单结晶体管的主要参数(精)
单结晶体管及张弛振荡实验
单节晶体管结构
单结晶体管e极向b1极发射的是空穴载流子，所以也叫发射极，这与晶体管e极向b极发射电子载流子正好相反。
Multisim中用到的单节晶体管2N6027的参数
如何设定变比
实验1单结晶体管构成的张弛振荡电路
工作原理：
2N6027的变比设定：η=R1/(R1+R2)
在电源和地之间接两个电阻，用于设定变比，中间位置接G。
控制发射极A和阴极K的电压，使得单结晶体管导通或截止。
上电后，V1通过R1，Re对电容C充电，当电容上的电压Uc>=η*Vcc+0.6 时，单结管导通。
发射极A 向阴极注入大量空穴载流子，使得阴极电阻骤然减小，形成低阻回路，电容通过AK结对R6放电，由于电容和电阻的值都非常小，所以电容C的放电时间非常短，这样就在R6上产生一个很窄的脉冲电压。
当电容电压下降到低于AK结的导通电压时，单结管截止，电容重新充电。
各个电阻的作用：
Re是使电路起振的最小电阻，阻值再小，当单结管导通后，如果流过它的电流>单结管的谷点电流，那管子就不会截止，电容无法充电，电路就不起振了。
R1是一个可变电阻，它用来调节C2的充电时间，由于放电周期很短，所以这个时间基本上就是振荡周期T了。
R5用来在管子导通期间获得一个脉冲电压，它可以用来调节脉冲宽度。
输出波形：红色为电容电压，绿色为脉冲电压，通过调节R1可以改变振荡周期T。
电力电子课程设计---单相交流调压电路
课程设计说明书课程设计名称：电力电子技术课程设计题目：单相交流调压电路班级：电气0902班姓名：学号：指导教师：时间：2011年06 月目录第一章前言 (2)第二章单相调压电路设计任务及要求 (3)2．1 设计任务及要求 (3)2．2 设计方案选择 (3)第三章单向调压电路单元电路的设计和主要元器件说明 (5)3. 1 单元电路的设计 (5)3.1.1主电路的设计 (5)3. 2 主要元器件说明及功能模块 (5)第四章驱动电路的设计 (6)4. 1 晶闸管对触发电路的要求 (6)4.1.1触发信号的种类 (6)4.1.2触发电路的要求 (6)4. 2 触发电路 (7)4.2.1单结晶体管的工作原理 (7)4.2.2单结晶体管触发电路 (9)4.2.3单结晶体管自激震荡电路 (9)4.2.4同步电源 (10)第五章保护电路的设计 (11)5.1过电压保护 (12)5.2过电流保护 (13)第六章单相调压电路主电路的原理分析和各主要元器件的选择 (14)6．1 主电路原理分析 (14)6．2 各主要元器件的选择 (17)6.3元器列表 (18)第七章仿真软件7.1仿真软件的介绍 (19)7.2仿真模型、仿真波形及其分析 (20)第八章心得体会 (23)附录参考文献 (24)第一章前言交流变换电路是指把交流电能的参数（幅值、频率、相位）加以转变的电路。
根据变换参数的不同，交流变换电路可分为交流电力控制电路和交-交变频电路。
通过控制晶闸管在每一个电源周期内导通角的大小（相位控制）来调节输出电压的大小，可实现交流调压。
它主要由调压电路、控制电路组成。
根据结构的不同，交流调压电路有单相电压控制器和三相电压控制器两种。
单相交流调压电路根据负载性质的不同分为电阻性负载和阻感性负载，电阻性负载的控制角的移向范围为0～π，阻感性负载的控制角的移向范围为φ～1800。
随着电力电子的飞速发展，交流调压电路广泛应用于电炉的温度控制、灯光调节、异步电动机软起动和调速等场合，也可以用作调节整流变压器一次电压。
电子线路设计安装与调试实训-教案.doc
电子线路设计、安装与调试实训[课题]：单相晶闸管调光电路[电路图]：附1[课时数]：30元件认识、测试检查、电路工作原理分析6学时，通用线路板的应用方法、电路布局（排版）6学时，电路焊接调试6学时，电路故障分析及排故6学时，用示波器测试电路中电压波形并绘图6学时。
[教学目标]：1、知能目标：可控硅调光电路的组成。
理解可控硅调光电路的工作原理。
了解可控硅调光电路实际应用。
2、情感目标：可控硅调光电路是一个日常生活中的电器产品电路，学习和掌握可控硅调光电路知识是尤其必要，对今后的电路维修有很大帮助。
3、技能目标：能熟练画出可控硅调光电路，能按电路选择和捡查元器件，能根据电路把元器件在通用线路板上正确布局（排版），能正确的对电路进行焊接和调试。
[教学重点]：可控硅调光电路的工作原理，可控硅调光电路的正确布局（排版）、焊接和调试。
[教学难点]：可控硅调光电路的正确布局（排版）、焊接和调试。
[教学策略]：1、讲解电路工作原理和调光过程。
2、讲解电路布局（排版）原则。
3、让学生布局（排版），指导有困难的学生。
[教学中的元件与工具]：1、元件：电阻1/4W:1.2KΩ×1，5.1KΩ×1，330Ω×1，47Ω×2，100Ω×1，电位器100KΩ×1，可控硅4PA×1，BT33×1，二极管4007×5，电容0.1UF/63V×1,通用线路板×1,稳压管12V×1。
2、工具：万用表，烙铁，烙铁架，摄子，焊锡丝，导线，220V交流电源，220V/36V变压器，60W/36V 白炽灯泡。
[教学过程]：一、元件检测讲述并检测1.电阻：5.1KΩ五色环（绿棕黑棕棕），用万用表×100档来测电阻值；1.2KΩ四色环（棕红红金），用万用表×100档来测电阻值；330Ω四色环（橙橙棕金），用万用表×100（或×10）档来测电阻值；100Ω四色环（棕黑黑棕）用万用表×1（或×10）档来测电阻值；47Ω五色环（绿紫黑黄棕）用万用表×1（或×10）档来测电阻值。
单相整流电路
1.设计思想 (2)2. 设计方案 (3)2.2 主电路的设计 (4)2.2.1电路的组成及工作原理 (4)3.1 单结晶体管的工作原理 (6)3.1.1单结晶体管的特性 (6)4主要元器件的参数选择 (8)4.1主电路 (8)4.2二次相电压U2 (10)4.3 一次与二次额定电流及容量计算 (11)4.3.1设计结果分析 (12)4.3 驱动电路的设计 (12)4.3.1典型全控型器件的驱动电路 (12)4.4 电力电子器件的保护 (13)4.4.1 过电压的产生及过电压保护 (13)4.4.2 过电流保护 (13)致谢 (14)参考文献 (14)摘要：掌握晶闸管的使用，用晶闸管控制单相桥式全控整流电路（阻感性负载）并画出整流电路中输入输出、各元器件的电压、电流波形，理解单相桥式全控整流电路阻感负载的工作原理和基本计算。
选择触发电路的结构，考虑保护电路。
关键词：晶闸管；触发电路；脉冲；驱动电路；保护电路；特性；工作原理；额定参数引言电力电子技术又称为功率电子技术，它是用于电能变换和功率控制的电子技术。
电力电子技术是弱电控制强电的方法和手段，是当代高新技术发展的重要内容，也是支持电力系统技术革命发展的重要基础，并节能降耗、增产节约提高生产效能的重要技术手段。
微电子技术、计算机技术以及大功率电力电子技术的快速发展，极大地推动了电工技术、电气工程和电力系统的技术发展和进步。
电力电子器件是电力电子技术发展的基础。
正是大功率晶闸管的发明，使得半导体变流技术从电子学中分离出来，发展成为电力电子技术这一专门的学科。
而二十世纪九十年代各种全控型大功率半导体器件的发明，进一步拓展了电力电子技术应用和覆盖的领域和范围。
电力电子技术的应用领域已经深入到国民经济的各个部门以及人们的日常生活。
功率范围大到几千兆瓦的高压直流输电，小到一瓦的手机充电器，电力电子技术随处可见。
电力电子技术在电力系统中的应用中也有了长足的发展，电力电子装置与传统的机械式开关操作设备相比有动态响应快，控制方便，灵活的特点，能够显著地改善电力系统的特性，在提高系统稳定、降低运行风险、节约运行成本方面有很大潜力。
数字万用表单结晶体管bt33引脚
主题：数字万用表单结晶体管BT33引脚详解内容：1. 概述：数字万用表是一种常见的电子测试仪器，它能够测量电压、电流、电阻等电路参数，是电子工程师和电子爱好者必备的工具之一。
而数字万用表内部的元器件也是十分复杂且精密的，其中就包括了结晶体管BT33。
2. 结晶体管BT33的基本介绍：结晶体管又称晶体二极管，是一种半导体器件，它具有放大、整流、开关和稳压等功能。
BT33是一种常用的结晶体管型号，被广泛应用于各种电子设备中。
3. 结晶体管BT33的引脚定义：BT33一般包括三个引脚，分别为发射极、基极和集电极。
发射极用来输入控制信号，基极用来控制输出信号，集电极则是输出信号的输出端。
4. 结晶体管BT33的引脚功能详解：发射极是输入端，它接收控制信号，控制基极和集电极之间的电流流动。
基极是控制端，它根据发射极的输入信号控制集电极的输出电流。
集电极是输出端，它输出经过控制处理后的电流信号。
5. 结晶体管BT33的工作原理：当发射极输入一个控制信号时，基极会相应地控制集电极的电流，从而实现对输入信号的放大、整流、开关和稳压处理。
这种工作原理使得BT33结晶体管在电子电路中具有重要的作用。
6. 结论：结晶体管BT33作为数字万用表中的重要组成部分，通过上述对其引脚定义、功能和工作原理的详解，可以更好地理解数字万用表的内部结构和工作原理，为电子工程师和电子爱好者提供更多的技术支持和参考。
这篇文章主要针对数字万用表中的结晶体管BT33的引脚进行了详细的解析，详细介绍了其引脚的定义、功能和工作原理，通过对BT33的介绍，读者可以更好地了解数字万用表的内部结构和工作原理，从而更好地应用和理解数字万用表。
引脚定义部分如此关键。
为了更好地理解结晶体管BT33的引脚定义，让我们深入研究每个引脚的作用和连接方式。
1. 发射极（Emitter, E）：作为结晶体管的输入端，发射极承担了输入控制信号的功能。
在数字万用表中，发射极连接至电路的输入端，接收被测电路中的信号，并将其输入到BT33中。
半导体技术参数-符号含义(精)
半导体技术参数 -符号含义来源:生利达成时间:2008-10-30一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流 (正向测试电流。
锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极间的电流; 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF (AV ---正向平均电流IFM (IM ---正向峰值电流(正向最大电流。
在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR (AV ---反向平均电流IR (In ---反向直流电流(反向漏电流。
在测反向特性时, 给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中, 加反向电压规定值时, 所通过的电流; 硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下, 产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
双基极二极管(精)
双基极二极管双基极二极管又称单结晶体管，具有两个基极，一个发射极的三端负阻器件，它具有频率易调、温度稳定性好等特点，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中。
双基极二极管又称单结晶体管，他有两个基极和一个发射极，如图(a)所示。
两个基极分别由Bl和B2表示，发射极用E表示。
图的(b)为双基极二极管的图形符号。
双基极二极管的参数中基极间电阻ＲBB是指发射极开路状态下，两个基极的电阻。
而分压比是指发射极E到基极由之间电压和基极B2到Bl之间的电压之比。
以上两个参数是双基极二极管的主要参数。
谷点电压Ｕv是表示双基极二极管由负阻区进人饱和区的分界点时，与其对应的发射区电压。
即双基极二极管赴于导通状态的最小电压值，如发射极电压ＵE低于谷点电压Ｕv，双基极二极管就进大了截止状态。
双基极二极管的主要参数（1）基极间电阻Rbb：发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。
（2）分压比η：由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。
（3）eb1间反向电压Vcb1：b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流Ieo：b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。
（5）发射极饱和压降Veo：在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。
（6）峰点电流Ip：单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。
双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15k 之间，R BB一般可分为两段，R BB = R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
单结晶体管和晶闸管课件
单结晶体管具有较低的触发电压和电流，因此功耗较低，适合用于小信号放大和开关控制。而晶闸管则具有较大 的通态电阻和较低的开关速度，适用于大电流和高电压的应用场景。
应用领域的比较
总结词
单结晶体管和晶闸管的应用领域各有 侧重。
详细描述
单结晶体管主要用于信号放大和开关 控制，如音频信号放大、振荡器等。 而晶闸管则广泛应用于电力控制和调 节，如电机控制、电源调节等。
06
展望与未来发展
新材料的应用
硅基材料
研究新型硅基材料，提高单结晶体管和晶闸管的性能和稳定性。
宽禁带半导体材料
利用宽禁带半导体材料如硅碳化物、氮化镓等，开发高效、高频的单结晶体管和晶闸管器件。
新工艺的探索
纳米工艺
研究纳米级单结晶体管和晶闸管制造工 艺，实现更小尺寸、更高性能的器件。
VS
柔性电子工艺
详细描述
由于单结晶体管的负阻特性和快速响应特性，使得它在定时电路中能够实现高 精度和高稳定性的定时控制，广泛应用于各种需要长时间定时的场合。
波形变换
总结词
单结晶体管在波形变换中具有重 要作用，能够实现多种波形之间 的转换。
详细描述
单结晶体管可以通过不同的电路 配置实现多种波形之间的转换， 如将正弦波转换为矩形波等，广 泛应用于各种波形变换的场合。
晶闸管的内部结构决 定了其工作特性，是 实现可控整流的关键 元件。
晶闸管有三个电极， 分别是阳极、阴极和 门极。
晶闸管的工作原理
当在阳极和阴极之间加上正向电压时，晶闸管处于阻断状态，无电流通过。
当在门极和阴极之间加上适当的正向电压时，晶闸管内部PNPN结构中的少数载流 子被吸引到门极附近，形成导通通道，电流可以通过晶闸管。
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
6.1 场效应管的识别与检测 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、 噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小 等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。 场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但 由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的 差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应 管是一种电压控制器件。 场效应管（FET）是一种电压控制型半导体器件 （通过改变栅极和源极之间电压来控制其漏极电 流），在电路中主要起信号放大、阻抗变换等作用； 晶体闸流管简称晶闸管（可控硅），是可控整流半 导体器件，主要用于交直流无触点开关、调光、调 速、过压保护等电路中；单结晶体管因只有一个PN 结，但它与二极管的特性却不相同，多用于触发电 路、振荡电路及双稳态等电路中。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔 接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于 导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.1.2 场效应管的命名法 国产场效应管的型号命名方法有两种：第一种是与 普通三极管相同，第一部分用数字3表示主称；第 二部分用字母表示材料：D是P型硅N沟道，C是N 型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J 代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管；第四 部分用数字表示序号。 例如，3DJ6D表示结型N沟道场效应三极管， 3DO6C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法采用字母“CS”+“XX﹟”的形式，其 中“CS”代表场效应管，“XX”以字代表型号的序号， “﹟”用字母代表同一型号中的不同规格，如CS16A、 CS55G等。
分立元件放大电路 (7)
uT 0
（2）波形分析
30o时的波形分析
（a）输出电压波形
（b）晶闸管两端电压波形
图1-11 30o 波形图
分析：
在 30o 时，晶闸管承受正向电压，此时加入触发脉冲晶闸
2．工作原理
结论： 1.晶闸管导通条件：阳极加正向电压、门极加适当正向电压。 2.关断条件：流过晶闸管的电流小于维持电流。
二、 晶闸管特性与主要参数
1．晶闸管的阳极伏安特性 晶闸管的阳极与阴极间电压和阳极电流之间的关系，称为阳极
伏安特性。
图1-7晶闸管阳极伏安特性曲线
2．晶闸管的主要参数
1）晶闸管的电压定额 （1）断态重复峰值电压UDRM
2．晶闸管的主要参数
（2）维持电流IH 在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降到刚好能保
持导通的最小阳极电流称为维持电流IH。 （3）擎住电流IL
在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚转为导通状态 就去除触发电压，此时要保持元件持续导通所需要的最小阳极 电流，称擎住电流IL。 （4）断态重复峰值电流IDRM和反向重复峰值电流IRRM
（3）其他角度时的波形分析
120o 时的波形分析
（a）输出电压波形
（b）晶闸管两端电压波形
图1-17 120o 波形图
120o 时输出电压和晶闸管两端电压的实测波形
（a）输出电压波形 （b）晶闸管两端电压波形
图1-18 实测波形图
2）单相半波可控整流带电阻性负载电路 参数的计算
门极触发电压产生门极触发电流所必需的最小门极电压，称 为门极触发电压。
单结晶体管
单结晶体管单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。
在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。
其结构、符号和等效电呼如图1所示。
图1、单结晶体管一、单结晶体管的特性从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。
若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2图2、单结晶体管的伏安特性（1）当Ve＜η Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。
（2）当Ve≥η Vbb+VD VD为二极管正向压降（约为0.7伏），PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。
管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。
Ip 是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb（3）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。
（4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv，管子重新截止。
半导体器件参数(精)
《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二）姓名：单位：职务：得分：一、填空题（每题1分，共20分）：1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。
2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。
3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。
4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。
5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。
6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。
7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。
Rs(rs----串联电阻Rth----热阻结到环境的热阻动态电阻本机关单位或本系统rδ---衰减电阻r(th---Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人tg---电路换向关断时间12Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。
tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度p---发光峰值波长△λη---15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）、正向压降（正向直流电压）△政府、断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV履行职责交流输入电压最大输出平均电压C 和国家有关法律、法规制定的。
中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）反向峰值电压（最高测试电压）V2、参照执行《党政领导干部选拔任用工作条例》有关规定的单位有击穿电压CD Vth---阀电压（门限电压）反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压社团组织V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量3、在年度考核、干部考察中，民主测评不称职票超过（A）二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容发射极接地输出电容Ci---输入电容共基极输入电容Cie--- B考察材料 C证明材料共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）输出电容Cob---共基极输出电容。
三极管参数中文与英文对照精
三极管参数中⽂与英⽂对照精电阻模型参数R 电阻倍率因⼦TC1 线性温度系数TC2 ⼆次温度系数电容模型参数C 电容倍率因⼦VC1 线性电压系数VC2 ⼆次电压系数TC1 线性温度系数TC2 ⼆次温度系数电感模型参数L 电感倍率因⼦IL1 线性电流系数IL2 ⼆次电流系数TC1 线性温度系数TC2 ⼆次温度系数⼆极管模型参数IS 饱和电流RS 寄⽣串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压 PN 结电容VJ PN 结⾃建电势M PN 结剃度因⼦EG 禁带宽度XT1 IS 的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压(漆点电压 IBV 反向击穿电流(漆点电流 KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管(三极管IS 传输饱和电流EG 禁带宽度XTI (PT IS 的温度效应指数 BF 正向电流放⼤系数NF 正向电流发射系数V AF (V A 正向欧拉电压IKF (IK 正向漆点电流ISE (C2 B-E 漏饱和电流NE B-E 漏饱和电流BR 反向电流放⼤系数NR 反向电流发射系数V AR (VB 正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C 漏发射系数RB 零偏压基极电阻IRB 基极电阻降致 RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结 PN 结电容VJE PE 发射结内建电势MJE ME 集电结剃度因⼦CJC 零偏衬底结 PN 结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因⼦XCJC Cbe 接⾄内部 Rb 的内部CJS CCS 零偏衬底结 PN 结电容VJS PS 衬底结构 PN 结电容MJS MS 衬底结剃度因⼦FC 正偏势垒电容系数TF 正向渡越时间XTF TF 随偏置变化的系数VTF TF 随 VBC 变化的电压参数ITF 影响 TF 的⼤电流参数PTF 在 F=1/(2派 TF Hz 时超前相移 TR 反向渡越时间XTB BF 和 BR 的温度系数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数Is=14.34f 反向饱和电流。
电力电子技术项目教程习题答案(1-3)
项目1 认识和调试晶闸管单相半波整流控制的调光灯电路1.1.4 思考题与习题1．晶闸管的导通条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关断？解：导通条件：(1)晶闸管阳极和阴极之间加正向电压；(2)晶闸管门极和阴极间加正向电压。
最根本的方法就是必须将阳极电流减小到使之不能维持正反馈的程度，也就是将晶闸管的阳极电流减小到小于维持电流。
可采用的方法有：将阳极电压减小到零或将晶闸管的阳极和阴极间加反向电压。
2．晶闸管导通后，去掉门极电压，晶闸管是否还能继续导通？为什么？解：继续导通，导通之后，门极就失去了控制作用。
3．说明晶闸管型号规格KP200-7E代表的含义。
解：额定电流为200A，额定电压为800V，管压降为0.8V4．有些晶闸管触发导通后，触发脉冲结束时它又关断是什么原因？解：欲使晶闸管触发导通，必须使触发脉冲保持到阳极电流上升到擎住电流IL以上，否则会造成晶闸管重新恢复阻断状态，因此触发脉冲必须具有一定宽度。
5．晶闸管导通时，流过晶闸管的电流大小取决于什么？晶闸管阻断时，承受的电压大小取决于什么？解：取决于电路里负载电阻的大小；取决于电源电压的大小。
6．画出图1-19所示电路电阻R d上的电压波形。
图1-19习题6图解：7．如图1-20，型号为KP100-3，维持电流4mA的晶闸管，在以下电路中使用是否合理？为什么？（未考虑电压、电流安全余量）（a) （b) （c)图1-20习题7图解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。
本题给定晶闸管的维持电流I H＝3mA，那么擎住电流必然是十几毫安，而图中数据表明，晶闸管即使被触发导通，阳极电流为100V/50KΩ＝3 mA，远小于擎住电流，晶闸管不可能导通，故不合理。
（b）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。
本图所给的晶闸管额定电压为300A、额定电流100A。
图中数据表明，晶闸管可能承受的最大电压为311V，大于管子的额定电压，故不合理。
(完整word版)单相半控桥式晶闸管整流电路的设计
学号:课程设计题目单相半控桥式晶闸管整流电路的设计(带续流二极管)（阻感负载）学院自动化专业自动化班级100.。
班姓名指导教师许湘莲2012年12月29日一课程设计的性质和目的性质：是电气信息专业的必修实践性环节。
目的：1、培养学生综合运用知识解决问题的能力与实际动手能力；2、加深理解《电力电子技术》课程的基本理论；3、初步掌握电力电子电路的设计方法.二课程设计的内容:单相半控桥式晶闸管整流电路的设计（带续流二极管）（阻感负载)设计条件：1、电源电压:交流100V/50Hz2、输出功率：500W3、移相范围0º~180º三课程设计基本要求1、两人一个题目，按学号组合;2、根据课程设计题目，收集相关资料、设计主电路、控制电路；3、用MATLAB/Simulink对设计的电路进行仿真；4、撰写课程设计报告——画出主电路、控制电路原理图，说明主电路的工作原理、选择元器件参数，说明控制电路的工作原理、绘出主电路典型波形,绘出触发信号（驱动信号）波形，说明仿真过程中遇到的问题和解决问题的方法，附参考资料；5、通过答辩。
摘要电力电子技术课程设计是在教学及实验基础上,对课程所学理论知识的深化和提高。
本次课程设计要完成单相桥式半控整流电路的设计，对电阻负载供电，并使输出电压在0到180伏之间连续可调，由于是半控电路，因此会用到晶闸管与电力二极管.此外,还要用MATLAB对设计的电路进行建模并仿真，得到电压与电流波形，对结果进行分析。
关键词：半控整流晶闸管目录1 设计的基本要求 (1)1。
1设计的主要参数及要求: (1)1。
2 设计的主要功能 (1)2总体系统 (1)2.1主电路结构及其工作原理 (2)2.2 参数计算 (2)3硬件电路 (4)3.1 系统总体原理框图 (4)3。
2 驱动电路 (4)3。
2.1 驱动电路方案 (4)3。
2.2 驱动电路的设计 (5)3。
3 保护电路 (7)3.3。
晶体管参数解释大全
Coeo
共发射极开路输出电容
Coe
共发射极输出电容
Co
零偏压电容
Co
输出电容
Cp
并联电容（外电路参数）
Cre
共发射极反馈电容
Cs
管壳电容或封装电容
CTC
电容温度系数
CTV
电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct
总电容
IFMP
正向脉冲电流
IFRM
正向重复峰值电流
IFSM
正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF
正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
VGFM
门极正向峰值电压
VGT
门极触发电压
Vk
膝点电压（稳流二极管）
VL
极限电压
Vn(p-p)
输入端等效噪声电压峰值
Vn
中心电压
VOM
最大输出平均电压
Vop
工作电压
Vo
交流输入电压
Vp
峰值电压
VRM
反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM
反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM
反向工作峰值电压
VR
反向工作电压（反向直流电压）
Cvn
标称电容
di/dt
通态电流临界上升率
dv/dt
通态电压临界上升率
D
占空比
ESB
晶闸管触发电路..
电容C的大小与脉冲宽窄和的大小有关，通常取值范围为：0.1～ 1。
实验电路
实验电路
实验记录
2.6.3同步信号为锯齿波的触发电路
总结
由此可见，若锯齿波的频率与主电路电源频率同步即能使触发脉冲与主电路 电源同步，锯齿波是由V2管来控制的，V2管由导通变截止期间产生锯齿波， V2管截止的持续时间就是锯齿波的脉宽， V2管的开关频率就是锯齿波的频 率。在这里，同步变压器TS和主电路整流变压器接在同一电源上，用TS次 级电压来控制V2的导通和截止，从而保证了触发电路发出的脉冲与主电路电 源同步。 所以只要V2管周期性导通关断，电容C2两端就能得到线性很好的锯齿波电 压。 脉冲产生的时刻是由V4导通时刻决定（锯齿波和Ub、Uc之和达到0.7Ｖ时）， 工作时，把负偏移电压Ub调整到某值固定后，改变控制电压Uc，就能改变 ub4波形与时间横轴的交点，就改变了V4转为导通的时刻，即改变了触发脉 冲产生的时刻，达到移相的目的。 电路中增加负偏移电压Ub的目的是为了调整Uc＝０时触发脉冲的初始位置。 由此可见，脉冲产生时刻由Ｖ４导通瞬间确定，脉冲宽度由V5、V6持续截止 的时间确定。所以脉宽由C3反充电时间常数(τ=C3R11)来决定。
2.6.2 单结晶体管也称为双基极二极管，它有一个发射极和两个
基极, 外形和普通三极管相似。 单结晶体管的结构是在一块高
电阻率的N型半导体基片上引出两个欧姆接触的电极：第一基 极B1和第二基极B2；在两个基极间靠近B2处，用合金法或扩散 法渗入P型杂质，引出发射极E。单结晶体管共有上述三个电极， 其结构示
(a) 电路； (b) 波形
1． 同步电源
同步电压由变压器TB获得， 而同步变压器与主电路接至
单结晶体管触发电路分析
U E P
Up
Uv 0 Ip
V
Iv
IE
图 1-17 单结晶体管发射极伏安特性曲线
当IE增大至一定程度时，载流子的浓度使注入空穴遇到阻 力， 即电压下降到最低点，这一现象称为饱和。欲使IE继续增 大，必须增大电压UE。由负阻区转化到饱和区的转折点V称为 谷点。与谷点对应的电压和电流分别称为谷点电压Uv和谷点电 流Iv。谷点电压是维持单结晶体管导通的最小电压，一旦UE小 于Uv ，则单结晶体管将由导通转化为截止。
3．单结晶体管触发电路
②、削波后梯形波电压波形 将探头的测试端接于“B”点，测得B点的波形
（a）实测波形 （b）理论波形
（2）脉冲移相与形成
1）电路组成 脉冲移相由电阻RE和电容C组成，脉冲形成由单结晶体管、 温补电阻R3、输出电阻R4组成。 改变张驰振荡电路中电容C的充电电阻的阻值，就可以改 变充电的时间常数，图中用电位器RP来实现这一变化，例 如： RP↑→τC↑→出现第一个脉冲的时间后移→α↑→Ud↓
60 V
VD 5
VD4
RP
VDW
C VD
6
R2 BT
R1
图 1-19
(a)
(a) 电路； (b) 波形
VD1 VD2
R d
V1
V2
u C uVDW
0 ug
0 ud
uVDW
uVDW t t
0
t
(b)
图 1-19 (a) 电路； (b) 波形
1． 同步电源
同步电压由变压器TB获得， 而同步变压器与主电路接至 同一电源， 故同步电压与主电压同相位，同频率。同步电压 经桥式整流再经稳压管VDW削波为梯形波uVDW，它的最大值 UW，uVDW既是同步信号，又是触发电路的电源。当uVDW过零 时，单结晶体管的电压UBB= uVDW =0，UA=0，故电容C经单结 晶体管的发射极E、第一基极B1、电阻R1迅速放电。也就是说， 每半周开始，电容C都基本上从零开始充电，进而保证每周期 触发电路送出一个距离过零时刻一致的脉冲。距离过零时刻一 致即控制角α在每个周期相同，这样就实现了同步。
半导体器件芯片常用型号参数特性解析大全(精)
半导体器件常用型号参数解析一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。