计算机原理第四章 主存储器2

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计算机组成原理第四章单元测试(二)(含答案)

计算机组成原理第四章单元测试(二)(含答案)

计算机组成原理第四章单元测试(二)(含答案)第四章存储系统(二)测试1、32位处理器的最大虚拟地址空间为A、2GB、4GC、8GD、16G2、在虚存、内存之间进行地址变换时,功能部件()将地址从虚拟(逻辑)地址空间映射到物理地址空间A、TLBB、MMUC、CacheD、DMA3、在程序执行过程中,Cache与主存的地址映象是由A、用户编写程序完成B、操作系统完成C、编译系统完成D、硬件自动完成4、某计算机的存储系统由cache和主存组成。

某程序执行过程共访存2000次,其中访问cache缺失(未命中)100次,则该程序执行过程中Cache的命中率为A、80%B、85%C、90%D、95%5、在Cache的地址映射中,若主存中的任意一块均可映射到Cache内任意一行的位置上,则这种映射方法称为A、全相联映射B、直接映射C、2-路组相联映射D、混合映射6、采用虚拟存储器的主要目的是A、提高主存储器的存取速度B、扩大主存储器的存储空间,且能进行自动管理和调度C、提高外存储器的存取速度D、扩大外存储器的存储空间7、虚拟存储器中,程序执行过程中实现虚拟地址到物理地址映射部件(系统)是A、应用程序完成B、操作系统和MMU配合完成C、编译器完成D、MMU完成8、相联存储器是按( )进行寻址访问的存储器A、地址B、内容C、堆栈D、队列9、以下哪种情况能更好地发挥Cache的作用A、程序中存在较多的函数调用B、程序的大小不超过内存容量C、程序具有较好的时间和空间局部性D、递归子程序10、以下关于虚拟存储管理地址转换的叙述中错误的是()A、地址转换是指把逻辑地址转换为物理地址B、一般来说,逻辑地址比物理地址的位数少C、地址转换过程中可能会发生“缺页”D、MMU在地址转换过程中要访问页表项11、假定主存按字节编址,cache共有64行,采用4路组相联映射方式,主存块大小为32字节,所有编号都从0开始。

问主存第3000号单元所在主存块对应的cache组号是A、1B、5C、13D、2912、下列关于MMU的叙述中,错误的是()A、MMU是存储管理部件B、MMU负责主存地址到Cache地址的映射C、MMU参与虚拟地址到物理地址的转换D、MMU配合使用TLB 地址转换速度更快13、下列关于主存与cache地址映射方式的叙述中正确的是()A、全相联映射方式比较适用于大容量CacheB、直接映射是一对一的映射关系,组相联映射是多对一的映射关系C、在Cache容量相等条件下,直接映射方式的命中率比组相联方式有更高的命中率D、在Cache容量相等条件下,组相联方式的命中率比直接映射方式有更高的命中率14、下列关于CaChe的说法中,错误的是()A、CaChe对程序员透明B、CaChe行大小与主存块大小一致C、分离CaChe(也称哈佛结构)是指存放指令的CaChe与存放数据CaChe分开设置D、读操作也要考虑CaChe与主存的一致性问题15、下列关于CaChe的论述中,正确的是A、采用直接映射时,CaChe无需使用替换算法B、采用最优替换算法,CaChe的命中率可达到100%C、加快CaChe本身速度,比提高CaChe命中率更能提升存储系统的等效访问速度D、CaChe的容量与主存的容量差距越大越能提升存储系统的等效访问速度16、某计算机系统中,CaChe容量为512 KB,主存容量为256 MB,则CaChe 一主存层次的等效容量为A、512 KBB、256 MBC、256 MB+512 KBD、256 MB - 512 KB17、下列关于Cache的描述中正确的是( )A、Cache存储器是内存中的一个特定区域B、Cache存储器的存取速度介于内存和磁盘之间C、Cache存储器中存放的内容是内存的副本D、Cache中存放正在处理的部分指令和数据18、关于TLB和Cache,下面哪些说法中正确的是( )A、TLB和Cache中存的数据不同B、TLB 访问缺失(miss)后,可能在Cache中直接找到页表内容C、TLB miss会造成程序执行出错,但是Cache miss不会D、TLB和Cache都采用虚拟地址访问19、在下列因素中,与Cache的命中率有关的是( )A、Cache块大小B、Cache的总容量C、主存的存取时间D、替换算法20、下面有关Cache的说法中正确的是( )A、设置Cache的目的,是解决CPU和主存之间的速度匹配问题B、设置Cache的理论基础,是程序访问的局部性原理C、Cache与主存统一编址,Cache地址空间是主存的一部分D、Cache功能均由硬件实现,对程序员透明21、下列关于存储系统的描述中正确的是( )A、每个程序的虚地址空间可以远大于实地址空间,也可以远小于实地址空间B、多级存储体系由cache、主存和虚拟存储器构成C、Cache和虚拟存储器这两种存储器管理策略都利用了程序的局部性原理D、当Cache未命中时,CPU以直接访问主存,而外存与CPU之间则没有直接通路22、下列关于TLB、cache和虚存页(Page)命中组合情况中,一次访存过程中可能发生的是( )A、TLB命中、cache命中、Page命中B、TLB未命中、cache命中、Page命中C、TLB未命中、cache未命中、Page命中D、TLB未命中、cache命中、Page未命中23、下列RAID组中需要的最小硬盘数为3个的是()A、RAID 1B、RAID 3C、RAID 5D、RAID 1024、下列RAID技术中采用奇偶校验方式来提供数据保护的是()A、RAID 1B、RAID 3C、RAID 5D、RAID 1025、在请求分页存储管理方案中,若某用户空间为16个页面,页长1 K B,虚页号0、1、2、3、4对应的物理页号分别为1、5、3、7、2。

计算机原理第四章 主存储器

计算机原理第四章  主存储器

又叫读写存储器,指通过指令可以随机的、个别的对各 个存储单元进行访问。半导体存储器一般都属于这类型。 • SRAM:静态存储器,存储单元是一个触发器结构, 包括6个晶体管,访问速度快、价格较高; • DRAM:动态存储器,存储一位信息只需要一个晶 体管和一个电容器,成本较低,但是访问速度较慢。
3. 直接存取存储器(DAM:direct access memory) 存取方式介于RAM和SAM之间,首先选取存取信息所在的区 域,然后用顺序方式存取。比如磁盘。 4. 只读存储器(ROM:read-only memory) (1)只能读取数据不能写入数据的存储器 一般由一个晶体构成一个存储单元。通常用来存放固定不变的 程序、汉字字型库、字符和图形符号等。 (2)可编程的只读存储器(Programmable RAM,简称PROM) 一次性写入,写入后,只能读出其内容,不能进行修改。 (3)可擦写可编程的只读存储器(Erasable PRAM,简称 EPROM) 可用紫外线擦除内容的PRAM,擦除后可以再次写入。 (4)可用电擦写的可编程只读存储器(Electrically EPRAM,简 称E2PROM) 快闪存储器(flash memory),只能以块为单位进行擦写
刷新不是按字处理,而是每次刷新一行,即为连接在同一行上 所有存储单元的电容补充一次能量。刷新有两种常用方式:
集中刷新,停止内存读写操作,逐行将所有各行刷新一遍;
分散刷新,每一次内存读写后,刷新一行,各行轮流进行。或 在规定的期间内,如2ms,能轮流把所有各行刷新一遍。
0,63
存储单元 T1~T6
A5
X63
63,0
存储单元 T1~T6
63,63
存储单元 T1~T6
Din
写入电路 WE 读放

计算机组成原理第四章部分课后题答案(唐朔飞版)

计算机组成原理第四章部分课后题答案(唐朔飞版)

计算机组成原理第四章部分课后题答案(唐朔飞版)4.1 解释概念:主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。

主存:⽤于存放数据和指令,并能由中央处理器直接随机存取,包括存储器体M、各种逻辑部件、控制电路等辅存:辅助存储器,⼜称为外部存储器(需要通过I/O系统与之交换数据)。

存储容量⼤、成本低、存取速度慢,以及可以永久地脱机保存信息。

主要包括磁表⾯存储器、软盘存储器、磁带存储设备、光盘存储设备。

Cache:⾼速缓冲存储器,⽐主存储器体积⼩但速度快,⽤于保有从主存储器得到指令的副本很可能在下⼀步为处理器所需的专⽤缓冲器。

RAM:(Random Access Memory)随机存储器。

存储单元的内容可按需随意取出或存⼊,且存取的速度与存储单元的位置⽆关的存储器。

这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要⽤于存储短时间使⽤的程序。

按照存储信息的不同,随机存储器⼜分为静态随机存储器(StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。

SRAM:(Static Random Access Memory)它是⼀种具有静⽌存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

DRAM:(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。

DRAM 只能将数据保持很短的时间。

为了保持数据,DRAM使⽤电容存储,所以必须隔⼀段时间刷新(refresh)⼀次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。

(关机就会丢失数据)ROM:只读内存(Read-Only Memory)的简称,是⼀种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。

其特性是⼀旦储存资料就⽆法再将之改变或删除。

通常⽤在不需经常变更资料的电⼦或电脑系统中,资料并且不会因为电源关闭⽽消失。

PROM:(Programmable Read-Only Memory)-可编程只读存储器,也叫One-Time Programmable (OTP)ROM“⼀次可编程只读存储器”,是⼀种可以⽤程序操作的只读内存。

计算机组成原理第4章作业答案

计算机组成原理第4章作业答案

解:(1)CPU与存储器芯片连接逻辑图:
-MREQ
+5V
A15
C -G2A -G2B
Байду номын сангаасG1
A14
B
74138(3:8)
A13
A
-Y0
-Y1
-Y2

-Y7
-CS0
-CS1
-CS2 … -CS7
A12

A0
A12 … A0 A12 … A0 A12 … A0
A12 … A0
CPU
8K×8 SRAM
8K×8 SRAM
板地址 片地址
片内地址
3
3
12
15. 设CPU共有16根地址线,8根数据线, 并用-MREQ(低电平有效)作访存控制信 号,R/-W作读/写命令信号(高电平为读, 低电平为写)。现有这些存储芯片:
ROM(2K×8位,4K×4位,8K×8位), RAM(1K×4位,2K×8位,4K×8位), 及74138译码器和其他门电路(门电路自 定)。
8K×8 … 8K×8
SRAM
SRAM
D7 … D0 D7 … D0 D7 … D0
PROM:是可以实现一次性编程的只读存储器。(P89) EPROM:是一种可擦除可编程只读存储器。它可以由
用户对其所存信息作任意次的改写。(P90) EEPROM:用电可擦除只读存储器,在联机条件下,
用字擦除方式或页擦除方式,既可局部擦写,又可 全部擦写,这种EPROM就是EEPROM。(P69,91) CDROM:只读型光盘,这种光盘内的数据和程序是由 厂家事先写入的,使用时用户只能读出,不能修改 或写入新的内容。(P147) Flah memory:闪速存储器,又称快擦型存储器,它是 在EPROM和EEPROM工艺基础上产生的一种新型 的、具有性能价格比更好、可靠性更高的可擦写非 易失性存储器。(P91)

计算机原理第4章

计算机原理第4章

RAM存储器 存储器——DRAM的刷新及控制 存储器 的刷新及控制
刷新方式比较
半导体存储器芯片 半导体存储器芯片
(3)EPROM芯片的组成结构 EPROM芯片的组成结构
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O0 O1 O2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 Intel 19 2716 18 17 16 15 14 13 V CC A 8 A 9 VPP CS A10 PD/PGM O 7 O 6 O 5 O 4 O 3 A0 A1 A2 O 0 Intel O A3 1 2716 O A4 2 A5 O 3 A6 O 4 A7 O 5 A8 O 石石石石 6 A9 O 7 A10 PD/PGM CS
主存的主要技术指标
存储容量:指存储器可以容纳的二进制信息量。 存储容量:指存储器可以容纳的二进制信息量。 两种表示方法:字数*字长, 512*32位 或字节数, 两种表示方法:字数*字长,例 512*32位;或字节数, 128MB(Byte)。 如128MB(Byte)。 常用到的: 常用到的:1K=210, 1M=220, 1G=230, 1T=240 存取时间:又称存储器访问时间, 存取时间:又称存储器访问时间,指启动一次存储器操作 到完成该操作所经历的的时间。 到完成该操作所经历的的时间。 存储周期:指连续启动两次读操作所需的最小间隔。 存储周期:指连续启动两次读操作所需的最小间隔。通常 存储周期略大于存取时间。(ns级 。(ns 存储周期略大于存取时间。(ns级) 存储器带宽:单位时间里存储器所存取的信息量, 存储器带宽:单位时间里存储器所存取的信息量,单位为 秒或字节/ 位/秒或字节/秒。带宽是衡量数据传输速率的重要技术指 标。

计算机组成原理第四章单元测试(二)(含答案)

计算机组成原理第四章单元测试(二)(含答案)

第四章存储系统(二)测试1、32位处理器的最大虚拟地址空间为A、2GB、4GC、8GD、16G2、在虚存、内存之间进行地址变换时,功能部件()将地址从虚拟(逻辑)地址空间映射到物理地址空间A、TLBB、MMUC、CacheD、DMA3、在程序执行过程中,Cache与主存的地址映象是由A、用户编写程序完成B、操作系统完成C、编译系统完成D、硬件自动完成4、某计算机的存储系统由cache和主存组成。

某程序执行过程共访存2000次,其中访问cache缺失(未命中)100次,则该程序执行过程中Cache的命中率为A、80%B、85%C、90%D、95%5、在Cache的地址映射中,若主存中的任意一块均可映射到Cache内任意一行的位置上,则这种映射方法称为A、全相联映射B、直接映射C、2-路组相联映射D、混合映射6、采用虚拟存储器的主要目的是A、提高主存储器的存取速度B、扩大主存储器的存储空间,且能进行自动管理和调度C、提高外存储器的存取速度D、扩大外存储器的存储空间7、虚拟存储器中,程序执行过程中实现虚拟地址到物理地址映射部件(系统)是A、应用程序完成B、操作系统和MMU配合完成C、编译器完成D、MMU完成8、相联存储器是按( )进行寻址访问的存储器A、地址B、内容C、堆栈D、队列9、以下哪种情况能更好地发挥Cache的作用A、程序中存在较多的函数调用B、程序的大小不超过内存容量C、程序具有较好的时间和空间局部性D、递归子程序10、以下关于虚拟存储管理地址转换的叙述中错误的是()A、地址转换是指把逻辑地址转换为物理地址B、一般来说,逻辑地址比物理地址的位数少C、地址转换过程中可能会发生“缺页”D、MMU在地址转换过程中要访问页表项11、假定主存按字节编址,cache共有64行,采用4路组相联映射方式,主存块大小为32字节,所有编号都从0开始。

问主存第3000号单元所在主存块对应的cache组号是A、1B、5C、13D、2912、下列关于MMU的叙述中,错误的是()A、MMU是存储管理部件B、MMU负责主存地址到Cache地址的映射C、MMU参与虚拟地址到物理地址的转换D、MMU配合使用TLB 地址转换速度更快13、下列关于主存与cache地址映射方式的叙述中正确的是()A、全相联映射方式比较适用于大容量CacheB、直接映射是一对一的映射关系,组相联映射是多对一的映射关系C、在Cache容量相等条件下,直接映射方式的命中率比组相联方式有更高的命中率D、在Cache容量相等条件下,组相联方式的命中率比直接映射方式有更高的命中率14、下列关于CaChe的说法中,错误的是()A、CaChe对程序员透明B、CaChe行大小与主存块大小一致C、分离CaChe(也称哈佛结构)是指存放指令的CaChe与存放数据CaChe分开设置D、读操作也要考虑CaChe与主存的一致性问题15、下列关于CaChe的论述中,正确的是A、采用直接映射时,CaChe无需使用替换算法B、采用最优替换算法,CaChe的命中率可达到100%C、加快CaChe本身速度,比提高CaChe命中率更能提升存储系统的等效访问速度D、CaChe的容量与主存的容量差距越大越能提升存储系统的等效访问速度16、某计算机系统中,CaChe容量为512 KB,主存容量为256 MB,则CaChe 一主存层次的等效容量为A、512 KBB、256 MBC、256 MB+512 KBD、256 MB - 512 KB17、下列关于Cache的描述中正确的是( )A、Cache存储器是内存中的一个特定区域B、Cache存储器的存取速度介于内存和磁盘之间C、Cache存储器中存放的内容是内存的副本D、Cache中存放正在处理的部分指令和数据18、关于TLB和Cache,下面哪些说法中正确的是( )A、TLB和Cache中存的数据不同B、TLB 访问缺失(miss)后,可能在Cache中直接找到页表内容C、TLB miss会造成程序执行出错,但是Cache miss不会D、TLB和Cache都采用虚拟地址访问19、在下列因素中,与Cache的命中率有关的是( )A、Cache块大小B、Cache的总容量C、主存的存取时间D、替换算法20、下面有关Cache的说法中正确的是( )A、设置Cache的目的,是解决CPU和主存之间的速度匹配问题B、设置Cache的理论基础,是程序访问的局部性原理C、Cache与主存统一编址,Cache地址空间是主存的一部分D、Cache功能均由硬件实现,对程序员透明。

计算机组成原理第4章主存储器

计算机组成原理第4章主存储器
I/O
2、单管动态RAM工作原理
行选择信号 Q C
列选择信号
刷新 放大器
数据输入/输出线
4.8 主存储器的组成与控制
主存储器: 计算机中存放当前正在执行的程序和其使用数据
的存储器。 存储器的地址:
对存储单元进行顺序编号。 地址空间:
地址长度所限定能访问的存储单元数目。
主存储器的基本组成与结构 1、主存储器的基本结构
单译码存储结构 (64*8位)
X0
A0
X 地


码 X63
A5

0,0
63,0
0,7
63,7
R/W CE
三态双向缓冲存储器
D0
D7
双译码存储结构
4.5.3 半导体随机存储器
●静态随机存储器SRAM ●动态随机存储器DRAM
1. 静态RAM的工作原理
Vcc
Q3
Q4
选择线 Q5 Q1
I/O
Q6 Q2
缺点:
是需要多个芯片组合工作。适合 动态RAM和大容量静态RAM。
1022
1023
位结构
3、地址译码器
功能: 接收系统总线传来的地址信号,产生地址译码信号后,选
中存储矩阵中的某个或几个基本存储单元。 分类:
单译码、双译码。 单译码方式适合小容量的存储器。 例如:地址线12根,对应4096状态,需4096译码线。 双译码方式适合大容量存储器(矩阵译码器)。分X、Y两 个方向的译码。 例如:地址线12根。X、Y方向各6根,4096状态,128根译 码线。
第四章 主存储器
4.1 存储器和存储系统
存储器: 存放计算机程序和数据的设备
存储系统: 包括存储器以及管理存储器的软硬件和相

计算机组成原理4第四章存储器PPT课件精选全文

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4.2
11
4.2
请问: 主机存储容量为4GB,按字节寻址,其地址线 位数应为多少位?数据线位数多少位? 按字寻址(16位为一个字),则地址线和数据线 各是多少根呢?
12
数据在主存中的存放
设存储字长为64位(8个字节),即一个存 取周期最多能够从主存读或写64位数据。
读写的数据有4种不同长度:
字节 半字 单字 双字
34
3. 动态 RAM 和静态 RAM 的比较
主存
DRAM
SRAM
存储原理
电容
触发器
集成度


芯片引脚


功耗


价格


速度


刷新


4.2
缓存
35
内容回顾: 半导体存储芯片的基本结构 4.2
…… ……










线



线



片选线
读/写控制线
地址线(单向) 数据线(双向) 芯片容量
D0
…… D 7
22
(2) 重合法(1K*1位重合法存储器芯片)
0 A4
0,00

0,31
0 A3
X 地
X0
32×32
… …
0址
矩阵
A2

0码
31,0

31,31
A1
器 X 31
0 A0
Y0 Y 地址译码器 Y31 A 9 0A 8 0A 7 0A 6 0A 5 0

精品课件-微型计算机原理及应用(第二版)-第4章

精品课件-微型计算机原理及应用(第二版)-第4章

第4章 存储系统
图4.2 6264全地址译码器
第4章 存储系统
图4.3 另一种译码电路
第4章 存储系统
2) 部分地址译码 部分地址译码就是只用部分地址线译码控制片选来决定 存储器地址。一种部分地址译码的连接电路原理图如图4.4 所示。
第4章 存储系统
图4.4 6264部分地址译码连接
第4章 存储系统
第4章 存储系统
2) 金属氧化物(MOS)RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存储器(SRAM)和 动态读写存储器(DRAM)。当前的微型计算机中均采用这种类 型的金属氧化物(MOS)RAM。 静态RAM的主要特点是,其存取时间为几到几百纳秒 (ns),集成度比较高。目前经常使用的静态存储器每片的容 量为几十字节到几十兆字节。SRAM的功耗比双极型RAM低, 价格也比较便宜。
第4章 存储系统
CS1、CS2为两条片选信号引线。当两个片选信号同时有 效时,即 C=S01、CS2=1时,才能选中该芯片。不同类型的芯 片,其片选信号多少不一,但要选中芯片,只有使芯片上所有 片选信号同时有效才行。一台微型计算机的内存空间要比一块 芯片的容量大。在使用中,通过对高位地址信号和控制信号的 译码产生(或形成)片选信号,把芯片的存储容量放在设计者所 希望的内存空间上。简言之,就是利用片选信号将芯片放在所 需要的地址范围上。这一点,在下面的叙述中将会看到。
第4章 存储系统
2.存取时间 存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时 间。 当拿到一块存储器芯片的时候,可以从其手册上得到它的存 取时间。CPU在读写RAM时,它所提供给RAM芯片的读写时间 必须比RAM芯片所要求的存取时间长。如果不能满足这一点, 微型机则无法正常工作。 3.可靠性 微型计算机要正确地运行,必然要求存储器系统具有很 高的可靠性。内存的任何错误都足以使计算机无法工作。而 存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导 体存储器芯片的平均故障间隔时间(MTBF)大概为5×106~ 1×108 h左右。

计算机原理第四章 主存储器2

计算机原理第四章  主存储器2
22
习题3.20 x= - 0.10110 , y = 0.11111 用加减交替法求x/y的商和余数
被除数(余数) +) +) +) +) 00 11 11 11 00 00 00 11 11 11 00 00 01 11 10110 00001 10111 01110 11111 01101 11010 00001 11011 10110 11111 10101 01010 00001 商 000000 000000 000000 操作说明 开始 +[-y]补 +y
M0 M1 M2 M3
0 1
n n+1
2n 2n+1
3n 3n+1
n-1
2n-1
3n-1
4n-1
译码器 模块号 模块内地址 地址
25
2.低位交叉编址(交叉方式)
M0 M1 M2 M3
0 4
1 5
2 6
3 7
4n-4
4n-3
4n-2
4n-1
译码器 模块内地址 模块号 地址
26
设存储器包括M个模块,每个模块的容量为L,各存储模块进行低 位交叉编址,连续的地址分布在相邻的模块中。第i个模块Mi的地址编号应 按下式给出: Mj+i
够减,商1 左移
不够减,商0 左移
000001 000010
000010 000100 000101 001010 001011 010110 010110
+[-y]补 +y
不够减,商0 左移 够减,商1 左移
+)
+[-y]补
够减,商1 左移
+) +)

计算机组成原理第4章主存储器

计算机组成原理第4章主存储器

T
Cs
写入数据线
3管存储单元
(读出和写入部分分开)
有存储电荷:1 无存储电荷:0
整理课件
CD Vdd
单管存储单元
17
2. 动态存储器(DRAM)(2)
(1) 存储单元和存储器原理
单管单元的优点:线路简单,单元占用面积小,速度快。
缺点:读出是破坏性的,需要“重写”;读出信号很小,要求有高灵 敏度的读出放大器。
Adr
地址对片选的建立时间 tsu Adr→CS
CS
WE
DOUT
片选读时间 taCS
CPU必须在这段时 间内取走数据
整理课件
片禁止到输出的传 输延迟tPLH CS→DOUT
15
1. 静态存储器(SRAM)(6)
(2) 开关特性
写周期时序 地址对写允许WE的保持时间 th Adr
地址对写允许WE的建立时间 tsu Adr
总线包括:
数据总线DB、地址总线AB和控制总线CB。
CPU通过使用地址寄存器(AR)和数据寄存器(DR)和主存进行数据传送。 若AR为K位字长,DR为n为字长,则允许主存包含2k个可寻址单位(字节或 字)。在一个存储周期内,CPU和主存之间通过总线进行n为数据传送。
主存储器的两个基本操作:“读”和“写”。读是从存储器中取出数据,写 是将数据放入存储器。
④页面工作方式
RAS CAS Adr WE DOUT
整理课件
24
DRAM与SRAM的比较
DRAM的优点:
每片DRAM存储容量大,约是SRAM的4倍。引脚数少,封装尺寸小。 DRAM的价格比较便宜,大约只有SRAM的1/4。 DRAM所需功率大约只有SRAM的1/6。 由于以上优点, DRAM作为计算机主存储器的主要元件得到了广泛的应

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计算机组成原理
——第4章 主存储器
1
4.8 半导体存储器的组成与控制
1. 存储器容量扩展
位扩展 字扩展 字位扩展
2. 存储控制
集中刷新 分散刷新 异步刷新
3. 存储校验线路
2
复习(一)
❖RAM存储器芯片总结
RAM存储器芯片有多种型号,每一RAM存储器芯 片具有:
地址线Ai:引脚数与存储芯片的单元数有关; 数据线Di:引脚数与存储芯片的字长有关; 片选信号CS:只有CS有效时,芯片才被选中,
❖ 位扩展特点: 存储器的单元数不变,位数增加。

9
1、存储器容量扩展——字扩展
例3 使用16K×8位的RAM芯片组成一个 64K×8位的存储器。
分析: ①芯片的字数不够,需进行字扩展。 ②共需芯片数目是64K÷16K=4。将4片RAM的地 址线、数据线、读写线一一对应并联。 ③出现地址线不够问题,如何解决? 可以用高2位 地址作为选片端。 ④详细的连接见下图:
12

1、存储器容量扩展——字位扩展
❖ 实际存储器往往需要在字向、位向两个方向同时 扩展。
❖ 一个存储器的容量为M×N位,若使用L×K位的存 储芯片,则该存储器共需的芯片个数为:
M× N
L
K
❖ 需解决:芯片的选用、

地址分配与片选逻辑、


信号线的连接。 …
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2114(1K×4)SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
10
16K×8位的RAM芯片组成一个64K×8位的存储器
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地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE

计算机组成原理第四章课后习题和答案解析[完整版]

计算机组成原理第四章课后习题和答案解析[完整版]

第4章存储器1. 解释概念:主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。

答:主存:主存储器,用于存放正在执行的程序和数据。

CPU可以直接进行随机读写,访问速度较高。

辅存:辅助存储器,用于存放当前暂不执行的程序和数据,以及一些需要永久保存的信息。

Cache:高速缓冲存储器,介于CPU和主存之间,用于解决CPU和主存之间速度不匹配问题。

RAM:半导体随机存取存储器,主要用作计算机中的主存。

SRAM:静态半导体随机存取存储器。

DRAM:动态半导体随机存取存储器。

ROM:掩膜式半导体只读存储器。

由芯片制造商在制造时写入内容,以后只能读出而不能写入。

PROM:可编程只读存储器,由用户根据需要确定写入内容,只能写入一次。

EPROM:紫外线擦写可编程只读存储器。

需要修改内容时,现将其全部内容擦除,然后再编程。

擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。

EEPROM:电擦写可编程只读存储器。

CDROM:只读型光盘。

Flash Memory:闪速存储器。

或称快擦型存储器。

2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息?按速度、容量和价格/位排序说明。

答:计算机中寄存器、Cache、主存、硬盘可以用于存储信息。

按速度由高至低排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘;按容量由小至大排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘;按价格/位由高至低排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘。

3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方?为什么要分这些层次?计算机如何管理这些层次?答:存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。

Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用,即从整体运行的效果分析,CPU访存速度加快,接近于Cache的速度,而寻址空间和位价却接近于主存。

主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用,即从程序员的角度看,他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存,而速度接近于主存。

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作业2: 利用6264芯片(8KX8)并采用全译码方式,在8086微机 系统(20根地址线)中组成40000H~43FFFH的内存区, 请画出这些芯片与系统总线的连接示意图。
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作业3:
某机器中,已知配有一个地址空间为(0000— 1FFF)16的ROM区域,现在用一个SRAM芯片 (8K×8位)形成一个16K×16位的RAM区域, 起始地址为(2000)16 。CPU地址总线共有 A15—A0 ,数据总线为D15—D0 ,要求: 1.求所需SRAM芯片数量; 2.画出ROM与RAM同CPU连接图(地址线,数据 线)。
+[-y]补
不够减,商0
+y
23
00 10110
4.9
多体交叉存储器
计算机中大容量的主存,可由多个存储体组成,每个 体都具有自己的读写线路、地址寄存器和数据寄存器, 称为‘存储模块’。这种多模块存储器可以实现重叠 与交叉存取,如果在M个模块上交叉编址(M—2”), 则称为模 M交叉编址。
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1.高位交叉编址(顺序方式)
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由于采用部分译码方式,使得各组芯片的地址范围不 再是惟一的,以由①、②芯片构成的第一组为例,其 地址范围如下表所示:
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例:利用2764芯片(8KX8)并采用三八译码器进行全译码, 在8086系统(20根地址线)的最高地址区组成32KB的存储 区,请画出这些芯片与系统总线连接的示意图。
主存储器的基本组成与结构
1.主存储器的基本结构
控制信号
控制电路 K 位 地 址 总 线 地 址 译 码 器 读 写 电 路 N 位 数 据 总 线
1
M A R
. . .
存 储 体
M D R
4.8 半导体存储器的组成与控制
1.存储器容量扩展
(1)位扩展:用多个存储器器件对字长进行扩充 主要是为了解决CPU和存储器芯片的数据位数不一致的问题。 位扩展的连接方式是将多片存储器的地址、片选信号、读写控制端 R/W相应并联,数据端分别连到数据总线上的相应位。
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作业4:
某CPU有地址线16根,数据线8根,并提供MREQ*、 R/W*等访存信号。 (10分) 要求连接如下存储系统: 主存地址分配空间:6000H~67FFH为系统程序区; 6800H~6BFFH为用户程序区。 现有以下规格的芯片若干可供选择: ROM:2K*8,4K*8,8K*8;RAM:1K*4,4K*8,8K*8; 请合理选择芯片,说明各用几片。 画出CPU和Memory的连接图,
2

位扩展
I/O
CS
R/W
地 址 线 22 条 数 据 线 8 条
·
A21
I/O
A0 D7
4M1 I/O I/O

。 D0
3
(2)字扩展 字扩展指的是增加存储器中字的数量。 静态存储器进行字扩展时,将各芯片的地址线、数据线、读写控制 线相应并联,而由片选信号来区分各芯片的地址范围。
4
(3)字位扩展 实际存储器往往需要字向和位向同时扩充。 一个存储器的容量为(M×N)位,若使用(L×K)位存储器芯片,那 么,这个存储器共需要个(M×N)/(L×K)存储器芯片。
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(2)如果实际使用的存储空间小于CPU可访问的最大存 储空间,而且对实际使用空间的地址范围有严格的要求。 例如,CPU给出的访存地址码长16位(A15~A0),可 访问的最大存储空间为64KB,而系统中实际使用的存 储空间只有8KB,且选用的存储芯片容量为4KX2(位) 共8片,并要求其地址范围必须在4000H~5FFFH范围 内,其地址连接方式如下图所示。
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2.部分译码方式
当实际使用的存储空间比CPU可访问的最大存储空间小 而且对其地址范围没有严格要求的情况下可采用部分译码方 式。 特点:各组芯片的地址范围不惟一 例如,CPU可提供的地址码为16位,而实际使用的存储 容量为16KX8位,拟采用4KX4(位)的存储芯片共8片组成, 则可采用部分译码方式如下图所示。
(其中 j=0,1,2,...,L-1
i=0,1,2,...,M-1)
这种编址方式使用地址码的低位字段经过译码选择不同的存储模 块,而高位字段指向相应的模块内部的存储字这样,连续地址公布在相邻 的不同模块内,而同一模块内的地址都是不连续的。 在理想情况下,如果程序段和数据块都连续地在主存中存放和读 取。那么,这种编址方式将大大地提高主存的有效访问速度、但当追到程 序转移或随机访问少量数据,访问地址就不一定均匀地分布在多个存储模 块之间,这样就会产生存储器冲突而降低了使用率,所以M个交叉模块的 使用率是变化的,大约在 M 而和M之间。
9
1.全译码方式
“全译码方式”是指选片地址部分必须全部有效,特 点是 所使用的存储芯片的地址范围是惟一的。 在以下两种情况下,必须采用全译码方式: (1)CPU可访问的最大存储空间与实际使用的存储空间 相同 例: 某系统中CPU可输出的访存地址码长14位,即从 CPU可访问的最大存储空间为16K。存储器的容量为 16KX8,采用容量为2KX4 的RAM芯片扩展组成。 则 其地址线的连接方式如下图所示。
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习题3.20 x= - 0.10110 , y = 0.11111 用加减交替法求x/y的商和余数
被除数(余数) +) +) +) +) 00 11 11 11 00 00 00 11 11 11 00 00 01 11 10110 00001 10111 01110 11111 01101 11010 00001 11011 10110 11111 10101 01010 00001 商 000000 000000 000000 操作说明 开始 +[-y]补 +y
M0 M1 M2 M3
0 1
n n+1
2n 2n+1
3n 3n+1
n-1
2n-1
3n-1
4n-1
译码器 模块号 模块内地址 地址
25
2.低位交叉编址(交叉方式)
M0 M1 M2 M3
0 4
1 5
2 6
3 7
4n-4
址 模块号 地址
26
设存储器包括M个模块,每个模块的容量为L,各存储模块进行低 位交叉编址,连续的地址分布在相邻的模块中。第i个模块Mi的地址编号应 按下式给出: Mj+i
够减,商1 左移
不够减,商0 左移
000001 000010
000010 000100 000101 001010 001011 010110 010110
+[-y]补 +y
不够减,商0 左移 够减,商1 左移
+)
+[-y]补
够减,商1 左移
+) +)
00 01011 00 10110 11 00001 11 10111 00 11111
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对存储器的访问
CPU和IOP对存储器的访问是由主存控制部件控制的
当CPU发出访存请求后,由交叉编址位(模块号) 选择某个存储体,并查询该存储体的“忙”触发器 (BUSYi)是否为1。如果为1,则说明该体正在进行读 写操作,需要等待这次操作完成后(将BUSYi 置0 ), 才能响应新的读写请求。
7
作业1
用8K*8的存储器芯片构成16k*16位的存 储器,共需多少片?若CPU地址线有16 根,信号线有读写控制信号R/W*、访存 信号MREQ*,存储器芯片的控制信号有 CS*和WE*,请画出此存储器与CPU的连 线图。
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访存地址的译码方式
CPU访问主存储器时需要给出地址码,其长度取决于 CPU可直接访问的最大存储空间,一般要将其地址码分成 片内地址和选片地址两部分。片内地址由低端的地址码构 成,其长度取决于所选存储芯片的字数,例如芯片容量为 8KX4(位)或8KX1(位),它们的片内地址相同,均为13 位 (因为213=8K);而高端的地址码为选片地址,经译码后 用来产生选片信号(CS),因此访存地址的译码问题实际 上只涉及到选片地址部分。 关于选片地址的译码有全译码和部分译码之分。
当存储体完成读写操作后,向CPU发出“回答” 信号,表示操作完成。 若要继续访存,则将下一个地址码以及读或写命 令送至存储控制部件,重复上述过程。
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例: 由Intel 2114芯片经字位扩展而成容量为 4K×8位的存储器。 由 于Intel 2114芯片只有1K×4位,所以整个存储器共需 (4K×8)/(1K×4)=8个2114芯片。
5
6
例:某机器中,已知有一个地址空间为0000H~1FFFH的ROM 区域,现在再用RAM芯片( 8K×4)形成一个16K×8的RAM 区域,起始地址为2000H。CPU地址总线为A15 ~A0,数据总 线为D7 ~D0,控制信号为R/W#,MREQ#。要求画出逻辑图。
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4.9.2 重叠和交叉存取控制
有两种方式进行访问: 同时访问:所有模块同时启动一次存储周期,相对各 自的数据寄存器并行地进行读出或写入。(要增加数据总 线的宽度;可以一次提供多条指令或多个数据) 交叉访问:M个模块按一定顺序轮流启动各自的存储 周期,启动两个相邻模块的最小时间间隔等于单个模块访 问周期的1/M。
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