强度图像,通过图像处理得到了不同的荧光强度值,把荧光强度值与厚度荧光强度校准曲线进行对比获得了在不同抛光转速和抛光载荷下的抛光液膜厚度。
用于铜的化学机械抛光液的研究
Cu Ta SO2 a e b e an d.S h x e td r s lso / / i v e ng ie h o t ee p ce e ut fCuCM P p o e swa ie . r c s sgv n
Ke y wor ds:c pp r;CM P ;s u r f o g ni l l o e l r y o r a c a ka i EEACC : 2 20; 55 F ; 62 2 2 O 8 0
其 它 添加 剂 所 组 成 。在 工 业 中 已 知 使 用 H: 或 O
H。 O 作 为抛 光液 中的氧 化 剂 以进行 铝 抛光 , P 使用
H2 、 O C NO 4 F NO 3和 K3 ( O2 KI 3 e( 、 3 、 e( ) 3 ) Fe CN ) 6
王 新 刘玉岭 檀柏梅
( 河北 工 业 大 学 微 电子 所 。 津 。 0 1 0 天 303)
20l2 0 l 2 9收 稿 .0 2 4 0收 改 稿 2003
摘 要 : 中 介 绍 了一 种 以碱 性 抛 光 液 对 铜 进 行 全 局 平 面 化 的方 法 。 论 了 以 SOz 溶 胶 为 磨 料 的抛 光 液 在 文 讨 i 水 CuC — MP过 程 中 的 化 学 ( 合 ) 用 及 反 应 机 理 . 给 出 了抛 光 液 的配 比 及 上 机 实 验 结 果 。 果 表 明 : 抛 光 液 用 络 作 并 结 该 于对 带 有 阻 挡 层 和介 质 层 的 铜 抛 光 。 到 了对 铜 层 的 高去 除 速 率 和 高 选 择 比 , 得 了较 好 的 全 局 平 面 化 效 果 。 达 取
维普资讯
第2 卷 第 3 2 期
20 0 2年 8 月
2024年化学机械抛光(CMP)技市场规模分析
2024年化学机械抛光(CMP)技市场规模分析简介化学机械抛光(CMP)技术是集机械磨削与化学物质作用于一体的表面处理技术,广泛应用于半导体、光电子、平板显示等行业。
本文将对化学机械抛光技术市场规模进行分析。
市场规模化学机械抛光技术作为半导体制造工艺中不可或缺的一环,在半导体行业中有着巨大的市场规模。
目前,全球化学机械抛光技术市场规模总体呈现稳步增长的趋势。
根据市场研究机构的数据显示,在2019年,全球化学机械抛光技术市场规模达到XX亿美元。
预计到2025年,该市场规模有望增长至XX亿美元,年均复合增长率约为X%。
市场驱动因素1.半导体产业的发展:随着5G、人工智能、物联网等技术的快速发展,对高集成度、高精度、高可靠性的半导体设备需求不断增加,进而推动了化学机械抛光技术的需求。
2.新兴应用领域的崛起:除了传统的半导体行业,化学机械抛光技术在光电子、平板显示、MEMS等领域也得到了广泛应用。
这些新兴领域的发展带动了对化学机械抛光技术的需求增长。
3.智能手机市场的持续增长:智能手机作为化学机械抛光技术的主要应用领域之一,其市场规模的持续增长也间接推动了化学机械抛光技术市场的发展。
市场挑战1.成本压力加大:化学机械抛光技术对设备、耗材以及人力成本的需求较高,随着市场竞争的加剧,企业面临着降低成本的压力。
2.技术创新的需求:随着行业技术的不断进步和应用领域的拓展,市场对更高性能、更高效率、更环保的化学机械抛光技术有着更高的要求。
企业需要进行技术创新,以满足市场需求。
3.市场竞争加剧:随着国内外企业对化学机械抛光技术市场的投入增加,市场竞争日趋激烈。
企业需要提升产品品质和竞争力,以保持市场份额。
市场前景尽管化学机械抛光技术市场面临着一些挑战,但由于其在半导体和相关领域中的广泛应用,并且随着新兴应用领域的崛起,市场前景依然乐观。
未来,化学机械抛光技术将更加注重技术创新,提高抛光效果和效率,降低成本,并且在环保可持续发展方面加强自身。
《2024年高分散性二氧化铈抛光液的制备及抛光性能研究》范文
《高分散性二氧化铈抛光液的制备及抛光性能研究》篇一一、引言随着科技的发展,精密加工与表面抛光技术已成为工业领域中不可或缺的重要环节。
抛光液作为抛光工艺的关键材料,其性能直接影响到加工效率和表面质量。
二氧化铈因其优异的物理和化学性质,在抛光液中得到了广泛应用。
本文旨在研究高分散性二氧化铈抛光液的制备方法及其抛光性能,以期为相关领域提供理论依据和技术支持。
二、高分散性二氧化铈抛光液的制备1. 材料准备制备高分散性二氧化铈抛光液,首先需要准备二氧化铈粉末、溶剂、分散剂、表面活性剂等材料。
其中,二氧化铈粉末的纯度和粒径对抛光液的分散性和抛光性能具有重要影响。
2. 制备方法(1)将二氧化铈粉末与溶剂混合,形成均匀的溶液;(2)加入适量的分散剂,通过机械搅拌使二氧化铈粉末充分分散;(3)加入表面活性剂,进一步改善抛光液的分散性和稳定性;(4)继续搅拌,直至形成高分散性的二氧化铈抛光液。
三、抛光性能研究1. 抛光速率通过对比实验,研究不同制备条件下高分散性二氧化铈抛光液的抛光速率。
实验结果表明,抛光速率与二氧化铈粉末的粒径、分散剂的种类和用量等因素密切相关。
在一定的范围内,粒径较小的二氧化铈粉末和适量的分散剂有助于提高抛光速率。
2. 表面粗糙度利用表面轮廓仪等设备,对抛光后的样品表面粗糙度进行检测。
实验结果表明,高分散性二氧化铈抛光液能够有效降低表面粗糙度,提高表面质量。
此外,抛光液的稳定性对表面粗糙度的影响也较大,稳定的抛光液能够保持长期的抛光效果。
3. 抛光液对基材的影响研究高分散性二氧化铈抛光液对不同基材的适应性。
实验结果表明,该抛光液对金属、陶瓷、玻璃等基材均具有良好的适应性,能够满足不同材料的抛光需求。
此外,抛光液中的添加剂对基材的腐蚀性也需考虑,以避免对基材造成损害。
四、结论本文研究了高分散性二氧化铈抛光液的制备方法及抛光性能。
通过实验发现,制备过程中二氧化铈粉末的粒径、分散剂的种类和用量等因素对抛光液的分散性和抛光性能具有重要影响。
2024年抛光液市场分析现状
2024年抛光液市场分析现状抛光液是一种用于表面抛光和亮光处理的化学制剂。
在工业制造、汽车、家居、电子和珠宝等领域都有广泛的应用。
本文将对抛光液市场的现状进行分析。
市场规模抛光液市场呈现出稳步增长的态势。
根据市场研究数据显示,全球抛光液市场规模在过去五年中以每年平均6%的速度增长。
预计到2025年,全球抛光液市场规模将达到XX亿美元。
市场驱动因素分析工业制造需求增加随着全球工业制造业的发展,对抛光液的需求也在不断增加。
工业制造过程中,抛光液能够改善产品表面质量,提高光亮度,增加产品的附加值。
因此,工业制造业对抛光液的依赖性不断增加。
汽车行业的快速发展汽车行业是抛光液市场的重要消费者。
随着汽车工业的快速发展,对高品质表面处理的需求也在逐渐增加。
抛光液可以提高汽车外观的质感和光亮度,同时还能有效保护车身涂层。
因此,汽车行业的发展对抛光液市场的增长起到了积极的推动作用。
消费电子产品的普及消费电子产品的普及也为抛光液市场带来了新的机遇。
随着大众消费电子产品(如智能手机、电视等)的广泛应用,对产品外观的要求也越来越高。
抛光液可以改善产品的外观质量,并且能够为产品赋予高级感。
因此,电子消费品市场对抛光液的需求持续增加。
市场竞争格局抛光液市场存在着激烈的竞争。
市场上有许多抛光液制造商参与竞争,其中一些公司具有较强的产品研发实力和广泛的市场渠道。
此外,市场上还存在一些小型的本地制造商。
这些制造商提供具有竞争力价格的抛光液产品,因此在一些地区市场份额较大。
市场趋势分析环保型抛光液的兴起在近几年,环保意识的加强推动了环保型抛光液的研发与应用。
相比传统的抛光液,环保型抛光液更加环保无害,对人员和环境的危害更小。
随着环保需求的不断增加,环保型抛光液预计将成为市场的一个重要趋势。
技术创新的推动技术创新将继续推动抛光液市场的发展。
新的抛光液配方和制备工艺不断涌现,使得抛光液具备更好的性能和更广泛的应用领域。
技术创新有助于提高产品质量和效率,满足消费者日益增长的需求。
化学机械抛光技术研究
摘
要
化学机械抛光技 术是半导体制造工 艺和 M M E S制造 工艺中一项重要 的基础技术。化学
机械抛光技术所采用的设备主要抛光设备、 清洗设备、 检测设备、 工艺控制设备等。影响化 学机械抛光 速率的因素主要有磨盘温度、 转速、 抛光液 配比、 流量等。化学机械抛光技术在 M M E S领域的硅片平整
电荷拉 下来 。结果 因( ) b 胶粒 与 硅片 表 面间 的一 般吸 附力小 于静 电引力 , 则质 量大 , 剩负 电荷多 净 的() a 胶粒 , ( ) 粒从 硅片 表面上 吸下 来或 减 将 b胶 弱 了( ) 粒 与 硅 片 间 的 吸附 力 , 加 上抛 光 垫 b胶 再
因此 , 团 中 的 H 胶 的 位 置会 被 K 所 代 替 。
相对于抛光垫作相对运动l , 4 借助于纳米粒子 的 】 研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合 , 在 被抛光 的工 件 表 面 形 成 光 洁 表 面 】 MP技 。C
术 最广 泛 的应 用 是 在 半 导 体 集 成 电路 ( I 和 SC) ME S电路 中对 基体 材料 硅 晶片的抛光 。 M
这 两种带 不 同数 量 净 剩 负 电荷 的胶 粒 , 一方 面 在 抛 光机转 动 的带 动下 相对 动 能增 大 , 同时在 抛 光
用、 机械磨削作用和吸附效应同时作用的过程。下面 以 硅晶片的化学初 l 艺为例具体阐述 。 龃
抛光 液 中的纳 米 级 S0 i2悬 浮 颗 粒所 形 成 的 胶 团结构 为 :
引争夺对方正电荷的趋势。此时 ( ) a 胶粒所带净 t
以含 K H 的抛 光 液 为例 , O 因为 有 K H 的存 O
在 , 团中 的 H 胶 离子会 被 O 离子所 中和 : H一
化学机械抛光的研究进展
供 货商 , R dl C bt 如 oe与 oo 两公 司持 续 在 耗材 的 市场
由 0 3 m 缩 减 到 现在 的 0 2 t 与 0 1 m, .5 . 5x m .8 组件 内的金 属层 数也 由 3~ 4层 向更多层 迈进 。半导 体业
DA R M市场 的竞争力 。之后 , M 选择 的设备供 货商 I B
在C MP设 备市场 占有率极高 。由于抛光垫 与抛 光液 成 为 C P的标 准耗 材 , 来 I M 的硅 晶 圆抛光 耗材 M 原 B
Vo No 6 l21
2 08 1 0 —2
机械研 究 与应用
MECHANI CAL RES EARCH & APP I L 0 8年 l 2月
化 学 机械 抛 光 的研 究进 展
修树 东 , 忠进 , 倪 陈茂 军
( 江林学 院 工程学院, 浙 浙江 临安 3 10 ) 130
题 , 对 其 发 展方 向进 行 展 望 。 并 关 键 词 : 学机 械 抛 光 ; M 化 C P耗 材 ; 平坦 化 中 图分 类号 :G 7 T 1 文 献 标 识 码 : A 文 章 编 号 :0 7— 44 20 )6— 0 0— 4 10 4 1 (0 8 0 0 1 0
s s ms t .T e i t d cin man yf c s d o h e e td v l p nso MP t c n l g n s mi o d c o a r ain, yt e ,ec h r u t il o u e n t er c n e eo me t fC e h oo y i e —c n u trfb i t n o o c o e p ca y o h MP e up n h a tr t s r g e so MP,c n u b lsa d n w a p c t n s e iH n t e C q i me t a ce i i ,p o rs f cr sc C o s ma e n e p l a o .T ep o r s n rb i i h rg e sa d p o —
单晶硅材料化学机械抛光技术研究
单晶硅材料化学机械抛光技术研究随着信息科技的快速发展和需求的不断增长,半导体材料的应用越来越广泛,单晶硅作为半导体领域最重要的材料之一,由于其高纯度、高硬度和高热稳定性,已成为电子行业普遍使用的材料。
而半导体晶圆制备中对单晶硅的表面要求也越来越高,而化学机械抛光是单晶硅表面处理的一种重要技术,本文将对单晶硅材料化学机械抛光技术研究进行探讨。
一、单晶硅的性质单晶硅由于其性质的独特性,成为了领域的必需品。
它的晶格构造很完美,具有非常优良的器件性能,是目前最主要的微电子加工材料之一。
单晶硅材料具有很高的硬度、良好的机械性能和较宽的半导体带隙,具有良好的热稳定性和抗辐照性能,而且成本较低,可应用于特种光学元件、太阳能电池、微电子器件等领域。
二、单晶硅材料的表面处理技术对于单晶硅材料,在进行制备过程中必须进行表面处理,以满足高品质器件的要求。
而表面处理的方法有很多种,其中化学机械抛光技术备受关注。
化学机械抛光技术是在表面受力状态下,利用化学反应和机械碰撞削除表面杂质,调整表面形貌和粗糙度的一种高效、精确的方法。
因此,对于单晶硅表面处理过程中采用化学机械抛光技术是非常必要且重要的。
三、化学机械抛光技术的研究化学机械抛光技术是利用硬度高的抛光磨粒进行粗抛,再用软化抛光磨粒进行细抛的一种技术。
因为不使用致癌物质和重金属,这种抛光方式受到了广泛的关注。
在化学机械抛光技术中,重要的是抛光液的选择。
抛光液的选择应该考虑到抛光效率、表面平整度和表面干净度等因素。
1. 抛光液中添加的化学物质在化学机械抛光技术中,抛光液中添加的化学物质对抛光效果和所需抛光时间等因素的影响非常大。
为了获得更好的抛光效果和减少抛光时间,通常在抛光液中添加有机酸、氧化剂和聚合物添加剂等物质。
酸的作用是溶解表面氧化层和反应硅,氧化剂的作用是增加表面氧化层,起到去除氧化膜和增加氧化膜的作用,而大分子有机物可以增加表面的光亮度和改善表面的平整性,使表面质量更加完美。
化学机械抛光
4 化学机械抛光的发展趋势
4-1
化学机械抛光中存在的基本问题
十余年来,尽管CMP技术发展迅速,但CMP仍然存在很多未解决的题: 1、CMP加工过程的控制仍停留在半经验阶段,难以保证表面的更高精 度和平整度加工要求, 2、CMP工艺的复杂性影响因素的多样性增加了问题的研究难度 3、CMP加工材料去除、抛光缺陷机理、抛光过程中纳米粒子的运动规 律及行为以及CMP工艺方面的实际问题等还没有完全弄清楚。
4 维持加工过程中所需的机械和化学环境
3-3
抛光垫的研究现状
3-3-1 目前主要的研究抛光垫以下3方面: 1、材料种类(软性和硬性的或复合材料的), 2、材料性质(如硬度,弹性和剪切模量、孔隙的大小和分布、粘弹性 ), 3、表面的结构和状态对抛光性能的影响。 其中通过改变表面结构的沟槽结构是 改变抛光垫性能的最主要途径。
1-3 化学机械抛光材料去除机理
通过实验研究,CMP的机理可以分为在材料的去除过程中 是抛光液中化学反应和机械作用的综合结果。如图 3
抛光液中的腐蚀介质与被抛光表面材料发生了化学反 应,生成很薄的剪切强度很低的化学反应膜,反应膜在 磨粒磨削作用下被去处,从而露出新的表面,接着又继 续反应生成新的反应膜,如此周而复始的进行,使表面 逐渐被抛光修平,实现抛光的目的。
2-3
抛光液的研究趋势
1 CMP机理还有待进一步研究 2 如何避免碱金属离子的沾污 3 如何保持抛光浆液的稳定性 4 化学机械抛光的抛光液的开发
3抛光垫有软性和硬性的,常见的软性抛光垫有:无纺布抛光垫、带绒毛结构的
无纺布抛光垫,硬性的抛光垫有:聚氨酯抛光垫酯。
根据工件-抛光垫之间抛光液膜厚度的不同,在抛光中可能存在三种界面接
抛光液的组成及其作用22抛光液加快加工表面形成软而脆的氧化膜提高抛光效率和表面平整度腐蚀介质氧化剂磨料分散剂对材料表面膜的形成材料的去除率抛光液的粘性有影响借助机械力将材料表面经化学反应后的钝化膜去除让表面平整化防止抛光液中的磨料发生聚集现象保证抛光液的稳定性减少加工表面缺陷抛光液的主要组成成分及作用如下图所示
硬脆材料的化学机械抛光机理研究
[ 2 ] 宋 晓岚 , 李 宇煜 , 江楠. 化学 机械抛 光技术研究 进展 [ J ] . 化工进 展 ,
2 0 0 8( 1 ) : 2 6 — 3 0 .
( S o n g Xi a o - l a n , L i Yu — k u n , J i a n g N a n . R e c e n t d e v e l o p m e n t o f c h e mi c a l
No. 2
F e b . 2 0 1 4
机 械 设 计 与 制 造
3 9
学机械抛光 , 研究抛光液 p H值对材料去除率的影响f 7 1 , 一些科研 释表面材料 的去除机理, 分析 C M P中有效作用的磨粒并建立抛光 人员认为 :碱性抛光液 中的一 O H离子和碳 化硅表 面悬挂 的单一 垫 、 磨粒和工件表面的接触模型 , 建立合理 的力学公式 ; ( 3 ) 突破 目 硅原 子键发生化学反应形成 S i O , S i O : 与S i C相 比要软 的多 , 然 前将 C MP机械作用和化学作用分开研究 的局限眭, 综合考虑机械 后通过抛光液中磨粒 和工件 表面的研磨作用 去除材料 。但 是 , 作用和化学作用以及各因素的耦合作用 , 建立 C MP模型 。
( Hu a n g C h u a n - j i n , Z h o u H a l , C h e n X i - f u S t u d y t h e c h e m i c  ̄m e c h a n i c a l
o n s a p p h i r e s u b s t r a t e[ J ] . Ma c h i n e r yD e s i g n&Ma n u f a c t u r e , 2 0 1 0( 1 1 ) :
化学机械抛光液配方组成抛光原理及工艺
化学机械抛光液配方组成,抛光原理及工艺导读:本文详细介绍了化学机械抛光液的研究背景,机理,技术,配方等,需要注意的是,本文中所列出配方表数据经过修改,如需要更详细的内容,请与我们的技术工程师联络。
禾川化学专业从事化学机械抛光液成分分析,配方复原,研发外包效劳,提供一站式化学机械抛光液配方技术解决方案。
基于全球经济的快速开展,IC技术〔Integrated circuit, 即集成电路〕已经浸透到国防建立和国民经济开展的各个领域,成为世界第一大产业。
IC 所用的材料主要是硅和砷化镓等,全球90%以上IC 都采用硅片。
随着半导体工业的飞速开展,一方面,为了增大芯片产量,降低单元制造本钱,要求硅片的直径不断增大;另一方面,为了进步IC 的集成度,要求硅片的刻线宽度越来越细。
半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺,它极大地影响着材料和器件的成品率,并肩负消除前加工外表损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。
在特定的抛光设备条件下,硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。
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样品分析检测流程:样品确认—物理表征前处理—大型仪器分析—工程师解谱—分析结果验证—后续技术效劳。
有任何配方技术难题,可即刻联络禾川化学技术团队,我们将为企业提供一站式配方技术解决方案!2.硅片抛光技术的研究进展20世纪60年代中期前,半导体抛光还大都沿用机械抛光,如氧化镁、氧化锆、氧化铬等方法,得到的镜面外表损伤极其严重。
1965年Walsh和Herzog 提出SiO2溶胶-凝胶抛光后,以氢氧化钠为介质的碱性二氧化硅抛光技术就逐渐代替旧方法,国内外以二氧化硅溶胶为根底研究开发了品种繁多的抛光材料。
随着电子产品外表质量要求的不断进步, 外表平坦化加工技术也在不断开展,基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG( spin-on-glass) 、低压CVD( chemical vapor deposit) 、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于构造的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC艺中获得应用, 但均属局部平面化技术,其平坦化才能从几微米到几十微米不等, 不能满足特征尺寸在0. 35 μm 以下的全局平面化要求。
氟化钙晶体化学机械抛光工艺研究
氟化钙晶体化学机械抛光工艺研究氟化钙晶体化学机械抛光是一种常用的表面处理技术,用于对氟化钙晶体材料进行高精度和高质量的抛光加工。
本文将从工艺原理、工艺步骤、参数优化以及应用前景等方面介绍氟化钙晶体化学机械抛光的研究。
一、工艺原理:氟化钙晶体化学机械抛光是利用化学反应和机械磨削相结合的方法,去除氟化钙晶体表面的微观缺陷和粗糙度,实现光滑平整的表面加工。
在抛光过程中,采用一定比例的抛光溶液和磨料,通过磨料与氟化钙晶体表面发生化学反应和物理磨削,去除材料表面的凸起部分,使其达到预期的光洁度和平整度。
二、工艺步骤:1.表面清洗:首先,将待抛光的氟化钙晶体样品进行彻底的清洗,去除杂质和污染物,确保表面干净。
2.抛光溶液配制:根据具体需求,选择适当的抛光溶液配方。
通常使用一种弱酸性溶液作为基础,添加氧化剂、缓冲剂等成分,以促进表面化学反应和磨削效果。
3.抛光机械装置调试:根据样品的尺寸和形状,选择合适的抛光机械装置,并进行调试和优化,确保稳定的加工过程。
4.抛光操作:将清洗干净的氟化钙晶体样品放置在抛光机械装置上,加入适量的抛光溶液和磨料。
通过旋转、摩擦或振动等方式,使磨料与氟化钙晶体表面接触并发生磨削作用。
5.定期更换抛光液和磨料:由于抛光液和磨料会随着时间的推移而变质,降低抛光效果,因此需要定期更换新的抛光液和磨料,保证抛光质量的稳定性。
6.检测和评估:抛光完成后,对抛光样品进行检测和评估。
可以利用光学显微镜、原子力显微镜等设备,观察样品表面的光滑度、平整度和缺陷情况。
三、参数优化:在氟化钙晶体化学机械抛光过程中,一些关键参数的优化对于提高抛光效果和工艺稳定性至关重要。
以下是几个常见的参数优化方向:1.抛光溶液配方优化:根据具体的材料特性和要求,选择合适的抛光溶液成分和浓度。
调整pH值、氧化剂浓度、缓冲剂浓度等参数,以实现更好的抛光效果。
2.抛光机械装置参数调节:根据不同的样品形状和尺寸,调整抛光机械装置的转速、振幅和施加力度等参数,以获得最佳的磨削效果和表面质量。
2024年化学机械抛光(CMP)技市场调查报告
2024年化学机械抛光(CMP)技市场调查报告1. 简介化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)是一种常用于半导体制造过程中的超精密加工技术。
该技术结合了化学溶液和机械摩擦的作用,有效地去除材料表面的微米或纳米级缺陷,以获得高质量的平整表面。
2. 市场规模根据市场调查数据显示,CMP技术在半导体制造行业中有着广泛的应用。
随着半导体行业的发展和需求的增长,CMP市场规模也在不断扩大。
预计到2025年,CMP 技术市场的价值将超过100亿美元。
3. 市场驱动因素CMP技术在半导体行业中的应用越来越广泛,主要得益于以下几个市场驱动因素:3.1 半导体产业的发展随着消费电子产品市场的扩大,半导体产业也得到了快速发展。
半导体元件的制造需要高精度和高质量的表面处理,而CMP技术正是满足这一需求的最佳选择。
3.2 新一代芯片设计新一代芯片的设计越来越复杂,要求更高的制造工艺。
CMP技术能够提供优质的平整表面,有助于实现更高的芯片集成度和性能。
3.3 纳米技术的应用纳米技术的快速发展推动了CMP技术的需求。
纳米级的尺寸要求对制造工艺的精度和控制能力提出了更高的要求,CMP技术在这一领域的优势得到了充分发挥。
4. 市场竞争CMP技术市场竞争激烈,主要供应商包括:•Applied Materials•Cabot Microelectronics Corporation•Ebara Corporation•Dow Chemical Company•3M Company这些公司通过不断的技术创新和产品改进来提高市场份额。
5. 市场前景与机会CMP技术市场前景广阔,未来几年预计将保持稳定增长。
随着新兴技术的发展,如人工智能、物联网和汽车电子等领域的快速增长,CMP技术将得到进一步的推动和应用。
目前,CMP技术仍然存在一些挑战,如成本高、工艺复杂等问题,但随着技术的进步和市场需求的增长,这些挑战也将逐渐得到解决。
cmp化学机械抛光 极限精度
cmp化学机械抛光极限精度【序言】在当今高科技产业发展的浪潮中,CMP化学机械抛光技术被广泛应用于半导体、光伏、显示器等领域。
而其中的极限精度问题更是成为了业界研究的热点之一。
本文将对CMP化学机械抛光技术以及其在极限精度方面的应用进行探讨和剖析,旨在为读者全面展示并深刻理解这一主题。
【一、CMP化学机械抛光技术的发展】1. 缘起:CMP化学机械抛光技术始于20世纪80年代,主要应用于平整化硅片表面。
2. 工作原理:CMP技术是通过磨粒与化学液混合形成磨蚀剂,利用磨蚀剂在机械抛光过程中,对材料表面进行磨削和平整化处理。
3. 发展历程:随着半导体和光电子等行业的快速发展,CMP技术迅速成熟,并被广泛应用于细线宽制造、高阻抗材料平整化等工艺中。
4. CMP技术的关键影响因素:包括磨蚀剂、磨擦力、氧化环境、温度等多个方面,其中磨蚀剂具有重要影响。
【二、CMP化学机械抛光技术的应用】1. 半导体领域:CMP技术在半导体制造中发挥着至关重要的作用,能够实现高精度、高速度的平整化处理。
2. 光伏领域:CMP技术可用于太阳能电池片的平整化处理,提高能量转换效率,增强光伏组件的性能。
3. 显示器领域:CMP技术在TFT-LCD、OLED等显示器制造过程中应用广泛,通过调整磨蚀剂和磨擦力等参数,实现优质显示效果。
【三、CMP化学机械抛光技术的极限精度问题】1. 概念解释:CMP技术在实际应用中面临的极限精度问题,是指在处理精度要求较高的工艺中,CMP技术的磨削误差会对器件性能产生不可忽视的影响。
2. 影响因素:CMP技术的极限精度受到多方面因素的制约,如磨蚀剂颗粒大小分布、机械压力的控制、抛光头的设计等。
3. 解决方案:针对CMP技术的极限精度问题,研究者提出了多种改进方案,包括优化磨蚀剂的粒度分布、改善机械压力的均匀性、优化抛光头的结构等。
【四、个人观点与理解】CMP化学机械抛光技术作为一项关键技术,对于现代高科技产业的发展具有重要意义。
化学机械抛光技术研究现状及发展趋势
化学机械抛光技术研究现状及发展趋势
化学机械抛光技术是一种集化学反应和机械磨削于一体的表面处理技术。
目前,化学机械抛光技术已广泛应用于半导体、光电子、微机电系统、集成电路等领域的表面处理中。
化学机械抛光技术的发展趋势主要体现在以下几个方面:
1. 精度提高:随着微电子、微机电系统等领域对表面精度要求的不断提高,化学机械抛光技术也在不断提高其抛光精度,将来的发展方向将是实现高精度、高效率、低成本的表面处理。
2. 抛光液研发:化学机械抛光技术主要依赖于抛光液实现化学反应和机械磨削。
因此,对于抛光液的研发将是其未来的重要方向,需要研制出更加环保、高效、低成本的抛光液,以满足各种表面处理需求。
3. 自动化技术提升:随着自动化技术不断提升,化学机械抛光技术也将加速向智能化、自动化方向发展,以提高抛光效率和减少劳动力成本。
4. 适用范围扩大:化学机械抛光技术将不仅局限于半导体、微机电系统等领域,未来有望应用于更广泛的表面处理领域,如汽车制造、医疗器械、航空航天等领域。
综上所述,化学机械抛光技术是一种颇具发展前景的表面处理技术,随着相关技术的不断发展和研究,其应用领域和技术水平将得到进一步提高。
蓝宝石镜面化学机械抛光(CMP)理论研究
蓝宝石镜面化学机械抛光(CMP)理论研究CMP 是一个多相反应过程, 是机械作用与化学作用相互加强与促进的过程。
对于化学机械抛光, 研究发现其CMP 的动力学过程主要由以下几个步骤组成: ①反应剂分子从液体主体向待加工片外表面扩散( 外扩散) ; ②反应剂分子由外表面向内表面扩散其速率与质量附面层厚度相关, 在压力与抛光机旋转作用下, 附面层极小; ③反应物吸附在待加工片的表面; ④反应物在加工片表面上进行化学反应, 生成产物; ⑤产物从表面解吸; ⑥产物从反应层的内表面向外表面扩散; ⑦产物从反应层的外表面向主液体扩散。
本文进行CMP 实验大多使用东莞健行新材料生产的QM-501蓝宝石抛光液, 其表面化学活性很低。
QM-501蓝宝石抛光液是双电子层结构, 外层电子显负电荷。
由凝聚法制备的QM-501蓝宝石抛光液粒子表面富含硅羟基,研究还发现采用凝聚法制备的QM-501蓝宝石抛光液内部也富含有硅羟基, 正是这个特点, 使得凝聚法制备的抛光液黏度小, 硬度适中, 无棱角, 在CMP 时不会产生划伤。
为了达到更好的抛光效果保证表面高平整、低损伤、无污染, 必须在抛光过程中加快质量传递过程。
质量传递包括两个方面: 反应物及时到达表面和反应物及时脱离表面。
两个过程中的综合结果直接影响CMP 的速率与表面质量。
蓝宝石的CMP 过程区别于其他CMP 过程, 单晶Al2O3 组成物质的元素化合价已经达到最高, 其立方结构是: 一个Al 原子周围有三个O 原子, 一个O 原子周围连接着两个Al 原子, 这样形成六方密堆积型。
从化学反应式和蓝宝石的结构可以得出, 每生成一个AlO-2 就要断裂三个Al —O 键, 而且Al—O 键能非常高, 在蓝宝石化学机械抛光过程中, 化学作用是至关重要的。
但在研究过程中发现, 蓝宝石( 单晶Al2O3) 表面与抛光液中OH- 的反应过程与Al2O3 粉末与OH- 反应机理是不一样的, 它不只是简单的每个Al2O3 分子与OH- 反应生成AlO-2。
化学机械抛光设备的国内外市场分析与竞争态势
化学机械抛光设备的国内外市场分析与竞争态势近年来,随着制造业的发展和高科技产业的迅速兴起,化学机械抛光设备作为一种使用化学反应来抛光材料的技术,得到了广泛的应用。
本文将对化学机械抛光设备的国内外市场进行分析,并探讨其竞争态势。
市场概述化学机械抛光设备是一种结合化学反应和机械力的方法,用于去除材料表面的污垢和微小缺陷,提高材料表面的光洁度和光亮度。
该设备主要应用于半导体、集成电路、光电子器件、陶瓷材料等领域。
随着这些领域的快速发展,化学机械抛光设备市场也在不断扩大。
国内市场分析中国作为全球最大的制造业国家之一,拥有庞大的半导体和光电子器件产业基础。
随着国内高科技产业的快速发展,对化学机械抛光设备的需求也在逐渐增加。
根据相关数据显示,2019年中国化学机械抛光设备市场规模达到了XX亿元。
在国内市场中,化学机械抛光设备的主要竞争对手包括国内外知名厂商。
其中,国内企业主要集中在长三角、珠三角和华中地区。
这些企业通过不断提升产品质量和技术创新,巩固了在国内市场的地位。
此外,一些跨国公司也进入了中国市场,并提供高质量和高性能的化学机械抛光设备,加剧了市场竞争。
与此同时,中国政府出台了一系列政策来推动高科技产业的发展,包括资金支持、税收优惠等。
这些政策的推动为化学机械抛光设备市场的增长提供了良好的环境。
然而,由于技术壁垒和专利保护等问题,国内化学机械抛光设备的核心技术仍然相对薄弱,需要加强研发和创新能力。
国际市场分析随着全球高科技产业的蓬勃发展,化学机械抛光设备的国际市场也在不断扩大。
美国、日本、韩国等发达国家是化学机械抛光设备的主要生产和消费市场。
这些国家拥有世界一流的制造技术和研发能力,提供高品质和高性能的化学机械抛光设备。
与此同时,一些新兴市场如印度、巴西等也在逐渐崛起,对化学机械抛光设备的需求也有所增加。
这主要得益于这些市场的制造业不断发展和技术水平的提升。
竞争态势化学机械抛光设备市场存在激烈的竞争。
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化学机械抛光液行业研究一、行业的界定与分类 (2)(一)化学机械抛光 (2)1、化学机械抛光概念 (2)2、CMP工艺的基本原理 (2)3、CMP技术所采用的设备及消耗品 (2)4、CMP过程 (2)5、CMP技术的优势 (2)(二)化学机械抛光液 (3)1、化学机械抛光液概念 (3)2、化学机械抛光液的组成 (3)3、化学机械抛光液的分类 (3)4、CMP过程中对抛光液性能的要求 (3)(三)化学机械抛光液的应用领域 (3)二、原材料供应商 (4)三、化学机械抛光液行业现状 (4)(一)抛光液行业现状 (4)1、国际市场主要抛光液企业分析 (4)2、我国抛光液行业运行环境分析 (4)3、我国抛光液行业现状分析 (5)4、我国抛光液行业重点企业竞争分析 (5)(二)抛光液行业发展趋势 (5)(三)抛光液行业发展的问题 (5)四、需求商 (6)(一)半导体硅材料 (6)1、电子信息产业介绍 (6)2、半导体硅材料的简单介绍 (6)(二)分立器件行业 (7)(三)抛光片 (8)化学机械抛光液行业研究一、行业的界定与分类(一)化学机械抛光1、化学机械抛光概念化学机械抛光(英语:Chemical-Mechanical Polishing,缩写CMP),又称化学机械平坦化(英语:Chemical-Mechanical Planarization),是半导体器件制造工艺中的一种技术,用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。
2、CMP工艺的基本原理基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液(由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动,借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,并获得光洁表面。
3、CMP技术所采用的设备及消耗品主要包括,抛光机、抛光液、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等,其中抛光液和抛光垫为消耗品。
4、CMP过程过程主要有抛光、后清洗和计量测量等部分组成,抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素,其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。
5、CMP技术的优势最初半导体基片大多采用机械抛光的平整方法,但得到的表面损伤极其严重,基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-glass)、低压CV D(chemicalvaporde-posit)、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC工艺中获得应用,但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等,不能满足特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求。
1991年IBM首次将化学机械抛光技术成功应用到64MbDRAM的生产中,之后各种逻辑电路和存储器以不同的发展规模走向CMP,CMP将纳米粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来,满足了特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求,CMP可以引人注目地得到用其他任何平面化加工不能得到的低的表面形貌变化。
目前,化学机械抛光技术已成为几乎公认为惟一的全局平面化技术,其应用范围正日益扩大。
(二)化学机械抛光液1、化学机械抛光液概念化学机械抛光液是在利用化学机械抛光技术对半导体材料进行加工过程中的一种研磨液体,由于抛光液是CMP的关键要素之一,它的性能直接影响抛光后表面的质量,因此它也成为半导体制造中的重要的、必不缺少的辅助材料。
2、化学机械抛光液的组成化学机械抛光液的组成一般包括一般由超细固体粒子研磨剂(如纳米SiO2、Al2O3粒子等)、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等。
固体粒子提供研磨作用,化学氧化剂提供腐蚀溶解作用,由于SiO2粒子去除率最高,得到的表面质量最好,因此在硅片抛光加工中主要采用SiO2抛光液,3、化学机械抛光液的分类抛光工艺中有粗抛光和精抛光之分,故有粗抛光液和精抛光液品种之分。
4、CMP过程中对抛光液性能的要求抛光液的浓度、磨粒的种类、大小、形状及浓度、抛光液的粘度、pH值、流速、流动途径对去除速度都有影响。
(三)化学机械抛光液的应用领域化学机械抛光液作为半导体工艺中的辅助材料,主要应用于抛光片和分立器件制造过程中的抛光过程。
因此,抛光液主要应用于半导体行业(抛光片和分立器件)、集成电路行业和电子信息产业。
二、原材料供应商由于目标产品的具体成分不详,暂略。
三、化学机械抛光液行业现状(一)抛光液行业现状化学机械抛光技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一,并用于集成电路制造过程的各阶段表面平整化,而抛光液对抛光效率和加工质量有着重要的影响,但由于具有很高的技术要求,目前商业化的抛光液配方处于完全保密状态,主要集中在美国、日本、韩国。
这也导致在我国半导体硅抛光片加工中,所使用的抛光液绝大多数都要靠进口。
尽管我国目前在抛光液行业现已发展到有几十家的企业,但是真正涉足到半导体硅片抛光液制造、研发方面的企业很少。
无论是产品质量上、还是在市场占有率方面,国内企业都表现出与国外厂家具有相当的差距。
1、国际市场主要抛光液企业分析美国Rodel公司;美国杜邦(DUPON)公司;美国Cabot公司;美国Eka 公司;Ferro;日本FUJIMI 公司;日本Hinomoto Kenmazai Co. Ltd;韩国ACE高科技株式会社。
2、我国抛光液行业运行环境分析1)我国宏观经济环境分析发生在2007年的美国次贷危机引发的全球金融危机将深刻地改变国际经济环境和秩序,为已经快速发展了30年的中国经济带来了新的机会和挑战。
中国经济率先恢复,2009年成功“保八”,2010年将保持经济平稳较快发展,重新启动和加快经济结构调整步伐,转变经济发展模式。
未来5年(20112015),国际经济和金融环境开始发生结构性的转变,中国面临全面和加速金融开放的机遇和压力。
2)相关政策见附件相关政策3)抛光液行业技术现状3、我国抛光液行业现状分析1)生产情况2)价格走势3)技术水平4)销售模式4、我国抛光液行业重点企业竞争分析浙江湖磨抛光磨具制造有限公司;阳江市伟艺抛磨材料有限公司;包头天骄清美稀土抛光粉有限公司;成都君臣科技有限责任公司;上海杰信抛磨材料有限公司;北京国瑞升科技有限公司;三和研磨材料(广东)有限公司;佛山市奇亮磨具有限公司;湖州中云机械制造有限公司;具体见附件相关重点竞争力公司概况(二)抛光液行业发展趋势随着电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸、高均匀性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向发展,半导体微电子材料通过不断缩小器件的特征尺寸,增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度,由单片集成向系统集成发展。
对抛光液的要求也会更高。
(三)抛光液行业发展的问题1、技术难题2、市场竞争难题1)替代国外产品2)国内同类产品的竞争四、需求商根据调查,目前的抛光工艺及抛光液在国内主要应用于半导体材料(抛光片和分立器件)的生产过程中,形成半导体产品后应用于芯片,集成电路等信息产品上。
(一)半导体硅材料1、电子信息产业介绍近几年来,我国电子信息产品以举世瞩目的速度发展,2010年,我国规模以上电子信息产业销售收入规模7.8万亿元,同比增长29.5%,规模以上电子信息制造业实现主营业务收入63645亿元,同比增长24.1%;实现利润2825亿元,同比增长57.7%。
全行业销售利润率从一季度的2.7%提高到4.4%,高出上年(3.5%)近1个百分点。
从国内看,电子信息产业发展前景看好。
一是政策趋向总体有利于产业增长,国家大力推进新一代信息技术为产业发展创造良好的外部环境。
二是国内电子信息产品市场继续保持稳定发展,3G商用、数字城市建设及交通、电力网络改造升级等,为国内产业发展带来新的空间。
三是投资增长为产业带来新的后劲。
各地把发展电子信息等战略性新兴产业作为转变发展方式的重要方向,进一步拉动产业投资增长。
2、半导体硅材料的简单介绍半导体材料是指电阻率在10-3~108Ωcm,介于金属和绝缘体之间的材料。
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料,支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展,由于电子信息产业在国民经济发展中的重要作用,半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。
半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料。
硅是集成电路产业的基础,半导体材料中98%是硅。
半导体器件的95%以上是用硅材料制作的,90%以上的大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)、甚大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅抛光片和外延片上的。
硅片被称作集成电路的核心材料,硅材料产业的发展和集成电路的发展紧密相关。
电子工业的发展历史表明,没有半导体硅材料的发展,就不可能有集成电路、电子工业和信息技术的发展。
2005年-2010年全球不同国家的大功率半导体市场规模(单位:亿元)国家或地区2005年 2006年2007年2008年2009年2010年美国11.49 12.09 12.78 13.45 14.27 15.19日本15.23 15.98 16.76 17.54 18.32 19.15欧洲19.83 21.36 23.17 25.04 26.98 29.12中国29.76 35.49 42.55 51.35 62.07 75.67其他15.42 17.67 20.43 23.66 27.04 31.29合计91.73 102.59 115.69 131.04 148.68 170.42 (二)分立器件行业半导体行业是一个明显的周期性行业,行业的周期通常也称为“硅周期”,通常持续4-5 年。
硅周期即是指半导体产业在差不多5 年的时间内就会历经从衰落到昌盛的一个周期。
一个典型的周期可以描述如下:第一阶段,需求下降,产能利用率低,价格下滑,投资锐减;第二阶段,需求稳定,产能利用率稳定,价格稳定,投资下滑以致投资不足;第三阶段,投资加大,信心膨胀,需求增长。
这三个阶段构成一个循环。
值得注意的是,半导体从设计到流水线生产,至少需要2 年的时间。
由于我国属于新兴市场,半导体行业处于上升发展时期,预计在未来5 年国内市场不存在明显的周期性。
分立器件行业是高科技、资本密集型行业,作为半导体市场的重要组成部分,2008 年金融危机以来,分立器件市场亦受到半导体整体市场疲软的影响,但在功率器件市场快速增长及其他产品结构升级等有利因素的带动下,2008 年市场规模的增长明显高于半导体市场平均水平,销售额增至176.9 亿美元,成为引人注目的产品市场。