低频电子线路学习重点

ID/mA IDSS
IDSS
ID/mA
VGS(off) ID
(N 沟道 JFET)
O
VGS /V ID
O
(P 沟道 JFET )
ID
VGS(off) VGS /V
ID
O VGS(th)
管号 结型 MOS VT1 VT2 VT3
VGS
VGS(th) O
Us/V 1 3 5
VGS
UG/V 3 -1 0
结型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的 宽窄受________极电压控制，从而控制了_______极的电 流。当D极一端导电沟道消失，称为_____夹断，这时 _____极电流只受_________电压控制，场效应管实现正 向受控。
例1-2 测得某电路中场效应管三个电极的电位如表所示，开 启电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作 状态。
VGS(th) O VGS
UD/V -10 10 -5 管型
OVGS(th) VGS
工作状态
UGS(th)/V或 UGS(off)/V 3 -3 -4
VT4
VT5
4
-3
-2
0
3
0
-1.2
10
例1-3判断结型场效应管的工作状态
1-23
ID
① 没有夹断，不在截止 区。 ②UGD=3V，已经预夹断， 工作在放大区。
-3V O UGS
ID
① UBS<0，正常工作。 ②没有夹断，不在截止区。 ③UGD=6V，没有预夹断， 工作在可变电阻区。
O 2V
UGS
二、晶体三极管 1、工作状态
（1）放大状态
（2）截止状态
（2）饱和状态
2、放大状态时电流分配关系
I C I E I CBO I B (1 ) I E I C B O I E IC IB
IC
I
B
I CEO
I
E
(1 ) I B I C E O
VT1 VT2 VT3
（2）VT2
③集电极，电位最低，PNP型 ①发射极， 电位最高，②基极 发射结电压0.2V，锗材料
（3）VT3 ②集电极 电位最低，PNP型
①发射极，电位最高，③基极
发射机电压0.7V ,硅材料
例1-1填空题
在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的————— ———到基区，成为基区的——————，它们在基区由 于_________引起它们在基区—————，直到集电结边界， 由于集电结——————的作用，而被集电区————— —。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。
管号 结 型
MOS VT1
UGS(th)/V或 UGS(off)/V
Us/V UG/V UD/V 管型 工作状态 1 3 -10
3
VT2
VT3 VT4 VT5
-3
-4 4 -3
3
5 -2 0
-1
0 3 0
10
-5 -1.2 10
解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止， 根据UDS判断导电沟道， UDS >0,N沟道， UDS <0,P沟 道。
VT1 VT2 VT3
解：已知工作在放大状态： 根据发射结正偏，集电结反偏。由发射结确定集电 极。∴ （1）VT1 ① 是集电极，电位最高，NPN型。
② 发射极 ，电位最低，
③ 基极。 发射结电压0.7V，硅材料。
电极
晶体管
①
7V -2.9V 7V
②
1.8V -3.1V 1.8V
③
2.5V -8.2V 6.3V
第一章
小结
一、二极管 1、 特性
(1)单向导电特性
(2)电容特性
(3)击穿特性
(4)温度特性
2、伏安特性
i I
s
(e
u /U
T
1)
U T 26m V
3、分析方法
（1）图解法
（2）折线近似法
理想二极管模型
恒压降模型 4、关于门限电压Ur
UD>0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电 流才明显增长。 硅管Ur≈0.6V，锗管Ur≈0.2V，
同一个电流传输过程，不同的描述方式。 三、场效应管 1、工作状态 （1）恒流状态
（2）截止状态
（2）可变电阻状态
2、场效应管类型
（1）N沟道、P沟道
(2) 结型、增强型、耗尽型 3、恒流区的伏安关系 （1）增强型
I D K P (uGS uGS(th) )
2
（2）耗尽型
I D K P (uGS uGS(off) )
2
或

2
I D I DSS
(3) 结型
I D I Dห้องสมุดไป่ตู้S
U GS 1 U GS(off)

2
U GS 1 U GS(off)
1-5 判断管脚、管型及材料
电极 晶体管
①
7V -2.9V 7V
②
1.8V -3.1V 1.8V
③
2.5V -8.2V 6.3V