存储器实验报告
存储器管理实验实验报告
存储器管理实验实验报告一、实验目的存储器管理是操作系统的重要组成部分，本次实验的目的在于深入理解存储器管理的基本原理和方法，通过实际操作和观察，掌握存储器分配与回收的算法，以及页面置换算法的实现和性能评估。
二、实验环境本次实验使用的操作系统为 Windows 10，编程语言为 C+＋，开发工具为 Visual Studio 2019。
三、实验内容与步骤（一）存储器分配与回收算法实现1、首次适应算法（1）原理：从空闲分区链的首地址开始查找，找到第一个满足需求的空闲分区进行分配。
（2）实现步骤：建立空闲分区链表，每个节点包含分区的起始地址、大小和状态（已分配或空闲）。
当有分配请求时，从链表头部开始遍历，找到第一个大小满足需求的空闲分区。
将该分区进行分割，一部分分配给请求，剩余部分仍作为空闲分区留在链表中。
若找不到满足需求的空闲分区，则返回分配失败。
2、最佳适应算法（1）原理：从空闲分区链中选择与需求大小最接近的空闲分区进行分配。
（2）实现步骤：建立空闲分区链表，每个节点包含分区的起始地址、大小和状态。
当有分配请求时，遍历整个链表，计算每个空闲分区与需求大小的差值。
选择差值最小的空闲分区进行分配，若有多个差值相同且最小的分区，选择其中起始地址最小的分区。
对选中的分区进行分割和处理，与首次适应算法类似。
3、最坏适应算法（1）原理：选择空闲分区链中最大的空闲分区进行分配。
（2）实现步骤：建立空闲分区链表，每个节点包含分区的起始地址、大小和状态。
当有分配请求时，遍历链表，找到最大的空闲分区。
对该分区进行分配和处理。
（二）页面置换算法实现1、先进先出（FIFO）页面置换算法（1）原理：选择在内存中驻留时间最久的页面进行置换。
（2）实现步骤：建立页面访问序列。
为每个页面设置一个进入内存的时间戳。
当发生缺页中断时，选择时间戳最早的页面进行置换。
2、最近最久未使用（LRU）页面置换算法（1）原理：选择最近一段时间内最长时间未被访问的页面进行置换。
存储器扩展仿真实验报告
一、实验目的1. 理解存储器扩展的基本原理和方法。
2. 掌握位扩展和字扩展的技巧。
3. 利用仿真软件实现存储器扩展，并验证其功能。
二、实验环境1. 仿真软件：Logisim2. 硬件设备：电脑三、实验原理1. 存储器扩展的基本原理存储器扩展是指将多个存储器芯片组合在一起，以实现更大的存储容量或更高的数据位宽。
存储器扩展主要有两种方式：位扩展和字扩展。
（1）位扩展：当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时，可以通过位扩展方式解决。
位扩展时，将所有存储芯片的地址线、读写控制线并联后与CPU的地址线和读写控制线连接，各存储芯片的数据总线汇聚成更高位宽的数据总线与CPU的数据总线相连。
（2）字扩展：当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时，可以通过字扩展方式来扩展存储器。
字扩展时，将所有存储芯片的数据总线、读写控制线各自并联后与CPU数据总线、读写控制线相连，各存储芯片的片选信号由CPU高位多余的地址线译码产生。
2. 存储器扩展的方法（1）位扩展：选择合适的存储芯片，将多个存储芯片的数据总线并联，连接到CPU的数据总线上。
（2）字扩展：选择合适的存储芯片，将多个存储芯片的数据总线、读写控制线分别并联，连接到CPU的数据总线和读写控制线上。
同时，使用译码器产生片选信号，连接到各个存储芯片的片选端。
四、实验步骤1. 创建一个新的Logisim项目。
2. 在项目中添加以下模块：（1）存储芯片模块：选择合适的存储芯片，如RAM或ROM。
（2）译码器模块：根据存储芯片的数量和地址线的位数，选择合适的译码器。
（3）数据总线模块：根据位扩展或字扩展的要求，设置数据总线的位数。
（4）地址线模块：根据存储芯片的数量和地址线的位数，设置地址线的位数。
3. 连接各个模块：（1）将存储芯片的数据总线连接到数据总线模块。
（2）将存储芯片的地址线连接到地址线模块。
（3）将译码器的输出连接到各个存储芯片的片选端。
（4）将存储芯片的读写控制线连接到CPU的读写控制线上。
随机存储器实验报告
一、实验目的1. 掌握随机存储器（RAM）的工作原理及特性。
2. 熟悉RAM的读写操作过程。
3. 了解RAM在计算机系统中的应用。
二、实验原理随机存储器（RAM）是一种易失性存储器，其特点是读写速度快、价格低廉。
RAM 中的数据在断电后会被丢失，因此常用于存储临时数据和程序。
RAM的基本结构由存储单元、地址译码器、读写控制电路和数据总线组成。
地址译码器根据地址信号选择相应的存储单元，读写控制电路控制数据的读写操作，数据总线用于数据的传输。
三、实验仪器与设备1. 计算机一台2. 随机存储器芯片（如6116）3. 数据开关4. 信号灯5. 逻辑分析仪（可选）四、实验内容与步骤1. 搭建实验电路（1）将随机存储器芯片插入计算机扩展槽或使用实验箱。
（2）连接数据开关、信号灯和逻辑分析仪（如有）。
（3）根据实验要求连接地址译码器和读写控制电路。
2. 读写操作（1）编写程序，向RAM中写入数据。
（2）观察信号灯或使用逻辑分析仪查看写入数据的过程。
（3）读取RAM中的数据，观察信号灯或使用逻辑分析仪查看读取数据的过程。
3. 实验验证（1）验证RAM的读写速度。
（2）验证RAM的数据是否正确。
（3）验证RAM的容量。
五、实验结果与分析1. 读写速度通过实验验证，RAM的读写速度较快，满足计算机系统对数据传输速度的要求。
2. 数据正确性通过观察信号灯或使用逻辑分析仪，验证RAM写入和读取的数据一致，说明数据正确。
3. 容量通过实验验证，RAM的容量与芯片标称容量一致。
六、实验总结本次实验成功实现了随机存储器的读写操作，验证了RAM的工作原理和特性。
通过实验，我们掌握了以下知识点：1. 随机存储器（RAM）的工作原理及特性。
2. RAM的读写操作过程。
3. RAM在计算机系统中的应用。
七、思考与改进1. 可以尝试使用不同类型的RAM芯片，比较其性能差异。
2. 可以研究RAM的优化设计，提高读写速度和容量。
3. 可以将实验扩展到其他类型的存储器，如只读存储器（ROM）和闪存（Flash）。
计算机组成原理实验报告6-存储器EM实验（推荐5篇）
计算机组成原理实验报告6-存储器EM实验（推荐5篇）第一篇：计算机组成原理实验报告6-存储器EM实验2.6 存储器EM实验姓名：孙坚学号：134173733班级：13计算机日期：2015.5.29一．实验要求：利用CPTH 实验仪上的K16..K23 开关做为DBUS 的数据，其它开关做为控制信号，实现程序存储器EM 的读写操作。
二．实验目的：了解模型机中程序存储器EM 的工作原理及控制方法。
三．实验电路：存储器EM 由一片6116RAM 构成，是用户存放程序和数据的地方。
存储器EM 通过一片74HC245 与数据总线相连。
存储器EM 的地址可选择由PC或MAR 提供。
存储器EM 的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS 的数据还可以来自一片74HC245。
当ICOE 为0 时，这片74HC245 输出中断指令B8。
EM原理图连接线表四．实验数据及步骤：实验1：PC/MAR 输出地址选择置控制信号为：以下存贮器EM实验均由MAR提供地址实验2：存储器EM 写实验将地址0 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H 置控制信号为：按STEP键, 将地址0 写入MAR将数据11H写入EM[0]二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据11H 置控制信号为：按STEP键, 将数据11H写入EM[0]将地址1 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H 置控制信号为：按STEP键, 将地址1 写入MAR将数据22H写入EM[1]二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据22H 置控制信号为：按STEP键，将数据22H写入EM[1]实验3：存储器EM 读实验将地址0 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H 置控制信号为：按STEP键, 将地址0 写入MAR读EM[0]置控制信号为：EM[0]被读出：11H将地址1写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H 置控制信号为：按STEP键，将地址0写入MAR读EM[1]置控制信号为：EM[1]被读出：22H实验4：存储器打入IR指令寄存器/uPC实验将地址0写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H 置控制信号为：按STEP键，将地址0写入MAR读EM[0]，写入IR及uPC置控制信号为：EM[0]被读出：11H 按STEP键，将EM[0]写入IR及uPC，IR=11H，uPC=10H将地址1写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H 置控制信号为：按STEP键，将地址1写入MAR读EM[1]，写入IR及uPC置控制信号为：EM[1]被读出：22H 按STEP键，将地址EM[1]写入IR及uPC，IR=22H，uPC=20H实验5：使用实验仪小键盘输入EM1．连接J1，J22．打开电源3．按TV/ME键，选择EM4．输入两位地址，00 5．按NEXT，进入程序修改6．按两位程序数据7．按NEXT选择下个地址/按LAST选择上个地址8．重复6，7 步输入程序 9．按RST结束五．心得体会：通过此次实验，我了解了模型机中程序存储器EM 的工作原理及控制方法。
储存器实验报告
储存器实验报告储存器实验报告一、引言储存器是计算机中重要的组成部分，它用于存储和读取数据。
在计算机科学领域，储存器的设计和性能对计算机的运行速度和效率有着重要的影响。
本实验旨在通过设计和实现一个简单的储存器，来深入了解储存器的工作原理和性能指标。
二、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类；2. 掌握储存器的存储原理和读写操作；3. 分析和评估储存器的性能指标。
三、实验过程1. 储存器的分类储存器按照存储介质的不同可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
RAM是一种易失性存储器，它可以随机读写数据。
ROM则是一种非易失性存储器，主要用于存储固定的程序和数据。
2. 储存器的存储原理储存器的存储原理是通过电子元件的状态来表示数据的存储状态。
在RAM中，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。
当电容充电时表示存储单元存储的是1，当电容放电时表示存储单元存储的是0。
在ROM中，存储单元由一组可编程的开关组成，每个开关的状态决定了存储单元存储的数据。
3. 储存器的读写操作储存器的读操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要读取的存储单元，然后将存储单元的数据输出。
储存器的写操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要写入的存储单元，然后将要写入的数据输入。
四、实验结果在实验中，我们设计并实现了一个8位的RAM储存器。
通过对储存器进行读写操作，我们成功地将数据存储到储存器中，并成功地从储存器中读取数据。
实验结果表明，储存器的读写操作是可靠和有效的。
五、实验分析1. 储存器的性能指标储存器的性能指标包括存储容量、存取时间和存储器的可靠性。
存储容量是指储存器可以存储的数据量，通常以位或字节为单位。
存取时间是指从发出读写指令到数据可以被读取或写入的时间间隔。
存储器的可靠性是指储存器的故障率和故障恢复能力。
2. 储存器的应用储存器广泛应用于计算机、手机、平板电脑等电子设备中。
在计算机中，储存器用于存储程序和数据，是计算机的核心组件之一。
计组存储器实验实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 理解存储器的基本组成和工作原理；2. 掌握存储器的读写操作过程；3. 熟悉存储器芯片的引脚功能及连接方式；4. 了解存储器与CPU的交互过程。
二、实验环境1. 实验设备：TD-CMA计算机组成原理实验箱、计算机；2. 实验软件：无。
三、实验原理1. 存储器由地址线、数据线、控制线、存储单元等组成；2. 地址线用于指定存储单元的位置，数据线用于传输数据，控制线用于控制读写操作；3. 存储器芯片的引脚功能：地址线、数据线、片选线、读线、写线等；4. 存储器与CPU的交互过程：CPU通过地址线访问存储器，通过控制线控制读写操作，通过数据线进行数据传输。
四、实验内容1. 连线：按照实验原理图连接实验箱中的存储器芯片、地址线、数据线、控制线等；2. 写入操作：将数据从输入单元IN输入到地址寄存器AR中，然后通过控制线将数据写入存储器的指定单元；3. 读取操作：通过地址线指定存储单元，通过控制线读取数据，然后通过数据线将数据输出到输出单元OUT；4. 实验步骤：a. 连接实验一（输入、输出实验）的全部连线；b. 按实验逻辑原理图连接两根信号低电平有效信号线；c. 连接A7-A0 8根地址线；d. 连接13-AR正脉冲有效信号线；e. 在输入数据开关上拨一个地址数据（如00000001，即16进制数01H），拨下开关，把地址数据送总线；f. 拨动一下B-AR开关，实现0-1-0”，产生一个正脉冲，把地址数据送地址寄存器AR保存；g. 在输入数据开关上拨一个实验数据（如10000000，即16进制数80H），拨下控制开关，把实验数据送到总线；h. 拨动控制开关，即实现1-0-1”，产生一个负脉冲，把实验数据存入存储器的01H号单元；i. 按表2-11所示的地址数据和实验数据，重复上述步骤。
五、实验结果与分析1. 通过实验，成功实现了存储器的读写操作；2. 观察到地址线、数据线、控制线在读写操作中的协同作用；3. 理解了存储器芯片的引脚功能及连接方式；4. 掌握了存储器与CPU的交互过程。
计算机网络体系结构实验报告-存储器实验
存储器实验报告一、实验箱实验部分1.实验目的：(1)理解随机静态存储的原理(2)熟悉实验箱的静态存储操作以及电路的搭建方式2.实验设备：TD-CMA实验箱3.实验过程(1)按照电路图连接好电路(2)进行实验操作：预备操作①时序与操作台单元的KK1、KK3置“运行”档，KK2置为“单步”档；②将CON单元的IOR开关置1（IN单元无输出，避免总线竞争），然后再打开电源开关，如果听到有长鸣的“嘀”声，说明总线竞争，需要立即关闭电源，检查连线；③按动CON单元CLR按钮，将运算器当前数据（例如：寄存器A、B及FC、FZ）清零；设置存储地址①关闭存储器读写数据信号：WR、RD;②设置数据送到存储器地址线：IOR置0;③IN单元D7…D0形成一个8位二进制数地址，设置地址输入控制信号LDAR，将选取一个指定的地址单元，按动ST产生T3脉冲，指定地址被放入地址寄存器（AR）中；向（从）指定的地址单元存（取）数据①存即写数据：IN单元D7…D0形成一个数据，设置数据写入控制信号IOR=1、WR=1、RD=0，按动ST产生T3脉冲，数据存入指定的存储单元中；②取即读数据：设置数据写入控制信号IOR=1、WR=0、RD=1，数据总线上的数据即为从指定的存储单元中取出的数据。
4.结果描述：(1)将8位数据存入指定的地址后，将WR置零，RD置1，可以看到数据显示。
(2)地址和数据的区别：地址和数据都为二进制数据，地址是了数据放置的位置，根据选择不同的地址可以看到存储在不同地址的不同数据。
(3)读写逻辑的转换过程：先选取地址，设定数据存入该地址，再选取地址读取数据、(4)位扩展和字扩展原理图如下：二、存储器仿真实验部分1.实验目的：(1) 理解存储器的功能。
(2) 掌握运用Proteus 软件设计ROM 和RAM 的方法。
(3) 基于Proteus 仿真工具掌握存储器与总线的连接及存储器地址空间映射的原理。
(4) 通过8 位字长的存储器电路，实现对ROM 和RAM 存储器的数据读写操作。
储存器实验报告
一、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类。
2. 掌握储存器的读写原理和操作方法。
3. 学会使用常用储存器芯片，如RAM、ROM等。
4. 熟悉储存器的扩展方法，如字扩展、位扩展等。
二、实验仪器与设备1. 实验台2. 信号发生器3. 数字示波器4. 静态随机存储器（RAM）芯片5. 只读存储器（ROM）芯片6. 译码器7. 74LS系列集成电路芯片8. 连接线三、实验原理1. 储存器的基本概念：储存器是计算机系统中用于存放数据和指令的设备，分为内存储器和外存储器。
内存储器包括RAM和ROM，外存储器包括硬盘、光盘等。
2. 储存器的读写原理：储存器的读写操作主要依靠控制电路来实现。
控制电路根据地址信号选择相应的存储单元，并根据读写信号决定是读取数据还是写入数据。
3. 常用储存器芯片：（1）RAM：随机存取存储器，具有读写速度快、存储容量大、价格低等特点。
RAM 分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种类型。
（2）ROM：只读存储器，只能读取数据，不能写入数据。
ROM分为掩模ROM、可编程ROM（PROM）、可擦写可编程ROM（EPROM）和闪存（Flash）等类型。
四、实验步骤1. 储存器读写原理实验：（1）搭建实验电路，包括RAM芯片、地址译码器、控制电路等。
（2）使用信号发生器产生地址信号、读写信号和控制信号。
（3）观察数字示波器上的波形，分析读写操作过程。
2. 储存器扩展实验：（1）字扩展：使用多个RAM芯片扩展存储容量。
将多个RAM芯片的地址线和控制线连接在一起，数据线分别连接。
（2）位扩展：使用译码器将地址信号转换为片选信号，控制多个RAM芯片的读写操作。
将译码器的输出端连接到RAM芯片的片选端，地址信号连接到译码器的输入端。
3. 基于AT89C51的RAM扩展实验：（1）搭建实验电路，包括AT89C51单片机、RAM芯片、译码器等。
（2）编写程序，设置RAM芯片的地址、读写信号和控制信号。
存储器读写和总线控制实验报告
存储器读写和总线控制实验报告目录一、实验目的 (2)1.1 熟悉存储器的基本概念和工作原理 (2)1.2 掌握存储器的基本读写操作 (4)1.3 理解总线控制系统的作用和原理 (5)二、实验设备 (6)2.1 存储器模块 (7)2.2 总线控制单元 (8)2.3 示波器 (10)2.4 逻辑分析仪 (11)2.5 计算机调试软件 (12)三、实验原理 (13)3.1 存储器的结构及读写机制 (14)3.2 总线控制的基本概念及组成 (15)3.3 实验中的关键信号和时序 (16)四、实验步骤 (18)4.1 连接实验设备 (19)4.2 加载存储器读操作程序 (21)4.3 观察并记录存储器读操作的时序和信号波形 (22)4.4 加载存储器写操作程序 (23)4.5 观察并记录存储器写操作的时序和信号波形 (24)4.6 调试和优化总线控制单元 (26)4.7 执行完整流程并检查读写数据的一致性 (27)五、实验结果与分析 (27)5.1 存储器读操作的实验结果及数据分析 (29)5.2 存储器写操作的实验结果及数据分析 (30)5.3 总线控制单元的调试效果及实验结果 (31)5.4 实验中遇到的问题与解决方案 (32)六、实验结论与建议 (34)6.1 实验总结 (35)6.2 改进建议 (36)6.3 未来研究 (37)一、实验目的本次实验的主要目的是通过实践操作，深入理解和掌握存储器的基本工作原理、读写操作以及总线控制的基本概念和实现方法。
本实验旨在：理解存储器的分类及其特点，包括只读存储器（ROM）、随机存取存储器（RAM）等。
掌握存储器的寻址方式、存储单元的访问规则以及数据读取写入的基本流程。
学习并实践总线的通信协议，包括信号线的分组、时序控制以及冲突检测与解决。
通过实际操作，培养动手能力和解决问题的能力，加深对计算机系统底层工作的认识。
1.1 熟悉存储器的基本概念和工作原理在实施存储器读写和总线控制实验之前，首先需要对存储器的基本概念和工作原理有一个清晰的认识。
存储器扩展实验报告
一、实验目的1. 了解存储器的结构及其与CPU的连接方式。
2. 掌握存储器的位扩展、字扩展和字位扩展方法。
3. 通过实际操作，加深对存储器扩展原理的理解，提高动手实践能力。
二、实验原理存储器扩展是计算机硬件设计中常见的技术，目的是为了满足系统对存储容量的需求。
存储器扩展主要分为位扩展、字扩展和字位扩展三种方式。
1. 位扩展：当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时，可以通过位扩展来解决。
位扩展是将多个存储芯片的数据总线并联，形成一个更高位宽的数据总线，与CPU的数据总线相连。
2. 字扩展：当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时，可以通过字扩展来解决。
字扩展是将多个存储芯片的数据总线、读写控制线并联，形成一个更大容量的存储器，与CPU的数据总线、读写控制线相连。
3. 字位扩展：字位扩展是位扩展和字扩展的结合，既能扩展存储容量，又能扩展数据位宽。
三、实验设备1. 实验箱2. 逻辑分析仪3. 逻辑门电路4. 实验指导书四、实验步骤1. 搭建存储器扩展电路（1）根据实验要求，选择合适的存储芯片，如SRAM、ROM等。
（2）根据存储芯片的规格，确定存储器的容量、数据位宽和地址线位数。
（3）根据存储器的容量和位宽，计算所需的存储芯片数量。
（4）搭建存储器扩展电路，包括存储芯片、地址译码器、数据线、读写控制线等。
2. 仿真实验（1）使用逻辑分析仪观察存储器扩展电路的信号波形。
（2）通过实验指导书提供的测试程序，对存储器进行读写操作。
（3）观察逻辑分析仪的信号波形，分析存储器扩展电路的工作情况。
3. 分析实验结果（1）根据实验结果，验证存储器扩展电路是否满足实验要求。
（2）分析存储器扩展电路的优缺点，提出改进措施。
五、实验结果与分析1. 实验结果通过实验，搭建了存储器扩展电路，实现了存储器的位扩展、字扩展和字位扩展。
逻辑分析仪的信号波形显示，存储器扩展电路工作正常，满足实验要求。
2. 实验分析（1）位扩展：通过位扩展，实现了存储器数据位宽的增加，满足了CPU对数据位宽的要求。
操作系统实验报告三存储器管理实验
操作系统实验报告三存储器管理实验操作系统实验报告三：存储器管理实验一、实验目的本次存储器管理实验的主要目的是深入理解操作系统中存储器管理的基本原理和方法，通过实际操作和观察，掌握内存分配与回收的算法，以及页面置换算法的工作过程和性能特点，从而提高对操作系统资源管理的认识和实践能力。
二、实验环境本次实验使用的操作系统为 Windows 10，编程语言为 C+＋，开发工具为 Visual Studio 2019。
三、实验内容1、内存分配与回收算法实现首次适应算法（First Fit）最佳适应算法（Best Fit）最坏适应算法（Worst Fit）2、页面置换算法模拟先进先出页面置换算法（FIFO）最近最久未使用页面置换算法（LRU）时钟页面置换算法（Clock）四、实验原理1、内存分配与回收算法首次适应算法：从内存的起始位置开始，依次查找空闲分区，将第一个能够满足需求的空闲分区分配给进程。
最佳适应算法：在所有空闲分区中，选择能够满足需求且大小最小的空闲分区进行分配。
最坏适应算法：选择空闲分区中最大的分区进行分配。
2、页面置换算法先进先出页面置换算法：选择最早进入内存的页面进行置换。
最近最久未使用页面置换算法：选择最近最长时间未被访问的页面进行置换。
时钟页面置换算法：给每个页面设置一个访问位，在页面置换时，从指针指向的页面开始扫描，选择第一个访问位为0 的页面进行置换。
五、实验步骤1、内存分配与回收算法实现定义内存分区结构体，包括分区起始地址、大小、是否已分配等信息。
实现首次适应算法、最佳适应算法和最坏适应算法的函数。
编写测试程序，创建多个进程，并使用不同的算法为其分配内存，观察内存分配情况和空闲分区的变化。
2、页面置换算法模拟定义页面结构体，包括页面号、访问位等信息。
实现先进先出页面置换算法、最近最久未使用页面置换算法和时钟页面置换算法的函数。
编写测试程序，模拟页面的调入和调出过程，计算不同算法下的缺页率，比较算法的性能。
存储器_实验报告
一、实验目的1. 了解存储器的基本概念、分类和结构；2. 掌握存储器的读写操作方法；3. 熟悉存储器的性能指标和特点；4. 通过实验加深对存储器原理和应用的理解。
二、实验内容1. 存储器分类及结构2. 存储器读写操作3. 存储器性能指标4. 存储器应用案例分析三、实验原理存储器是计算机系统中用于存储数据和指令的设备，是计算机系统的重要组成部分。
存储器按功能分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和高速缓存（Cache）等类型。
RAM具有读写速度快、容量大、价格低等特点，适用于存储程序和数据；ROM具有非易失性、读写速度慢、容量小等特点，适用于存储程序和固定数据；Cache具有速度快、容量小、价格高、成本高、功耗大等特点，适用于存储频繁访问的数据。
四、实验步骤1. 存储器分类及结构实验（1）观察存储器的外观和结构，了解存储器的引脚功能和连接方式；（2）使用示波器观察存储器的读写操作过程，分析存储器的读写原理；（3）总结存储器的分类和结构特点。
2. 存储器读写操作实验（1）编写程序，实现存储器的读写操作；（2）观察读写操作过程中的数据变化，分析读写原理；（3）验证读写操作的正确性。
3. 存储器性能指标实验（1）测量存储器的读写速度、容量、功耗等性能指标；（2）分析性能指标对存储器应用的影响；（3）总结存储器性能指标的特点。
4. 存储器应用案例分析实验（1）分析存储器在计算机系统中的应用场景；（2）了解存储器在计算机系统中的作用和重要性；（3）总结存储器在计算机系统中的应用价值。
五、实验结果与分析1. 存储器分类及结构实验通过观察存储器的外观和结构，了解到存储器的主要引脚功能和连接方式。
在实验过程中，使用示波器观察存储器的读写操作过程，分析了存储器的读写原理。
实验结果表明，存储器具有读写速度快、容量大、价格低等特点。
2. 存储器读写操作实验通过编写程序，实现了存储器的读写操作。
在实验过程中，观察到读写操作过程中的数据变化，分析了读写原理。
存储器实验报告实验结果
一、实验目的1. 了解存储器的概念、分类和工作原理；2. 掌握存储器扩展和配置方法；3. 熟悉存储器读写操作；4. 分析存储器性能，提高存储器使用效率。
二、实验环境1. 实验设备：计算机、存储器芯片、编程器、示波器等；2. 实验软件：Keil uVision、Proteus等。
三、实验内容1. 存储器芯片测试2. 存储器扩展实验3. 存储器读写操作实验4. 存储器性能分析四、实验结果与分析1. 存储器芯片测试（1）实验目的：测试存储器芯片的基本性能，包括存储容量、读写速度等。
（2）实验步骤：① 将存储器芯片插入编程器；② 编程器读取存储器芯片的容量、读写速度等信息；③ 利用示波器观察存储器芯片的读写波形。
（3）实验结果：存储器芯片的存储容量为64KB，读写速度为100ns。
2. 存储器扩展实验（1）实验目的：学习存储器扩展方法，提高存储器容量。
（2）实验步骤：① 将两块64KB的存储器芯片并联；② 利用译码器将存储器地址线扩展；③ 连接存储器芯片的读写控制线、数据线等。
（3）实验结果：存储器容量扩展至128KB，读写速度与原存储器芯片相同。
3. 存储器读写操作实验（1）实验目的：学习存储器读写操作，验证存储器功能。
（2）实验步骤：① 编写程序，实现存储器读写操作；② 将程序编译并烧录到存储器芯片；③ 利用示波器观察存储器读写波形。
（3）实验结果：存储器读写操作正常，读写波形符合预期。
4. 存储器性能分析（1）实验目的：分析存储器性能，优化存储器使用。
（2）实验步骤：① 分析存储器读写速度、容量、功耗等参数；② 比较不同存储器类型（如RAM、ROM、EEPROM）的性能；③ 提出优化存储器使用的方法。
（3）实验结果：① 存储器读写速度、容量、功耗等参数符合设计要求；② RAM、ROM、EEPROM等不同存储器类型具有各自的特点，可根据实际需求选择合适的存储器；③ 优化存储器使用方法：合理分配存储器空间，减少存储器读写次数，降低功耗。
实验3 存储器 实验报告
实验3 存储器实验报告一、实验目的本次实验的主要目的是深入了解存储器的工作原理和性能特点，通过实际操作和观察，掌握存储器的读写操作、存储容量计算以及不同类型存储器的区别和应用。
二、实验设备1、计算机一台2、存储器实验装置一套3、相关测试软件三、实验原理存储器是计算机系统中用于存储数据和程序的重要部件。
按照存储介质和工作方式的不同，存储器可以分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
RAM 可以随机地进行读写操作，但断电后数据会丢失。
ROM 在正常工作时只能读取数据，且断电后数据不会丢失。
存储器的存储容量通常以字节（Byte）为单位，常见的存储容量有1GB、2GB、4GB 等。
存储容量的计算方法是：存储容量＝存储单元个数 ×每个存储单元的位数。
四、实验内容与步骤1、熟悉实验设备首先，仔细观察存储器实验装置的结构和接口，了解各个部分的功能和作用。
2、连接实验设备将计算机与存储器实验装置通过数据线正确连接，并确保连接稳定。
3、启动测试软件打开相关的测试软件，进行初始化设置，选择合适的实验模式和参数。
4、进行存储器读写操作（1）随机写入数据：在测试软件中指定存储单元地址，输入要写入的数据，并确认写入操作。
（2）随机读取数据：指定已写入数据的存储单元地址，进行读取操作，将读取到的数据与之前写入的数据进行对比，验证读写的准确性。
5、计算存储容量通过读取存储器的相关参数和标识，结合存储单元的个数和每个存储单元的位数，计算出存储器的实际存储容量。
6、比较不同类型存储器的性能（1）分别对 RAM 和 ROM 进行读写操作，记录操作的时间和速度。
（2）观察在断电和重新上电后，RAM 和ROM 中数据的变化情况。
五、实验结果与分析1、读写操作结果经过多次的读写操作验证，存储器的读写功能正常，读取到的数据与写入的数据一致，表明存储器的读写操作准确无误。
2、存储容量计算结果根据实验中获取的存储器参数，计算得出的存储容量与标称容量相符，验证了存储容量计算方法的正确性。
存储器读写实验报告
存储器读写实验报告一、实验目的本次实验的主要目的是深入了解存储器的读写原理和操作过程，通过实际操作掌握存储器的读写方法，以及观察和分析存储器读写过程中的数据变化和相关特性。
二、实验原理存储器是计算机系统中用于存储数据和程序的重要组件。
在本次实验中，我们所涉及的存储器类型为随机存取存储器（RAM）。
RAM 具有可读可写的特性，其存储单元的地址和存储的数据之间存在着一一对应的关系。
当进行写操作时，将数据通过数据总线发送到指定的存储单元地址，并通过控制信号将数据写入该地址的存储单元中。
而在进行读操作时，根据给定的地址，通过控制信号从相应的存储单元中读取数据，并将其通过数据总线传输到外部设备。
三、实验设备与环境1、实验设备计算机一台存储器读写实验箱一套2、实验环境操作系统：Windows 10相关实验软件四、实验步骤1、连接实验设备将存储器读写实验箱与计算机正确连接，确保电源接通，各接口连接稳定。
2、打开实验软件在计算机上启动专门用于存储器读写实验的软件，进入实验操作界面。
3、设置存储器地址在软件界面中输入要进行读写操作的存储器地址。
4、进行写操作输入要写入的数据。
点击“写”按钮，将数据写入指定的存储器地址。
5、进行读操作输入之前写入数据的存储器地址。
点击“读”按钮，从该地址读取数据，并在软件界面中显示读取到的数据。
6、重复上述步骤，对不同的存储器地址进行读写操作，观察和记录数据的变化。
五、实验结果与分析1、实验结果记录在实验过程中，详细记录每次读写操作的存储器地址、写入的数据和读取到的数据。
｜存储器地址|写入数据|读取数据|｜｜｜｜｜0x0000|0x55|0x55|｜0x0001|0xAA|0xAA|｜0x0002|0x12|0x12|｜｜｜｜2、结果分析通过对实验结果的分析，我们可以得出以下结论：（1）写入的数据能够准确无误地被存储在指定的存储器地址中，并且在进行读操作时能够正确地读取出来，这表明存储器的读写功能正常。
存储器实验报告
1. 了解存储器的分类、组成和工作原理；2. 掌握静态随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）的基本操作；3. 熟悉存储器扩展技术，提高计算机系统的存储容量；4. 培养动手实践能力和分析问题、解决问题的能力。
二、实验原理1. 存储器分类：存储器分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种类型。
RAM用于存储程序和数据，具有读写速度快、易失性等特点；ROM用于存储程序和固定数据，具有非易失性、读速度快、写速度慢等特点。
2. RAM工作原理：RAM主要由存储单元、地址译码器、数据输入输出电路和控制电路组成。
存储单元由MOS晶体管构成，用于存储信息；地址译码器将地址信号转换为对应的存储单元地址；数据输入输出电路负责数据的读写；控制电路控制读写操作。
3. ROM工作原理：ROM主要由存储单元、地址译码器、数据输入输出电路和控制电路组成。
与RAM类似，ROM的存储单元由MOS晶体管构成，用于存储信息；地址译码器将地址信号转换为对应的存储单元地址；数据输入输出电路负责数据的读写；控制电路控制读写操作。
4. 存储器扩展技术：通过增加存储器芯片，提高计算机系统的存储容量。
常用的扩展技术有位扩展、字扩展和行列扩展。
三、实验仪器与设备1. 电脑一台；2. Proteus仿真软件；3. AT89C51单片机实验板；4. SRAM 6116芯片；5. 译码器74HC138；6. 排线、连接线等。
1. 将AT89C51单片机实验板与电脑连接，并启动Proteus仿真软件。
2. 在Proteus中搭建实验电路，包括AT89C51单片机、SRAM 6116芯片、译码器74HC138等。
3. 编写实验程序，实现以下功能：（1）初始化AT89C51单片机；（2）编写SRAM 6116芯片读写程序，实现数据的读写操作；（3）编写译码器74HC138控制程序，实现存储器地址译码。
4. 运行仿真程序，观察实验结果。
五、实验数据记录与分析1. 实验数据记录：（1）位扩展实验：使用SRAM 6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器（2KB），选择8个连续的存储单元的地址，分别存入不同内容，进行单个存储器单元的读/写操作。
储存原理实验报告总结(3篇)
第1篇一、实验背景随着计算机技术的飞速发展，存储器作为计算机系统的重要组成部分，其性能直接影响着计算机系统的整体性能。
为了深入了解存储器的原理及其在实际应用中的表现，我们进行了储存原理实验。
二、实验目的1. 理解存储器的基本概念、分类、组成及工作原理；2. 掌握存储器的读写操作过程；3. 了解不同类型存储器的优缺点；4. 分析存储器性能的影响因素。
三、实验内容1. 静态随机存储器（SRAM）实验（1）实验目的：掌握SRAM的读写操作过程，了解其优缺点。
（2）实验内容：通过实验，观察SRAM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。
（3）实验结果：SRAM读写速度快，但价格较高，功耗较大。
2. 动态随机存储器（DRAM）实验（1）实验目的：掌握DRAM的读写操作过程，了解其优缺点。
（2）实验内容：通过实验，观察DRAM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。
（3）实验结果：DRAM读写速度较SRAM慢，但价格低，功耗小。
3. 只读存储器（ROM）实验（1）实验目的：掌握ROM的读写操作过程，了解其优缺点。
（2）实验内容：通过实验，观察ROM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。
（3）实验结果：ROM只能读，不能写，读写速度较慢。
4. 固态硬盘（SSD）实验（1）实验目的：掌握SSD的读写操作过程，了解其优缺点。
（2）实验内容：通过实验，观察SSD的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。
（3）实验结果：SSD读写速度快，功耗低，寿命长。
四、实验分析1. 不同类型存储器的读写速度：SRAM > SSD > DRAM > ROM。
其中，SRAM读写速度最快，但价格高、功耗大；ROM读写速度最慢，但成本较低。
2. 存储器性能的影响因素：存储器容量、读写速度、功耗、成本、可靠性等。
在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的存储器。
3. 存储器发展趋势：随着计算机技术的不断发展，存储器性能不断提高，功耗不断降低，成本不断降低。
存储器读写实验报告
存储器读写实验报告以下是一篇存储器读写实验报告的范文，供参考：一、实验目标本实验旨在探究存储器的读写原理，通过实际操作，掌握存储器的读写过程，并理解存储器在计算机系统中的重要地位。
二、实验原理存储器是计算机系统中的重要组成部分，负责存储程序和数据。
根据存取速度、容量和价格等因素，计算机系统中通常包含多种类型的存储器，如寄存器、高速缓存、主存储器和辅助存储器等。
本实验主要涉及主存储器的读写原理。
主存储器通常由多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个字节或一个字的数据。
每个存储单元都有一个唯一的地址，通过地址码可以唯一确定一个存储单元。
在读写存储器时，需要提供相应的地址码以确定要访问的存储单元。
三、实验步骤1.准备实验环境：准备一台计算机、一个存储器模块、一根数据线和一根地址线。
2.连接存储器模块：将数据线连接到计算机的数据总线上，将地址线连接到计算机的地址总线上。
3.编写程序：使用汇编语言编写一个简单的程序，用于向存储器中写入数据并从存储器中读取数据。
4.运行程序：将程序加载到计算机中并运行，观察存储器模块的读写过程。
5.记录实验结果：记录下每次读写操作的结果，以及实验过程中遇到的问题和解决方法。
6.分析实验结果：分析实验结果，理解存储器的读写原理，总结实验经验。
四、实验结果及分析实验结果：在实验过程中，我们成功地向存储器中写入了数据，并从存储器中读取了数据。
每次读写操作都成功完成了预期的任务。
分析：实验结果表明，通过提供正确的地址码，我们可以准确地访问存储器中的任意一个存储单元，并进行读写操作。
在读写过程中，我们需要遵循一定的时序要求，以确保数据的正确传输。
此外，我们还发现，存储器的读写速度受到多种因素的影响，如数据总线宽度、存储单元大小、存取周期等。
因此，在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的存储器类型和规格，以满足系统性能和成本的要求。
五、结论通过本次实验，我们深入了解了存储器的读写原理，掌握了存储器的读写过程。
存取存储器实验报告
一、实验目的1. 理解存储器的基本原理和组成，掌握存储器的分类和特点。
2. 学习存储器的存取过程，熟悉地址译码和存储单元寻址的方法。
3. 掌握存储器读写操作的实现方法，了解不同存储器的工作原理。
二、实验内容1. 存储器基本原理和组成2. 地址译码和存储单元寻址3. 存储器读写操作实现4. 存储器分类及特点三、实验原理1. 存储器基本原理和组成存储器是计算机系统中用于存储数据和指令的设备。
它由存储单元、地址译码器、读写电路和控制电路组成。
2. 地址译码和存储单元寻址地址译码器根据输入的地址码，从存储器中选中对应的存储单元。
存储单元寻址是指根据地址码找到存储器中的具体位置。
3. 存储器读写操作实现存储器读写操作包括读操作和写操作。
读操作是指将存储单元中的数据读出，写操作是指将数据写入存储单元。
4. 存储器分类及特点存储器按存储介质可分为磁存储器、半导体存储器和光存储器。
磁存储器包括硬盘、软盘等；半导体存储器包括RAM、ROM等；光存储器包括光盘、U盘等。
四、实验步骤1. 观察存储器实验装置，了解其组成和结构。
2. 学习存储器的基本原理，熟悉存储单元的寻址方式。
3. 掌握存储器读写操作的过程，了解不同存储器的工作原理。
4. 通过实验，验证存储器的读写操作是否正确。
五、实验数据记录1. 存储器实验装置组成：- 存储单元：16K1位- 地址译码器：16位- 读写电路：8位- 控制电路：2位2. 存储器读写操作过程：- 读取数据：将地址码输入地址译码器，选中对应的存储单元，将数据读出。
- 写入数据：将地址码输入地址译码器，选中对应的存储单元，将数据写入。
3. 存储器分类及特点：- 磁存储器：容量大，读写速度快，价格低，但易受磁场干扰。
- 半导体存储器：容量小，读写速度快，价格高，但功耗低，可靠性高。
- 光存储器：容量大，读写速度快，价格适中，但易受灰尘和划痕影响。
六、实验结果分析1. 通过实验，验证了存储器的读写操作过程正确。
储存器设计实验报告模板
储存器设计实验报告模板一、引言本实验旨在设计一个储存器，用于存储和读取数据。
储存器是计算机中的一个重要组成部分，它是用来存储程序和数据的临时存储设备。
本实验通过设计储存器，掌握储存器的基本原理和设计方法。
二、实验目标1. 掌握储存器的基本概念和分类；2. 了解储存器的工作原理和数据读写过程；3. 设计并实现一个简单的储存器电路。
三、实验原理储存器是一种存储信息的设备，一般用来存储指令和数据。
根据其工作方式和结构的不同，储存器可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）等。
本实验主要设计一个基于RAM的储存器。
RAM是一种易失性存储器，其存储单元由触发器构成，通过触发器的状态可以表示不同的存储信息。
数据写入RAM时，根据写入地址选择相应的存储单元，将数据写入对应的触发器中；数据读取时，根据读取地址选择相应的存储单元，将触发器中的数据读取出来。
储存器的设计主要包括以下几个方面的内容：1. 储存单元的设计：设计储存单元的数据存储结构，如触发器的类型、位数等。
2. 地址选择线路的设计：设计地址选择线路，用于根据地址选择相应的储存单元。
3. 数据写入电路的设计：设计数据写入电路，用于将输入的数据写入到选择的储存单元。
4. 数据读取电路的设计：设计数据读取电路，用于将选择的储存单元的数据读取出来。
四、实验步骤1. 设计储存单元：根据要求确定储存单元的数据存储结构，并进行电路设计。
2. 设计地址选择线路：根据储存单元的个数和位数，设计地址选择线路。
3. 设计数据写入电路：根据地址选择线路的输出和输入的数据，设计数据写入电路。
4. 设计数据读取电路：根据地址选择线路的输出，设计数据读取电路。
5. 将设计的电路进行布线，并进行调试和优化。
6. 使用测试数据对储存器进行测试。
五、实验结果与分析经过实验，我们成功设计并实现了一个储存器电路。
通过对储存器进行测试，可以正常进行数据的写入和读取，符合预期的功能要求。
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计组实验三实验报告
实验日期：2015 年4 月14 日学号：201308010227 姓名：吴晗
实验名称：存储器实验总分：
一．实验内容
1.随机存储器RAM的工作特性及使用方法
2.RAM数据存储和读取的工作原理
3.LPM类存储元件的定制
二．实验原理
原理图：
三．实验电路图：
RAM电路图：
addr[7..0]:地址输入
clk:时钟信号
we,rd;mem:控制信号，高电平有效
Initial_file.mif文件：
存储器电路图：
i[7..0]:数据输入l[7..0]:总线数据
sw_bus:pc_bus:三态门控制信号
ld161,clr161,pc161:74161控制信号，控制置数，读取，清零，计数
ldar:74273控制信号
w,r,m:RAM控制信号
仿真图：
仿真说明：
时间参数：End Time：2.0us Grid Size：100ns
端口说明：
clk：时钟信号
i[7..0]:数据输入l[7..0]:总线数据
sw_bus:pc_bus:三态门控制信号，控制数据输出到总线
ld161,clr161,pc161:74161控制信号，控制置数，读取，清零，计数
ldar:74273控制数据从总线读入
w,r,m:RAM控制信号
仿真说明：
0-100ns：无操作
100-200ns：sw_bus为0有效，从i读入01,74161置数状态，RAM默认状态，总线
数据01
200-300ns：sw_bus为0有效，pc_bus无效，从i读入01,74161保持状态，RAM默认状态，总线数据01
300-400ns：pc_bus为0有效，sw_bus无效，74161保持状态，RAM默认状态，总线数据01，ldar为1，跳入下一个地址
400-500ns：sw，pc_bus无效，74161保持状态，RAM读取状态，读取E1，总线E1
500-600ns：sw，pc_bus无效，74161保持状态，RAM读取状态，读取D2，总线D2
600-700ns：sw，pc_bus无效，74161保持状态，RAM写入状态，总线输入EE，写入RAM
700-800ns：sw，pc_bus无效，74161保持状态，RAM读取状态，读取EE，总线EE
800-900ns：pc_bus为0有效，sw_bus无效，74161计数加1状态，RAM默认状态，总线数据01在上升沿时变为02
900-1000ns：pc_bus为0有效，sw_bus无效，74161计数加1状态，RAM默认状态，总线数据02在上升沿时变为03，ldar为1，跳入下一个地址1000-1100ns：sw，pc_bus无效，74161保持状态，RAM读取状态，读取F3，总线EE在上升沿变为F3
1100-1200ns：sw，pc_bus无效，74161保持状态，RAM读取状态，读取F3，总线F3
仿真结论：仿真结果与理论相符，仿真成功
五．硬件验证
管脚分配：
选择FLEX10K-EPF10K20TC144-4器件下载验证与仿真结果相符，实验成功。
六.思考题
1.存储器的读写功能如何实现？
如果用代码实现
process（clk，we，din）
begin
if(rising_edge(clk)) then
if (we=’1’) then
RAM(Addr)<=din; --------写操作
End if;
Addr_Reg<=Addr;
end if;
end process;
dout<=RAM(Addr_Reg); --------读操作
实验中是用lpm定制的，原理是一样的。
2.存储器中的字和位分别表示的是什么？
字表示地址的长度，如果字长为M，则地址寄存器的位数应该为log2M，位表示数据的字长，如果位长为N，则数据寄存器应该为N位。