可靠性试验标准 参考JEDEC

试验时间1008 (-24, +168)小时，相对湿度90% to 98%。

高温工作寿命试验温度：125℃
试验时间：1000h 加最大偏压。

低温工作寿命试验温度：-10℃
试验时间：240h
加最大偏压。

本试验适用于设计尺寸<1 um的CMOS器件。

高温存储试验温度：
A: +125(-0/+10)℃
B: +150(-0/+10)℃
C: +175(-0/+10)℃
D: +200(-0/+10)℃
E: +250(-0/+10)℃
F: +300(-0/+10)℃
G: +85(-0/+10)℃
典型条件温度B时间1000小时。

低温存储试验温度：
A: -40(-10/+0)℃
B: -55(-10/+0)℃
C: -65 -10/+0)℃
典型条件温度A时间168小时。

温度循环温度循环试验条件：
试验条件 Ts(min)(℃) Ts(max)(℃)
A -55(+0,-10) +85(+10,-0)
B -55(+0,-10) +125(+15,-0)
C -65(+0,-10) +150(+15,-0)
G -40(+0,-10) +125(+15,-0)
H -55(+0,-10) +150(+15,-0)
I -40(+0,-10) +115(+15,-0)
J -0(+0,-10) +100(+15,-0) K -0(+0,-10) +125(+15,-0) L -55(+0,-10) +110(+15,-0) M -40(+0,-10) +150(+15,-0) N -40(+0,-10) +85(+10,-0) 浸透模式条件：
浸透模式 浸透时间（minutes）
1 1
2 5
310
415
试验频率和试验条件对应的浸透模式：
试验条件 循环/小时 浸透模式
A 2–3 1,2&3
B 2–3 1&2
C 2 1&2
G <1–2 1,2,3&4
H 2 1&2
I 1–2 1,2,3&4
J 1–3 1,2,3&4
K 1–3 1,2,3&4
L 1–3 1,2,3&4
M 1–3 1,2,3&4
N 1–3 1,2,&3
常用条件：
-55(+0,-10)—— +125(+15,-0) 1000次 -65(+0,-10)—— +150(+15,-0) 500次
热冲击试验条件 Ts(min)(℃) Ts(max)(℃)
A -40(+0,-10) +85(+10,-0)
B -0(+0,-10) +100(+10,-0)
C -55(+0,-10) +125(+10,-0)
D -65(+0,-10) +150(+10,-0)
高低温转换时间不超过20秒。

常用条件：
-55(+0,-10)—— +125(+15,-0) 100次 -65(+0,-10)—— +150(+15,-0) 500次
功率温度循环试验条件端点温度最大转换时间最小停留时间
A -40(+0,-10)—+85(+10,-0) 20分钟 10分钟
B -40(+0,-10)—+125(+10,-0) 30分钟 10分钟 本试验适用于经受温度漂移和需要在任何温度下能够完成功率开关的器件。

预处理样品在进行稳定湿热偏压寿命试验，高速湿热寿命应力，试验高压水煮试验，温度循环试验前做预处理。

可焊性预处理条件
条件预处理类型持续时间A 蒸气预处理1h±5min
B 蒸气预处理4h±10min
C 蒸气预处理8h±15min
D 蒸气预处理16h±30min
150℃烘烤 16h±30min
方法1：浸渍观察试验
助焊剂类型ROL1
助焊剂沉浸时间 5 - 10 s
焊料类型无铅
焊料温度245℃± 5℃
焊料沉浸时间 5 ± 0.5 s
焊料沉浸拿出速率 1.00± 0.25in/s (25.4±6.4mm/s)
方法2：SMD工艺模拟试验
封装类型SMD
助焊剂类型ROL0
焊料类型SnAgCu
回流工艺对流红外箱蒸气
预热温度160 – 180℃
预热时间50 – 70 s
回流温度230 – 245℃ 230 – 245℃回流时间50 – 70 s 30 – 60 s
机械冲击试验条件等价掉落高度速度改变加速度峰值脉冲时间inches/cm (in/s)/(cm/m) G ms
H 59 / 150 214 / 543 2900 0.3
G 51 / 130 199 / 505 2000 0.4
B 44 / 112 184 / 467 1500 0.5
F 30 / 76.2 152 / 386 900 0.7
A 20 / 50.8 124 / 316 500 1.0
E 13 / 33.0 100 / 254 340 1.2
D 7 / 17.8 73.6 / 187 200 1.5
C 3 / 7.62 48.1 / 122 100 2.0
在三轴向的六个方向上，每个方向至少5次冲击（总共至少30次）。

通常应用于空封器件。

变频振动ESD(HBM) ESD(MM) ESD(CDM) Latch-up。