vasp计算
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LDIPOL = .TRUE.
IDIPOL = 1（x方向加）
DIPOL= 0.5 0 0（ຫໍສະໝຸດ Baidu构的中心）
18计算沿z方向的电荷密度的变化，跟真空能级方法一样，只是把CHGCAR复制为LOCTOT,然后vi LOCTOT，去掉最后的一些不需要的东西。然后运行post_VASP，选7即可得到结果。
19 xshell画声子谱，要用xmanager.而不是xming
3, Xming用gnuplot是gnu文件里面要加pause -1
4,INCAR字符太长，vasp_lib里面要改drdatab.F文件，255改大，重新编译
5声子谱：phononp –d –dim=”3 3 1”
6 vasp编译gama版本的：在第二个CPP加上-DwNGZhalf就行。
7 ISMEAR=-5，电荷密度和DOS之类的电子结构和总能准，但是算力不准，所以对于算声子谱，最好不用-5。对于金属，声子谱一般用DFPT会更准。对于半导体和绝缘体，不能用ISEMAR>0的，只能是-5或者0.对于金属，ISMEAR=1，sigma=0.2
16,计算真空能级，功函数。在INCAR里面加入LVTOT= T，然后把LOCPOT复制为PARCHG，第一列写成原子名字，第二个原子名字去掉。运行post_VASP，选7即可得到结果。(如果不收敛，可以加大真空层厚度试试)
17，vasp加电场，
EFIELD=1(沿着坐标轴的负方向，一般金属加0.1V/A才有效果)
12，算极化：铁电相和顺电相都要算，每一个相算三次。首先要静态自洽，接着读取上一步的CHGCAR.三个方向各算一次。
13, Vdos是可以不分x,y.z的。给出每个原子的贡献。
14，计算真空能级，在静态计算INCAR中加入LVTOT=T，如果结构是三维的，要将POSCAR沿着C方向截出一个10A的真空层。相应的把KPOINTS里面C方向的K点设置为1.跑完之后用小程序进行处理，画出C方向的平均电势图，读出真空能级即可。真空能级是最高点。例子计算，/home/users/xggong/luowei/work/paper-p/p4o4-vacc/p4o4-2/pre小浪潮
20,计算磁性的体系，设置
IALGO=38
LREAL=F
LPLANE=.TRUE.
GGA_COMPAT = F
LMAXMIX=4
LDAU = .TRUE.
LDAUTYPE = 1
LDAUL = 2 -1
LDAUU = 4 0
LDAUJ = 1 0
LORBIT=11
算得更准
19如果要用wannier算磁性体系。Spin要分开，这是应该用vasp+wannier+soc的版本跑，同时INCAR设置成spin=2的模式，但是LSORBIT不开。跑完会出来up和down，再分别对他们局域化。
phonopy-p-c POSCAR-unitcell band.conf
一般来说，对于金属，或者窄能隙半导体，如果用位移法，则需要很大的胞才能算准，但是用DFPT则可以小包算准。对于金属，PBE可能更好点。
9,如果体系较大，EDIFF达到停止计算，很可能是K点取太多，内存不够。
10, bandplot --gnuplot band.yaml >> phon.dat，用origin做声子谱
11，画CBM和VBM的partial charge,读入静态的WAVECAR，进行处理，此时要设置INCAR，
LPARD = .TRUE.开关
IBAND = 480 481 VBM CBM
NBMOD = 1默认
KPUSE = 1第几个K点
LSEPB = .TRUE. vasp查
LSEPK = .TRUE.
8 DFPT不能用NPARphonopy -d --dim="2 2 2" -c POSCAR-unitcell
mv SPOSCAR POSCAR
静态计算：IBRION=8，IALGO=38对于金属ISMEAR=1，sigma=0.2
phonopy --fc vasprun.xml
band.conf里面要添加：FORCE_CONSTANTS = READ
IDIPOL = 1（x方向加）
DIPOL= 0.5 0 0（ຫໍສະໝຸດ Baidu构的中心）
18计算沿z方向的电荷密度的变化，跟真空能级方法一样，只是把CHGCAR复制为LOCTOT,然后vi LOCTOT，去掉最后的一些不需要的东西。然后运行post_VASP，选7即可得到结果。
19 xshell画声子谱，要用xmanager.而不是xming
3, Xming用gnuplot是gnu文件里面要加pause -1
4,INCAR字符太长，vasp_lib里面要改drdatab.F文件，255改大，重新编译
5声子谱：phononp –d –dim=”3 3 1”
6 vasp编译gama版本的：在第二个CPP加上-DwNGZhalf就行。
7 ISMEAR=-5，电荷密度和DOS之类的电子结构和总能准，但是算力不准，所以对于算声子谱，最好不用-5。对于金属，声子谱一般用DFPT会更准。对于半导体和绝缘体，不能用ISEMAR>0的，只能是-5或者0.对于金属，ISMEAR=1，sigma=0.2
16,计算真空能级，功函数。在INCAR里面加入LVTOT= T，然后把LOCPOT复制为PARCHG，第一列写成原子名字，第二个原子名字去掉。运行post_VASP，选7即可得到结果。(如果不收敛，可以加大真空层厚度试试)
17，vasp加电场，
EFIELD=1(沿着坐标轴的负方向，一般金属加0.1V/A才有效果)
12，算极化：铁电相和顺电相都要算，每一个相算三次。首先要静态自洽，接着读取上一步的CHGCAR.三个方向各算一次。
13, Vdos是可以不分x,y.z的。给出每个原子的贡献。
14，计算真空能级，在静态计算INCAR中加入LVTOT=T，如果结构是三维的，要将POSCAR沿着C方向截出一个10A的真空层。相应的把KPOINTS里面C方向的K点设置为1.跑完之后用小程序进行处理，画出C方向的平均电势图，读出真空能级即可。真空能级是最高点。例子计算，/home/users/xggong/luowei/work/paper-p/p4o4-vacc/p4o4-2/pre小浪潮
20,计算磁性的体系，设置
IALGO=38
LREAL=F
LPLANE=.TRUE.
GGA_COMPAT = F
LMAXMIX=4
LDAU = .TRUE.
LDAUTYPE = 1
LDAUL = 2 -1
LDAUU = 4 0
LDAUJ = 1 0
LORBIT=11
算得更准
19如果要用wannier算磁性体系。Spin要分开，这是应该用vasp+wannier+soc的版本跑，同时INCAR设置成spin=2的模式，但是LSORBIT不开。跑完会出来up和down，再分别对他们局域化。
phonopy-p-c POSCAR-unitcell band.conf
一般来说，对于金属，或者窄能隙半导体，如果用位移法，则需要很大的胞才能算准，但是用DFPT则可以小包算准。对于金属，PBE可能更好点。
9,如果体系较大，EDIFF达到停止计算，很可能是K点取太多，内存不够。
10, bandplot --gnuplot band.yaml >> phon.dat，用origin做声子谱
11，画CBM和VBM的partial charge,读入静态的WAVECAR，进行处理，此时要设置INCAR，
LPARD = .TRUE.开关
IBAND = 480 481 VBM CBM
NBMOD = 1默认
KPUSE = 1第几个K点
LSEPB = .TRUE. vasp查
LSEPK = .TRUE.
8 DFPT不能用NPARphonopy -d --dim="2 2 2" -c POSCAR-unitcell
mv SPOSCAR POSCAR
静态计算：IBRION=8，IALGO=38对于金属ISMEAR=1，sigma=0.2
phonopy --fc vasprun.xml
band.conf里面要添加：FORCE_CONSTANTS = READ