SiC的合成与发展研究
石墨烯制备方法的研究进展
石墨烯制备方法的研究进展一、本文概述石墨烯,一种由单层碳原子构成的二维纳米材料,自2004年被科学家首次成功制备以来,就因其独特的物理、化学和电子特性引起了全球范围内的广泛关注。
由于其出色的导电性、超高的热导率、优异的力学性能和潜在的大规模应用前景,石墨烯在众多领域如能源、电子、生物医学等都有着广泛的应用潜力。
然而,石墨烯的制备技术仍然是制约其大规模应用的关键因素之一。
因此,研究和开发高效、稳定、可规模化的石墨烯制备方法成为了当前科学研究的重要课题。
本文旨在全面综述石墨烯制备方法的研究进展,通过对各种制备方法的原理、特点、优缺点以及最新研究成果的详细分析和讨论,为石墨烯的大规模制备和应用提供理论支持和技术指导。
文章将首先介绍石墨烯的基本结构和性质,然后重点介绍目前主要的石墨烯制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积法、氧化还原法、碳化硅外延法等,并对各种方法的最新研究进展进行评述。
文章还将探讨石墨烯制备技术的发展趋势和未来研究方向,以期为石墨烯的进一步研究和应用提供有益的参考。
二、石墨烯制备方法概述石墨烯的制备方法众多,每一种方法都有其独特的优点和适用场景。
目前,主要的制备方法可以大致分为物理法和化学法两大类。
物理法主要包括机械剥离法、SiC外延生长法和取向附生法等。
机械剥离法是最早用来制备石墨烯的方法,其原理是通过使用胶带对石墨进行层层剥离,得到单层或多层的石墨烯。
这种方法制备的石墨烯质量较高,但产率极低,难以实现大规模生产。
SiC外延生长法是在高温和超真空环境下,通过加热SiC单晶使其表面分解出碳原子,进而在单晶表面生长出石墨烯。
这种方法制备的石墨烯面积大,质量好,但设备成本高昂,且制备过程复杂。
取向附生法是利用生长基质原子结构“种”出石墨烯,首先让碳原子在1150℃下渗入钌,然后冷却,使碳原子以单层形式从钌表面析出,形成悬浮的单层石墨烯。
这种方法制备的石墨烯层数可控,但同样面临制备成本较高的问题。
合成碳硅石合成方法
合成碳硅石合成方法合成碳硅石,也被称为合成石(Synthetic moissanite),是一种人工合成的宝石材料。
碳硅石由碳和硅元素构成,其化学式为SiC。
因为其物理特性和外观与天然钻石非常相似,因此被广泛用于珠宝制作和工业应用。
本文将为大家介绍合成碳硅石的合成方法。
合成碳硅石主要有两种方法:高温合成法和化学气相沉积法。
高温合成法是最常用的合成碳硅石的方法之一。
该方法主要通过将高纯碳粉末和高纯二氧化硅混合,然后置于高温下进行化学反应合成。
这种方法需要在高温炉中加热,通常在大约2000摄氏度的条件下进行。
在高温下,碳和硅反应生成SiC晶体。
这种方法合成的碳硅石晶体质量较高,外观上接近天然钻石。
化学气相沉积法是另一种在实验室中常用的合成碳硅石的方法。
该方法通过将甲烷气体和二氧化硅气体在高温下反应,生成碳硅石晶体。
该方法产生的晶体质量高,较为透明,常用于研究领域或工业应用。
无论是哪种合成方法,都需要一定的实验设备和条件。
在合成中,应该严格控制温度、时间和反应气体的纯度。
合成碳硅石的过程需要严密监控,任何微小的错误都可能导致合成失败。
为了提高合成碳硅石的质量,还可以通过控制合成过程中的附加元素来改变晶体的颜色。
例如,向反应体系中添加B2O3可以使晶体呈现出蓝色,而掺杂氮元素则可以使晶体呈现出黄色。
合成碳硅石在珠宝制作领域有着广泛的应用。
其外观接近天然钻石,硬度高,抗划伤性能强,且具备较高的光学折射率和分散率,因此被很多人喜爱并用于替代天然钻石。
此外,碳硅石也在工业领域有着重要的应用,例如用作半导体材料、热传导材料等。
综上所述,合成碳硅石的方法主要有高温合成法和化学气相沉积法。
无论是哪种方法,都需要严格控制反应条件和纯度。
合成碳硅石不仅在珠宝制作领域有广泛应用,也在工业领域发挥着重要作用。
碳化硅粉体的制备及改性技术
随着科学技术的发展, 现代国防,空间技术以及汽车工业等领域不仅要求工程材料具备良好的机械性能,而且要求其具有良好的物理性能。
碳化硅(SiC) 陶瓷具有高温强度和抗氧化性好、耐磨性能和热稳定性高、热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好等优点,因而常常用于制造燃烧室、高温排气装置、耐温贴片、飞机引擎构件、化学反应容器、热交换器管等严酷条件下的机械构件,是一种应用广泛的先进工程材料。
它不仅在正在开发的高新技术领域( 如陶瓷发动机、航天器等) 发挥重要作用,在目前的能源、冶金、机械、建材化工等[1]领域也具有广阔的市场和待开发的应用领域。
为此,迫切需要生产不同层次、不同性能的各种碳化硅制品。
碳化硅的强共价键导致其熔点很高,进而使SiC 粉体的制备、烧结致密化等变得更加困难。
本文综述了近些年碳化硅粉体的制备及改性、成型和烧结工艺三个方面的研究进展。
[1] 蔡新民,武七德,刘伟安.反应烧结碳化硅过程的数学模型[J]. 武汉理工大学学报, 2002,24(4): 48-501 碳化硅粉体的制备及改性技术碳化硅粉体的制备技术就其原始原料状态主要可以分为三大类:固相法、液相法和气相法。
1.1 固相法固相法主要有碳热还原法和硅碳直接反应法。
碳热还原法又包括阿奇逊(Acheso n)法、竖式炉法和高温转炉法。
SiC粉体制备最初是采用Acheson法[2],用焦炭在高温下(2400 C左右)还原SiO2制备的,但此方法获得的粉末粒径较大(>1mm),耗费能量大、工艺复杂。
20世纪70 年代发展起来的ESK 法对古典Acheson 法进行了改进,80 年代出现了竖式炉、高温转炉等合成3-SiC粉的新设备。
随着微波与固体中的化学物质有效而特殊的聚合作用逐渐被弄清楚,微波加热合成SiC 粉体技术也日趋成熟。
最近,L N. Satapathy 等[3]优化了微波合成SiC的工艺参数。
他们以Si+2C为起始反应物,采用2.45 GHz的微波在1200-1300 C时保温5分钟即可实现完全反应,再通过650 C除碳即可获得纯的^SiC,其平均粒径约0.4 ym。
SiC薄膜的制备及性能研究
SiC薄膜的制备及性能研究————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:2SiC薄膜的制备及性能研究指导老师:学生姓名:专业班级:材料工程摘要碳化硅被誉为下一代半导体材料,因为其具有众多优异的物理化学特性,被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。
本文阐述了SiC研究进展及应用前景,从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能.SiC有高的硬度与热稳定性,稳定的结构,大的禁带宽度 ,高的热导率,优异的电学性能。
同时介绍了SiC的制备方法:物理气相沉积法和化学气相沉积法,以及SiC薄膜表征手段.包括X射线衍射谱、傅里叶红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱等.最后讲了SiC的光学性能和电学性能以及参杂SiC薄膜的光学性能研究进展。
关键词:SiC,溅射,掺杂,性能研究第3页共 32 页Study On The Synthesis And PropertiesOf SiC FilmC l a s s:Material EngineeringN a me:Hengyi WangInstructor : Yuxiang LiAbstractSilicon carbide is known as next-generation semiconductor materials, because it has many excellent physical and chemical characteristics, widely applied light electric parts, high frequency power, high temperature electronic devices.This paper expounds the research progress and application prospects of foundation, from optical properties, electrical properties, thermal stability, chemical properties,hardness and abrasion resistance, doping thing six aspects introduces the performance of SiC。
碳化硅纳米线的制备与性能研究进展
碳化硅纳米线的制备与性能研究进展×××××××××××××学校西安邮编×××摘要: SiC半导体材料的禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、饱和漂移速度高等特点使其在高频、高温、高功率、抗辐射等方面有良好的性能,被认为是新一代微电子器件和集成电路的半导体材,因此研究SiC纳米线材料具有重要意义。
Summary: SiC semiconductor materials with the big breakdown electric field width, high, thermal conductivity, saturated drifting velocity higher characteristic in the high frequency and high temperature, high power, resist radiation and good performance, and is considered to be a new generation of microelectronics devices and integrated circuit of the semiconductor material, so the study of SiC nanowires material to have the important meaning.关键词:纳米线,SiC,场效应晶体管,薄膜晶体管,光催化降解Key words: Nanowires, SiC, field effect transistor, thin film transistor, photocatalytic degradation.1 纳米材料的性能纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1—100nm)或由它们作为基本单元构成的材料。
SIC 复合材料的分类及应用前景
摘要:本文详细阐述了 SIC 复合材料的主要分类,包括 SIC 颗粒增强复合材料、SIC 纤维增强复合材料和 SIC 晶须增强复合材料等。
深入探讨了每类复合材料的特性、制备方法以及它们在航空航天、汽车工业、电子领域、能源领域和生物医学等多个重要领域的广泛应用。
分析了 SIC 复合材料在实际应用中所面临的挑战,并对其未来发展趋势进行了展望。
关键词:SIC 复合材料;分类;制备方法;应用领域1、引言在现代材料科学领域,复合材料因其能够结合不同组分的优点,从而获得优异的综合性能,已成为研究和应用的热点。
其中,SIC(碳化硅)复合材料以其出色的力学、热学和化学性能,在众多高新技术领域展现出巨大的应用潜力。
对 SIC 复合材料进行分类研究,并深入了解其应用,对于推动材料科学的发展和拓展其工程应用具有重要意义。
2、SIC 复合材料的分类2.1SIC 颗粒增强复合材料SIC 颗粒增强复合材料是将 SIC 颗粒作为增强相均匀分散在基体材料中。
常用的基体材料包括金属(如铝、镁等)和陶瓷(如氧化铝、氮化硅等)。
SIC 颗粒的加入可以显著提高基体的强度、硬度和耐磨性。
制备方法主要有粉末冶金法、搅拌铸造法等。
通过这些方法,可以使 SIC 颗粒在基体中均匀分布,形成良好的界面结合。
2.2SIC 纤维增强复合材料SIC 纤维具有高强度、高模量和耐高温的特性。
以 SIC 纤维作为增强体的复合材料在力学性能和耐高温性能方面表现更为出色。
常见的有SIC 纤维增强陶瓷基复合材料(如SIC/SiC)和 SIC 纤维增强金属基复合材料(如 SIC/Ti)。
其制备方法通常包括预制体浸渍法、化学气相渗透法等。
这些方法能够保证纤维在复合材料中保持良好的完整性和定向排列,从而有效地传递载荷,提高复合材料的性能。
2.3SIC 晶须增强复合材料SIC 晶须是一种具有高长径比的单晶纤维,具有极高的强度和韧性。
将 SIC 晶须添加到基体材料中,可以显著改善材料的断裂韧性和抗疲劳性能。
高硅铁尾矿合成SiC粉体技术研究
中 图分 类 号 : Q1 44 T 7 .
S nh ss f icnC r ieP w esfo HjhSl o rnT in s y tei o l o abd o d r rm g ic nIo al g Si i i
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l e ti o n h ttec r o d io n h e cin tmp rt r ly e oet b an SC p ae i .I sf u d t a h ab n a dt na dt era t e ea uepa sak y rl o o ti i- h s ,whl h k i o i te e h lig t n ro lw aeh v i l fe to h il fSC a h x e s ec r ni s& Th p i u odn i a da g nfo rt a eal teefc n teyedo i st ee c si a b su e me t v o eo t m m
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材料 导报 : 究篇 研
21 0 0年 1月( ) 2 第 1 下 第 4卷 期
高硅 铁尾 矿合 成 SC粉体 技 术研 究 i
仉 小猛 徐 利 华 郝 洪顺 杨 剑 英 何 , , , , 芳
( 北 京 科 技 大 学 无 机 非金 属 材 料 系 , 京 1 0 8 ; 中 国石 油 天 然 气集 团 , 京 10 1 ) 1 北 003 2 北 0 0 1
化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展
化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展摘要:SiC纳米线具有优良的物理、化学、电学和光学等性能在光电器件、光催化降解、能量存储和结构陶瓷等方面得到广泛应用。
其制备方法多种多样其中化学气相沉积法(CVD)制备SiC纳米线因具有工艺简单、组成可控和重复性好等优点而备受关注。
近年来在化学气相沉积法制备SiC纳米线以及调控其显微结构方面取得了较多成果。
采用Si粉、石墨粉和树脂粉等低成本原料以及流化床等先进设备,通过化学气相沉积法制备出线状、链珠状、竹节状、螺旋状以及核壳结构等不同尺度、形貌各异的SiC纳米线并且有的SiC纳米线具有优良的发光性能、场发射性能和吸波性能等,为制备新型结构和形貌的SiC纳米线及开发新功能性的SiC纳米器件提供了重要参考。
目前,未添加催化剂时利用气相沉积法制备的SiC纳米线虽然纯度较高但存在产物形貌、尺度和结晶方向等可控性差;制备温度较高和产率相对较低的问题。
而添加催化剂、熔盐以及氧化物辅助可明显降低SiC纳米线的制备温度提高反应速率以及产率但易在SiC 纳米线中引入杂质。
将来应在提高SiC纳米线的纯度、去除杂质方面开展深入研究;还应注重低成本、规模化制备SiC纳米线的研究采用相应措施调控SiC纳米线的显微结构以拓宽SiC纳米线的应用领域。
本文综述了目前国内外采用化学气相沉积制备SiC纳米线的方法分析总结了无催化剂、催化剂、熔盐以及氧化物辅助等各种制备方法的优缺点并对未来的研究进行展望,期望为SiC纳米线的低成本、规模化制备和应用提供理论依据。
引言:SiC纳米线因具有小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应等而表现出独特的电、磁、光、热等物理和化学性质。
同时SiC纳米线还具有优异的力学性能、抗腐蚀性、耐热性以及耐高温氧化性等,使其在复合材料和陶瓷材料的强化增韧中起重要作用调以及吸收性能好,可有效改善材料的场发射性能、催化性能、电化学性能及微波吸收性能等l1。
多功能性的SiC纳米线成为极具广泛应用潜力的理想新型材料。
《SiC碳化硅》课件
废弃物资源化利用
对生产过程中的废弃物进行资源 化利用,降低对环境的影响。
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光学性质
总结词
碳化硅具有优异的光学性能,可用于制造光学器件和激光器等。
详细描述
碳化硅是一种宽带隙半导体材料,具有优异的光学性能,能够吸收紫外线和蓝光等短波长光,并可在 高温下保持稳定的光学性能。因此,碳化硅在光学器件、激光器和LED等领域有广泛应用。
03
Sic碳化硅的应用
磨料和磨具
碳化硅作为磨料和磨具有着广泛的应 用,由于其硬度高、耐磨性好,常用 于磨削、研磨和抛光各种硬质材料。
详细描述
碳化硅具有很高的熔点和化学稳定性,能够在高达2800°C的高温下保持稳定, 同时对酸、碱和盐等化学物质具有很好的抗腐蚀性。
电绝缘性
总结词
碳化硅是一种优秀的电绝缘材料 ,适用于电子和电力行业。
详细描述
碳化硅在常温下的电绝缘性能非 常好,其电阻率极高,因此被广 泛应用于电子和电力行业的绝缘 材料。
切削性能。
在切割工具领域,碳化硅可以用 于制造锯条、切割片、切割刀等 ,用于切割各种硬质材料,如石
材、玻璃、陶瓷等。
在刀具领域,碳化硅可以用于制 造铣刀、钻头、车刀等,用于切 削金属材料,提高加工效率和刀
具寿命。
耐火材料和坩埚
碳化硅具有优良的高温性能,可以作为耐火材料和坩埚材料用于高温炉和熔炼设备 中。
详细描述
Sic碳化硅是由碳元素和硅元素组成的化合物,其晶体结构中,每个碳原子与四个硅原子形成共价键,形成了一种 坚固的、类似于金刚石的晶体结构。由于其独特的晶体结构和化学键合状态,Sic碳化硅展现出许多优异的物理和 化学性质。
发现与历史
总结词
碳化硅材料的制备与应用
碳化硅材料的制备与应用碳化硅(SiC)作为一种高性能陶瓷材料,在工业和军事领域中具有广泛应用。
它的制备和应用已经引起了人们的广泛关注和研究。
一、制备1. 前驱体法前驱体法是一种重要的制备碳化硅的方法。
通过化学反应合成SiC前驱体,再将前驱体高温热解制备成SiC材料。
前驱体一般分为有机前驱体和无机前驱体两类。
有机前驱体主要指由含硅有机化合物和碳源化合物通过化学反应制备SiC前驱体的方法。
无机前驱体指的是由含硅无机化合物和化学还原剂合成的含硅混合物,然后通过高温处理得到SiC材料。
前驱体法制备的SiC材料具有高度纯度和卓越的性能。
2. 真空热解法真空热解法也是一种常见的制备SiC材料的方法。
在高温(约2000℃)下,将Si和C材料置于真空环境中,通过热解反应制备出碳化硅材料。
该方法制备出的SiC材料晶体结构完整、热稳定性强、机械性能高、导热性好。
二、应用碳化硅材料在工业和军事领域中广泛应用。
以下是一些典型的应用示例:1. 模具材料碳化硅材料因其高温强度和耐腐蚀性能优异,被广泛应用于模具材料的制备中。
例如,用SiC材料制作的玻璃模具,可以在高温环境下保持形状稳定性,使得玻璃制品具有优良的表面光洁度和精度。
2. 焊接材料碳化硅材料可用于高温下的托盘、炉辊和焊接工段等应用。
例如,用碳化硅陶瓷制成的托盘具有优良的机械性能和耐腐蚀性能,在高温烘干和烧结过程中能够保持长期稳定。
3. 功能陶瓷材料碳化硅材料在电子器件和实验仪器等领域中有广泛的应用。
例如,用SiC材料制作的红外吸收陶瓷,具有良好的热稳定性和强大的红外吸收能力,用于红外探测器、红外传感器等的制备。
4. 涂层材料碳化硅材料因其高硬度、高耐磨性和高温稳定性等物理性质优异,被广泛应用于涂层材料的制备中。
例如,用碳化硅薄膜涂层制作的机械零部件,具有优秀的摩擦学和生物相容性,可以用于人工心脏、骨骼等医学器械的制备。
总之,碳化硅材料的制备和应用已经得到了广泛的研究和应用。
碳化硅的研究与应用论文
学士学位论文系别:物理与电子工程系学科专业:物理学(太阳能、风能开发和利用方向)*名:**运城学院2015年05月碳化硅的研究与应用系别:物理与电子工程系学科专业:物理学(太阳能、风能开发和利用方向)姓名:罗京指导教师:荆敏娟运城学院2015年05月(碳化硅的研究与应用摘要:通过总结国内外对碳化硅的研究成果,简明的说明碳化硅的研究背景、概念性质、国内外对于碳化硅研究以及碳化硅的研究现状。
之后又举例了两个国内外在研究碳化硅的经典实验。
详细的阐述了目前中国碳化硅行业发展现状和碳化硅在实际生活。
列举了生产中的应用到的碳化硅,对碳化硅未来发展的展望等做了详细的预测。
在碳化硅的研究与发展中,国内外正在逐渐完善对它的了解和应用,但是对于碳化硅在实际中的应用目前还没有做出具体且详细的阐述。
碳化硅的研究在未来的发展和应用及碳化硅材料的应用领域等。
本论文就碳化硅的研究与发展做一个全面综合的探讨与概述。
关键字:碳化硅;研究;应用;展望(Research and application of silicon carbide Abstract:Through summarizing the research achievements of the silicon carbide at home and abroad, a concise explanation of the background, concept, properties of silicon carbide, the current research status of domestic and foreign research on silicon carbide and silicon carbide. Then, an example is given to the two classic experiments on the study of the silicon carbide at home and abroad. In detail elaborated the present development of silicon carbide industry in China and silicon carbide in real life. Lists the application to the silicon carbide, the outlook for the future development of silicon carbide and other detailed forecasts. In the research and development of silicon carbide, both at home and abroad are gradually improve the understanding and application of it, but for silicon carbide in the actual application are still not make specific and detailed in this paper. The development and application of silicon carbide research in the future and application field of silicon carbide materials, etc. In this paper, research and development of silicon carbide as a comprehensive discussion and summary.Keywords:S ilicon carbide;Application;Research;Outlook目录1引言 (1)2碳化硅的研究背景 (1)3碳化硅的概念及性质 (2)3.1基本认识及概念 (2)3.2 碳化硅的物理性质和化学性质 (3)3.2.1碳化硅的物理性质 (3)3.2.2碳化硅的化学性质 (4)4碳化硅的发展历程 (5)4.1碳化硅的发现 (5)4.1.1发现和早期的合成方法 (5)4.1.2自然界中的分布 (6)4.2碳化硅的制造 (7)4.3碳化硅的发展历程 (8)5国内外对于的碳化硅研究 (9)5.1 碳化硅的研究现状 (9)5.2碳化硅行业的“危”与“机” (10)5.3国内外在研究碳化硅的经典实验 (12)5.3.1 磁性碳化硅功能陶瓷的制备 (12)5.3.2 磁性碳薄膜制备 (12)(6目前中国碳化硅的发展状况 (14)6.1碳化硅行业发展现状 (15)6.2碳化硅行业竞争格局分析 (15)6.3碳化硅行业内部竞争 (17)7碳化硅在实际生活、生产中的应用 (18)8展望 (20)9结束语 (21)致谢 (21)参考文献 (21)1引言随着工业的发展和科学技术的进步,碳化硅的非磨削用途在不断扩大,在耐炎材料方面用于制作各种高级耐炎制品,如垫板、出铁槽、坩锅熔池等;在冶金工业上作为炼钢脱氧剂,可以节电,缩短冶炼时间,改善操作环境;在电气工业方面利用碳化硅导电、导热及抗氧化性来制造发热元件——硅碳棒。
碳化硅
碳化硅的合成研究进展摘要:SiC 材料是第三代半导体材料, 广泛运用于军事、航空等领域,这与碳化硅的性质息息相关。
正因为其运用,国外限制该产品的出口。
最早发现碳化硅是在陨石里,大自然给我们带来了宝贝,后来随着人们对其的研究,碳化硅的作用慢慢被发掘,自然界碳化硅的含量本来就很少,从天然提取的碳化硅的量已经远远不能满足我们的需求。
碳化硅的运用前景那么好,人们开始用化学的方法来合成自己需要的多余的部分。
这样,碳化硅的合成方法的研究也就越来越吸引关注,很多人都致力于此项研究工作,其中以碳热还原法为主,其反应条件等都已经研究得比较成功,这才使得碳化硅的合成工艺与技术比较成熟,但改进和提升空间还很大,特别在我国远远没有达到绿色、低碳、节能的要求。
以下介绍了碳热还原发的几种研究进展。
关键词:碳化硅/SiC;用途;合成;碳热还原法;二氧化硅/SiO2。
正文:碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,其用途也就很多:(1)作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等;(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料;(3)高纯度的单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。
在化工一方面可用做炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂,可用做制造四氯化硅的原料,是硅树脂工业的主要原料。
碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂,取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧,和原工艺相比各项理化性能更加稳定,脱氧效果好,使脱氧时间缩短,节约能源,提高炼钢效率,提高钢的质量,降低原辅材料消耗,减少环境污染,改善劳动条件,提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。
另一方面用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等;用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等高级碳化硅陶瓷材料;还可以制作火箭喷管、燃气轮机叶片等。
此外,碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一。
碳化硅按其纯度可分为黑碳化硅和绿碳化硅,黑碳化硅,金属光泽,含碳化硅95%以上,强度比绿碳化硅大,但硬度较低,主要用于磨铸铁和非金属材料;绿绿碳化硅,含碳化硅97%以上,主要用于磨硬质合金工具。
碳化硅从材料到器件的过程
碳化硅从材料到器件的过程碳化硅是一种非常重要的半导体材料,具有很高的硬度和热导率,可以用于制造高功率、高频率和高温度的电子器件。
碳化硅从材料到器件的制造过程可以分成以下几个步骤:1.碳化硅晶体生长碳化硅晶体生长可以通过两种方法来实现:一种是SiC子limation生长法,另一种是液相外延生长法。
SiC子limation生长法通过将硅碳混合物放置在石英炉管中,在高温下,采用SiC的子limation过程蒸发SiC物质,使其在石英管内形成SiC晶体。
液相外延生长法则是将SiC溶解在铝、镁等金属中加热后,通过溶液和淀硅的沉积生长方法来得到碳化硅单晶。
2.碳化硅晶体加工碳化硅晶体加工过程通常包括切割、打磨、抛光等几个阶段,这些步骤能够保障碳化硅晶体表面的平整度。
同时,为了消除晶体中存在的或者留下的缺陷,晶体还需要进行退火和去离子处理。
3.碳化硅衬底制备制备碳化硅衬底一般采用了两种方案:镀膜法和绝缘层法。
镀膜法,就是先在SiC衬底上涂一层金属,然后用化学气相沉积法(CVD)在金属表面上合成一层碳化硅,最后通过剥离金属,获得类似于硅片的SiC衬底;绝缘层法则是利用化学气相沉积法在SiC表面直接合成SiO2层,从而同时制得绝缘层。
4.碳化硅器件加工将碳化硅从材料转化为器件则需要另外一些步骤。
器件加工的步骤包括光刻、腐蚀、原子层沉积等操作。
在光刻过程中,通过易于去除的光刻层形成器件的图形图案。
然后,使用腐蚀方法,去除光刻层未覆盖区域的表面材料。
最后,将各个器件结合在一起,得到完整的碳化硅器件。
总之,碳化硅是一种非常重要的材料,它具有许多独特的物理和电学特性,因此广泛应用于高功率、高频和高温度的电子器件中。
从碳化硅材料到器件的制造过程充满挑战,需要采用先进的制造技术和设备,才能够实现碳化硅材料的稳定质量和高性能型号的器件。
SiC材料的制备与应用
SiC材料的制备与应用摘要:本文主要介绍了SiC材料的制备方法,通过不同制备的方法获得不同结构的SiC,其中主要有α-SiC、β-SiC和纳米SiC。
并介绍了SiC材料在材料中的应用。
关键词:α-SiC;β-SiC;纳米SiC;前言:SiC 是人造强共价健化合物材料, 碳化硅又称金钢砂或耐火砂。
碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。
目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。
2、SiC粉末的合成方法及应用:2.1 Acheson法生产SiC的进展经过百年发展, 现代SiC 工业生产仍采用的是Acheson 间歇式工艺。
这是工业上采用最多的合成方法,即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。
因石英砂和文章拷贝于华夏陶瓷网焦炭中通常含有Al和Fe等杂质,在制成的SiC中都固溶有少量杂质。
其中,杂质少的呈绿色,杂质多的呈黑色。
目前SiC 冶炼炉改进处于: ①炉体规模增大; 老式冶炼炉长为5~10m ,现在可长至25m ,装料高达以千吨计; ②送电功率增大:现在冶炼炉功率多在3000至7000kW 之间,功率在12 ,000kW的超大型冶炼炉已在我国宁夏北方碳化硅公司正常运行; ③电源由交流改为直流,保证了电网安全和稳定,操作更方便。
工业SiC 生产耗能高、对环境和大气有污染,且劳动量大。
因此欧美发达国家尽管SiC 用量不断增大,但生产持续降低,代以从国外进口,同时加大了高性能SiC 材料的开发力度。
中国、巴西和委内瑞拉等发展中国家的初级SiC 产量已占全世界的65 %以上。
传统的SiC 冶炼炉主要不能完全解决以下环境问题:(1) CO2 、SO2 和扒墙时产生的SiC 粉尘的污染。
(2) 解决原料闷燃放出的臭气和石油焦的挥发份,尤其是燃烧时或燃烧后及扒墙时产生的SO2 、H2S 和硫醇类等含硫物质和CO 气体带来的环境问题。
sic的制备方法
sic的制备方法嘿,咱今儿就来唠唠 SIC 的制备方法!这 SIC 啊,就像是科技领域里的一颗璀璨明珠。
你想啊,要得到这宝贝,可不是随随便便就能搞定的。
就好比要做出一道绝世美味,那得讲究食材、火候、调料搭配一样。
先来说说一种常见的方法,那就是气相沉积法。
这就好像是在空中搭积木一样,让那些小小的原子啊分子啊,慢慢地一层一层地堆积起来,形成 SIC。
是不是很神奇?想象一下,那些看不见摸不着的小家伙们,乖乖地按照我们的想法排列组合,最终变成我们想要的 SIC。
还有一种方法是固相反应法。
这就有点像揉面团,把不同的材料揉在一起,经过一番“锤炼”,最终得到我们想要的 SIC 成品。
就问你妙不妙?另外啊,还有一些其他的方法,比如溶胶-凝胶法啦,高温合成法啦等等。
每种方法都有它的独特之处,就像是不同的武林秘籍,各有各的厉害招数。
你可能会问了,为啥要这么费劲去制备 SIC 呢?嘿,这你就不懂了吧!SIC 可是有着很多了不起的性能呢。
它坚硬得像块石头,耐高温得像个小火炉,而且导电性也不错。
这就使得它在很多领域都能大显身手,比如电子行业、航天领域,那可都是它的用武之地啊!所以啊,研究 SIC 的制备方法可不是闹着玩的,这可是关乎着科技进步和人类发展的大事呢!咱可得好好对待,不断探索新的方法,让SIC 发挥出更大的作用。
你想想看,未来的某一天,也许我们身边到处都是 SIC 制成的高科技产品,那该有多酷啊!那时候,我们就可以骄傲地说,这可都是我们努力研究出来的成果呢!这难道不值得我们去努力追求吗?反正我觉得挺值的!总之呢,SIC 的制备方法多种多样,每一种都充满了挑战和机遇。
让我们一起加油,去揭开这神秘面纱背后更多的精彩吧!。
碳化硅及其复合材料的制备与电磁波吸收性能研究
碳化硅及其复合材料的制备与电磁波吸收性能研究一、本文概述本文旨在全面研究和探讨碳化硅及其复合材料的制备工艺,以及它们在电磁波吸收性能方面的应用。
碳化硅作为一种高性能的无机非金属材料,因其独特的物理和化学性质,如高硬度、高熔点、高热稳定性以及良好的化学稳定性等,在众多领域,特别是电磁波吸收领域具有广阔的应用前景。
然而,单一碳化硅材料的电磁波吸收性能有限,因此,通过制备碳化硅复合材料来进一步提升其电磁波吸收性能成为了研究的热点。
本文将首先介绍碳化硅及其复合材料的基本性质,包括其结构、性能特点以及制备方法。
接着,我们将重点讨论碳化硅复合材料的制备工艺,包括原料选择、制备过程以及复合机制等。
在此基础上,我们将通过实验验证和理论分析,深入研究碳化硅及其复合材料在电磁波吸收方面的性能表现,包括吸波频率范围、吸波强度以及吸波机理等。
我们将对碳化硅及其复合材料在电磁波吸收领域的应用前景进行展望,以期为未来相关研究和应用提供有益的参考。
二、碳化硅及其复合材料的制备方法碳化硅及其复合材料因其独特的物理和化学性质,在电磁波吸收领域展现出广阔的应用前景。
为了充分发挥这些材料的电磁波吸收性能,需要对其制备方法进行深入研究和探索。
下面将详细介绍几种常见的碳化硅及其复合材料的制备方法。
化学气相沉积法是一种常用的制备碳化硅及其复合材料的方法。
该方法通过高温下使含碳和硅的气态前驱体发生化学反应,从而在基材表面沉积形成碳化硅薄膜。
CVD法制备的碳化硅具有纯度高、结晶性好、与基材结合力强等优点,因此广泛应用于电磁波吸收材料的制备。
溶胶-凝胶法是一种通过溶液中的化学反应制备碳化硅复合材料的方法。
将硅源和碳源溶解在适当的溶剂中,形成均匀的溶胶。
然后,通过控制温度和pH值等条件,使溶胶中的硅和碳发生水解和缩聚反应,形成三维网络结构的凝胶。
经过干燥和热处理,得到碳化硅复合材料。
这种方法具有操作简单、反应温度低、易于控制材料组成和形貌等优点。
半导体SiC材料简介
SiC半导体的优势
材料
禁带宽度 Eg(eV) 热导率 (w/k.cm) 相对介电 常数 电子饱和 漂移速度 (cm/s) 击穿场强 (V/cm) 熔点 (K) 莫式硬度
ห้องสมุดไป่ตู้
Si 1.12 1.5 11.9 107
GaAs 1.42 0.54 12.5 2X107
3C-SiC 6H-SiC 4H-SiC 2.2 4.9 10 2X107 2.9 4.9 9.7 2.5X107 3.2 4.9 9.7 2.5X107
半导体SiC材料
SiC是啥?有啥用?
SiC的发展历史
1824--瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的过程中观察到 SiC 1885-- Acheson第一次生长出SiC 晶体 1907--英国电子工程师Round制造出了第一支SiC 的电致发光 二极管 1959--Lely 发明了一种采用升华法生长高质量单晶体的新方 法 1978-- 俄罗斯科学家Tairov 和Tsvetkov 发明了改良的Lely 法 1979--SiC蓝色发光二极管 1981-- Matsunami 发明了Si 衬底上生长单晶SiC 的工艺技术 1991--Cree ResearchInc 用改进的Lely法生产出6H-SiC 1994--获得4H-SiC 晶片 美国Cree公司1997年实现2英寸6H-SiC单晶的市场化,近两年 已实现4英寸6H-SiC单晶的市场化,目前占据全球市场的85% 走向商品化
高击穿电场
高导热率
SiC半导体面临的挑战
商业化市场方面 1、昂贵的价格 2、Cree公司技术垄断 技术挑战 1、SiC单晶材料,包括缺陷密度的降低和消除, 以及单晶片尺寸的增加。 2、SiC器件可靠性问题。SiC MOSPET器件目前 存在两个主要的技术难点:低反型层沟道迁移 率和高温高电场下栅氧可靠性。 3、大功率SiC器件封装问题。封装可靠性问题 上升为影响高温SiC电路性能的问题。
高攀讲师_用于晶体生长的高纯SiC原料的合成及性能研究
用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究高攀,刘熙,陈建军,严成锋,忻隽,孔海宽,施尔畏中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050,pangao@摘要:SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3]。
本文采用高温合成炉,选择Si粉和C粉作为反应物,研究真空预处理、合成温度、合成压力、合成时间及循环工艺等生长条件对SiC颗粒成核、晶型、生长及N含量等综合性能的影响;通过SEM、GDMS和激光粒度测试仪等测试手段,对合成产物SiC 微粉颗粒的微观形态及其在形成过程中的影响因素进行分析研究,结果表明合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N。
进一步使用自合成原料进行晶体生长,证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的生长。
参考文献:[1]T. C. Hsiaoa and S. Tsao, Synthesis and purification of silicon carbide powders for crystal growth, Mater. Sci. Forum, 2012, 717-720: 37-40.[2]Li WANG, Xiaobu HU, and Xiangang XUy, et al, Synthesis of High Purity SiC Powder for High-resistivitySiC Single Crystals Growth, J. Mater. Sci. Technol., Vol.23 No.1, 2007 2007,23(1):118-122.[3] 陈之战, 施尔畏, 肖兵, 庄击勇,原料对碳化硅单晶生长的影响, 无机材料学报, 2003, 18(4):737-743.。
SiC
SiC是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物,也是元素周期表Ⅳ族元素中唯一稳定存在的固态化合物。
4) SiC 是唯一可以通过氧化生长SiO2的化合物半导体材料,容易与当前成熟的硅基集成电路工艺相兼容。
SiC 的氧化层与Si 器件中的SiO2具有相似的作用,如作为工艺过程的掩膜、器件结构中的绝缘层、以及器件表面的钝化层等。
1.3.2 我国SiC 单晶发展进程我国在SiC 单晶的研究起步较晚,但是发展较快。
目前研究SiC 单晶的主要单位有中科院物理所、中科院上海硅酸盐研究所以及山东大学。
1996 年底,“863”专组设立SiC 单晶生长项目,并由上海硅酸盐研究所承担,开始了国内PVT 法生长SiC 单晶的研究。
他们的研究主要是由控制生长工艺(比如生长温度、温度梯度、生长室压力以及载气压力等)入手,从而改进晶体的质量,增大晶体的尺寸。
2008年,“半钟罩”式中频感应SiC 晶体生长炉研制项目通过验收。
山东大学晶体材料国家重点实验室生长的直径3 英寸的SiC 单晶,2 英寸半绝缘SiC 单晶衬底达到“开盒即用”的水平。
同时,完成了大直径SiC 单晶的生长、切割、磨抛、清洗和封装的全部工艺设计,具备了小批量生产的能力。
中国科学院物理研究所解决了SiC 晶体生长的某些关键问题,在SiC 晶体生长尤其是微管控制和多型性控制技术上获得重要进展,成功地生长出高质量2 英寸6H–和4H–SiC 晶体,晶体的微管密度最低达20/cm2。
2006 年8 月,物理研究所与合作伙伴共同成立了天科合达蓝光半导体公司,该公司的研发中心在物理所,生产基地在新疆石河子,加工中心在苏州技术研究院。
2007 年11 月,研发中心已经具备5000 片SiC 晶片的产能,并已收到了日本本田公司的大额订单;生产基地在新疆石河子,2008 年12 月安装运行48 台晶体生长炉,届时将达到每年100000 片SiC 晶体的生长产能,2009 年12 月将安装运行100 台晶体生长炉。
碳纤维表面原位SiC纳米纤维的合成与生长
碳纤维表面原位SiC纳米纤维的合成与生长代吉祥;张兆甫;王永昌;王首豪;沙建军【摘要】基于化学气相反应法,以高纯Si和SiO2为反应源材料,在碳纤维表面原位生长β-SiC纳米纤维.采用XRD、SEM和TEM等分析测试手段对SiC纳米纤维进行了表征分析,研究了不同反应温度和时间对生成β-SiC纳米纤维微观形貌和结构的影响,并探讨了β-SiC纳米纤维的生长机制.研究结果表明:采取化学气相反应法能够制备高质量、高纯度的β-sic纳米纤维,纳米纤维的直径约为100~300 nm.随着反应温度的提高和时间的延长,纳米纤维的产额增加,且微观组织形貌发生了变化.结合制备过程和纳米纤维微观结构的观察分析,表明气-固(VS)机制是SiC纳米纤维生长的主要机理.【期刊名称】《无机化学学报》【年(卷),期】2015(031)012【总页数】6页(P2379-2384)【关键词】SiC纳米纤维;碳纤维;化学气相反应法;气固机制【作者】代吉祥;张兆甫;王永昌;王首豪;沙建军【作者单位】大连理工大学,工业装备结构分析国家重点实验室,大连 116024;大连理工大学,工业装备结构分析国家重点实验室,大连 116024;大连理工大学,工业装备结构分析国家重点实验室,大连 116024;大连理工大学,工业装备结构分析国家重点实验室,大连 116024;大连理工大学,工业装备结构分析国家重点实验室,大连116024【正文语种】中文【中图分类】O613.72碳化硅(SiC)纳米纤维是一种具有高度取向的单晶纤维,晶体结构与金刚石相类似,晶内成分均一,化学杂质少,无晶粒边界且缺陷少,因此具有如下特性及应用领域:(1)良好的电化学稳定性,在高频、大功率和高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力;(2)高熔点、高比强度、高弹性模量、低热膨胀系数,优异的力学性能和高温抗氧化能力,可作为高温复合材料的补强增韧体[1-5]。
当前,SiC纳米纤维的生长机制主要分为三类:气-液-固(Vapor-Liquid-Solid∶VLS)生长机制、溶液-液-固 (Solution-Liquid-Solid∶SLS)生长机制、气-固(Vapor-Solid∶VS)生长机制。
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SiC的合成与发展研究学院:材料与化工学院专业:化学工程与工艺学号:20090411310059姓名:薛进军2011.10.6【摘要】碳化硅又称碳硅石。
碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。
近年来,在低碳经济大潮的带动下,太阳能光伏产业迅猛发展,作为光伏产业用的材料,碳化硅特别是绿碳化硅的销售市场异常火爆,使得众多磨料磨具业界人士开始格外关注碳化硅行业。
在2010年秋季全国磨料磨具行业信息交流暨第52届中国刚玉碳化硅交易会的小组分会中,碳化硅分会场一改往届与其它分会场相比人气不足的常态,势压刚玉、磨具分会场成为人气最高、讨论最激烈的会场。
会上中平能化集团易成新材料有限公司董事长孙毅就碳化硅行业的发展前景作了系统的分析。
关键词:碳化硅、合成、碳化硅的研究发展。
一、碳化硅的起源碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种物质,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂,1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是大家常说的艾奇逊炉,一直沿用至今,以碳质材料为炉芯体的电阻炉,通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。
二、碳化硅的简介碳化硅包括黑碳化硅和绿碳化硅。
其中:黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。
其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。
绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成。
其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。
常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体,一种是绿碳化硅,含SiC 97%以上,主要用于磨硬质合金工具。
另一种是黑碳化硅,有金属光泽,含SiC 95%以上,强度比绿碳化硅大,但硬度较低,主要用于磨铸铁和非金属材料。
三、碳化硅的性质碳化硅分子式为SiC,其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,可作为磨料和其他某些工业材料使用。
工业用碳化硅于1891年研制成功,是最早的人造磨料。
在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在,但迄今尚未找到可供开采的矿源。
纯碳化硅是无色透明的晶体。
工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色,透明度随其纯度不同而异。
碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。
α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体,已发现70余种。
β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。
碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。
炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。
碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-SiC。
①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。
②绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。
此外还有立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工,可使表面粗糙度从Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。
低品级碳化硅(含SiC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。
此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,具有优良的导热性能,是一种半导体,高温时能抗氧化。
四、碳化硅的用途(1)作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。
(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料。
碳化硅主要有四大应用领域,即: 功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。
目前碳化硅粗料已能大量供应, 不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。
化工可用做炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂,可用做制造四氯化硅的原料,是硅树脂工业的主要原料。
碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂,取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧,和原工艺相比各项理化性能更加稳定,脱氧效果好,使脱氧时间缩短,节约能源,提高炼钢效率,提高钢的质量,降低原辅材料消耗,减少环境污染,改善劳动条件,提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。
耐磨、耐火和耐腐蚀材料利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击等特性,碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。
另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等;用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等高级碳化硅陶瓷材料;还可以制做火箭喷管、燃气轮机叶片等。
此外,碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一(3)高纯度的单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。
主要用途:用于3—12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。
太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。
五、碳化硅的发展1905年第一次在陨石中发现碳化硅1907年第一只碳化硅发光二极管诞生1955年理论和技术上重大突破,LELY提出生长高品质碳化概念,从此将SIC作为重要的电子材料1958年在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。
到1978年首次采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法1987年~至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线,供应商开始提供商品化的碳化硅1.碳化硅行业发展现状总量大中国是碳化硅的生产大国和出口大国,2009年碳化硅总产量达53.5万吨左右,占全球总数的56.3%,居世界第一。
我们预计,2010年截止9月份仅绿碳化硅产量就将达到80万吨。
附加值低碳化硅行业产量大,但缺乏竞争力。
尽管产量足够供应,中国制造的碳化硅产品大部分是低端和初步加工,对于某些需求供应高附加值的成品和深加工产品存在很大的差距。
尤其是高性能工程陶瓷、用以高端的研磨粉等产品的供应还远远没有满足,核心技术大多仍由日本控制。
主要还是靠进口弥补国内市场的不足。
光伏行业带动出现机会随着传统矿物质能源日益枯竭,以太阳能电池为代表的光伏产业得到迅速发展。
据我国正在制定的《新兴能源产业发展规划》显示,到2020年可再生能源消费占一次能源消费中的比例要达到15%,光伏产业发展趋势总体呈现稳中有升。
碳化硅是光伏产业链上游环节——晶硅片生产过程中的专用材料,受光伏行业发展的带动,碳化硅行业通过产品结构升级和下游需求的扩展带来了一些机会。
不确定性尽管如此,由于碳化硅生产属于高耗能、高污染,受到能源短缺的阻碍和国家能源节约的政策影响,还有一些具体审查和批准新项目受到闲置,比如低电价优惠的有关政策已经被取消;目前国家严格控制新项目,原有6300KVA以下规模的碳化硅冶炼要求强制关停。
所以碳化硅行业的未来发展将面临很多不确定性。
1.碳化硅行业竞争格局分析(1)外部经济环境经济态势向好根据世界银行最新统计预测,中国经济有望继2009年国际金融危机冲击下“保八”成功后,这为碳化硅行业的发展提供了良好的外部发展环境。
在世界经济逐步好转、现行宏观政策基本取向不变的情景下,2010年将延续2009年下半年经济较快增长的良好态势。
据专家预测,“十二五”期间经济政策仍将保持稳中趋紧、经济发展将不改上升趋势,只是上升的斜度将有所调整,即将在不断调整中持续稳定向好。
行业政策趋紧根据“十一五”规划提出单位国内生产总值能耗降低20%左右的目标,全国节能工作取得了积极进展,前四年全国单位GDP能耗累计下降15.61%,但由于一些地方高耗能、高排放行业增长过快,今年上半年全国单位GDP能耗同比不降反升0.09%,全国有7个地方单位GDP能耗也出现上升,形势非常严峻,任务更加艰巨。
低碳经济主导绿色GDP在可持续发展理念指导下,通过技术创新、制度创新、产业转型、新能源开发等多种手段发展低碳经济,追求绿色GDP,成为中国政府对全社会的承诺。
为确保实现“十一五”节能减排目标,近期国务院要求各地区进一步加大工作力度,主要是要求各地对落后产能坚决依法关停淘汰,严格限制高耗能、高排放行业过快增长,目的是提高经济发展的质量和效益。
(2)分析要素优势国内拥有相对廉价的劳动力资源;当前碳化硅制备的技术成熟、资源丰富;碳化硅行业已初具集群化发展趋势。
劣势行业规模还太小,政策、资金方面的抗风险能力差;行业秩序有待进一步规范,制约行业整体健康发展;行业交流就关键技术、长远发展等的交流还显不足。
机会碳化硅用途广泛,越来越多的新市场正待开发;以线切割为代表的新型领域,正引领碳化硅行业换代升级;随着国际和中国经济形势的好转,碳化硅行业也会迎来一定的发展机会,需要注意的是国家对环境的管控将会更加严厉。
威胁针对碳化硅新用途的技术研发呈加速趋势,替代技术大量出现。
太阳能光伏产业仍处在快速成长期,有多种技术在激烈竞争。
目前晶硅电池在市场份额上占了领先地位,但是其他技术也在快速演进中。
如若把硅晶电池看做第一代电池技术,今后会有无机薄膜电池、薄膜电池等二三代电池技术。
电池技术会向更高的发电效率上发展,这是一种趋势。
目前现有硅片切割技术的一种替代技术即梅耶.伯格的钻石内嵌线锯技术(Diamond Wire),据了解有15家左右的硅片厂商在配合梅耶.伯格对该技术进行第二轮的测试,日本的友达光电宣称其已采用该技术实现量产。
梅耶.伯格更预测在2011-13年,市场上三分之一的客户将会转用钻石内嵌线锯。
此外,当前硅片切割企业已经不约而同地进行废砂浆的回收利用,而且这个举措可以使企业使用切割液和碳化硅微粉的成本降低至少50%。
随着回收技术的提高,可以实现回收液、回收砂和新液、新砂以1:1的比例混合使用,大大降低了硅片的生产成本,使得硅片切割厂家从09年以来对废砂浆回收越来越愿意接受,因此,这将使碳化硅行业面临严峻的挑战。
碳化硅行业本身属于微利行业,目前受多方面因素影响,预计行业利润将进一步呈现下降趋势。
(3)碳化硅行业内部竞争行业准入门槛相对较低,大量企业和资本涌入,造成企业数量多、规模小、比较分散,议价能力不强,只能使行业回归到以牺牲资源为代价,靠拼规模、拼成本的原有发展方式,不去追求依靠科技进步、管理创新的科学发展模式,以质劣价廉的产品来扰乱市场,换取自身短期的生存和发展,已严重影响到了行业的正常发展趋势及下游光伏产业的创新发展。