模电频率响应课件
模电频率响应ppt
低频等效电路
低频等效电路放大 倍数表达式与RC高
通电路一致
20lg(A/Aum)
0
、 -3dB
RC高通电路
A usl
1 Ausm
1 j
fl
f
1
φ
fl 2 ( Rs ri )C1
-20
20dB/十倍频
-40
-900 -1350
、
-1800
0、01fL0、1fL fL 10fL 100fL f
0、01f0L、
( )
arctan
f fH
相频特性
➢ 低通电路得幅频特性曲线
20 lg AU () 20 lg
1
f fH
2
dB
RC低通电路
AU ()
1
1
j H
1
1
j
f fH
(a)当f 0.1 fH时,AU () 0dB; AU/dB
(b)当f fH时,AU () 3dB; 0 -3dB
(c)当f 10 fH时,AU () 20dB; -20
-450
RC低通电路
AU ()
1
1
j H
1
1
j
f fH
0、1fH fH 10fH f
、-45度/十倍频
-900
RC低通电路:频率越高, 衰减越大,相移越大
波特图
• 采用对数坐标得幅频特性与相频特性图 称为波特图。
• 波特图由对数幅频特性与对数相频特性 两部分组成
• 横轴采用对数刻度lgf,幅频特性得纵轴 采用20lg|Au|表示,单位就是分贝(dB);相 频特性得纵轴仍用φ表示。
上限频
率
• 1、什么叫频率响应,它包括哪两个 部分?
模拟电子技术课件第6章 放大电路的频率响应
解放军理工大学通信工程学院
一、单管共射放大电路的频率分析
单管共射放大电路
高频响应
分析思路:
不需要考虑耦合电容的 影响—C1,C2,CE短路 需要考虑三极管的电容 效应—Cπ、C µ
解放军理工大学通信工程学院
一、单管共射放大电路的频率分析
单管共射放大电路
低频响应
分析思路: 需要考虑耦合电容的影 响—C1,C2,CE 不需要考虑三极管的电 容效应—Cπ、C µ断路
解放军理工大学通信工程学院
6.2 三极管的高频等效特性
一、晶体管的完整小信号模型
解放军理工大学通信工程学院
二、单向化的高频等效模型
C (1 | Au |)Cμ
C μ C μ
解放军理工大学通信工程学院
三、场效应管的高频等效模型
Cgs ' Cgs (1 Au )Cgd
Cds ' Cds Cgd
C2
RL Ce
+输
出
uo
信 号
-
解放军理工大学通信工程学院
高、低频信号对各种电容的影响
解放军理工大学通信工程学院
i
一、频率失真
0
t
1、幅度失真
基波 10
Ui(t)
0 t
0 t
输入电压
二次 谐波
6
0
t
三次 谐波
3
0
t
解放军理(工a)大学通信工程学院
一、频率失真
1、幅度失真
Ui(t)
0
t
输入电压
解放军理工大学通信工程学院
解放军理工大学通信工程学院
思考:中频增益的求解方法
Ausm
Ri Rs Ri
rb'e rbe
《模拟电子技术》课件第5章放大电路的频率响应
中频增益或通 带源电压增益
f
H
1 2πRC
上限频率
②高频响应和上限频率
共射放大电路
A VSH A VSM 1
1 j( f
/
fH )
RC低通电路
A VH
1
1 j( f
/
fH )
频率响应曲线变化趋势相同
幅频响应
20l g|A VSH | 20l g|A VSM |
20lg
1
1 ( f / fH )2
最大误差 -3dB
1 fH 2 πRC
fH称转折频率,上限截止 频率(上限频率),AVH(s) 的极点频率。
10
2. 低频特性
---- RC高通电路
RC高通电路
RC电路的电压增益:
AVH
Vo Vi
R
R
1
j ωC
1
1 1
j 2 πfR C
令
fL
1 2 πR
C
AVH
Vo Vi
1
1 j(fL /
f)
gmV b'e rce—c-e间的动态电阻(约100kΩ)
Cbe --发射结电容
互导
gm
iC vBE
VCE
iC vBE
VCE
2.混合等效电路中各元件的讨论: 简化模型 rce RL 略去rce
rbc
1 jω Cbc
略 去rbc
混合型高频小信号模型
晶体管的混合Π型等效电路
3.混合型等效电路的获得 低频时,混合模型与H参数模型等价
β0
1 ( f / fβ )2
的相频响应 arctg f
fβ fβ ——共发射极截止频率
【图文】模拟电子技术基础课件第15讲 放大电路的频率响应
讨论一:讨论一:时间常数分析 ' 分别考虑C1、C2、Ce、C π所确定的截止频率。
C2、Ce短路,C π开路,求出短路, ' 开路, C1、Ce短路,C π开路,求出短路, '开路, C1、C2短路, C 短路, ' 开路,开路,求出πτ 1 = ( Rs + Rb1 ∥ Rb2 ∥ rbe C1 τ2 = ( Rc + RL C2 rbe + Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 τ e = ( Re ∥ C e 1+ β C1、 C2、 Ce短路,求出短路, ' π ' τ C = [ rb'e ∥ ( rbb' + Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 ] Cπ讨论一:讨论一:电压放大倍数分析τ 1 = ( Rs + Rb1 ∥ Rb2 ∥ rbe C1 τ 2 = ( Rc + RL C2 rbe + Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 τ e = ( Re ∥ C e 1+ β ' π f L1 = 1 (2πτ 1 f L2 = 1 (2πτ 2 f L3 = 1 (2πτ e f H = 1 (2 πτ C ' π很小!很小! ' τ C = [ rb'e ∥ ( rbb' + Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 ] Cπ j3 f 3 f L1 f L2 f L3 & & Au = Aum ⋅ (1 + jf f L1 (1 + jf f L2 (1 + jf f L3 (1 + jf f H讨论二已知某放大电路的幅频特性如图所示,特性如图所示,讨论下列问题: & Au = ? 1. 该放大电路为几级放大电路该放大电路为几级放大电路? 2. 耦合方式耦合方式?3. 在 f =104Hz 时,增益下降多少?附加相移=?增益下降多少?附加相移φ’=?4. 在 f =105Hz 时,附加相移?附加相移φ’≈?5. 画出相频特性曲线;画出相频特性曲线;6. fH=?清华大学华成英 hchya@。
清华模电数电课件第14讲频率响应概述
0
f
-20 20dB/十倍频
-40
当 f fL 时,
| Au | 1
当 f fL 时,
| Au | f / fL
20lg | Au | 20lg( f / fL)
20 lg | Au | 20 lg1 0 dB
f 0.1 fL | Au | 0.1
20 lg | Au | 20dB
f 0.01 fL | Au | 0.01
(1)高通电路:信号频率越高,输出电压越接近输入电压。
.
.
I
Uo
. Ui
Uo超前Ui,当 f 0 时;Uo 0,Uo超前Ui 90。
Au
U o U i
1
R
R
jRC 1 jRC
jC
(1)高通电路:频率响应
Au
U o U i
jRC 1 jRC
令f L
1 2πRC
,则Au
j 1
f j
f
fL fL
斜率为 -20dB/十倍频程 的直线
f fH
| Au | 0.707
最大误差 -3dB
20 lg | Au | 3dB
相频响应
20 lg | AU (| dB )
arctg( f fH )
0
-20
当 f fH 时, 0
-40
当 f fH 时, 90
当 f fH 时, 45
0°
fL
f>>fL时放大 倍数约为1
Au
f fL 1 ( f fL)2
90 arctan( f fL )
(2)低通电路:
信号频率越低,输出电压越接近输入电压。
. I
当
模电课件 第五章 放大电路的频率响应.ppt
3、混合π模型的主要参数
rbe
(1
0)
UT I EQ
gm
I c U be
0 Ib
U be
0 Ib
Ib rbe
0 I EQ 1 0 UT
I EQ UT
(
为
0
低
频
段
电
流
放
大
系
数,
0
1)
从半导体器件手册中可以查得参数Cob,与Cμ近似,计算时
2019/12/4
(C C C) (5.2.1)
模电课件
0
1 j
f
f
2、 的波特图
2019/12/4
20 lg 20 lg 0 20 lg
1
f f
2
arctan f
f
20lg 0 20lg
Irbe
Ic
IC
Ub(e rg1bmeUbjeC)
1 rbe
0
rbe
jC
1
0 特殊的C j rbeC
的频率响应与低通电路相似,fβ为 的截止频率,称为共射
截止频率。
特殊的C
1
1
f 2 2 rbeC
rbb 为基区体电阻,rbe 为发射结电阻,rbc rbc ,rbe rbe 。
根据半导体物理的分析,Ic与Ube 成线性关系,与频率无关。gm为
跨导,是一个常数,表明
2019/12/4
U
be
对模I电c课的件 控制关系,Ic
g mU be。
模拟电子技术基础 第五章 频率响应PPT课件
第5章 频率响应
UCRUCRUCRsississisCrCrRbCrRbbRbebsebseesee((rr(RCrrbRbCrrbRbCbbSbeMbSeMbSeMrrrrbbrrbCbbeCbbCebebb)Ub)Ub)Ueeesss((1(1R1RRssrgsrbgrbgbmemermeRrbrRbRebeLeLUL)U)UC)CsCsbsbbeee
U1 -
Z1
Z
N
A(jω) =
U2 U1
(a)
I2 +
U2 -
Z2
图5–7 (a)原电路;
(b)等效后的电路
I1 +
U1 -
N
Z1
A(jω) =
U2 U1
第5章 频率响应
I2 +
Z2
U2
-
(b)
图5–7 (a)原电路;
(b)等效后的电路
第5章 频率响应
Z1Z1ZU11IU1I1 11UUII1111 UU 1U1UUZZ1U11ZU1UUZ1U12U2221111ZUUZ2ZZUU2UU12U2U2121212 111Z1ZAZAuZAu Au u
(5–1) (5–2a) (5–2b)
第5章 频率响应
图5–2给出了不产生线性失真的振幅频率响应和相 位频率响应,称之为理想频率响应。
|Au(jω)|
(jω)
K
0
0
ω
ω
∞ω
(a)
(b)
图5–2 (a)理想振幅频率响应;(b)理想相位频率响应
第5章 频率响应
5–1–2实际的频率特性及通频带定义 实际的振幅频率特性一般如图5–3所示。在低频和
三、高频增益表达式及上限频率
第5章 频率响应
模电第五章课件
为关简系化。分如析图,(a)我、们(b此)分处别以为RCR低C低通通电电路路为及例其来阶说跃明响应与。tfHr 的
由图经过分析可以得到,
tr
0.35 fH
因此,上升时间与上限频率fH成反比,fH
越高高频响应越好,则 tr越短,前沿失真越小。
由此可见,平顶降落与下限频率fL成正比例 关系,fL越低,平顶降落越小。
= n 20 lg Aui i 1
多级放大器的相频特性: n
1 2 n i i1
多级放大器的对数增益,等于各级对数增益 的代数和;总相位也是各级相位的代数和。
fL
fL21
f
2 L2
f
2 Ln
2.多级放大器的下限频率
fL
f
2 L1
f
2 L2
f
2 Ln
为了得到更准确的结果,在该式前面乘 以修正系数1.1,得:
者的比值在四倍以上,可取较大的值作为放
大电路的下限频率 。 fL
3. 共射基本放大器高频段源电压增益
在高频段,画出的高频段等效电路如图
高频段等效电路
用密勒定理等效 简化等效电路
经过一系列变化,可以得到
Aush
=
Ausm
1
1 j
f
fH
可知,上限频率主要由高频等效电路的 时间常数决定。
4.共射放大器完整的频率特性
根据上述讨论,可以画出幅频特性如图所示。图中,虚 线为实际幅频特性的波特图,实线为渐近幅频特性波特图, 它由两条渐近线在处转折。
相频特性由三个步骤绘出:
根据上述讨论,可以画出相频特性如图所示。图中有三
模拟电子技术基础第4章频率特性课件
共78页第5页
4.1 频率响应概述
8)每一个具体的放大电路,只对特定频段的信号能够进 行不失真的放大,因此,必须根据信号的频率范围,选 择具有与之相应的频率特性的放大电路,才能获得满意 的放大效果。 例如,一个音频信号的范围为20HZ f 20KHZ,则为了使 放大以后的信号完整地反映原有信号,所设计的放大电路
11 1
RC S
A ( j) 1 1 1
U
f
1 L 1 j L 1 j L
j
f
Low-pass network. 共78页第21页 high-pass network.
4.3 双极结型晶体管的高频等效模型
4.3.1 双极结型晶体管的混合Π型等效模型 4.3.2 双极结型晶体管混合Π型等效模型的主要参数 4.3.3 双极结型晶体管电流放大系数β的频率响应 4.3.4 双极结型晶体管混合Π型等效模型的单向化处理
为– 3dB。
共78页第12页
4.2.1 RC低通电路的频率响应
b) 相位频率响应
arctg( f / fH )
当 f<<fH :相位频率特性的渐近线为0°的直线。 当 f>>fH :相位频率特性的渐近线为-90°的直线
当 f=fH : arctg( f / fH ) 450
相位频率特性如图
j
f
1
幅值频率特性: AU ( j) 1 ( fL )2
f
相位频率特性: arctg( fL / f )
fL
1
2 RC
共78页第16页
4.2.2 RC高通电路的频率响应
2). 波特图
(模拟电子技术基础教学课件)6.频率响应01
1
jCb2
gmVgs
由前两个方程得
gm V gsg1m1j1Cs RsiRgRg j1Cb1V s
6.3.1 共源放大电路的低频响应
1. 增益的传递函数 代入第3Байду номын сангаас方程得源电压增益
A V SL V V o s R L R dR L R dj1 C b2 g 1 m1j 1 C sR s iR g R gj1 C b1
1.5 放大电路的主要性能指标—频率响应
B.频率失真(线性失真)
没有新频率产生
幅度失真: 对不同频率的信号增
益不同,产生的失真。
相位失真: 对不同频率的信号相
移不同,产生的失真。
1.5 放大电路的主要性能指标—频率响应
5. 非线性失真
由元器件非线性特性
引起的失真。
I
非线性失真系数:
t O
Vo2k
2V S 1 ——三次谐波分量 π3
1.5 放大电路的主要性能指标—频率响应
A.频率响应及带宽
在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率连续变化的稳态 响应,称为放大电路的频率响应。
电压增益可表示为
AV(j)VVoi((jj))
V V oi((jj ))[o()i()]
或写为 A VA V() ()
. RL Vo
Rs
Cs
-
6.3.1 共源放大电路的低频响应
1. 增益的传递函数 定性讨论
Cb1 g +
输入回路
1
C b1
Rg上的电压
Rsi
. + Vi Rg . Vs -
-
| Vgs |
. d Id
Cb2
+
+
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AU ( )
1 1 j
H
1 f 1 j f H
AV/dB -3dB 0 -20 -40
( b )当 f f L 时,AU ( )
用分贝表示
AU ( ) 3 dB ;
0.01fL 0.1fL
fL
10fL 100fL f
f ( c )当 f f L 时,AU ( ) 反映到对数坐标为
fL
,即 AU ( ) 随 f 的下降按比例下降。
3.1
频率响应概述
• 放大电路的频率响应是在输入正弦信号情况下,输出 随频率连续变化的稳态响应。 • 把增益的大小随频率变化的特性称为幅频特性,根据 这个特性描绘的曲线即为幅频特性曲线;把增益的相 角随频率变化的特性称为相频特性,根据这个特性描 绘的曲线即为相频特性曲线。幅频特性和相频特性统 称为频率特性,或叫做频率响应。
j j
u
i
U I
e
j (
u
i )
ze
j
XC X
L
1 j C
j 2 fC
j L j 2 fL R X
2 2
虚数符号j为可看作旋转因子, 表示逆时针旋转(超前)90°
Uo A a jb U
i
Z
1 2 R L C
2
幅频特性
f f arctan L fL f
相频特性
AU ( )
1 fL 1 f
2
RC高通电路
幅频特性
AU ( ) 1
2 fL ( dB ) f
f 增大 XC减小 UC减小 UR增大 相角改变
XC=1/(2πf C) = 1/(ωC) 电压滞后电流90°
半功率
典型的幅频特性曲线
AUM 0.707AUM
带宽BW= fH - fL
下限频率 AUMdB-0.707AUMdB=20*lgAUM-20lg(0.707AUM) =20lg(2)0.5= 10*lg2 = 3.010dB
fT 0 f
晶体管的混合π型等效电路
(P102图)
频率升高后,晶体管内部电容不可忽略,这时再用h参数 等效模型已不方便,要用混合π型等效模型。
集电结结电容
26*β/ICQ
手册提供
gm=ICQ/26
发射结结电容 Cπ=gm/2πfT
晶体管的混合π型等效电路(P102图)
26*β/ICQ
o
( b )当 f f L时, ( ) 45 ;
o
AU/dB
0 -20 -40
( c )当 f 0 . 1 f L时, ( ) 90
o
.
20dB/十倍频
RC高通电路:频率越低, 衰减越大,相移越大
0.01fL 0.1fL
fL
10fL 100fL f
相量法举例之二 RC低通电路
波特图
• 采用对数坐标的幅频特性和相频特性图 称为波特图。 • 波特图由对数幅频特性和对数相频特性 两部分组成 • 横轴采用对数刻度lgf,幅频特性的纵 轴采用20lg|Au|表示,单位是分贝(dB); 相频特性的纵轴仍用φ表示。
采用波特图的好处
1、频率范围和放大倍数所表示的范围都大大增加。
2、幅频特性曲线和相频特性曲线都可以用分段的直 线段来近似表示。
2
A
a 2 b 2
b a
复数形式放大倍数的模与频率 的关系——幅频特性 复数形式放大倍数的幅角与频 率的关系——相频特性
tg A
相量法举例之一 RC高通电路
U o ( ) AU ( ) ( ) U
H
( a )当 f 0 . 1 f H 时,AU ( ) 0 dB ; A /dB U
( b )当 f f H 时,AU ( ) 3 dB ;
-3dB 0 -20 -40
( c )当 f 10 f H 时,AU ( ) 20 dB ;
.
0.1fH fH
20 dB 十倍频
AU ( ) 1
1
L
j
1 f 1 j L f
φ 900 450 00 0.01fL 0.1fL
RC高通电路
45度/十倍频
fL ( ) arctan f
.
fL
10fL f
相频特性
( a )当 f 10 f L时, ( ) 0 ;
0
1 ( f f )
2
arctan
f f
0
1 j f f
3.2 晶体管的频率参数
0
1 ( f f )
2
arctan
f f
β=1
共射截 止频率
特征 频率
特征频率是一个重要参数,超过特征频率后, 晶体管电流放大倍数小于1,失去放大作用。
i
R R
1 RC
1 1
1 j C
1
1 1 j RC
令L
AU ( )
L
j
1 f 1 j L f
1 AU ( ) fL 1 f ( ) 90 arctan
1 ( ) U o ( ) AU U i ( ) j C R
1 RC
1 j C
1 1 j RC
令H
AU ( )
1 1 j
H
1 f 1 j f H
1 AU ( ) 2 f 1 f H f ( ) arctan f H
3、放大倍数用对数表示可以将相乘变为相加。
AU 0.01 0.0316 0.1 0.316 0.707 1 1.414 3.16 10 31.6 100
20lgAU
-40
-30
-20
-10
-3.0
0
3.0
10
20
30
40
• 取对数幅频特性后,高通 电路可近似为以fL为拐点, 频率低于fL后,每下降10 倍,增益下降20dB,即对 数幅频特性在此区间可等 效成斜率为(20dB/十倍 频)的直线。
上限频 率
• 1、什么叫频率响应,它包括哪两 个部分? • 2、幅频特性曲线的自变量和函数 分别是什么? • 3、相频特性曲线的自变量和函数 分别是什么?
研究频率响应的方法
用复频域分析方法,统一处理稳态分析和瞬态分析 传递 函数
输出响应信号的拉氏变换
A(s) Y (s) X (s) bm s
-20dB/十倍频
( d )当 f 100 f H 时,AU ( ) 40 dB ;
f 10fH
低通电路的相频特性曲线
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ ( ) arctan fH
o
RC低通电路
AU ( ) 1 1 j 1 f 1 j f H
高通电路
.
20dB/十倍频
0.01fL 0.1fL φ 900 450 00
fL 10fL 100fL
f
. 45度/十倍频
f
• 取对数幅频特性后,低通电 路可近似为以fH为拐点,频 率高于fH后,每上升10倍, 增益下降20dB,即对数幅 频特性在此区间可等效成斜 率为(-20dB/十倍频)的直 线。
课程内容
1 半导体器件
56学时 3.5学分
2 放大器分析基础
3 频率响应 4 低频功率放大器 5 负反馈放大电路 6 集成运算放大器
7 集成运算放大器的应用
8 直流电源 * 电路仿真
第3章 频率响应
3.1 频率响应概述 3.2 晶体管的频率参数
3.3 共射放大器的频率特性 3.4 多级放大电路的频率特性
利用传递函数A(S) 进行稳态分析时,令s=jω,则 A(s) =A(jω),它就是系统的频率特性,并据此画出系统的波 特图,确定相应的上下限频率。
正弦稳态电路的相量法
在频率一定时,一个交流信号的全部信息可由 其幅值和相角完全给出,因此交流放大电路中的 各个参数均可以表示为复数形式。
U Ue Z I Ie
• 而高通电路的对数相频特 性可近似为以0.1fL和10fL 为拐点的三段直线近似, 频率在两个拐点之间,每 下降10倍,相移增加45°, 而在两个拐点之外的相移 保持不变。
AU ( ) 1
1
L
j
1 f 1 j L f
AV/dB
0 -20 -40 -3dB
H
( a )当 f 0 . 1 f H 时, ( ) 0 ;
( b )当 f f H 时, ( ) 45 ;
o
φ
o
0.1fH
fH
10fH -45度/十倍频
( c )当 f 10 f H 时, ( ) 90
00 -450 -900
f
.
RC低通电路:频率越高, 衰减越大,相移越大
1
L
j
1 f 1 j L f
20 lg AU ( ) 20 lg 1