半导体器件物理复习计算题

11. 在T = 300 K，计算理想p-n 结二极管在反向电流达到95 个百分比的反向饱和电流值时，需要外加的反向电压。

分析：

利用

注意Exp(qV/kT) - 1= 0.95 错误！

应为Exp(qV/kT) - 1= - 0.95 反向电流

1. 一扩散的pn硅结在p-为线性缓变结，其a = 1019 cm-4，而n侧为均匀掺杂，浓度为3×1014 cm-3 。如果在零偏压时，p侧耗尽层宽度为0.8μm ，找出在零偏压时的总耗尽层宽度，内建电势和最大电场

总耗尽区宽度：

利用耗尽区总电荷电中性条件，求得Xp与Xn

则W = Xp + Xn

求Vbi 与Emax，一般采用泊松方程求解电场和电势差

或者特别的,求Vbi时，

Vbi=Vn-Vp=(kT/q)ln(ND/ni)+(kT/q)ln(aw/ni)

即利用热平衡时，费米能级统一和

但在缓变结的中性区掺杂浓度并非恒量，结果稍有近似.

1.一n-p-n晶体管其基区输运效率为0.998，发射效率为0.997，为10 nA。（a）算出晶体管的和，（b）若，发射极电流为多少？

理想晶体管αo=γαT≈γ=0.999

βo= αo/(1-αo）=999

Ib=0,则

ICBO=10×10-6A

ICEO=(1+ βo) ICBO=10mA

第10解释偏压情况下金属与P型，N型半导体接触的能带图在书本105. 12题计算题。若一亚微米。。。。。题目在书本282第3题

第8题在书本223第1题。。。。。

第4题，5题6题没有找到；