硅材料与硅片
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
4 四氯化硅(SiCl4)氢化反应技术 用西门子法生产多晶硅时在氯化工序和还原工序都要产生 大量的副产物— SiC14·大量的SiC14生成,不但增加了多晶硅 生产的单耗,而且该物很难处理,对环境造成污染。为此,大 阪钛公司、联合碳化物等公司很早就致力于开展SiC14转化成 SiHCl3,的研究工作。世界各大型多晶硅生产厂,也都进行了这 方面的研究,使生产多晶硅仅需补充纯硅和少量H2作原料成为 可能.
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
1 大型多对棒节能型还原炉 多晶硅还原炉,出于节能降耗的考虑,必须大型化,与之相适应的 电器也必须大型配套。大型节能还原炉有几项关键的技术: (1)炉内可同时加热许多根金属丝,以减少炉壁辐射所造成的热损失; (2)炉的内壁加工成镜面,使辐射热能反射,以减少散热损失热能; (3)提高炉内压力,加大供气量,以提高反应速度,加快硅的沉积生成 速度采用这种改进的大型还原炉之后,其炉产量可以从改良前的每炉 次 100-200公斤提高到每炉次5-6吨。这种大型还原炉的显著特点是:能耗 低、产量高、质量稳定 。
目前,国外大型还原炉的硅棒的总数大多在100根以上,硅棒长度在 1.5米以上,棒直径达到200毫米以上,每炉产量可达5^6吨,电耗则大 幅度下降,达到每公斤多晶硅耗电80kW/h.
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
2 导热油循环冷却还原炉工艺技术
在多晶硅生产过程中,还原炉是高耗能设各,硅棒的沉积需要电能 加热并维持温度在高温状态,而炉筒、电极和炉底盘则需要冷却。冷 却过程会带走大量热能,使还原炉内多晶硅棒的热能损失。这种热能 损失大部分是高温硅棒传向低温炉壁的热辐射而损失的,其次是气体 被加热后而排出还原炉带走了部分热量。要想提高炉筒壁的温度,就 要设法提高炉筒壁冷却介质的温度。以前传统的冷却介质是水,因水 的沸点在100 ℃,故出口温度不能高于100℃,而实际工艺过程中未能达 到这种较高温度,一般都在50℃左右。人们通过探讨,采用了导热油 作为还原炉的冷却介质,因油的成本远比水高,所以采用了循环冷却 方式,因此,便产生了导热油循环冷却还原炉的工艺 。这种工艺可使 直接电耗降低约 30%,还可综合利用余热.
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一 多晶硅的合成
从上世纪五,六十年代至今,高纯多晶硅生产广泛采 用氢气还原三氯氢硅,即西门子法。回首过去,传统西门 子法在我国的应用也有几十年了,但无论是生产规模,能 耗,环保,以及副产物的综合利用与国外的技术相差都很 大。 改良西门子法主要优点是:节能降耗显著、成本低、质 量高,采用综合利用技术,对环境产生污染小。其主要技 术是:大直径对多对棒节能型还原炉技术、导热油循环冷却 硅还原炉系统技术、还原炉尾气封闭式干法回收技术以及 副产品SiCl4氢化生成SiHCl3技术。
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Company
硅材料与硅片的生产
wenku.baidu.com
Contents
一
二 三
多晶硅的合成
多晶硅锭的生产过程 单晶硅的生产过程 硅片加工 小结
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四
五
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硅半导体的生产主要分为多晶硅的合成及生 长、单晶硅的生长和硅晶片加工这三个步骤。其中, 多晶硅合成主要是应用化学方法,通过一系列的化 学反应完成多晶硅的提纯生长过程,得到高纯硅; 太阳电池多晶硅锭主要采用定向凝固的方法生产的; 单晶硅的生长是将已生产的高纯多晶硅制备为单晶 硅,这一过程是通过物理方法实现的,主要介绍提 拉(CZ)和区熔(FZ)两种单晶生长方法;硅片加工主 要是机械加工的过程,包括硅片的定向、切割、打 磨、抛光等过程。下面分别介绍多晶硅合成及生长, 单晶硅生长和硅片加工这几个工艺步骤。
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一 多晶硅的合成
多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来,由于各 多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同,因此生产工艺技 术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质 量 指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异, 各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅 生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和硫化床 法。改良西门子法是目前主流的生产方法,采用此方法生 产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85%。但这种提炼技 术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日 等7家主要硅料厂商手 中。这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%,它们形成 的企业联盟实行技术封锁,严禁技术转让。短期内产业化 技术垄断封锁的局面不 会改变。
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(二)改良西门子法生产工艺流程
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改良西门子法示意图
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改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有: 氯化 氢合成炉,三氯氢硅沸腾床加压合成炉,三氯氢硅水解凝 胶处理系统,三氯氢硅精馏、精馏塔提纯系统,硅芯炉, 节电还原炉,磷检炉,硅棒切断机,腐蚀、清 洗、干燥、 包装系统装置,还原尾气干法回收装置;其他包括分析、 检测仪器,控制仪表,热能转换站,压缩空气站,循环水 站,变配电站,净化厂房等。
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
3. 还原尾气的干法回收技术 在还原生长多晶硅之后,还有部分还原尾气。如果尾气放空排放,不 仅浪费了能源和原材料,还会对环境造成污染。 多晶硅还原炉尾气中的氢、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅等成分,经过 加工和冷却达到一定的条件之后,其中的二氯氢硅和四氯化硅被冷凝分离 出来,然后把分离出的三氯氢硅直接送到还原炉,以生产多晶硅,而把四 氯化硅送到氢化工序,经氢化后,部分转化成三氯氢硅,把氢化后的气体 再经分离塔分离出二氯氢硅和四氯化硅,再分别把三氯氢硅送到还原系统 ,再把四氯化硅送到氢化工序,这样连续不断地循环进行 下去 。另外, 经加压和冷却后的不凝气体,主要是氢和氯化氢,它们在加压和低温条件 下,通过特殊的分离工艺,使氢和氯化氢分离出来,把没有杂质和水分的 纯氢送往氯化氢合成工序或还原工序利用,而氯化氢则送到三氯氢硅的合 成工序。还原尾气干法回收的整套工艺都不接触水分,只是把尾气中各种 成分逐一分离,并且不受污染地回收,再送回相适应的工序重复利用,实 行闭路循环式 工作。
(一) 改良西门子法的几项关键技术
4 四氯化硅(SiCl4)氢化反应技术 用西门子法生产多晶硅时在氯化工序和还原工序都要产生 大量的副产物— SiC14·大量的SiC14生成,不但增加了多晶硅 生产的单耗,而且该物很难处理,对环境造成污染。为此,大 阪钛公司、联合碳化物等公司很早就致力于开展SiC14转化成 SiHCl3,的研究工作。世界各大型多晶硅生产厂,也都进行了这 方面的研究,使生产多晶硅仅需补充纯硅和少量H2作原料成为 可能.
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
1 大型多对棒节能型还原炉 多晶硅还原炉,出于节能降耗的考虑,必须大型化,与之相适应的 电器也必须大型配套。大型节能还原炉有几项关键的技术: (1)炉内可同时加热许多根金属丝,以减少炉壁辐射所造成的热损失; (2)炉的内壁加工成镜面,使辐射热能反射,以减少散热损失热能; (3)提高炉内压力,加大供气量,以提高反应速度,加快硅的沉积生成 速度采用这种改进的大型还原炉之后,其炉产量可以从改良前的每炉 次 100-200公斤提高到每炉次5-6吨。这种大型还原炉的显著特点是:能耗 低、产量高、质量稳定 。
目前,国外大型还原炉的硅棒的总数大多在100根以上,硅棒长度在 1.5米以上,棒直径达到200毫米以上,每炉产量可达5^6吨,电耗则大 幅度下降,达到每公斤多晶硅耗电80kW/h.
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
2 导热油循环冷却还原炉工艺技术
在多晶硅生产过程中,还原炉是高耗能设各,硅棒的沉积需要电能 加热并维持温度在高温状态,而炉筒、电极和炉底盘则需要冷却。冷 却过程会带走大量热能,使还原炉内多晶硅棒的热能损失。这种热能 损失大部分是高温硅棒传向低温炉壁的热辐射而损失的,其次是气体 被加热后而排出还原炉带走了部分热量。要想提高炉筒壁的温度,就 要设法提高炉筒壁冷却介质的温度。以前传统的冷却介质是水,因水 的沸点在100 ℃,故出口温度不能高于100℃,而实际工艺过程中未能达 到这种较高温度,一般都在50℃左右。人们通过探讨,采用了导热油 作为还原炉的冷却介质,因油的成本远比水高,所以采用了循环冷却 方式,因此,便产生了导热油循环冷却还原炉的工艺 。这种工艺可使 直接电耗降低约 30%,还可综合利用余热.
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一 多晶硅的合成
从上世纪五,六十年代至今,高纯多晶硅生产广泛采 用氢气还原三氯氢硅,即西门子法。回首过去,传统西门 子法在我国的应用也有几十年了,但无论是生产规模,能 耗,环保,以及副产物的综合利用与国外的技术相差都很 大。 改良西门子法主要优点是:节能降耗显著、成本低、质 量高,采用综合利用技术,对环境产生污染小。其主要技 术是:大直径对多对棒节能型还原炉技术、导热油循环冷却 硅还原炉系统技术、还原炉尾气封闭式干法回收技术以及 副产品SiCl4氢化生成SiHCl3技术。
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一
二 三
多晶硅的合成
多晶硅锭的生产过程 单晶硅的生产过程 硅片加工 小结
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四
五
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硅半导体的生产主要分为多晶硅的合成及生 长、单晶硅的生长和硅晶片加工这三个步骤。其中, 多晶硅合成主要是应用化学方法,通过一系列的化 学反应完成多晶硅的提纯生长过程,得到高纯硅; 太阳电池多晶硅锭主要采用定向凝固的方法生产的; 单晶硅的生长是将已生产的高纯多晶硅制备为单晶 硅,这一过程是通过物理方法实现的,主要介绍提 拉(CZ)和区熔(FZ)两种单晶生长方法;硅片加工主 要是机械加工的过程,包括硅片的定向、切割、打 磨、抛光等过程。下面分别介绍多晶硅合成及生长, 单晶硅生长和硅片加工这几个工艺步骤。
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一 多晶硅的合成
多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来,由于各 多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同,因此生产工艺技 术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质 量 指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异, 各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅 生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和硫化床 法。改良西门子法是目前主流的生产方法,采用此方法生 产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85%。但这种提炼技 术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日 等7家主要硅料厂商手 中。这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%,它们形成 的企业联盟实行技术封锁,严禁技术转让。短期内产业化 技术垄断封锁的局面不 会改变。
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(二)改良西门子法生产工艺流程
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改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有: 氯化 氢合成炉,三氯氢硅沸腾床加压合成炉,三氯氢硅水解凝 胶处理系统,三氯氢硅精馏、精馏塔提纯系统,硅芯炉, 节电还原炉,磷检炉,硅棒切断机,腐蚀、清 洗、干燥、 包装系统装置,还原尾气干法回收装置;其他包括分析、 检测仪器,控制仪表,热能转换站,压缩空气站,循环水 站,变配电站,净化厂房等。
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
3. 还原尾气的干法回收技术 在还原生长多晶硅之后,还有部分还原尾气。如果尾气放空排放,不 仅浪费了能源和原材料,还会对环境造成污染。 多晶硅还原炉尾气中的氢、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅等成分,经过 加工和冷却达到一定的条件之后,其中的二氯氢硅和四氯化硅被冷凝分离 出来,然后把分离出的三氯氢硅直接送到还原炉,以生产多晶硅,而把四 氯化硅送到氢化工序,经氢化后,部分转化成三氯氢硅,把氢化后的气体 再经分离塔分离出二氯氢硅和四氯化硅,再分别把三氯氢硅送到还原系统 ,再把四氯化硅送到氢化工序,这样连续不断地循环进行 下去 。另外, 经加压和冷却后的不凝气体,主要是氢和氯化氢,它们在加压和低温条件 下,通过特殊的分离工艺,使氢和氯化氢分离出来,把没有杂质和水分的 纯氢送往氯化氢合成工序或还原工序利用,而氯化氢则送到三氯氢硅的合 成工序。还原尾气干法回收的整套工艺都不接触水分,只是把尾气中各种 成分逐一分离,并且不受污染地回收,再送回相适应的工序重复利用,实 行闭路循环式 工作。