pn结知识点

两边浓度相差很多，若p区的受主杂质浓度较大，为p+n结。

氧化、光刻、扩散等工艺。

其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。

缓变结

在这种结中，杂质浓度从p（n）区到n（p）区是逐渐变化的，通常称为缓变结。空间电荷区

单独的n型或者p型半导体是电中性的（平衡状态）。当两块半导体结合形成之间存在着载流子浓度梯度，导致了空穴从p区到n区，电子从

一般室温附近，对于绝大部分势垒区，其中杂质虽然都已电离，但载流子浓度比起数载流子浓度小很多，好像已经耗尽了。所以通常也称势垒区为

很小，可以忽略，空间电荷密度就等于电离杂质浓度。

结电流电压特性

1.在非平衡载流子存在的区域内，必须用电子的准费米能级Efn

与正向偏压相似，位置不同。

结模型及其电流电压方程

假设条件

小注入条件

突变耗尽层条件

通过耗尽层的电子和空穴电流为常量

1.突变结的势垒宽度与势垒区上的总电压的平方根成正比。

谷值电流与电压