亡的多参数可调高压纳秒脉冲发生器_图文(精)
用于调Q的高压、超快脉冲发生器
用于调Q的高压、超快脉冲发生器朱琳;刘爽;张伟;陈煦【摘要】为得到用于调Q的高速高压脉冲,介绍一种基于Max Bank原理的纳秒脉冲发生器设计及实现.电路分两级组成,第一级是经74LS123整形过的脉冲触发单管产生顸雪崩级脉冲,第二级采用级联雪崩晶体管串.电路板采用微带线结构,通过同轴脉冲形成线,对脉冲形状进行优化.最终获得输出阻抗50 Ω,脉冲峰峰值1.48 kV,脉冲前沿为200 ps的高压,高速大电流脉冲.同时对晶体管的选择、触发脉冲的产生也做了介绍,对PCB板的设计中应注意的问题做了相应的说明.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2009(032)015【总页数】4页(P101-103,107)【关键词】调Q;高压脉冲;雪崩晶体管;微带线【作者】朱琳;刘爽;张伟;陈煦【作者单位】电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054【正文语种】中文【中图分类】TN7840 引言调品质因数Q技术是指通过某种方法使腔的 Q值随时间按一定程序变化的技术。
在泵浦开始时使腔处在低Q值状态，即提高振荡阈值，使振荡不能生成，上能级的反转粒子数就可以大量积累，当积累到最大值(饱和值) 时，突然使腔的损耗减小，Q值突增，激光振荡迅速建立起来，在极短的时间内上能级的反转粒子数被消耗，转变为腔内的光能量，在腔的输出端以单一脉冲形式将能量释放出来，于是就获得峰值功率很高的巨脉冲激光输出[1]。
如何提高Q，开关速度在激光调Q技术的研究中一直是人们关注的问题。
对于加压式电光调Q激光器,当调Q尚未开始时,谐振腔内的损耗最大,即品质因数Q最小,在这段时间内上能级的反转粒子数密度大量积累。
当积累到最大饱和值Δn0时,在电光晶体两端瞬间加载λ/4电压,使腔内损耗迅速降低,Q值突增至最大,这时激光振荡迅即建立,腔内光子就以雪崩方式建立起极强的振荡,在短时间内反转粒子数被大量消耗掉,转化为光能量,从而形成一个窄脉宽、高峰值功率的巨脉冲。
一种纳秒级高压脉冲发生器的研制
高压电器
Ｈｉｇｈ Ｖｏｌｔａｇｅ Ａｐｐａｒａｔｕｓ
直流电压的纹波系数可用公式（ ２） 描述。
Ｓ＝δＵ／Ｕｄ＝Ｉｄ／（ ２ｆＣＵｄ）
（ ２）
显然， Ｃ 值越大， 纹波系数 Ｓ 越小。在该电路中， 选择
１ ｕＦ 的电容以减小 Ｓ。变压器的变比可调， 因此可以
得到不同幅值的高压直流电压。当变压器的高压绕
ｐｕｌｓｅ ｗｉｄｔｈ ＜２０ ｎｓ） ｍｕｓｔ ｂｅ ｅａｓｙ ｔｏ ｂｅ ｇｅｎｅｒａｔｅｄ． Ｉｎ ｔｈｉｓ
ｐａｐｅｒ， ａ ｎｅｗ ｈｉｇｈ ｖｏｌｔａｇｅ ｐｕｌｓｅ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ ｉｓ ｄｅｓｉｇｎｅｄ． Ｔｈｅ
ｍｅｒｃｕｒｙ ｒｅｌａｙ ｉｓ ｕｓｅｄ ａｓ ｓｗｉｔｃｈ ａｎｄ ｔｈｅ ｅｎｅｒｇｙ ｓｔｏｒａｇｅ
［３］ 陈 衡， 侯善敬． 电力设备故障红外线诊断［ Ｍ］ ． 北京： 中国 电力出版社， １９９９．
"""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""
（ 上接第 １３０ 页）
断路器安全总突变隶属函数值： Ｘ!＝（ ０．９６９， ０．７４９， ０．６１２， ０．３８７） 该高压断路器的运行状态处于“优”阶段， 工作 性能稳定， 故障概率极低。
脉冲发生器
③脉冲信号发生器。能产生宽度、幅度和重复频率可调的矩形脉冲的发生器，可用以测试线性系统的瞬态响 应，或用作模拟信号来测试雷达、多路通信和其他脉冲数字系统的性能。
先后用数字的方法研制了两种随机脉冲产生器。一种用单片机给出随机脉冲间隔;第二种用伪随机码给出随机 脉冲 。
超短
对于超高分辨率雷达、扩频通信技术以及其它许多需要宽带辐射的应用来说,超短脉冲发生器是十分重要的, 从某种程度上来讲,超短脉冲的形成技术已成为许多宽带应用中的核心技术。目前,有许多有关该技术的研究集中 在激光二极管驱动的GaAs光开关上,但是这些器件还不能在小于200 ps的情况下正常工作,同时,激光二极管还存 在重复率和可靠性方面的问题。另外一些产生高速瞬变电压的方法还有GaAs可控硅等,但是GaAs可控硅作为一种 成熟的产品还需一段时间 。
随机
放射性原子核的衰变在时间上是随机的。因此,一个放射源在单位时间内发生衰变的原子核数围绕其平均值成 泊松分布。核探测器接收到的信号计数率也围绕平均计数率呈泊松分布。其他随机过程,例如一定束流轰击靶发生 的反应数、正负电子束团对撞时单位时间内发生的事例数也都遵循同样的规律 。
一般,在检测电子电路和数据获取系统的性能时用脉冲产生器来模拟从核探测器来的信号。脉冲产生器信号是 周期性的,它们之间的时间间隔总是一样的。而一些较复杂的系统对周期性脉冲和随机脉冲的反应可能不一样,特 别是当计数率接近系统的处理能力的极限时。为了检测电子电路和数据获取系统在随机触发下的性能,需1、液压脉冲发生器液压脉冲发生器包括一个安装在进水管（1）上的液压气动蓄能器（2），此蓄能器通过 第一导管（3）与振荡发生器（4）连接，振荡发生器再通过第二导管（5）与水流转换器（6）连接。水流转换器 包括工作喷嘴（7）和排水喷嘴（8）。第二导管（5）至少由两段不同直径的管子（9、10）连接而成，前一段 （9）的直径为后一段（10）的直径的两倍。
纳秒脉冲发生器[发明专利]
![纳秒脉冲发生器[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/7ea293c6453610661fd9f46c.png)
专利名称：纳秒脉冲发生器
专利类型：发明专利
发明人：詹姆斯·R·普拉格,迪麦西·M·津巴,肯尼斯·E·米勒,约翰·G·卡斯凯德,艾丽亚·斯劳伯道夫
申请号：CN201810587074.8
申请日：20150713
公开号：CN108471302A
公开日：
20180831
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种纳秒脉冲发生器。
在一些实施例中，所述纳秒脉冲发生器可包括一个或多个开关电路，所述一个或多个开关电路包括一个或多个固态开关、变压器和输出。
在一些实施例中，所述变压器可包括第一变压器铁芯、至少部分地围绕所述第一变压器铁芯的一部分缠绕的第一初级绕组、以及至少部分地围绕所述第一变压器铁芯的一部分缠绕的次级绕组。
在一些实施例中，一个或多个开关电路中的每一个与第一初级绕组的至少一部分耦接。
在一些实施例中，所述输出可与所述次级绕组电耦接，并且输出具有大于约1千伏的峰值电压和小于150纳秒或50纳秒的上升时间的电脉冲。
申请人：鹰港科技有限公司
地址：美国华盛顿州西雅图市西邓尼路119号210室
国籍：US
代理机构：上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：成丽杰
更多信息请下载全文后查看。
一种百千伏的多倍宽纳秒脉冲发生器
一种百千伏的多倍宽纳秒脉冲发生器
潘亚峰;张喜波;刘胜
【期刊名称】《现代应用物理》
【年(卷),期】2017(008)002
【摘要】介绍了一种小型的高压纳秒脉冲发生器,该发生器的主要结构单元包括螺旋型多倍宽脉冲形成线和电晕火花开关.其中,螺旋型多倍宽脉冲形成线由Tesla外线和多段螺旋阶梯内线构成,阶梯线置于Tesla内磁芯的内部,结构紧凑;电晕火花开关有利于发生器的重频稳定工作.该发生器整体长度约630 mm,形成线采用MIDEL 7131合成酯介质,以5倍脉宽形成脉冲时可以输出23 ns脉冲,波形前沿快,平顶好,输出脉冲电压约105 kV,重频30 Hz.
【总页数】6页(P50-55)
【作者】潘亚峰;张喜波;刘胜
【作者单位】西北核技术研究所,西安710024;高功率微波技术重点实验室,西安710024
【正文语种】中文
【中图分类】TN782
【相关文献】
1.一种宽量程磁场发生器的设计 [J], 张景鑫;许亚峰;刘明非;王学民;马长生;张瑞媛;张睿霦
2.一种基于CPLD的宽可调PWM信号发生器 [J], 熊承义;孙奉娄
3.基于模块化多电平换流器的模块化前后沿可调高压纳秒脉冲发生器的研制 [J], 米彦; 万晖; 卞昌浩; 彭文成; 桂路
4.基于辅助充电支路的模块化多电平变换器结构高频纳秒脉冲发生器 [J], 米彦;陈嘉诚;许宁;戴锦炎
5.一种诱导肿瘤细胞凋亡的多参数可调高压纳秒脉冲发生器 [J], 姚陈果;赵东阳;王剑飞;王建;章锡明
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
基于Marx+脉冲变压器的高频高压微纳秒脉冲发生器
基于Marx+脉冲变压器的高频高压微纳秒脉冲发生器高频高压微纳秒脉冲发生器在科学研究和工业应用中扮演着重要角色。
它可以产生微纳秒级的脉冲信号，具有高频高压的特点，适用于多种领域的实验和应用。
基于Marx+脉冲变压器的高频高压微纳秒脉冲发生器是一种常见的实现方式，下面将对其原理和应用进行详细介绍。
我们来了解一下Marx发生器。
Marx发生器是一种高压脉冲发生器，由数个串联的电容器和开关元件组成。
在工作时，每个电容器通过开关元件连接到下一个电容器，最终形成一个串联的电容电路。
当一定的电压施加到这个电路上时，每个电容器都会被充电，并在达到一定电压时通过开关元件放电，产生高压脉冲。
Marx发生器可以产生很高的脉冲电压，常用于工业领域和科学研究中。
接下来，我们来介绍一下脉冲变压器。
脉冲变压器是一种专门用于产生高压脉冲的变压器，它能够将输入的低电压高频信号转换成高电压的高频信号输出。
脉冲变压器通常由多级绕组和铁芯组成，通过耦合和变压作用实现电压的提升。
将Marx发生器和脉冲变压器结合起来，就得到了基于Marx+脉冲变压器的高频高压微纳秒脉冲发生器。
其工作原理为：Marx发生器产生高压脉冲信号，然后通过脉冲变压器将这个高压脉冲信号转换成更高压的高频脉冲信号输出。
这种方式可以在保持高压的同时实现高频高压的输出，适用于需要微纳秒级高频脉冲的实验和应用。
1. 高频高压输出：通过脉冲变压器的作用，可以将Marx发生器输出的高压脉冲信号转换成更高压的高频脉冲信号，满足一些特定领域对高频高压信号的需求。
2. 微纳秒级脉冲：Marx发生器本身就能够产生微纳秒级的脉冲信号，结合脉冲变压器后，更加满足微纳秒级脉冲的需求，适用于一些精密的实验和应用。
3. 可定制化：基于Marx+脉冲变压器的高频高压微纳秒脉冲发生器可以根据不同的需求进行定制，可以调整输出的脉冲频率、脉冲宽度和输出的高压电压等参数。
一种脉宽可调的陡化后沿高压脉冲发生器
第30卷第10期强激光与粒子束V o l.30,N o.10 2018年10月H I G H P OW E R L A S E R A N D P A R T I C L E B E AM S O c t.,2018一种脉宽可调的陡化后沿高压脉冲发生器*崔言程,杨汉武,高景明,李嵩,时承瑜,伍麒霖(国防科技大学前沿交叉学科学院,长沙410073)摘要:磁开关因其独特的饱和导通机制而在脉冲功率技术领域应用广泛,利用磁开关饱和前后电感差异大的特点,可以将其用作撬断开关来陡化脉冲后沿㊂利用金属氧化物压敏电阻的稳压特性,能在负载上得到具有一定平顶的脉冲准方波,进而可通过改变磁开关的伏秒积来进行脉宽调整㊂提出一种脉宽可调的高压脉冲发生器技术方案,利用压敏电阻产生高压脉冲准方波,用磁开关作为撬断开关来陡化脉冲后沿,并通过改变磁开关复位电流的大小来控制磁开关的复位深度,进而实现脉宽可调㊂首先进行了理论分析及软件模拟研究,然后基于模拟结果开展了初步实验研究㊂初步实验得到的负载电压波形后沿小于30n s,脉宽可调范围大约30%,验证了磁开关的后沿陡化效果以及用于脉宽调整的可行性㊂关键词:高压脉冲发生器;磁开关;脉宽可调;撬断开关;压敏电阻中图分类号: T N787文献标志码: A d o i:10.11884/H P L P B201830.180147金属氧化物压敏电阻(MO V)是一种半导体器件,也是一种典型的非线性器件,具有类似于齐纳二极管的稳压特性,在电子电力系统的高压防护和避雷器中应用广泛[1-2]㊂MO V独特的稳压特性,可用于产生高压脉冲方波㊂美国研究人员M.C.C l a r k在2009年提出利用MO V代替脉冲形成网络,可以产生百n s到数μs不等的高压脉冲[3];另一美国学者R.J.A d l e r在2011年发表文章,介绍了利用脉冲变压器和MO V产生脉冲方波的方法[4];国防科技大学研究人员也开展了MO V用于高压脉冲形成的相关探索[5]㊂随着脉冲功率系统对重频特性的要求越来越高,意味着需要脉冲发生器产生更加陡峭的脉冲后沿㊂并且由于脉冲功率系统应用场景的不断扩展,对脉冲功率系统输出波形的脉宽也提出了多样化的要求,输出单一波形的脉冲功率系统在未来难以满足技术快速发展的要求,单一系统输出脉宽可调的需求越来越迫切[6-7]㊂目前很多脉宽可调的技术方案都是基于半导体开关,但是大多数半导体开关都存在耐压不高的问题,少数几种单管耐压较高的新型半导体开关技术只掌握在少数几个国家手中,并且也都处于实验室研究状态,市场上很难找到合适的高压半导体开关[8-11]㊂本文提出一种利用MO V产生高压脉冲准方波,用磁开关作为撬断开关陡化后沿,并通过改变磁开关的复位电流进行脉宽调整的技术方案[6-7,12-13]㊂论文进行了理论分析和模拟研究,并开展了初步实验研究,验证了磁开关用于后沿陡化以及脉宽调整方案的可行性㊂初步实验中得到的负载电压波形后沿小于30n s,脉宽调整范围约30%㊂1理论分析磁开关(M S)作为固态开关的一种,具有可重复性强㊁无磨损㊁恢复速度快等优点[14-15],在高重复频率㊁长寿命运行等方面有显著的优势[16]㊂所以在高功率脉冲发生器中,磁开关是应用最广泛的开关之一[14]㊂最能反映磁开关工作特性的就是磁滞回线,图1所示为磁性材料磁滞回线示意图[14]㊂图1(a)所示为硬磁材料磁滞回线示意图㊂B r为磁芯的剩余磁感应强度,B s为磁芯的饱和磁感应强度,曲线的斜率表示磁芯相对磁导率[14]㊂在未饱和区,磁芯相对磁导率高,磁开关电感大,相当于开关断开;在饱和区,磁芯相对磁导率低,磁开关电感小,相当于开关导通㊂基于磁开关的这个特点,可以将其用作撬断开关来陡化脉冲后沿[17]㊂图1(b)所示为软磁材料磁滞回线,其中a,b,c三点代表磁开关不同的复位点㊂软磁材料最大的特点就是磁滞回线较为平缓,基于这个特点,我们提出利用磁开关来调节脉宽㊂磁芯绕组电压与时间的关系满足伏秒积公式ʏU(t)d t=NΔB S m(1)*收稿日期:2018-05-22;修订日期:2018-08-01基金项目:国家自然科学基金项目(51607183;51707199)作者简介:崔言程(1994 ),男,硕士,从事脉冲功率技术及其应用研究;y a n_c h e n g_c u i@163.c o m㊂105001-1105001-2式中:U (t )是绕组两端电压;N 为匝数;ΔB 为磁感应强度变化量;S m 为磁芯的有效面积㊂磁开关的几何尺寸确定之后,S m 和N 就随之确定了㊂流经磁开关的复位电流不同,使其反向磁化的程度就不同,那么下一个脉冲周期磁开关正向饱和导通对应的ΔB 也就不同㊂由于MO V 将电压限制在压敏电压附近,绕组电压基本不变,S m 和N 也不变,所以ΔB 与脉宽t 变成线性关系,即脉宽随磁感应强度变化量线性变化,从而实现脉宽调整的目的㊂F i g .1 H y s t e r e s i s l o o p o fm a gn e t i cm a t e r i a l 图1磁性材料典型磁滞回线F i g .2 R e l a t i o n s h i p b e t w e e nm a gn e t i c s w i t c h (M S )r e s e t d e pt ha n d p u l s ew i d t h s 图2 磁开关不同复位点与脉宽对应关系图2画出了磁开关不同的复位点与脉宽的对应关系:a 点复位电流最小,磁芯被反向磁化的程度最小,磁开关达到正向饱和对应的ΔB 最小,输出脉宽最小;b 点复位电流较大,磁芯被反向磁化程度适中,输出脉宽较大;c 点复位电流最大,磁芯反向磁化程度最大,磁开关达到正向饱和对应的ΔB 最大,输出脉宽最大㊂从图2中可以看出,磁滞回线越平缓,脉宽可调的范围越大㊂F i g .3 T h e o r e t i c a l d e s i g nc i r c u i t d i a gr a m 图3 理论设计电路图2 模拟研究设计如图3所示的实验电路,在P S pi c e 中进行模拟研究㊂电容器初始电压设为V 0,开关S 1在零时刻导通,电容C 向MO V 放电,S 2是用来陡化前沿的气体开关,调整S 2间距使其在MO V 达到压敏电压时导通(实验所用单片MO V 压敏电压大约7.8k V )㊂S 2导通之后,磁开关M S 处于未饱和状态,电感很大,相当于开路;随着时间的增长,磁芯逐渐被磁化,电感减小,磁开关M S 变成导通状态,从而使负载被短路,负载电压快速地降为零㊂磁开关整个导通过程很快,可以达到陡化后沿的目的㊂图4为脉冲后沿陡化的模拟结果,可以看到脉冲后沿由之前的100n s 陡化到大约30n s,但是加入磁开关之后,由于磁开关电感的原因导致振荡有所增加㊂图5所示为不同的伏秒积所对应的不同脉宽,磁开关的伏秒F i g .4 E f f e c t o f f a l l i n g e d g e s h a p i n g图4后沿陡化模拟波形F i g .5 D i f f e r e n t v o l t -s e c o n d c o r r e s p o n d t od i f f e r e n t p u l s ew i d t h 图5 不同伏秒积与脉宽的对应关系强激光与粒子束105001-3积越大,在电压稳定不变的情况下(磁开关电压被MO V 限制在压敏电压)就需要更长的时间才能达到饱和,对应输出脉宽越大㊂值得一提的是,从模拟结果可以看到在脉宽调节程度较大的时候负载上会得到较大的负脉冲,在某些领域或许具有一定的应用价值(例如高电压技术中高压换流器的研制[18])㊂也就是说通过加入磁开关能够实现后沿陡化㊁脉宽调整以及电压翻转三重作用㊂这里我们主要研究磁开关用于后沿陡化以及脉宽调整的作用,负脉冲可通过在电路中增加二极管加以抑制㊂3 初步实验验证为了验证上述理论和模拟结果,开展了初步的验证实验㊂实验电路照片如6所示,磁开关绕组线圈采用多组并绕的方式以降低导通电感,MO V 采用夹具固定以保证良好的电气连接,负载为30Ω水电阻,电容器组由五个相同的2n F 高压脉冲电容并联而成,主开关采用气体开关㊂图6中的恒流电源用于磁开关的复位,恒流源可以产生0~30A 稳恒电流㊂调整恒流源输出电流的大小,控制磁开关复位深度的不同以改变磁开关饱和所需要的伏秒积,进而实现脉宽可调㊂F i g .6 E x p e r i m e n t a l c i r c u i t c o n n e c t i o nd i a gr a m 图6 实验电路连接图后沿陡化实验结果如图7所示,陡化之后的电压波形后沿小于30n s ,实现了后沿陡化的目的㊂脉宽调整实验结果如图8所示,可以看到不同的复位电流对应着不同脉宽的输出波形,达到了脉宽可调的目的,脉宽可调整范围约30%㊂从实验结果来看,存在一个脉宽最大可调范围,达到这个最大值之后,即使再增大复位电流也无法提高脉宽调整范围㊂只有在磁滞回线趋于 水平 (斜率较小)的区段,才具备脉宽可调的性质,在磁滞回线比较 陡峭 (斜率较大)的区段,只要复位电流稍加变化,就很容易将磁芯复位过度㊂磁滞回线越平缓的磁芯,脉宽可调范围越大㊂F i g .7 R e s u l t s o f f a l l i n g e d g e s h a p i n g e x pe r i m e n t 图7后沿陡化实验结果F i g .8 R e s u l t s o f p u l s ew i d t ha d j u s t m e n t e x pe r i m e n t 图8 脉宽调整实验结果4 结 论本文从脉冲功率系统输出脉冲的后沿陡化以及脉宽可调的需求出发,提出利用MO V 产生高压脉冲准方波,用磁开关作为撬断开关陡化脉冲后沿,并通过改变磁开关复位电流进行脉宽调整的技术方案;进行了理论分析以及模拟研究,并且基于模拟结果开展了初步的实验研究,初步实验中得到的负载电压波形后沿小于30n s ,脉宽调整范围大约30%;验证了磁开关用于脉冲后沿陡化和脉宽调整方案的可行性㊂参考文献:[1] 孙丹峰.压敏电阻器基础知识培训手册[Z ].2005.(S u nD a n f e n g .B a s i ck n o w l e d g e t r a i n i n g m a n u a l f o r v a r i s t o r .2005)[2] C l a r k eDR.V a r i s t o r c e r a m i c s [J ].JA m C e r a mS o c ,1999,82(3):485-502.[3] C l a r kM C .An e w ,c o m p a c t p u l s e d p o w e r s y s t e mb a s e d o n s u r g e a r r e s t o r t e c h n o l o g y [C ]//I E E EP u l s e dP o w e r C o n f e r e n c e .2009:938-943.[4] A d l e rRJ ,P r i c eDT ,E v a n s J ,e t a l .H i g h v o l t a g e s u r g e a r r e s t o r t e s t i n g w i t h e n h a n c e d t r a n s f o r m e r d r i v e [C ]//I E E EP u l s e dP o w e r C o n f e r -e n c e .2011:1315-1320.[5] 崔言程,伍麒霖,杨汉武,等.基于压敏电阻的高压脉冲发生器[C ]//第十一届全国高功率微波学术研讨会.2017.(C u iY a n c h e n g ,W uQ i -崔言程等:一种脉宽可调的陡化后沿高压脉冲发生器强激光与粒子束l i n,Y a n g H a n w u,e t a l.P u l s e g e n e r a t i o nb a s e do n m e t a l-o x i d ev a r i s t o r[C]//T h e11t h N a t i o n a lS y m p o s i u m o n H i g hP o w e r M i c r o w a v e.2017)[6]邓彦彦,毛昭祺,吕征宇.基于磁开关的脉宽调制器的设计[J].电力电子技术,2006,40(2):112-113.(D e n g Y a n y a n,M a oZ h a o q i,LüZ h e n g y u.N e w m e t h o do f p u l s ew i d t hm o d u l a t o r b a s e do nm a g n e t i c a m p l i f i e r.P o w e rE l e c t r o n i c s,2006,40(2):112-113)[7]冯宗明,谢敏,邓维军,等.150k V/1k H z可调脉宽电晕等离子体驱动源[J].强激光与粒子束,2010,22(4):709-711.(F e n g Z o n g m i n g,X i eM i n,D e n g W e i j u n,e t a l.150k V/1k H z c o r o n a p l a s m a g e n e r a t o r o f a d j u s t a b l e p u l s ew i d t h.H i g hP o w e rL a s e r a n dP a r t i c l eB e a m s,2010, 22(4):709-711)[8]梁琳,余岳辉.半导体脉冲功率开关发展综述[J].电子电力技术,2012,46(12):42-45.(L i a n g L i n,Y uY u e h u i.R e v i e wo nd e v e l o p m e n t o fs e m i c o n d u c t o r p u l s e d p o w e r s w i t c h e s.P o w e rE l e c t r o n i c s,2012,46(12):42-45)[9]任亚东,李世平,颜骥,等.半导体脉冲功率开关的最新进展[J].强激光与粒子束,2012,24(4):771-775.(R e nY a d o n g,L i S h i p i n g,Y a n J i,e t a l.R e c e n t d e v e l o p m e n t s of s e m i c o n d u c t o r p u l s e d p o w e r s w i t c h.H ig hP o w e rL a s e r a n dP a r t i c l eB e a m s,2012,24(4):771-775)[10]孟志鹏,张自成,杨汉武,等.半导体开关在脉冲功率技术中的应用木[J].中国物理C,2008,32(1):277-279.(M e n g Z h i p e n g,Z h a n gZ i c h e n g,Y a n g H a n w u,e t a l.A p p l i c a t i o n s o f S e m i c o n d u c t o r S w i t c h e s i nP u l s e dP o w e rT e c h n o l o g y.C h i n e s e P h y s i c s C,2008,32(1):277-279)[11]梁勤金,邓晓磊,石小燕,等.新型半导体开关高压电磁脉冲产生技术[J].强激光与粒子束,2012,24(2):497-500.(L i a n g Q i n j i n,D e n g X i-a o l e i,D a nX i a o y a n,e t a l.H i g hv o l t a g ee l e c t r o m a g n e t i c p u l s e g e n e r a t i o nu s i n g s e m i c o n d u c t o r s w i t c h e s.H i g hP o w e rL a s e ra n dP a r t i c l eB e a m s,2012,24(2):497-500)[12]中国工程物理研究院流体物理研究所.高压脉冲磁开关的无级脉宽调整电路:C N201947235u[P].2010-11-26.(I n s t i t u t eo fF l u i dP h y s-i c s,C h i n aA c a d e m y o f E n g i n e e r i n g P h y s i c s.H i g h-v o l t a g e p u l s e dm a g n e t i c s w i t c h o f p u l s ew i d t hm o d u l a t i o n c i r c u i t:C N201947235u.2010-11-26)[13]邓彦彦,毛昭棋,吕征宇.一种新型的基于磁开关的高占空比脉宽调制器[J].电气应用,2006,25(5):19-21.(D e n g Y a n y a n,M a oZ h a o q i,LüZ h e n g y u.An e w m e t h o do f h i g hd u t y c y c l e p u l s ew i d t hm o d u l a t o r b a s e d o nm a g n e t i c a m p l i f i e r.E l e c t r o t e c h n i c a lA p p l i c a t i o n,2006,25(5):19-21)[14]杨实.基于磁开关和带状线的长脉冲㊁超低阻抗脉冲发生器及其相关技术研究[D].长沙:国防科学技术大学,2010.(Y a n g S h i.I n v e s t i g a-t i o no f a nu l t r a-l o wi m p e d a n c e l o n gp u l s e g e n e r a t o rb a s e do n m a g n e t i cs w i t c ha n ds t r i p l i n e.C h a n g s h a:N a t i o n a lU n i v e r s i t y o fD e f e n s e T e c h n o l o g y,2010)[15]李嵩,钱宝良,杨汉武,等.磁开关作为脉冲驱动源主开关的实验研究[J].强激光与粒子束,2013,25(7):1835-1838.(L iS o n g,Q i a nB a o l i a n g,Y a n g H a n w u,e t a l.E x p e r i m e n t a l s t u d y o nm a g n e t i c s w i t c hu s e d a s d i s c h a r g e s w i t c ho f a c c e l e r a t o r.H i g hP o w e rL a s e r a n dP a r-t i c l eB e a m s,2013,25(7):1835-1838)[16]高景明,李嵩,杨汉武,等.基于磁开关技术的长脉冲驱动源初步研究[J].强激光与粒子束,2014,26:065003.(G a oJ i n g m i n g,L i S o n g,Y a n g H a n w u,e t a l.P r e l i m i n a r y r e s e a r c h e s o n h i g h p o w e r l o n g p u l s e g e n e r a t o r b a s e d o nm a g n e t i c s w i t c h e s.H i g hP o w e r L a s e r a n dP a r t i c l eB e a m s,2014,26:065003)[17]饶俊峰,皮特尔,李孜,等.带截尾开关的高频纳秒脉冲功率源设计[J].高电压技术,2017,43(6):1800-1808.(R a oJ u n f e n g,P iT e e r,L iZ i,e t a l.D e s i g no nh i g h-f r e q u e n c y n a n o s e c o n d p u l s e p o w e rs o u r c ew i t ht r u n c a t e ds w i t c h e s.H i g h V o l t a g eE n g i n e e r i n g,2017,43(6): 1800-1808)[18]梁鹏,魏新劳,陈庆国,等.极性可反转程控高压发生器的设计[J].黑龙江水专学报,2007,34(2):87-90.(L i a n g P e n g,W e iX i n l a o,C h e nQ i n g g u o,e t a l.D e s i g no f p o l a r i t y r e v e r s i b i l i t y h i g h-v o l t a g ed i r e c t-c u r r e n t g e n e r a t o r.J o u r n a l o fH e i l o n g j i a n g H y d r a u l i cE n g i n e e r i n g C o l-l e g e,2007,34(2):87-90)P u l s ew i d t ha d j u s t a b l e p u l s e g e n e r a t o rw i t h s t e e p e n e d f a l l i n g e d g eC u iY a n c h e n g, Y a n g H a n w u, G a o J i n g m i n g, L i S o n g, S h i C h e n g y u, W uQ i l i n(C o l l e g e o f A d v a n c e dI n t e r d i s c i p l i n a r y S t u d i e s,N a t i o n a l U n i v e r s i t y o f D e f e n s eT e c h n o l o g y,C h a n g s h a410073,C h i n a)A b s t r a c t: T h em a g n e t i c s w i t c h i s u s e dw i d e l y i n t h e f i e l d o f p u l s e d p o w e r t e c h n o l o g y d u e t o i t s s p e c i a l s a t u r a t i o n c o n d u c t i o n m e c h a n i s m,a n d i t c a nb eu s e d a s a p r y o f f s w i t c h t o s t e e p e n t h e f a l l i n g e d g e.Ah i g h-v o l t a g e p u l s e q u a s i s q u a r ew a v ew i t h a c e r-t a i n f l a t t o p c a nb e o b t a i n e do n l o a db a s e do n t h e v o l t a g e c l a m p i n g e f f e c t o fm e t a l-o x i d e v a r i s t o r,w h i c h e n a b l e s t h e a d j u s t m e n t o f t h e p u l s ew i d t hb y c h a n g i n g t h e v o l t-s e c o n d i n t e g r a t i o n o f t h em a g n e t i c s w i t c h.T h i s p a p e r p r e s e n t s a h i g h v o l t a g e p u l s e g e n e r a t o r w i t ha d j u s t a b l e p u l s ew i d t h.W i t h t h e u s e o f v a r i s t o r t o g e n e r a t e h i g h-v o l t a g e p u l s e q u a s i-s q u a r ew a v e,a n d t h em a g n e t i c s w i t c h a s a p r y o f f s w i t c ht os t e e p t h e f a l l i n g e d g e,b y c h a n g i n g t h em a g n e t i c s w i t c hr e s e t c u r r e n t t oc o n t r o l t h e r e s e t d e p t ho fm a g n e t i c s w i t c h,i t a c h i e v e s a d j u s t a b l e p u l s ew i d t h.T h i s p a p e r p r e s e n t s t h e o r e t i c a l a n a l y s i s a sw e l l a s s i m u l a t i o n r e s e a r c h a n d t h e p r e l i m i-n a r y e x p e r i m e n t a l r e s e a r c hb a s e d o n t h e s i m u l a t i o n r e s u l t.I n t h e p r e l i m i n a r y e x p e r i m e n t,t h e f a l l i n g e d g e o f t h e v o l t a g ew a v e f o r m o b t a i n e do n l o a d i s l e s s t h a n30n s a n d t h e p u l s ew i d t hm o d u l a t i o n r a n g e i s a b o u t30%.K e y w o r d s:p u l s e g e n e r a t o r; m a g n e t i c s w i t c h;a d j u s t a b l e p u l s ew i d t h;p r y-o f f s w i t c h; m e t a l-o x i d e v a r i s t o rP A C S:84.30.N g;84.70.+p105001-4。
可调增益的纳秒脉冲发生器
可调增益的纳秒脉冲发生器褚宗兰【期刊名称】《强激光与粒子束》【年(卷),期】1991(000)003【摘要】本文描述采用火花隙开关和一小段水线的中间储能器(简称短水线中储)的纳秒脉冲发生器。
通过改变短水线中储的溶液电阻便可获得不同的电压增益(输出电压对直流充电电压之比)。
文中讨论了电参数对电压增益系数K影响;给出了短水线输出电压相对值的数学表达式;并在考虑和忽略开关等效孤道电阻的情况下估计了K值。
在同轴的模拟装置上进行过一系列试验研究,电压增益可达1.6倍。
该装置是一种可以调节增益的高压纳秒脉冲发生器。
实验表明该发生器储能 2.7J时可获得50kV的三个触发脉冲,其抖动τ_j<3ns,上升时间τ_R<30ns。
作为一种精密触发用的新的纳秒脉冲发生器在此基础上已建立。
它可以在重复频率从0.5Hz,1Hz,直到20Hz的条件下连续工作,所达累计充放电次数已分别为 10~7次,5×10~4次和10~8次。
这个新的脉冲发生器工作稳定、可靠。
加大储能可输出更多的脉冲。
本文对研制小型光脉冲电离激光器的脉冲泵浦装置用发生器有参考价值。
【总页数】1页(P391)【作者】褚宗兰【作者单位】无【正文语种】中文【中图分类】TN782【相关文献】1.基于高压场效应管的可调纳秒脉冲源设计 [J], 曹园青;吴建星;杨宏春;杨啸林2.连续可调纳秒脉冲LD驱动电源的研制 [J], 张寿棋;楼祺洪;周军;董景星3.基于模块化多电平换流器的模块化前后沿可调高压纳秒脉冲发生器的研制 [J], 米彦; 万晖; 卞昌浩; 彭文成; 桂路4.可调谐纳秒脉冲锁模光纤激光器 [J], 刘宇星;姜盼秋;汪平河5.一种诱导肿瘤细胞凋亡的多参数可调高压纳秒脉冲发生器 [J], 姚陈果;赵东阳;王剑飞;王建;章锡明因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
秒脉冲发生器
设计题目：秒脉冲发生器的设计设计小组：第三组1 秒脉冲发生器整体设计方案1.1秒脉冲发生设计方案概述秒脉冲发生器是由100HZ时钟产生电路和分频电路两部分构成，其中100HZ时钟产生电路主要由555定时器组成的时钟电路，主要用来产生100HZ的脉冲信号；分频电路主要由74LS192组成的100进制计数器电路，主要用于将100HZ 脉冲信号分成1HZ脉冲信号。
该方案通过了Multisim软件仿真，并得到了1HZ的脉冲信号，基本实现了工程训练的要求。
1.2 秒脉冲发生器整体设计电路设计图图1 秒脉冲发生器整体设计电路设计图1.3 秒脉冲发生器整体设计电路仿真图图2 秒脉冲发生器整体设计电路仿真图2 各分电路的元件介绍及设计方案2.1 100HZ时钟产生电路图3 100HZ时钟产生电路2.1.1元件介绍555芯片引脚图及引脚描述：555的8脚是集成电路工作电压输入端，电压为5～18V，以UCC表示；从分压器上看出，上比较器A1的５脚接在R1和R2之间，所以5脚的电压固定在2UCC/3上；下比较器A2接在R2与R3之间，A2的同相输入端电位被固定在UCC/3上。
1脚为地。
2脚为触发输入端；3脚为输出端，输出的电平状态受触发器控制，而触发器受上比较器6脚和下比较器2脚的控制。
当触发器接受上比较器A1从R脚输入的高电平时，触发器被置于复位状态，3脚输出低电平；2脚和6脚是互补的，2脚只对低电平起作用，高电平对它不起作用，即电压小于1Ucc/3，此时3脚输出高电平。
6脚为阈值端，只对高电平起作用，低电平对它不起作用，即输入电压大于2 Ucc/3，称高触发端，3脚输出低电平，但有一个先决条件，即2脚电位必须大于1Ucc/3时才有效。
3脚在高电位接近电源电压Ucc，输出电流最大可打200mA。
4脚是复位端，当4脚电位小于0.4V时，不管2、6脚状态如何，输出端3脚都输出低电平。
5脚是控制端。
7脚称放电端，与3脚输出同步，输出电平一致，但7脚并不输出电流，所以3脚称为实高（或低）、7脚称为虚高。
亡的多参数可调高压纳秒脉冲发生器
Ｌｃ形成线网络是一种常用的方波脉冲形成网 络ｍ１，如图１所示，它是由等值电感、等值电容组成的一 个Ｔ形网络。在电路拓扑上，它是传输线集中参数条件 下的近似模型。
………一…畲罂－……………………．．．登翌．：………．．
Ｘ
≮ ◇Ｎ一 “丫 Ｒｌ
一／．
Ｒ：［ ３－１＿
－ 卜－ 卜卜卜
Ｆｉｇ．１
图１ ＬＣ网络脉冲形成线原理
Ｆｉｇ．３ Ｔｈｅ ｂａｓｉｃ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｈｉｓｈ—ｖｏｌｔａｇｅ ｎａｎｏｓｅｃｏｎｄ ｐｕｌｓｅ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ
高压纳秒脉冲发生器基本原理：高压直流电源通过 限流保护电阻向ＬＣ形成线网络充电，在达到自击穿开关 阈值电压时，自击穿开关瞬间击穿并在匹配负载（５０ Ｑ） 处产生幅值为充电电压一半的高压纳秒方波脉冲。电流 传感器在放电回路中采集脉冲电流，经过滤波、脉冲整形 处理电路引入脉冲计数器，在脉冲输出重复频率一定时， 通过计数器内置继电器控制整个装置的电源输入，从而 实现本装置治疗时间窗口可控。 ３．１高压直流电源
为减小装置的体积和重量，满足医用设备便携、简单 可靠特性，高压直流电源采用高压恒流源（天津东文 ＤＷ—ＩＸ３０３．１ＦｌＤ）。输出电压：ＤＣ Ｏ一＋３０ ｋＶ；最大输出 电流：ｌ ｍＡ，电源配有电流、电压显示模块和调节电位 器，并具有过压、过流保护模块。通过调节电源输出电流 来控制ＬＣ形成线网络的充电速度，进而控制自击穿开关 的闭合频率，最终实现装置输出脉冲重复频率可调，便于 寻找最佳肿瘤细胞治疗剂量。 ３．２纳秒脉冲形成系统
一种300kV纳秒脉冲发生器[发明专利]
![一种300kV纳秒脉冲发生器[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/9e051d7cdd88d0d232d46ad3.png)
专利名称：一种300kV纳秒脉冲发生器
专利类型：发明专利
发明人：刘毅,夏连胜,谌怡,王卫,张篁,杨安民,刘云龙,潘海峰,章林文,邓建军
申请号：CN201410329680.1
申请日：20140711
公开号：CN104065296A
公开日：
20140924
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种300kV纳秒脉冲发生器。
所述的300kV纳秒脉冲发生器由十六个单级平板Blumlein脉冲形成线交叉层叠构成，每个单级平板Blumlein脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统、高压二极管以及无感陶瓷电阻负载。
所述的十六个单级平板Blumlein脉冲形成线紧凑地布局在平台上，构成300kV纳秒脉冲发生器。
本发明能够获得十六倍于单级平板Blumlein脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出。
实现削弱单级Blumlein脉冲形成线间的电路耦合和电磁耦合。
申请人：中国工程物理研究院流体物理研究所
地址：621999 四川省绵阳市919信箱106分箱
国籍：CN
代理机构：中国工程物理研究院专利中心
代理人：翟长明
更多信息请下载全文后查看。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1llO仪器仪表学报第3l卷3高压纳秒脉冲发生器的研制高压纳秒脉冲发生器的原理框图如图3所示,该装置主要由高压直流电源、纳秒脉冲形成系统和脉冲整形及计数系统三大部分组成。
纳秒脉冲形成系统…………….企…………….钮刮里h—习■刭一传:感厶畸器ry t图3高压纳秒脉冲发生器基本原理框图Fig.3The basic principles of the hish—voltagenanosecond pulse generator高压纳秒脉冲发生器基本原理:高压直流电源通过限流保护电阻向LC形成线网络充电,在达到自击穿开关阈值电压时,自击穿开关瞬间击穿并在匹配负载(50Q处产生幅值为充电电压一半的高压纳秒方波脉冲。
电流传感器在放电回路中采集脉冲电流,经过滤波、脉冲整形处理电路引入脉冲计数器,在脉冲输出重复频率一定时,通过计数器内置继电器控制整个装置的电源输入,从而实现本装置治疗时间窗口可控。
3.1高压直流电源为减小装置的体积和重量,满足医用设备便携、简单可靠特性,高压直流电源采用高压恒流源(天津东文DW—IX303.1FlD。
输出电压:DC O一+30kV;最大输出电流:l mA,电源配有电流、电压显示模块和调节电位器,并具有过压、过流保护模块。
通过调节电源输出电流来控制LC形成线网络的充电速度,进而控制自击穿开关的闭合频率,最终实现装置输出脉冲重复频率可调,便于寻找最佳肿瘤细胞治疗剂量。
3.2纳秒脉冲形成系统纳秒脉冲形成系统主要由LC网络、自击穿开关和负载电阻组成。
高陡度方波脉冲所包含的高频分量将有助于肿瘤细胞内电处理效应,进一步提高肿瘤细胞凋亡率及治疗效果,因此如何提高输出脉冲上升沿陡度是本装置的关键技术之一。
根据电路理论¨…,脉冲的上升时间与杂散电感成正比,因此本装置主要从两个方面提高方波前沿的陡度。
一方面在设计过程中,选择优质无感电容、电阻;合理布线,尽量减小回路所包含的面积,以减小回路杂散电感。
另一方面,设计低导通时延的高性能自击穿开关。
3.2.1LC网络高压电容选用无感陶瓷电容(西安九元CT8-1。
电容值200pF,充分考虑裕度,电容耐压值选40kV。
LC网络中电感的精确度直接影响输出脉冲的脉宽、上升沿及网络阻抗匹配,因此绕制精确度较高的电感是改善装置输出波形质量的关键因素。
LC网络阻抗设定为50Q,由网络阻抗公式Z=(∥C”2,则电感值￡取500nH。
电感由漆包线在制定好的塑料骨架上绕制而成,由经验公式(1¨引:￡=哇嘎,式中:b为线圈长度;o为线圈半径;17,为线圈匝数;p。
为真空磁导率。
‰为长岗系数。
取口=4.2mm、b=39.7mm、n=18、KⅣ=0.88(查长冈系数表可得。
所绕制电感线圈均由TH2816型宽频LCR数字电桥进行测量矫正。
装置独特的使用铜板共地接线方式。
Lc网络的电感、电容均匀分布在铜板之上,构成一个网络模块,整体效果美观。
可根据需要添加或减少模块来改变装置输出脉冲脉宽,进而寻找诱导肿瘤细胞凋亡的最佳脉宽参数。
3.2.2自击穿开关自击穿气体火花开关具有较高的击穿电压且重量较轻、击穿电压便于控制等优点。
结合装置实际情况,研制出圆柱平球头电极开关,单个电极长度30mm,直径10mm,倒角4mm,开关电极间距2mm,并根据J.C. Martin公式¨驯计算出开关击穿延时在1.5n8以内,满足设计要求。
利用COMSOL Multiphsics有限元分析软件仿真分析开关模型静电场下(30kV 的电场分布,如图4所示。
开关间隙最大场强为15.8kV/mm,电场不均匀系数为1.053。
配6=(24.58d+6.7￣/剐∥(2式中:U“起始击穿电压/kV;6:空气相对密度;d:距离间彬cm∥:电场不均匀系数。
图4气体开关静电场分布Fig.4Electrostatic field distribution of the gasswitch第5期姚陈果等:一种诱导肿瘤细胞凋亡的多参数可调高压纳秒脉冲发生器11ll由稍不均匀电场静态击穿电压式(2可得:当开关内充有0.496MPa干燥空气,且LC形成线网络充满30kV电压时,自击穿火花气体开关瞬间击穿,并在匹配负载电阻处产生15kV高压纳秒脉冲。
开关顶部安装有进、出气阀,通过调节密闭气体气压即可调节开关击穿电压,从而实现装置输出脉冲幅值连续可调。
根据仿真模型制作的开关实物图如图5所示。
图5自击穿气体火花开关实物照片Fig.5The pictures of the auto・breakdown gas switch3.2.3负载电阻负载电阻选用超高频高电流氧化膜无感电阻(咸阳秦华RY—GDL,该电阻超高频性能稳定,能够响应网络输出的高压纳秒脉冲信号。
阻值50Q+l%,能精确匹配LC 形成线网络阻抗,避免困折反射引起的脉冲波形振荡。
3.3脉冲整形及计数系统为了实现纳秒脉冲电场治疗时间窗口及剂量可控,装置采用自制电流传感器采集高压纳秒脉冲信号H“,传感器以圆环形硅钢片为骨架,外径28.35mm,内径13.9mm。
上面均匀缠绕150匝铜质漆包线(西0.65toni。
为了滤除传感器信号中的负半波部分,传感器信号经过二极管IN4007引入到RC脉冲整形电路。
再经过光电隔离及555脉宽调制电路,传感器采集到的高压纳秒脉冲就变为可被脉冲计数器(上海卓一电子ZYCA8—11识别的毫秒级低压脉冲信号,该计数器具有拨码开关设定功能,配合计数器内置继电器可实现装置输出脉冲个数可设定的智能化控制,在输出脉冲莺复频率一定情况下,最终实现装置治疗时间窗口可控。
脉冲整形及计数电路的原理框图如图6所示。
传卜脉冲』』卜\感脉冲计数器矿-7/光电隔离--3/555脉宽调制旷整形器图6脉冲整形及计数系统示意图Fig.6Block diagram of the pulse shaping and counting system4高压纳秒脉冲发生器性能测试整个装置紧凑设计,连线、焊接、布局都尽力减小引入电感,研制出的高压纳秒脉冲发生器实物如图7所示。
整个装置尺寸:440 iTlm×370mill×220mill,重量为7.5kg,有效满足了医学实验研究便携件的要求。
图7高压纳秒脉冲发生器实物图Fig.7Photograph of the hish—voltage nanosecond pulse generator选择一个LC网络模块(8级Lc网络,自击穿气体火花开关内充满0.49MPa干燥洁净空气,当高压恒流源充电电压为30kV时,气体开关瞬间击穿。
采用美国Tektronic公司DP04054型数字荧光示波器和P6015A型高压探头对装置输出高压纳秒脉冲波形进行测试。
得到如图8所示方波脉冲,脉冲幅值15kV、上升沿10啮、半高宽脉宽200ns,脉冲波形稳定、无明显毛刺,与理论输出波形基本一致。
,一遥馨脉宽,m图8脉冲发生器输出实测波形Fig.8Measured waveforln of the pulse generator5诱导肿瘤细胞凋亡窗口参数选择实验研究纳秒脉冲电场诱导肿瘤细胞凋亡机理是多参数(脉第５期姚陈果等：一种诱导肿瘤细胞凋亡的多参数可调高压纳秒脉冲发生器ｔｉｏｎｓＰｌａｓｍａｌｌｌ３诱导细胞凋亡的窗口参数，为研究纳秒脉冲电场诱导肿瘤细胞的凋亡效应及其窗口参数选择规律奠定了基础。
参考文献［１］ＳＣＨＯＥＮＢＡＣＨＫＨ．ＢＥＥＢＥＳｏｎＳｃｉｅｎｃｅ．２００４，３２（５）：１９１９．１９２４．Ｔ．Ｓｏｌｉｄ—ｓｌａｔｅ［１１］ＳＵＮＫＡＭＲＫ，ＳＥＬＭＩＣＲＲ，ＨＡＹＮＩＥＤｎａｎｏｐｕｌｓｅｇｅｎｅｒａｔｏｒ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎｕｌｔｒａ－ｗｉｄｅｂａｎｄｂｉｏｅｆ－ｆｅｃｔｓｒｅｓｅａｒｃｈ［Ｃ］．ＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ—ＩＥＥＥＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ．Ｐｉｓｃａｍｗａｙ：ＩＥＥＥ，２００４：Ｊ，ＢＵＥＳＣＨＥＲＥＳ．Ｉｎ—Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ２８ｌ－２８４．ｔｒａｃｅＵｕｌａｒｅｆｆｅｃｔｏｆｕｌｔｒａｓｈｏｒｔｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｕｌｓｅｓ［Ｊ］．Ｂｉｅｅｌ—ｅｃｔｍｍａｇｎｅｔｉｃｓ，２００１，２２：４４０４４８．［１２］ＰＡＩＳＴ，ＺＨＡＮＧＱ．Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｏｈｉｇｈｐｏｗｅｒｐｕｌｓｅ［２］包家立，梁文权，胡巧红，等．经皮给药电穿孔仪的研制［Ｊ］．仪器仪表学报，２０００，（０１）：６６－６９．ＢＡＯｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［Ｍ］．ｗｏＴｌｄＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ［１３］ＭＡＲＴＩＮＭａｒｔｉｎＰｒｅｓｓ，１９９５．ＴＨ，ＧＵＥＮＴＨＥＲＡＨ，ＫＲＩＳＴＩＡＮＳＥＮｐＩｌｌｓｅｄＭ．ＪＣＪＬ，ＨＡＮＧＷＱ，ＨＵＱＨ，ｅｔａｋＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆａｐｐａｒａｔｕｓＪｏｕｒｎａｌｏｆｆｏｒｔｒａｎｓｄｅｒｍａｌｄｒｕｇＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃｄｅｌｉｖｅｒｙｏｎｐｏｗｅｒ［Ｍ］．ＮｅｗＹｏｆｋ：Ｐｌｅｎｕｍｅｌｅｃｔｒｏｐｅｒａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｃｈｉｎｅｓｅ（０１）：６６－６９．［３］Ｐｒｅｓｓ，１９９６．Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ，２０００，［１４］苌凝凝，鲁昌华，刘春．纳秒级周期脉冲信号检测方法的研究［Ｊ］．电子测量与仪器学报，２００６，（４）：８６－８９．ＣＨＡＮＧＮＮ，ＬＵＣＨＨ，ＬＩＵｌｉｏｎｍｅｔｈｏｄｏｆｏｆＣＨ．Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｎ姚陈果，孙才新，米彦，等．能量可控陡脉冲肿瘤治疗仪的研制［Ｊ］．仪器仪表学报，２００３，２４（０６）：６３６－６３９．ＹＡＯＣＨＧ，ＳＵＮＣＸ，ＭＩＹ，ｅｔａ１．Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｅｎ－ｅｒｇｙ・・ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅｓｔｅｅｐｐｕｌｓｅａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｔｕｍｏｒｏｆｔｒｅａｔ・・ｄｅｔｅｃ—ｎａｎｏｓｅｃｏｎｄｐｅｒｉｏｄｉｃｐｕｌｓｅｓｉｇｎａｌ［Ｊ］．Ｍｅａｓ皿ｅｍｅｎｔＪｏｕｒｎａｌＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔ，２００６．（４）：８６－８９．［１５］ＢＥＥＢＥｐｕｌｓｅｄＳＪ，ＦＯＸＰＭ，ＲＥＣＬＪ，ｅｔａ１．Ｎａｎｏｓｅｃｏｎｄｏｎｍｅｎｔ［Ｊ］．ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ２００３，２４（０６）：６３６．６３９．ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔ，ｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄ（ｎｓＰＥＦ）ｅｆｆｅｃｔｓｃｅｌｌｓａｎｄｔｉｓ—ｓｕｅｓ：ａｐｏｐｔｏｓｉｓｉｎｄｕｃｔｉｏｎａｎｄｔｕｍｏｒｇｒｏｗｔｈｉｎｈｉｂｉｔｉｏｎＵ，ＣＨＥＮＸ，ｅｔａｌ，Ｎａｎ－ｔｏ［４］ＮＵＣＣＩＴＥＬＬＩＲｏｓｅｅｏｎｄｐｕｌｓｅｄＬ，ＰＨＱＵＥＴＹ【Ｊ］．ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ（１）：２８６－２９２．ｏｎＰｌａｓｍａＳｃｉｅｎｃｅ，２００２，３０ｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｓｃａｕｓｅｍｅｌａｎｏｍａｓａｎｄＢｉｏｐｈｙｓｉｃａｌｓｅｌｆ－ｄｅ—ｓｔｒｕｅｔ［Ｊ］．ＢｉｏｃｈｅｍｉｃａｌＲｅｓｅａｒｃｈＣｏｍ・作者简介姚陈果，２００３年于重庆大学电气工程学院获得博士学位，现为重庆大学教授、博士生导师。