光致发光和电致发光谱课件
光致发光(PL)光谱583课件
真空泵
透镜
反射镜
滤光片
激光器
激光器电源
样品室
样品
透镜
狭缝
光电倍增管
单色仪
锁相放大器 计算机
制冷仪
图2 光致发光光谱测量装置示意图
光致发光(PL)光谱583
三、光致发光特点
1、光致发光的优点
• 光致发光分析方法的实验设备比较简单、 测量本身是非破坏性的,而且对样品的尺 寸、形状以及样品两个表面间的平行度都 没有特殊要求。
5、 GaAs材料补偿度的测定 补偿度NA/ND(ND,NA分别为施主、受主杂质浓度)
是表征材料纯度的重要特征参数。
6、少数载流子寿命的测定
光致发光(PL)光谱583
7、均匀性的研究 测量方法是用一个激光微探针扫描样品,根据样
品的某一个特征发光带的强度变化,直接显示样品的 不均匀图像。 8、位错等缺陷的研究
光致发光(PL)光谱
光致发光(PL)光谱583
一、光致发光基本原理
• 1. 定义:所谓光致发(Photoluminescence)指的是以光 作为激励手段,激发材料中的电子从而实现发 光的过程。它是光生额外载流子对的复合过程 中伴随发生的现象
光致发光(PL)光谱583
2. 基本原理:由于半导体材料对能量高于其吸收限的光 子有很强的吸收,吸收系数通常超过104cm-1,因此在 材料表面约1μm厚的表层内,由本征吸收产生了大量的 额外电子-空穴对,使样品处于非平衡态。这些额外载 流子对一边向体内扩散,一边通过各种可能的复合机构 复合。其中,有的复合过程只发射声子,有的复合过程 只发射光子或既发射光子也发射声子
光致发光(PL)光谱583
在上述辐射复合机构中,前两种属于本 征机构,后面几种则属于非本征机构。由此 可见,半导体的光致发光过程蕴含着材料结 构与组份的丰富信息,是多种复杂物理过程 的综合反映,因而利用光致发光光谱可以获 得被研究材料的多种本质信息。
电致发光ppt课件
• PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 , 区中电场增 强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增 大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结 烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本 的击穿机构有两种,即隧道击穿和雪崩击穿。
• PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一
个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。
• 制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和 外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。
• 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的 电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而 电离杂质(离子)是固定不动的 。N 型半导体中有许 多可动的负电子和固定的正离子。
• 当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半 导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导 体扩散。空穴和电子相遇而复合,载流子消失。因此 在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分 布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 。P 型 半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一边的 空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场, 这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡。
• 在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一 边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电 子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电 流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极,P 型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运 动,使空间电荷区变宽,电流不能流过。这就是PN结 的单向导电性。
• 使半导体的光电效应与PN结相结合还可 以制作多种光电器件:
– 利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可 以制造半导体激光二极管与半导体发光二极 管; – 利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可 以制成光电探测器; – 用光生伏特效应可制成太阳电池。
第9章-发光材料ppt课件
• 二、发光材料的发光特征 • 1、颜色特征
• 不同发光材料有不同的发光颜色。
材料的发光光谱(又称 发射光谱)可分为下列 三种类型:宽带、窄 带、线谱。
宽带:半宽度~ 100nm 窄带:半宽度~ 50nm 线谱:半宽度~ 0.1nm
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稀土发光材料
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• 2、发光强度特征
• 热辐射与冷光。
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5
发光材料品种很多,按激发方式发光材料可以分为:
(1)光致发光材料:发光材料在光(通常是紫外光、 红外光和可见光)照射下激发发光。
(2)电致发光材料:发光材料在电场或电流作用下 的激发发光。
(3)阴极射线致发光材料:发光材料在加速电子的 轰击下的激发发光。
(4)热致发光材料:发光材料在热的作用下的激发 发光。
电子逐渐逸出,跳回价带并发射光子。
• 具有缺陷的某些复杂的无机晶体物质,在光激发 时和光激发停止后一定时间内 (>10-8 s) 能够发光, 这些晶体成为磷光材料。
• 磷光材料的主要组成部分是基质和激活剂两部分。
用作基质的有第Ⅱ族金属的硫化物、氧化物、硒
化物、氟化物、磷酸盐、硅酸盐和钨酸盐等,如
ZnS、BaS、CaS、CaWO3、Ca3(PO4)2用来作激活
• (3)两个敏化中心被激发,把激发能按先后顺序或同 时传递给发光中心,使其中处于基态的电子跃迁到比 激发光光子的能量更高的能级,然后驰豫下来发出波 长短得多的光。
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• 四、光致发光材料的应用
• 主要用于显示、显像、照明和日常生活中。 如荧光化妆品、荧光染料等。
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第二章光致发光和电致发光的基础知识
荧光和磷光本质区别
S1
2 2 1 3 1 4 3
S1
T1
S0
4
S0
图3:荧光发射示意图
图4:磷光发射示意图
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基础光物理
激发态分子的失能过程(去活化)
振动弛豫
是指在液相或压力足够高的气相中,处于激发态的分子因碰撞将能 量以热的形式传递给周围的分子,从而从高振动级层失活至低振动 能级的过程,属于非辐射跃迁过程
系数,l-试样池的光程,c-磷光物质的浓度
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基础光物理—磷光光谱分析
磷光光谱分析
随着温度降低,分子热运动速率减慢,磷光逐渐增强。 低温磷光:溶剂要求容易提纯且在分析波长内无强吸收和发射;低温下 能形成具有足够粘度的透明刚性玻璃体,常用的溶剂EPA(乙醇:异戊 烷:乙醚=2:2:5)。低温磷光的测试在液氮条件下完成。 室温磷光:1974年克服了低温磷光所受到实验装置和溶剂的限制。
分子内电荷转移
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基础光物理—电荷转移
分子间电荷转移
与激基复合物类似,主要与给体的电离能大小和溶剂极性有关
33
基础光物理
本小节重点知识回顾
荧光与磷光产生的光物理过程 影响荧光的主要因素 了解荧光光谱与磷光光谱分析
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有机电致发光和有机半导体的基本原理
主要知识要点
无机半导体的能带和载流子
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基础光物理—激基复合物与激基缔合物
27
基础光物理—激基复合物与激基缔合物
激基复合物的形成也强烈地依赖于至少其中一种物质的浓度
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基础光物理—激基复合物与激基缔合物
如果将两个荧光发色团用非共轭的化学键连接在一起,当两个发色团间 距离合适时也可以形成激基复合物(激基缔合物),这类物质被称作分子 内激基复(缔)合物。
光致发光和电致发光
光致发光和电致发光物体依赖外界光源进行照射,从而获得能量,产生激发导至发光的现象,它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段,光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁,都经过激发态。
而能量传递则是由于激发态的运动。
紫外辐射、可见光及红外辐射均可引起光致发光。
如磷光与荧光。
产生激发态的分布按能量的高低可以分为三个区域。
低于禁带宽度的激发态主要是分立中心的激发态。
关于这些激发态能谱项及其性质的研究,涉及到杂质中心与点阵的相互作用,可利用晶体场理论进行分析。
随着这一相互作用的加强,吸收及发射谱带都由窄变宽,温度效应也由弱变强,特别是猝灭现象变强,使一部分激发能变为点阵振动。
在相互作用较强的情况下,激发态或基态都只能表示中心及点阵作为一个统一系统的状态。
通常用位形坐标曲线[1]表示。
电子跃迁一般都在曲线的极小值附近发生。
但是,近年关于过热发光的研究,证明发光也可以从比较高的振动能级起始,这在分时光谱中可得到直观的图像,反映出参与跃迁的声子结构。
接近禁带宽度的激发态是比较丰富的,包括自由激子、束缚激子及施主-受主对等。
当激发密度很高时,还可出现激子分子,而在间接带隙半导体内甚至观察到电子-空穴液滴。
激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成电磁激子(e某citonicpolariton)。
束缚激子的发光是常见的现象,它在束缚能上的微小差异常被用来反映束缚中心的特征。
在有机分子晶体中,最低的电子激发态是三重激子态,而单态激子的能量几乎是三重态激子能量的两倍。
分子晶体中的分子由于近邻同类分子的存在,会出现两种效应:“红移”(约几百cm)及“达维多夫劈裂”。
这两种效应对单态的影响都大于对三重态的影响。
能量更高的激发态是导带中的电子,包括热载流子所处的状态。
后者是在能量较高的光学激发下。
载流子被激发到高出在导带(或价带)中热平衡态的情况,通常可用电子(或空穴)温度(不同于点阵温度)描述它们的分布。
实验证明,热载流子不需要和点阵充分交换能量直至达到和点阵处于热平衡的状态即可复合发光,尽管它的复合截面较后者小。
光致发光(PL)光谱课件
图2 光致发光光谱测量装置示意图
真空泵
透镜
反射镜
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激光器电源
样品室
样品
透镜
狭缝
单色仪
光电倍增管
锁相放大器 计算机
制冷仪
三、光致发光特点
光致发光分析方法 的实验设备比较简 单、测量本身是非 破坏性的,而且对 样品的尺寸、形状 以及样品两个表面 间的平行度都没有
特殊要求。
1、光致 发光的优
在上述辐射复合机构中,前两种属于本征 机构,后面几种则属于非本征机构。由此 可见,半导体的光致发光过程蕴含着材料 结构与组份的丰富信息,是多种复杂物理 过程的综合反映,因而利用光致发光光谱 可以获得被研究材料的多种本质信息。
仪器及测试
测量半导体材料的光致发 光光谱的基本方法是,用 激发光源产生能量大于被 测材料的禁带宽度Eg、且 电流密度足够高的光子流 去入射被测样品,同时用 光探测器接受并的近带边区
该PL谱的主峰为中性施主的束缚激子峰(D0, X)。而CdTe 和Cd0.96Zn0.04Te在该区域内的主发光峰则通常为受主- 束缚激子峰(A0,X)。在Cd0.9Zn0.1Te晶体的近带边区的 PL谱除此之外,还可以看到基态自由激子峰(X1)、上偏振 带峰(Xup)以及第一激发态自由激子峰(X2)。对于质量 较差的CZT晶体,无法看到其自由激子峰(X1)和一次激发 态自由激子峰(X2)。低温PL谱可以用来比较全面的评价 CZT晶体的质量,并由此来推断晶体的探测性能。
三.硅中浅杂质的浓度测定
4、辐射效率的比较 半导体发光和激光器件要求材料具有良好的发光性能,
发光测量正是直接反映了材料的发光特性。通过光致发光光 谱的测定不仅可以求得各个发光带的强度,而且也可以的到 积分的辐射强度。在相同的测量条件下,不同的样品间可以 求得相对的辐射效率。
《电致发光》PPT课件
上市。 近年来,OEL的突破性进展,并引起产业界的高度重视,在世界范围内,已有
90多家公司在开发OEL,而且每个月都有新公司加入。 国内公司有:京东方科技集团股份有限公司、维信诺公司(南风化工集团股
份有限公司是清华大学企业集团、清华创业投资公司、咸阳彩虹集团等在北 京注册成立维信诺科技有限公司)、清华大学与彩虹集团合作已在建立1条小 试实验线、廊坊市锡丰化工有限公司、上海大学、吉林大学与有关公司合作 开发的谈判也在积极进行之中等。 这一切都表明,OLED技术正在逐步实用化,显示技术又将面临新的革命。
(4)电子在穿过发光层后,被另一侧的界面俘获。
薄膜电致发光器件一般采用交流驱动,在交流驱动情况下,
当外加电压反转时,上述4个过程重复进行,实现连续发光。
基板
透明
第 一
电极 绝
缘
层
分散型 交流电 致发光
分散型 直流电 致发光
玻璃 或柔 性塑 料板 玻璃 基板
ITO膜 ITO膜
发光层
第 二
绝
缘
层
ZnS:Cu,Cl ( 蓝 — 绿) ZnS:Cu.Al(绿) ZnS:Cu,Cl,Mn (黄 色)
膜
致发光
薄 膜 型 玻 璃 ITO膜
直流电 致发光
基板
ZnS:Mn 薄 膜
有机 电致 发光
玻璃 或柔 性塑 料板
ITO膜
空 穴 输 运 层
有机薄膜
电 子
(Alq3)
输 运
层
Al 商品化 精 细
阶段
矩阵
显示
Al 研 究 阶段
Mg Ag
电致发光课件
Fig.1 Schematic diagram of fabricated LED with surface nano-structure.
Fig.2 Fabrication processes of periodic nano-structure on LED surface by using nanoimprint lithography and reactive ion etching method; (a)spin coating resin on Ni film, (b) duplicating nano-structure on resin by pressing the mold, (c) removing backlog of resin, (d) etching Ni film by Ar plasma etching, (e) etching GaN and AlGaN film by RIE using BCl3 and Cl2 gases, (f) removing Ni film by aqueous HNO3.ACTΒιβλιοθήκη EL的缺点:单色光LED的应用
最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在 交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经 济效益和社会效益。以12英寸 的红色交通信号灯为例,在美国本 来是采用长寿命,低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流 明的白光。经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。 而在新设计的灯中,Lumileds公司采用了18个红色LED光源,包括 电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。
业界概况
在LED业者中,日亚化学是最早运用上述技术工艺研发出不同波长 的高亮度LED,以及蓝紫光半导体激光(Laser Diode;LD),是业界握 有蓝光LED专利权的重量级业者。
第二章-光致发光及电致发光的基本知识1教材
特点: 1)波长比相同物质所发出的荧光波长长(T1 < S1); 2)磷光寿命比荧光的长(10-4 10 s)—(磷光为禁阻跃迁产生,速率常数 小); 3)寿命和强度对重原子和氧敏感(自旋轨道耦合,使系间窜跃增加)。 由于磷光寿命长,T1的非辐射跃迁、碰撞失活、光化学反应几率都增加,所以 磷光较弱。
第二章理 • 荧光的产生及性质 • 磷光的产生及性质
OLED结构及工作原理
1、电子和空穴分 别从阴阳两极注入
2、电子和空穴分别 在功能层中进行迁移
3、电子和空穴在合 适的位置形成激子
4、激子在一定的 范围内进行迁移
5、激子(或将能量传 递给其它中心)发光
室温磷光的主要测试方法: I、固体基质 在室温下以固体基质(如纤维素等)吸附磷光体,可增加分子刚性、
减少三重态猝灭等非辐射跃迁,从而提高磷光量子效率。
II、重原子效应 使用含有重原子的溶剂(碘乙烷、溴乙烷)或在磷光物质中引入含有重
5) 荧光发射 处于S1的电子跃迁至基态各振动能级时,将得到最大波长的荧光。 而且不论电子开始被激发至什么高能级,最终将只发射出最大波长的 荧光。荧光的产生在10-7 - 10-9s内完成。
荧光猝灭
荧光猝灭:荧光物质分子与溶剂分子或其它溶质分子的相互作用引起 荧光强度降低的现象称为荧光猝灭。能产生荧光猝灭的原因有以下几 点:
5)荧光物质的自猝灭:在浓度较高的荧光物质溶液中,单重激发态的分子在发 生荧光之前和未激发的荧光物质分子碰撞而引起的自猝灭。
荧光激发光谱与发射光谱
1)激发光谱 改变激发波长,测量在最大发射波长处荧光强度的变化,以激发波长 对荧光强度作图可得到激发光谱。
光致发光和电致发光谱
9
(2)位形坐标图
位形坐标曲线是解释电子-声子相互作用的一种物理模型,用一个 坐标来代表离子的位置,作为横轴;纵轴表示电子-离子系统的能量, 包括电子能量和离子势能,这就是位形坐标曲线。
如图,曲线代表离子位置变化时系统的能量的改变情况,也可以 看作是电子在某一状态时离子的势能曲线。横轴是离子位置,纵轴是 能量。下面一条曲线是在基态时系统的能量随位形坐标的变化,上面 一条对应电子在激发态时系统的能量随位形坐标的变化。A到B是吸收, C到D代表发光,E是电子基态和激发态的能量差,水平短横线代表离 子的振动能级。
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下表给出了某些重要光致发光材料的量子效率,到目前为止,尚未 得到量子效率为100%的材料。
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之前我们曾假设从激发态回到基态完全是通过辐射返一途径来完成的, 实际并非如此,事实上有许多中心是根本丌发光的,
分立发光中心 被激发的电子没有离开中心而回到基态产生发光。 复合发光中心 电子被激发后离化,不空穴通过特定中心复合产生发光。
7
两种不同形式的发光
光致发光大致经历吸收、能量传递和光发射三个主要阶 段。光的吸收和发射都是发生在能级之间的跃迁,都经过激 发态,而能量传递则是由于激发态的运动,激发光辐射的能 量可直接被发光中心吸收,也可被发光材料的基质吸收。
18
光吸收的跃迁从最低振动能级 (也即 v=0,v是振动量子数)处开始的,因此在振 动波函数有最大值的R0处最可能发生跃迁。 跃迁结束在激发态抛物线的棱上,因为此处 激发态的振动能级取得最大值,此跃迁对应 于吸收带的最大。 基态偏离R0处(v>0)也会产生吸收 跃迁,但几率降低。 返样导致吸收谱具有一定的宽度。R0 处对应的吸收能量为E0,则抛物线左侧和右 侧对应能量分别高于和低于E0。 吸收谱的宽度取决于基态和激发 态抛物线最低值R的差值(△R) 位形坐标不对应的宽带吸收示意
光致发光和电致发光谱优质课件
ZnS型半导特体选课基件质吸收
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2. 始于激发态的光辐射返回基态:发光
发光材料吸收激发能将发光中心带到激发态的高 振动能级。然后,中心首先回到激发态的最低振动能 级,将多余能量传给周围离子,也可以说原子核调整 到新的激发态位置,这样原子间距离等于激发态平衡 距离,位形坐标改变了△R,此过程称为弛豫。
可观测到发光,在这种情况下发射的光子能量分别为
hv1 E2 E1 hv2 E2 E0
E6 E5 E4 E3 E2
激发过程
非辐射衰 变过程
辐射衰变过程
E1
E0 特选课件
5
(1)发光中心
进行辐射跃迁过程的实体即是发光中心,它是发光体中被激 发的电子跃迁回基态(或与空穴复合)发射出光子的特定中心。
光辐射有平衡辐射和非平衡辐射两大类,即热辐射和发 光。任何物体只要具有一定的温度,则该物体必定具有与此 温度下处于热平衡状态的辐射(红光、红外辐射)。非平衡辐 射是指在某种外界作用的激发下,体系偏离原来的平衡态, 如果物体在回复到平衡态的过程中,其多余 的能量以光辐射的形式释放出来,则称为发 光。因此发光是一种叠加在热辐射背景上的 非平衡辐射,其持续时间要超过光的振动周 期。
耦合:电子与晶格振动相互作 用。 △R反映了这种耦合的强度。
在较高温度下,起始状态也可 能是v>0的能级,这样会使吸收带 更宽。
位形坐标与对应的吸收谱
特选课件
20
基质晶格吸收
除了发光中心吸收外界能量,基质晶格也会吸收能 量,通过两种方式:
1、产生自由电子和空穴;光跃迁属于电荷跃迁类型。 2、产生电子-空穴对(激子)。
特选课件
12
光致发光和电致发光谱课件
电致发光的未来发展
1 2 3
高效节能技术 随着环保意识的提高,电致发光技术将不断向高 效节能方向发展,降低能耗,提高发光效率。
多功能化 电致发光技术将不断拓展其应用领域,如开发具 有温度、湿度、压力等多功能的电致发光器件, 满足更复杂的应用需求。
柔性化与可穿戴化 结合柔性电子技术,实现电致发光器件的柔性化 和可穿戴化,使其能够应用于可穿戴设备、智能 家居等领域。
02
光致发光和电致发光的材料
光致发光材料
光致发光材料在受到光照后,能够将吸收的光能转换为荧 光或磷光并释放出来。
光致发光材料通常由无机晶体、玻璃、陶瓷或高分子聚合 物等组成,它们能够将吸收的光能转换为较低能量的光辐 射,如荧光或磷光。这种材料广泛应用于照明、显示、生 物成像和传感等领域。
电致发光材料
发展趋势
光致发光和电致发光的发展趋势也不同,光致发光将更加注重智能化控制和与其他技术的 结合,而电致发光则将更加注重节能环保和柔性化、可穿戴化的发展。
光致发光与电致发光的比较
光致发光和电致发光虽然都是发光现 象,但它们的激发机制、光谱特性和 应用场景有所不同。
VS
光致发光是由光子激发产生的,其光 谱特性与吸收的光线波长有关;而电 致发光是由电流作用产生的,光谱特 性可以通过调节电流和电压进行控制。 光致发光通常用于荧光标记、生物成 像等领域;而电致发光则广泛应用于 显示器和照明技术。
03
光致发光和电致发光的谱线特征
光致发光谱线特征
连续光谱
温度依赖性
光致发光过程中,发射光谱通常是连 续的,这是因为发光过程中涉及的能 级差较小,导致光谱分布广泛。
光致发光谱线的强度和宽度随温度变 化,温度越高,强度越低,谱线越宽。
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光致发光和电致发光谱
2
因此,物体发光有以下两个基本特征。
1.任何物体在一定温度下都具有平衡热 辐射,而发光是指吸收外来能量发出的总辐 射中超出平衡热辐射的部分。
2.当外界激发源对材料的作用停止后,发光 还会持续一段时间,称为余辉。这是固体发光与 其他光发射现象的根本区别。一般以持续时间10-8 s为分界,短于10-8 s的称为荧光,长于10-8 s的称 为磷光。
光致发光和电致发光谱
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(2)激活和激活剂
晶体中对完整周期点阵或结构的任何偏离都是缺陷。在发光材 料的基质晶体中加入某种杂质,造成结构上的缺陷,由于这种结构 缺陷,使原来不发光或发光很微弱的材料产生发光,这种作用叫做 激活,所加入的杂质称为激活剂。
敏化剂(促进作用)
猝灭剂(削弱作用)
共激活剂
自激活(不加激活剂,因基质晶体中自身结构缺陷而产 生发光)
可观测到发光,在这种情况下发射的光子能量分别为
hv1 E2E1 hv2 E2E0
E6 E5 E4 E3 E2
激发过程
非辐射衰 变过程
辐射衰变过程
E1
光E致0发光和电致发光谱
6
(1)发光中心
进行辐射跃迁过程的实体即是发光中心,它是发光体中被激 发的电子跃迁回基态(或与空穴复合)发射出光子的特定中心。
发光体吸收外界的能量以后,经过传输、转换等一系列过 程,最后以光的形式发射出来。光的发射对应着电子在某些能 级之间的跃迁。如果所涉及的能级是属于一定的离子、离子团 或分子时,这种离子、离子团或分子就称为发光中心。
分立发光中心 被激发的电子没有离开中心而回到基态产生发光。
复合发光中心 电子被激发后离化,与空穴通过特定中心复合产生发光。
在第二种情况下,基质吸收光能,在基质中形成电子空 穴对,他们可能在晶体中运动,或被束缚在各个发光中心上, 电子与空穴复合而引起发光,这种发光叫做复合发光。
光致发光和电致发光谱
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当发光中心离子处于基质的能带中时,会形成一个局域 能级,处在基质导带和价带之间,即位于基质的禁带中。不 同的基质结构,发光中心离子在禁带中形成的局域能级的位 置部同.从而在光激发下.会产生不同的跃迁、导致不同的 发光色。
光致发光和电致发光谱
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两种不同形式的发光
光致发光大致经历吸收、能量传递和光发射三个主要阶 段。光的吸收和发射都是发生在能级之间的跃迁,都经过激 发态,而能量传递则是由于激发态的运动,激发光辐射的能 量可直接被发光中心吸收,也可被发光材料的基质吸收。
在第一种情况下,发光中心吸收能量向较高能级跃迁, 随后跃迁回到较低能级或基态能级而产生发光。
在基态时系统的能量随位形坐标的变化,上面一条对应电子在激
发态时系统的能量随位形坐标的变化。A到B是吸收,C到D代表发
光,E是电子基态和激发态的能量差,水平短横线代表离子的振动
能级。
光致发光和电致发光谱
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(4)吸收光谱(Absorption spectrum)
吸收光谱是描述吸收系数随入射光波长变化的谱图,发光材料 对光的吸收遵循
从量子力学理论上,这一过程可以描述为物质吸收光 子跃迁到较高能级的激发态后返回低能态,同时放出光子 的过程。光致发光是多种形式的荧光(Fluorescence)中 的一种。
光致发光和电致发光谱
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1.2 光致发光的基本原理
设一系统的能级结构如图,E0为基态能量,E1-E6为激发态,受到 激发后,若系统从能级E0跃迁到E5,由于从E2-E5能级间相距很近,可 通过非辐射性级联过程发射声子,由E5能级降到E2能级,从E2到E1或E0 的能级间距较大,则可能通过发射光子的辐射性跃迁来完成,这时就
光致发光和电致发光谱
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(6)发射光谱(光致发光谱 / Emission spectrum)
发射光谱是指发光材料在某一特定波长光的激发下, 所发射的不同波长光的强度或能量分布。
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(5)激发光谱(Excitation spectrum)
激发光谱是指发光材料在不同波长光的激发下,该 材料的某一发光谱线和谱带的强度或发射效率与激发 波长的关系。
激发光谱反应了不同波长的光激发材料的效果。 根据激发光谱可以确定激发该发光材料使其发光所需 的激发光波长范围,并可以确定某发射谱线强度最大 时的最佳激发光波长。激发光谱对分析发光的激发过 程具有重要意义。
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一. 光 致 发 光 谱
1 光致发光发光基本原理
2 光致发光光谱的实验装置及方法
3 光致发光的应用
光致发光和电致发光谱
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11.. 光致发光的基本原理
1.1 光致发光的定义
所谓光致发光(Photoluminescence简称PL),是指物体 依赖外界光源进行照射,从而获得能量,产生激发导至发光 的现象。也指物质吸收光子(或电磁波)后重新辐射出光子 (或电磁波)的过程。
I( λ) =I( 0 λ) eKX
式中 I(0 λ ) ——波长为A的人射光的初始强度; I(λ) ——入射光通过厚度为x的发光材料后的强度;
K ——不随光强但随波长变化的一个系数,称为吸收系数。
发光材料的吸收光谱主要决定于材料的基质,而激活剂和 其他杂质对吸收光谱也有一定的影响。被吸收的光能一部分辐 射发光,一部分能量以晶格振动等非辐射方式消耗掉。大多数 发光材料主吸收带在紫外光谱区。发光材料的紫外吸收光谱可 由紫外-可见分光光度计来测量。
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(3)位形坐标图
位形坐标曲线是解释电子-声子相互作用的一种物理模型,用 一个坐标来代表离子的位置,作为横轴;纵轴表示电子-离子系统的 能量,包括电子能量和离子势能,这就是位形坐标曲线。
如图,曲线代表离子位置变化时系统的能量的改变情况,也
可以看作是电子在某一状态时离子的势能曲线。下面一条曲线是
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光致发光和电致发光谱
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光辐射有平衡辐射和非平衡辐射两大类,即热辐射和发 光。任何物体只要具有一定的温度,则该物体必定具有与此 温度下处于热平衡状态的辐射(红光、红外辐射)。非平衡辐 射是指在某种外界作用的激发下,体系偏离原来的平衡态, 如果物体在回复到平衡态的过程中,其多余 的能量以光辐射的形式释放出来,则称为发 光。因此发光是一种叠加在热辐射背景上的 非平衡辐射,其持续时间要超过光的振动周 期。