电力电子技术试卷及问题详解
电力电子技术试题20套及解答
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
最全电力电子技术试题及答案
最全电力电子技术试题及答案1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
电力电子技术试题与参考答案
电力电子技术试题与参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.有源逆变发生的条件为（）A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于90°C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法都是对的正确答案：D2.为了防止逆变失败，最小逆变角限制为()。
A、300～350B、400～450C、100～150D、200～250正确答案：A3.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()A、各一只A、各二只B、共三只C、共四只正确答案：A4.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案：A5.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、120°B、180°C、90°D、150°正确答案：A7.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与阳极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、阳极电压与门极电流的关系D、门极电压与门极电流的关系正确答案：B8.下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。
A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT正确答案：C9.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、120度，B、0度C、60度D、30度正确答案：D10.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D11.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、干扰信号B、触发电流信号C、触发电压信号D、干扰信号和触发信号正确答案：A12.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、180°C、150°D、120°正确答案：A13.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子器件中，能够实现交流到直流转换的是（）。
A. 二极管B. 晶闸管C. 晶体管D. 场效应管答案：B2. 电力电子技术中，PWM调制技术的主要作用是（）。
A. 整流B. 逆变C. 变频D. 变压答案：C3. 电力电子技术中，以下哪个器件是电压控制型器件（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：B4. 在电力电子技术中，以下哪个器件是电流控制型器件（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：A5. 电力电子技术中，三相桥式整流电路的输出电压波形是（）。
A. 正弦波B. 矩形波C. 三角波D. 锯齿波答案：B6. 电力电子技术中，以下哪个器件不适合用于高频开关应用（）。
A. 功率MOSFETB. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 功率二极管D. 晶闸管答案：D7. 电力电子技术中，以下哪个器件具有自关断能力（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：B8. 电力电子技术中，以下哪个器件的导通电压最低（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：B9. 电力电子技术中，以下哪个器件的开关速度最快（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETD. 功率二极管答案：B10. 电力电子技术中，以下哪个器件的耐压最高（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术中，以下哪些器件属于全控型器件（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETD. 功率二极管答案：BC2. 电力电子技术中，以下哪些器件可以用于实现交流到直流的转换（）。
A. 二极管B. 晶闸管C. 晶体管D. 场效应管答案：AB3. 电力电子技术中，以下哪些器件可以用于实现直流到交流的转换（）。
电力电子技术精彩试题20套及问题详解
文案大全考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN 结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的，其中KP 表示该器件的名称为，50 表示，7 表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN 结，外部一共有3 个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止阳”接法。
（×）损坏晶闸管的。
9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
电力电子技术试卷和答案
电力电子技术试卷一、名词解释（每题6分，共24分）1、驱动电路：位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路（即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管)，称为驱动电路。
2、电流源型逆变器：在直流回路中串以大电感Ld储存无功功率，称为电流源型逆变器3、电压源型逆变器：交-直-交变频器的中间直流环节如果是用大电容平波通常称为电压源型变频器。
4、全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件。
二、简答题（每题8分，共32分）1、均衡电抗器在整流器并联中起什么作用？答：均衡电抗器是在“并联输出型”多相整流发电机中，用以提高整流发电机的功率因数，从而达到降低整流发电机视在功率设计值，减小整流发电机的重量和尺寸的目的。
2、晶闸管的导通和关断条件是什么？答：晶闸管导通条件：门极G加触发信号，主端子A、K之间加正向电压，且使得主端子间的正向电流大于擎住电流，。
关断的条件：使主端子间的正向电流小于维持电流。
晶闸管的关断方法：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压；也可以利用储能电路强迫关断。
3、列举五种过电压保护的措施。
答：（1）、改善断路器性能，增大触头灭弧能力。
（2）、采用带并联电阻（约3000欧姆）的开关。
（3）、线路上装电磁式放电PT 。
（4）、并联电抗器。
（5）、采用专门的磁吹避雷器4、逆变器的功能是什么？答：逆变器是把直流电能（电池、畜电瓶）转变成交流电（一般为220v50HZ 正弦或方波） 如UPS 不间断电源。
应急照明灯。
应急电源。
都是把直流电瓶逆变成220v 交流的。
三、作图题（每个8，共24分）单相桥式全控整流电路，V U 1002=，负载中Ω=2R ，L 值极大，当 30=α时du d i 和2i 的波形；解：①u d 、i d 、和i 2的波形如下图：u 2OωtOωt Oωt u d i di 2O ωt I d I d ππαα四、计算题（20分）单相桥式全控整流电路带反电动势负载，已知U 2=100V ，E=60V ，R=3Ω，α=30o ，电抗L 足够大，求输出平均电压U d 、输出平均电流I d ，流过晶闸管电流平均值I dVT 和有效值I VT ，变压器二次侧电流有效值I 2和容量S 2。
电力电子技术试卷（含答案）
电力电子技术试卷（含答案）一．填空（共15分，1分/空）1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。
2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。
3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U2，忽略主电路各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。
4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。
5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。
6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。
7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。
二．单选（共10分，2分/题）1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2．晶闸管属于（）。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。
A．180OB.90OC.120O4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。
A.60B. 180C. 1205．把交流电变成直流电的是（）。
A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三．多选（共10分，2分/题）1．电力电子器件一般具有的特征有。
A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。
A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3．使晶闸管关断的方法有。
A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4．逆变失败的原因有。
A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5．变压器漏抗对整流电路的影响有。
电力电子技术试题20套及答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
《电力电子技术》测试题及其答案
《电力电子技术》测试题及其答案一、判断题1、表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。
（错）2、对于门极可关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
（对）3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。
（错）4、在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。
（错）5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°～180°。
（错）6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
（错）7、正弦波脉宽调制（SPWM）是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
（对）8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。
（错）9、斩波器的定频调宽工作方式，是指保持斩波器通端频率不变，通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
（对）10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强，适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
（对）11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时，其触发延迟角的最大移相范围为0°～90°。
（对）12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。
（错）13、晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
（对）14、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变参考信号正弦波的幅值，就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
（错）15、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变载波信号的频率，就可以改变逆变器输出交流电压的频率16、若加到晶闸管两端电压的上升率过大，就可能造成晶闸管误导通。
（对）17、晶闸管整流电路中的续流二极管只是起到了及时关断晶闸管的作用，而不影响整流输出电压值及电流值。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
电力电子技术试题参考答案及评分标准
电力电子技术复习 1（见教材后习题）1.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？2.图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
3.上题中如果不考虑安全裕量，问100A的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少？4.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？5.如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？6.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。
7.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
8.单相半波可控整流电路对电感负载供电，L=20mH，U2=100V，求当α=0°和60°时的负载电流I d，并画出u d与i d波形。
9.单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，当α=30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
10.单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，反电动势E=60V，当α=30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
11.晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT1、VT2为晶闸管），电路如图，U2=100V，电阻电感负载，R=2Ω，L值很大，当α=60°时求流过器件电流的有效值，并作出u d、i d、i VT、i VD的流形。
12.三相半波可控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当α=60°时，要求：①画出u d、i d和i VT的波形；②计算U d、I d、I dVT和I VT。
电力电子的技术试的题目及问题详解
二、判断题，（每题1分，10分）（对/错X ） 在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现 象。
（V ） 在用两组反并联晶闸管的可逆系统， 使直流电动机实现四象限运行时，工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
逆变角太大会造成逆变失败。
并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取1、2、 3、 4、 5、 6、 7、U2。
其中一组逆变器《电力电子技术》试卷答案一、填空（每空1分，36分）1、 请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 _GT _;可关断晶闸管 GT' ;功率场效应晶体管 _MOSFET ;绝缘栅双极 型晶体管_IGBT _； IGBT 是_ MOSFET 和 ________ GTR_的复合管。
2、 晶闸管对触发脉冲的要求是 _____ 要有足够的驱动功率 _、 ________ 触发脉冲前沿陡幅 值要高 _________ 和 ___ 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 。
3、 多个晶闸管相并联时必须考虑 _均流_的问题，解决的方法是 ________ 串专用均流电抗器。
4、 在电流型逆变器中，输出电压波形为 _正弦波 _，输出电流波形为 __________ 方波？。
5、 型号为KS100-8的元件表示 ____ 双向晶闸管 _ 晶闸管、它的额定电压 为 ____ 800V___ 伏、额定有效电流为 — 100 ______ 。
6、 180。
导电型三相桥式逆变电路， 晶闸管换相是在 _同一桥臂—上的上、下二个元件之 间进行；而120。
导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 _不同桥臂上的元件之间进行 的。
7、 当温度降低时，晶闸管的触发电流会 _ 增加 ________ 、正反向漏电流会 _____ 下降 当温度升高时，晶闸管的触发电流会 _下降—、正反向漏电流会 _________ 增加_。
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一、填空题（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为和。
2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。
为了减小环流，一般采用αβ状态。
4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 H Z；这说明电路的纹波系数比电路要小。
8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。
10、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。
三、选择题（10分）1、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。
A 、180度； B、60度； C、360度； D、120度；2、α= 度时，三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度；B、60度； C 、30度； D、120度；3、通常在晶闸管触发电路中，若改变的大小时，输出脉冲相位产生移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压；B、控制电压；C、脉冲变压器变比；4、可实现有源逆变的电路为。
A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin选时系统工作才可靠。
A、300~350B、100~150C、00~100D、00四、问答题（每题9分，18分）1、什么是逆变失败？形成的原因是什么？2、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？五、分析、计算题：（每题9分，18分）1、三相半波可控整流电路，整流变压器的联接组别是D/Y—5，锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。
试确定同步变压器TS的接法钟点数为几点钟时，触发同步定相才是正确的，并画出矢量图。
（8分）2、如图所示：变压器一次电压有效值为220V，二次各段电压有效值为100V，电阻性负载，R=10Ω，当控制角α=90º时，求输出整流电压的平均值U d，负载电流I d，并绘出晶闸管、整流二极管和变压器一次绕组电流的波形。
（10分）一、填空题1、要有一个直流逆变电源，它的极性方向与晶闸管的导通方向一致，其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压；逆变桥必须工作在β<90º（即α>90º）区间，使输出电压极性与整流时相反，才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。
2、整流，逆变，整流，逆变，3、变流桥，不流经负载，α>β，4、直流，交流，电网的，5、正向，正向门极，门极触发，6、单相桥式半控整流桥，三相桥式半控整流桥，7、 150，300，三相桥式全控整流桥，三相半波可控流电路，8、逆变桥晶闸管或元件损坏，供电电源缺相，逆变角太小，触发脉冲丢失或未按时到达，9、小控制角运行，增加电源相数，多组变流装置串联运行并进行控制，增加电容补偿装置，10、掣住，触发脉冲，san 1、 A；2、C；3、B；4、A；5A；四、1、逆变失败指的是：逆变过程中因某种原因使换流失败，该关断的器件末关断，该导通的器件末导通。
从而使逆变桥进入整流状态，造成两电源顺向联接，形成短路。
逆变失败后果是严重的，会在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流，损坏开关器件。
产生逆变失败的原因：一是逆变角太小；二是出现触发脉冲丢失；三是主电路器件损坏；四是电源缺相等。
2、 A 、触发电路必须有足够的输出功率；A 、 触发脉冲必须与主回路电源电压保持同步；B 、 触发脉冲要有一定的宽度，且脉冲前沿要陡；C 、 触发脉冲的移相范围应能满足主电路的要求；五、1、由于采用锯齿波同步触发电路，用NPN 三极管做综合管，故同步电压应滞后于晶闸管阳极电压180º相位角。
并画出矢量图如下：同步变压器的联接组别应选择D/Y=11。
2、输出电压平均值为：πωωωωππππ2222023)(sin 22)(sin 21U t td t td U U d =⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=⎰⎰π10232U R U I d d ==变压器一次侧电流波形I I1，整波二极管管电流I VD ，两只晶闸管电流的波形合成电流I VT ， 如右图所示：一．填空（共15分，1分/空）1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。
2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。
3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U2，忽略主电路各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。
4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。
5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。
6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。
7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。
二．单选1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2．晶闸管属于（）。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。
A．180O B.90O C.120O4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。
A.60B. 180C. 1205．把交流电变成直流电的是（）。
A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三．多选（共10分，2分/题）1．电力电子器件一般具有的特征有。
A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。
A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3．使晶闸管关断的方法有。
A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4．逆变失败的原因有。
A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5．变压器漏抗对整流电路的影响有。
A.输出电压平均值降低B.整流电路的工作状态增多C.晶闸管的di/dt减小D.换相时晶闸管电压出现缺口五．简答（共12分，6分/题）1．晶闸管的导通条件和关断条件。
晶闸管的导通条件:加正向阳极电压，同时加上足够的正向门极电压。
2 晶闸管的关断条件：利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流小于维持电流，晶闸管即关断，在实际电路中常采用使阳极电压反向、减小阳极电压、或增大回路阻抗等方式。
（3分）2．逆变产生的条件及对可进行有源逆变的电路的要求。
逆变产生的条件：①要有直流电动势，其极性须和晶闸管导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压。
②要求晶闸管的控制角α〉π/2，使U d为负值。
（4分）欲实现有源逆变，只能采用全控电路，半控桥或有续流二极管的电路不能实现有源逆变。
（2分）六．计算（共48分，12分/题）1．单相桥式全控整流电路带阻感性负载，U2=220V， R=5Ω，L足够大，α=60o时，①求整流输出平均电压U d、电流I d ，变压器二次电流有效值I2;②考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
2．单相桥式全控整流电路带反电动势负载，已知U2=100V，E=60V，R=3Ω，α=30o，电抗L足够大，求输出平均电压U d 、输出平均电流I d，流过晶闸管电流平均值I dVT和有效值I VT，变压器二次侧电流有效值I2和容量S2。
3．三相桥式全控整流电路带阻感性负载，L足够大，R=5Ω，U2=220V，求α=60o时输出平均电压U d 、输出平均电流I d，流过晶闸管电流平均值I dVT和有效值I VT，变压器二次侧电流有效值I2和容量S2。
4．三相半波可控整流电路如图，U2=100V，E=30V，R=1Ω，L足够大，问α=90o时，U d=？I d =？如若α=120o， I d =？此时电路能工作在有源逆变状态吗？为什么？二．填空（共15分，1分/空）1.电力电子器件制造（技术）变流（技术）2.电流驱动（型）电压驱动（型）电流驱动（型）3.停止导电(角)4.双脉冲（触发）宽脉冲（触发）双脉冲（触发）5.共阴极（组）共阳极（组）6.整流（状态）逆变（状态）7.α+β=π（或β=π-α或α=π-β）三．（共10分）1.B; 2.C; 3.B; 4.C; 5.A四．（共10分）1.ABCD; 2.ABC; 3.BCD; 4.ABCD; 5.ABCD五．计算（共48分，12分/题）1.解:①因为L足够大，所以U d=0.9U2cosα=99VI d =U d/R=19.8AI2= I d =19.8A（每步2分）②晶闸管正常工作时所承受的峰值电压为2U2考虑安全裕量，则其额定电压U TN=(2～3)2U2=(2～3)311V（3分）流过晶闸管的电流有效值为I VT= I d /2=14A考虑安全裕量，则其额定电流I T(AV)=(1.5～2)I VT/1.57=(1.5～2)8.9A（3分）2. 解:因为L足够大，所以U d=0.9U2cosα= 77.94V I d =(U d-E)/R=5.98AI dVT= I d /2=2.99A I VT= I d /2=4.22AI2= I d =5.98A S2= U2I2=598VA（每步2分）3. 解:因为L足够大，所以U d=2.34U2cosα= 257.4VI d =U d/R=51.48AI dVT= I d /3=17.16AI VT= I d /3=29.72AI2= 3/2I d（或2I VT）=42.03AS2= 3U2I2=27738.57VA（每步2分）4. 解: L足够大,α=90o时 U d=1.17U2cosα=0V（2分）I d =(U d-E)/R =(0-(-30))/1=30A（2分）α=120o时,U d=1.17U2cosα=-58.5V因为|U d|>|E|,不满足产生逆变的条件，（4分）所以电路不能工作在有源逆变状态。
（2分）此时I d =0。