第4章半导体分立器件讲解
分立器件通用技术介绍
分离器件通用技术介绍图解半导体制程概论（3）第四章分立器件二极管的种类及其用法二极管是一种具有1个PN接合的2个端子的器件。
具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。
二极管的基本特性利用PN接合的少数载子的注入和扩散现象，只能一个方向（正向）上流通电流。
如果在PN接合二极管的N型半导体加上负压、在P型半导体加上正电压，就可使电流流通。
我们将该电流的流动方向叫做正向。
如果外加正、负压与上述反方向的电压，则几乎不会流通电流。
我们将该方向叫做反向。
如果提高PN接合二极管的反向电压，则电流在某个电压值会急剧增加。
我们将该电流叫做击穿电流。
此时的电压值对电流而言基本上为定值。
二极管的特性曲线和图形记号、结构下图表示二极管的特性曲线和图形记号、结构图。
二极管的特性曲线二极管的图形记号、结构二极管的种类和应用1）一般整流二极管二极管在一般的应用上，有利用电流只在一个方向上流通的功能的交流电压主的整流电路。
2)齐纳二极管（Zener Diode）利用PN接合二极管的反向击穿电压的即为齐纳二极管（恒定电压二极管）。
由于该电压对于电流来说基本上为定值，因此用于恒定电压调节器的基准电压源或浪涌电压（异常电压）吸收等用途。
3）其它二极管．进一步提高一般二极管的开关特性的高速恢复二极管（FRD）；．接合金属和半导体来替代PN接合的肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode）；．变容二极管、混合二极管、夹在真性半导体的I层中的PIN二极管等高频用二极管。
二极管的封装1）单体在一个封装中装一个器件的类型，使用最多。
2）中心抽头用于一个封装内组装两个器件，且使用带有中心抽头的双绕线变压器的全波整流电路等。
3）串联指两个二极管在内部串联，用于半波倍电压整流电路等。
4）桥式连接如图所示，指装有四个二极管，用于将交流作全波整流时。
整流二极管的各种连接二极管的各种封装大电流整二极管的外观高速开关二极管可以改善二极管的反向恢复特性，实现高速开关的二极管。
半导体分立器件
半导体分立器件半导体分立器件是一类在电子电路中起关键作用的器件，它们具有独立的结构和功能，主要包括二极管、晶体管和场效应管等。
这些器件以半导体材料为基础，通过控制电流和电压的流动，实现电路的放大、开关和整流等功能。
本文将对半导体分立器件的原理和应用进行介绍。
首先，我们来了解一下半导体分立器件的基本原理。
在半导体材料中，通过控制材料的掺杂浓度和结构，可以调整其电导率。
二极管是最基本的半导体器件之一，它由正向偏置和反向偏置两种电压工作状态。
在正向偏置状态下，由于P型半导体的空穴和N型半导体的电子迁移，形成电流流动，实现电压降和信号整流。
而在反向偏置状态下，两种半导体间形成的带隙堵塞了电流流动，起到了阻止电流的作用。
晶体管是一种通过控制电流和电压的放大作用，实现信号放大的关键器件。
它由由P型半导体、N型半导体和掺杂荷载剂组成。
晶体管具有三个不同的端口：发射极（E）, 基极（B）和集电极（C）。
当以正向偏置方式工作时，基极电流控制集电极电流的放大。
晶体管在放大电路中起着很重要的作用，如放大音频信号和射频信号等。
场效应管是一种利用电场调控电流和电压，实现信号放大和开关控制的器件。
它主要由栅极、漏极和源极组成。
当栅极施加正向电压时，形成电场，调控漏极和源极之间电流的流动，实现信号放大。
而当栅极施加负向电压时，电场被消除，电流被阻断，实现信号开关。
半导体分立器件具有诸多优势，使得它们在电子电路中得到广泛应用。
首先，它们具有小型化、轻便、低功耗的特点，便于集成电路的制造和使用。
其次，半导体分立器件的可靠性和稳定性较高，具有长期稳定的性能。
此外，半导体分立器件的响应速度较快，功率损耗较小，适用于高频和高速应用场景。
半导体分立器件在许多领域中起到至关重要的作用。
首先，在通信和网络领域中，半导体分立器件被广泛应用于无线通信设备、卫星通信和光纤通信等系统中，实现信号处理和数据传输。
此外，它们还被应用于电源管理、传感器、医疗设备、汽车电子和家用电器等领域中。
半导体分立器件PPT课件
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半导体二极管
1．二极管的构成
• 由一个PN结引出线和管壳三部分构成的。 • 按照结构可分为点接触型、面接触型和硅平面开关管三类。
①
交流输入
③
输出负端
②
输出正端
④ 交流输入
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+~~ -
• 扁形全桥组件通常以靠近缺角端的引脚为正 极，另一边引线为负极，中间为交流输入极。
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• 大功率方形全桥组件： • 缺角处引脚为正极端，其对角为负极端，其余两极为交流输入端。
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（2）半桥组件
• 由两个相互独立的整流二极管组合而 成。
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2）．最大整流电流(IOM)
• 也称为额定整流电流，是二极管长期安全工作所允许通过的最大正向平均电流。 • 超过额定电流使PN结温度超过额定值而损坏。锗管80度，硅管170度。
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3）．最大反向工作电压（RUM）
• 反映了PN结的反向击穿特性. • 加到二极管两端的反向电压不允许超过最大反向工作电压。否则，整流特性变
为 （10-读数）×（9-1.5）÷10
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3）发光二极管的检测
• 用数字万用表二极管测量档，正向压降1.8V左右，并发出弱光，反向溢出不发 光。
4）光敏二极管的检测 用数字万用表电阻测量档，无光照时电阻 大于200kΩ，受光照时，阻值大大减小。
半导体器件 分立器件 、微波二极管和晶体管
半导体器件是一种能够控制和放大电流的电子器件，是现代电子技术的核心组成部分。
其中，分立器件、微波二极管和晶体管是半导体器件的重要代表。
本文将分别介绍这三种器件的特点、原理和应用。
一、分立器件1.概述分立器件是指独立存在、不与其他器件直接耦合的半导体器件，包括二极管、三极管、场效应晶体管等。
它们具有较高的工作频率和功率，广泛应用于通信、计算机、电源等领域。
2.二极管二极管是一种常见的分立器件，具有正向导通、反向截止的特性。
它主要用于整流、限流、稳压等电路中，是电子设备中不可或缺的元件。
3.三极管三极管是一种具有放大功能的分立器件，常用于放大、开关、调节信号等电路中。
它具有<状态|三种工作状态>：放大、饱和和截止，是电子技术中的重要组成部分。
二、微波二极管1.概述微波二极管是一种特殊的二极管，能够在较高频率下工作。
它具有快速开关速度、低损耗、稳定性好的特点，在微波通信、雷达、太赫兹技术等领域有广泛应用。
2.特点微波二极管具有低噪声、高增益、快速响应等特点，适用于高频信号的检测、调制和整形。
它是微波领域中不可或缺的器件之一。
3.原理微波二极管的工作原理主要涉及微波的电荷输运、电磁场的作用等，是电磁波和电子运动相互作用的产物。
三、晶体管1.概述晶体管是一种半导体器件，具有放大、开关、调节信号等功能。
它取代了真空管，是现代电子技术中的重要组成部分。
2.种类晶体管按结构可分为双极型和场效应型两大类，其中双极型晶体管常用于低频放大、中频放大等电路中，而场效应型晶体管主要用于高频放大、功率放大等领域。
3.应用晶体管广泛应用于电视、收音机、计算机、通信设备等各类电子产品中，在现代科技的发展中发挥着不可替代的作用。
结语半导体器件分立器件、微波二极管和晶体管是现代电子技术中的重要组成部分，它们在不同领域具有重要的应用价值。
随着科技的不断进步，半导体器件将会迎来更广阔的发展空间，为人类生活和工作带来更多的便利和创新。
半导体分立器件
半导体分立器件半导体分离器件是一种用于电子器件中的关键元件之一。
它广泛应用于手机、电脑、汽车、航空航天等领域，并且在许多电子产品中都起着重要的作用。
半导体分离器件是指由半导体材料构成，并且能够在电路中实现信号的切换、放大和调节等功能的器件。
其内部结构和工作原理各异，常见的半导体分离器件主要包括二极管、三极管、场效应管和集成电路等。
二极管是一种最简单的半导体分离器件，它由p型和n型半导体材料组成。
二极管具有良好的整流特性，能够将交流信号转换为直流信号。
在电子设备中，二极管常用于电源电路、放大电路和调理电路等。
三极管是一个电流放大器，由三个不同类型的半导体材料组成。
它具有放大、开关和运算等多种功能。
三极管可以通过控制其基极电流来调节其集电极电流，从而实现信号的放大和调节。
在电子设备中，三极管被广泛应用于放大器、振荡器和计时器等电路中。
场效应管是一种基于电场控制的半导体分离器件，其内部结构由栅极、源极和漏极组成。
场效应管可以通过控制栅极电压来调节漏极电流，从而实现信号的放大和调节。
场效应管具有响应速度快、功耗低和体积小等优点，在许多高频率和低功耗的电子设备中被广泛使用。
集成电路是一种将许多半导体分离器件集成到一个芯片上的技术。
它能够在一个小尺寸的芯片上实现复杂的电路功能，具有体积小、重量轻、功耗低和可靠性高等优点。
集成电路有各种类型，包括线性集成电路、数字集成电路和混合集成电路等，广泛应用于各种电子设备中。
半导体分离器件的发展为电子技术的进步做出了巨大贡献。
它不仅在通信、计算和控制等领域中发挥着重要作用，而且使得电子产品的体积不断缩小，性能不断提高。
随着科技的不断发展，半导体分离器件的功能和性能将会进一步提升，为人们带来更多便利和创新。
总而言之，半导体分离器件是电子器件中的重要组成部分，它能够实现信号的切换、放大和调节等功能。
二极管、三极管、场效应管和集成电路是常见的半导体分离器件，它们广泛应用于各种电子设备中。
半导体分立器件
半导体分立器件半导体分立器件是现代电子技术中不可或缺的组成部分。
作为半导体器件的一类，它们通过对电子的控制和调节，实现了现代电子设备的功能。
本文将从半导体分立器件的定义、原理、种类和应用等方面进行探讨。
首先，我们来了解一下半导体分立器件的定义。
半导体分立器件是指在半导体材料上加工制造的，具有单一电子功能的器件。
和集成电路不同，分立器件是独立制造的，可以单独使用，也可以组成各种电路。
分立器件的制造工艺相对简单，成本也较低，因此在各种电子设备中得到广泛应用。
半导体分立器件的工作原理基于半导体材料中载流子的运动规律。
半导体材料中的电子和空穴是载流子，它们在外加电场的作用下发生运动。
利用半导体材料的P型和N型区域之间的结合面特性，可以使得载流子只能单向流动，从而实现器件的电流控制。
半导体分立器件根据其不同的工作特性和应用需求，可以分为多种不同的类型。
其中，最常见的有二极管、晶体管、场效应管和双极型晶体管等。
首先，二极管是一种最简单的半导体分立器件。
其结构由P型和N型半导体材料组成。
当二极管处于正向偏置时，电流可以流过二极管；而当二极管处于反向偏置时，电流则被阻挡。
二极管具有整流功能，在电子设备中广泛应用于电源、放大电路和信号检测电路等。
其次，晶体管是一种具有放大功能的半导体分立器件。
它由三个或更多的半导体材料组成。
晶体管的工作原理是基于控制电流，从而实现信号放大。
晶体管广泛应用于各种放大电路、开关电路和振荡电路等电子设备中。
另外，场效应管是一种基于电场控制电流的半导体分立器件。
场效应管分为MOSFET （金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和JFET（结型场效应晶体管）两种类型。
场效应管具有低输入电流和高输入阻抗的特点，广泛应用于信号放大电路、振荡电路和开关电路中。
最后，双极型晶体管是一种具有放大和开关功能的半导体分立器件。
它由P型和N型材料制成，具有两个PN结。
双极型晶体管常用作信号放大器、开关器和振荡器等电子设备中的关键元件。
半导体 分立器件
半导体分立器件半导体是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的导电能力。
它的独特性质使其成为现代电子领域中不可或缺的重要元素。
半导体分立器件则是利用半导体材料制造的单个电子器件，其功能广泛，应用范围广泛。
首先，让我们来了解一下半导体分立器件的种类。
常见的半导体分立器件有二极管、三极管、场效应晶体管（MOSFET）、双极型晶体管（BJT）、金属-半导体场效应管（MESFET）等。
这些器件根据其工作原理和电流流动方式的不同，具有各自独特的特性和用途。
首先，二极管是最简单的半导体分立器件之一。
它由一对P型和N 型半导体材料构成，具有单向导电性。
当电压施加在二极管上时，电流可以流动，但只能在一个方向上。
这使得二极管能够用于整流、开关和保护电路等应用中。
接下来是三极管，也称为双极型晶体管。
它由三个掺杂不同的区域组成，即基区、发射区和集电区。
通过外加电压的控制，三极管可以放大电流、实现电流控制和电压放大的功能。
因此，它广泛应用于放大器、开关和逻辑电路等电子设备中。
另一种常见的半导体分立器件是场效应晶体管（FET）。
FET是一种根据绝缘栅和半导体材料之间的电荷耦合来控制电流流动的器件。
它具有低功耗、高输入阻抗和快速开关速度的特点，因此被广泛应用于放大器、开关和模拟电路等领域。
金属-半导体场效应管（MESFET）是另一种重要的半导体分立器件。
它由金属电极、半导体材料和金属门电极构成。
MESFET的特点是具有高频特性、高功率放大和快速开关速度。
因此，它常被应用于射频和微波电路、高速通信和无线网络等领域。
半导体分立器件在现代电子设备中的应用无处不在。
它们可以实现信号放大、电流控制、电压整流和信号切换等功能。
根据具体的应用需求，选择合适的半导体分立器件可以提高电路的性能和稳定性。
总之，半导体分立器件是现代电子领域中不可或缺的重要组成部分。
通过了解各种不同类型的半导体分立器件及其特点和应用，我们可以更好地理解电子器件的工作原理和设计方法。
第04章 半导体分立器件
串联限幅器的输出电压波形是输入电压波形中高于 稳压二极管击穿电压的部分，它可以用来抑制干扰 脉冲，提高电路的抗干扰能力。 并联限幅器的输出电压波形是输入电压波形中低于 稳压二极管击穿电压的部分，它可以用来整形和稳 定输出波形的幅值，还可以将输入的正弦波电压整 形为方波电压。
（3）稳压二极管的主要参数
a．稳定电压UZ
– 稳定电压UZ是指稳压二极管反向击穿后的稳定工 作电压值。
b．稳定电流IZ
– 稳定电流IZ是指工作电压等于稳定电压时的工作 电流。
（4）稳压二极管的应用
a．基准电压源
U0 R
UL
C
DZ
RL
– 所示，为利用稳压二极管提供基准电压源的电路。 交流电压经过变压器降压，桥式整流电路整流和电 容器滤波后，得到直流电压U0，再经过电阻R和稳 压管DZ组成的稳压电路接到负载上，便可得到一个 比较稳定的电压。
的电场与阻挡层原来的电场方向相同，使得阻挡层内总的电
场增强，阻挡层变宽。外加反向电压破坏了原来阻挡层内扩 散和漂移的平衡，使电场的漂移作用占了优势。因而，P区 和N区中的多数载流子的扩散运动被阻止。由于本征激发， P区中的少数载流子电子一旦运动到PN结的边界处，在电场
的作用下被拉到N区，形成电子电流。同样，N区的少数载
第4章 半导体分立器件
4.1 概 述 半导体分立器件种类繁多，通常可分为半导体 二极管、晶体三极管、功率整流器件和场效应 晶体管等。
半导体二极管又可分为普通二极管和特殊二极 管两种。普通二极管包括整流二极管、稳压二 极管、恒流二极管、开关二极管等。特殊二极 管包括肖特基势垒管（SBD）、隧道二极管 （TD）、位置显示管（PIN）、变容二极管、 雪崩二极管等。
第四部分：用多位数字表示器件在日本电子工业协 会（JEIA）的注册登记号，它不反映器件的任何特 征，但登记号数越大，表示越是近期产品。 第五部分：用字母A、B、C、D等表示这一器件是 原型号产品的改进产品。
半导体分立器件
半导体分立器件半导体分立器件是现代电子工业中非常重要的一类元器件。
它们广泛应用于各种电子设备和系统中，包括通信设备、计算机、家用电器、汽车等。
本文将详细介绍半导体分立器件的概念、分类、特性以及应用领域。
半导体分立器件是指以半导体材料为基础，通过物理或化学的方法制造出来的电子器件。
与集成电路不同，分立器件是单个器件，具有独立的电气性能和功能。
半导体分立器件广泛应用于各种电子电路中，可以实现信号放大、开关控制、信号调整等功能。
半导体分立器件可以根据其功能和结构进行分类。
主要的分类包括二极管、三极管、场效应管、光电器件等。
二极管是最简单的一种分立器件，它具有只允许电流在一个方向上通过的特性。
三极管是一种三端器件，可以实现电流放大和开关控制功能。
场效应管是一种控制输出电流的器件，其输入电阻很高，可以应用在信号放大和开关控制电路中。
光电器件可以将光信号转换为电信号，广泛应用于光通信和光电传感器等领域。
半导体分立器件具有多种特性，这些特性决定了它们在电子电路中的应用。
首先，半导体分立器件具有高速开关特性，可以快速响应输入信号并控制输出信号。
其次，它们具有高电压和高电流承载能力，可以满足不同应用场景下的需求。
第三，半导体分立器件具有低功耗和高效传输特性，可以提高电子设备的性能和效率。
此外，它们还具有稳定性好、体积小、可靠性高等优点。
半导体分立器件在各个领域都有广泛的应用。
在通信设备领域，分立器件可以实现信号放大、开关控制、滤波器等功能，用于信号的传输和处理。
在计算机领域，分立器件用于逻辑电路和存储电路中，实现数据的处理和存储。
在家用电器领域，分立器件可以应用于电源控制、电机驱动、温度控制等方面。
在汽车电子领域，分立器件可以应用于发动机控制、车载电源、车载通信等系统。
总之，半导体分立器件是现代电子工业不可或缺的一部分。
它们在各个领域中扮演着重要的角色，实现了电子设备和系统的功能和性能。
随着科技的不断进步和创新，半导体分立器件将会继续发展和应用，为人类创造更多的福利和便利。
半导体分立器件
半导体分立器件半导体分立器件是现代电子工业中不可或缺的重要组成部分。
它们在各个领域的电子设备中发挥着关键作用，例如通信、计算机、医疗器械、航空航天等。
本文将重点介绍半导体分立器件的定义、种类、应用领域和未来发展趋势。
首先，我们来了解一下什么是半导体分立器件。
半导体分立器件是指由单个半导体晶体制成的电子器件，它们能够在电路中完成信号的放大、开关、限幅、整流等功能。
根据功能不同，半导体分立器件可以分为三大类，分别是二极管、场效应晶体管和双极晶体管。
二极管是最简单的半导体分立器件之一，它由P型和N型半导体材料组成。
当施加正向偏置电压时，二极管将导通电流；而当施加反向偏置电压时，二极管处于截止状态，不导电。
二极管常用于整流、限幅和检波等电路中。
场效应晶体管是一种带有控制端的三极半导体器件。
它由源极、栅极和漏极组成。
通过控制栅极电压，可以调节源极与漏极之间的电流。
场效应晶体管在电子设备中经常用于信号放大、开关和调节等功能。
双极晶体管也是常见的半导体分立器件，由两个PN结组成。
双极晶体管的基极、发射极和集电极分别对应场效应晶体管的栅极、源极和漏极。
双极晶体管常用于信号放大、稳压和开关等电路中。
半导体分立器件在各个行业中都有着广泛的应用。
在通信领域，它们用于光通信、射频系统和调制解调器等设备中。
在计算机领域，半导体分立器件是CPU、内存、硬盘等基础组件的重要部分。
在医疗器械中，半导体分立器件用于生命监测、医学成像和治疗设备等。
在航空航天领域，半导体分立器件被广泛应用于导航、通信和传感器等系统中。
随着科技的不断进步，半导体分立器件也在不断发展。
未来，我们可以预见以下几个发展趋势。
首先，器件尺寸将进一步缩小，以实现更高的集成度和更小的体积。
其次，功耗将继续降低，以提高能源效率和延长电池寿命。
同时，半导体分立器件的工作频率也将得到提高，以满足日益增长的数据处理需求。
此外，半导体分立器件的性能也将得到进一步提升。
更好的导电性能、更高的可靠性和更低的噪声水平将成为未来的发展方向。
半导体分立器件 主要参数
半导体分立器件主要参数
半导体分立器件是一种在电路中独立使用的电子器件，主要包括二极管、晶体管、场效应管（FET）、双极性晶体管（BJT）、光电二极管等。
这些器件有许多主要参数，下面我将从多个角度来详细介绍这些参数。
1. 电压参数，包括正向导通压降、反向击穿电压等。
正向导通压降是指在正向工作状态下，器件导通时的电压降，反向击穿电压则是指在反向工作状态下，器件发生击穿时的电压值。
2. 电流参数，包括最大正向电流、最大反向电流等。
最大正向电流是指器件在正向工作状态下能够承受的最大电流值，最大反向电流是指在反向工作状态下器件能够承受的最大电流值。
3. 频率参数，包括最高工作频率等。
最高工作频率是指器件能够正常工作的最高频率，这对于高频电路设计非常重要。
4. 功率参数，包括最大耗散功率、最大耐压等。
最大耗散功率是指器件能够承受的最大功率，最大耐压是指器件能够承受的最大电压。
5. 噪声参数，包括噪声系数、噪声指数等。
噪声参数对于一些对信号质量要求较高的应用非常重要。
6. 温度参数，包括工作温度范围、温度特性等。
工作温度范围是指器件能够正常工作的温度范围，温度特性则是指器件在不同温度下的性能变化情况。
以上是半导体分立器件的一些主要参数，这些参数对于选择合适的器件、设计电路以及保证电路稳定可靠都非常重要。
希望以上回答能够满足你的要求。
半导体分立器件
半导体分立器件
1 .常用半导体分立器件及其分类 •半导体二极管 (DIODE) •双极型晶体管 (TRANSISTOR) •场效应晶体管 (FET, Field Effect Transistor ) •晶闸管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场 效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和 反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅 是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体 管。
第 一 部 分
用 字 母 表 示 材 料
符 号
A
B
C
D
R
意 锗 硅 义 材 材 料 料 ， ， 禁 禁 带 带 0.6 1.0 ~1 ~1 .0e .3e V V
砷 化 镓 材 料 ， 禁 带 >1 .3e V
锑 化 铟 材 料 ， 禁 带 <1. 3e V
复 合 材 料
第 二 部 分
用 字 母 表 示 类 型 及 主 要 特 性
1
2
3
… n-1
具有 n个有 效电 极的 器件
含 光电二极 二 义 管或三极 极
管或包括 上述器件
三极管 具有
或具有 三个电 极的其
管
的组合管
他器件
四个 有效 电极 的器 件
第 二 部 分
注 册 标 志
符 号
S
含 已经在日本电子工业协会（JEIA） 义 注册登记的半导体器件
第三 用字母 符 A 部分 表示器 号
B
U 208
器件登记号 大功率开关管 硅材料
美国半导体分立器件的型号命名 第一部分
用符号表示 器件的类别
半导体分立器件集成电路
频管(fT＜3MHz)； • ⑸ 按功率分为大功率管(Pc＞1W)、中功率
管(Pc在0.7～1W)、小功率管(Pc＜0.7W)。
三 极 管
• 2.三极管的主要参数
• ①电流放大系数 • ② 共基极电流放大系数 • ③ 极间反向电流 • ④ 频率参数 • ⑤ 极限参数
• ⑺ 双向触发二极管
• 双向触发二极管不论是正向还是反向，当 输入电压小于转折电压时，管子不通，电 流很小，一旦输入电压等于转折电压，管 子导通，电流迅速上升，呈现负阻特性。
• ⑻ LED发光二极管
• 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简 称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵 式显示屏（简称矩阵管）等。
①如果万用表指针向右偏转较明显测表明右边管脚 为集电极C，左边管脚为发射极E；
②如果万用表指针基本不摆动，则可改用手指同时 捏住基极与左边的管脚，若指针向右偏转较明显，则左 边管脚为集电极C，右边管脚为发射极E；
③如果在以上两次测量过程中万用表指针均不向右 摆动或摆动的幅度不明显，则说明万用表给被测三极管 提供的测试电压的极性接反了，应将红、黑表笔对调位 置后按上述步骤重新测试，直到将管子的C、E极区分 开为止。
主要参数
●最大整流电流 二极管长期工作时 允 许通过的最大正向电流。
●最高反向工作电压 防止击穿，反向 电压极限值。
• 3.二极管的命名方法
• ⑴国家标准规定 • 国产二极管的型号命名分为五个部分，各
部分的含义见下表。 • 第一部分用数字“2”表示主称为二极管。 • 第二部分用字母表示二极管的材料与极性。 • 第三部分用字母表示二极管的类别。 • 第四部分用数字表示序号。 • 第五部分用字母表示二极管的规格号。
半导体器件分立器件--场效应晶体管
半导体器件分立器件–场效应晶体管引言场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是一种关键的半导体分立器件，广泛应用于电子电路中。
它具有速度快、功耗低、噪声小等优势，被广泛应用于放大、开关、调节等电路中。
本文将介绍场效应晶体管的基本原理、构造和工作方式，并分析其在电子电路中的应用。
基本原理场效应晶体管是一种三极管，由源极、漏极和栅极构成。
与双极晶体管相比，它不是通过控制一个载流子流向来控制电流，而是通过改变场效应晶体管中的电场来控制载流子的流动。
当在栅极与源极之间施加一个电压，形成栅源电压（VGS）时，栅极下形成一个电场。
这个电场控制了沟道中形成的载流子，从而控制了源极到漏极之间的电流流动。
栅源电压可以正向或反向偏置，栅源电流一般非常小，可以忽略不计。
根据栅源电压的不同，场效应晶体管可以分为三种类型： - N沟道型（N-Channel）FET：当栅源电压为正时，沟道中的电子受到栅源电压的吸引，形成导电通道。
- P沟道型（P-Channel）FET：当栅源电压为负时，沟道中的电洞受到栅源电压的吸引，形成导电通道。
- 绝缘栅型（I-Channel）FET：当栅源电压为零时，晶体管处于阻断状态。
结构与工作方式场效应晶体管通常采用硅材料制造，其结构主要包括源极、漏极、栅极和沟道。
源极和漏极是两个接触电极，被用于连接外部电路。
栅极位于源极和漏极之间，用于控制电流流动。
沟道将源极和漏极连接起来，负责载流子流动。
在工作时，源极和漏极之间施加一个正向偏置电压（VDS）。
栅极与源极之间施加一个电压（VGS），通常为正向或负向偏置。
当VGS为正时，N沟道型场效应晶体管中，栅源电压吸引电子，使其通过沟道流向漏极；在P沟道型场效应晶体管中，栅源电压吸引电洞，使其通过沟道流向漏极。
当VGS为负时，晶体管会进入截止状态。
应用场效应晶体管广泛应用于电子电路中，包括放大电路、开关电路、调整电路等。
以下是场效应晶体管在不同应用中的作用：放大电路场效应晶体管可以用作信号放大的关键元件。
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4.2 半导体二极管
按其制造工艺不同，可分为点接触型二极管和面接触型二极 管。 按功能与用途不同，可包括检波二极管、整流二极管、开关 二极管，稳压二极管、敏感二极管（磁敏二极管、温度效应 二极管、压敏二极管等）、变容二极管、发光二极管、光电 二极管和激光二极管等。
4.2.2 半导体二极管的主要特性参数
表征二极管性能的参数较多，且不同类型二极管的主要参数 种类也不一样。一般常用的检波、整流二极管具有以下4个 参数：
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4.2 半导体二极管
1．最大整流电流IF
最大整流电流IF，也称二极管的额定正向工作电流，指的是 二极管长期连续正常工作时允许通过的最大正向平均电流值。 使用时，流过二极管的平均电流不能超过这个数值，否则二 极管就会发热而烧毁。
第4章 半导体分立器件
4.1 半导体分立器件的命名方法 4.2 半导体二极管 4.3 半导体三极管 4.4 场效应晶体管
4.5 晶闸管
4.1 半导体分立器件的命名方法
4.1.1 国产半导体分立器件的命名法
根据根据国家标准─半导体器件型号命名方法（GB 24974），半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见 表4-1。
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4.2 半导体二极管
二极管在电路中一般用VD表示，常见二极管的图形符号如 图4-1所示。
4.2.1 半导体二极管的分类
二极管品种很多，大小各异，仅从外观上看，较常见的有玻
璃壳二极管、塑封二极管、金属壳二极管、大功率螺栓状金 属壳二极管、微型二极管和片状二极管，如图4-2所示。
按其制造材料的不同，可分为锗管和硅管两大类，每一类又
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4.2 半导体二极管
6．单结晶体管 单结晶体管，也称双基极二极管，是由一个PN结和两个内 电阻构成的三端半导体元件。其外形与三极管相似，有3只 管脚，其中一个是发射极E，另外两个是基极：第—基极B1
和第二基极B2。单结晶体管的外形、结构、等效电路如图43所示。
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4.1 半导体分立器件的命名方法
4.1.4 日本半导体器件型号命名法
日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利 生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名
法（JIS-C-702）命名的。
日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用 到前五部分。前五部分符号及意义如表4-4所示。第六、七 部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。
的单向导电性能越好。
4．最高工作频率fM fM是指保证二极管单向导电作用的最高工作频率。由于PN
结的结电容的存在，使二极管所能应用的工作频率有一个上
限。若信号频率超过此值，管子的单向导电性将变坏。
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4.2 半导体二极管
4.2.3 几种常用半导体二极管
1．整流二极管 整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉 动直流电。整流二极管多数采用平面接触型，硅材料制成金 属封装或塑料封装的二极管，其特点是允许通过的电流比较 大，反向击穿电压比较高，但PN结的结电容比较大，一般 应用于频率不高的电路中。 2．检波二极管 检波(也称解调)二极管是利用PN结单向导电性，将高频或 中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用 在半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电 路中。检波二极管多采用点接触结构，多采用玻璃或陶瓷外 壳封装，以保证良好的高频特性。
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4.2 半导体二极管
（1）稳定电压UZ 稳定电压是指稳压二极管在起稳压作用的范围内，其两端的 反向电压值。 （2）最大工作电流IZM IZM是指稳压二极管长期正常工作时，所允许通过的最大反 向电流值。 5．变容二极管 变容二极管是利用PN结的空间电荷层具有电容特性的原理 制成的二极管。其特点是结电容随加在管子上的反向电压大 小而变化，反向电压越大，结电容越小；反向电压越小，结 电容越大。变容二极管的应用范围很广。在无线电广播和电 视设备中，通常利用变容二极管代替调谐回路和自动频率微 调电路中的可变电容。
4.1.2 国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会半导体器件型号命名方法如表4-2所示。
4.1.3 美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍 的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA） 规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表4-3所示。
2．最高反向工作电压URM 最高反向工作电压URM是指反向加在二极管两端而不致引起 PN结击穿的最大电压。使用中应选用URM大于实际工作电压 2倍以上的二极管，如果实际工作电压的峰值超过URM，二 极管将被击穿。
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4.2 半导体二极管
3．反向饱和漏电流IRM IRM指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流。 由于载流子的漂移作用，二极管截止时仍有反向电流流过 PN结，该电流受温度及反向电压的影响。IRM越小，二极管
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4.ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 半导体二极管
3．开关二极管 开关二极管就是为在电路中实现“开”或“关”二设计制造 的一类二极管。开关二极管具有单向导电的特性，在正向偏 置下导通，且导通电阻很小，约几十至几百欧；在反向偏置 下截止，且截止电阻很大，硅管在10兆欧以上，锗管也有几 十至几百千欧。利用这一特性，开关二极管在电路中对电流 起到“接通”或“关断”的开关作用。开关二极管多以玻璃 或陶瓷外壳封装，具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠 性高等特点，广泛应用在自动控制电路中。
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4.2 半导体二极管
4．稳压二极管 稳压二极管，是利用PN结反向击穿后，其端电压在一定范 围内基本保持不变的特性而制成的。稳压二极管是一种齐纳 二极管，在电路中专门用来稳定电压的。稳压二极管一般采 用硅材料制成，其封装形式有塑料封装、金属封装和玻璃封 装。目前应用较多的为塑料封装稳压二极管。 稳压二极管的主要参数是稳定电压UZ和最大工作电流IZM。