场效应晶体管的电路符号及图片识别
pmos和noms管的电路符号
pmos和noms管的电路符号在电子电路中，PMOS（P型金属氧化物半导体场效应晶体管）和NMOS（N型金属氧化物半导体场效应晶体管）是常见的器件类型，它们在数字和模拟电路中都扮演着重要的角色。
了解它们的电路符号对于理解和设计电子电路至关重要。
1. PMOS管的电路符号PMOS管由P型衬底和N型栅极构成，其电路符号通常表示为一个P 型晶体管符号，同时在符号上方标示一个小的圆圈，表示P型晶体管的栅极连接至电源端（即VDD）。
PMOS管的电路符号如下所示：[示意图]2. NMOS管的电路符号相对于PMOS管，NMOS管的结构是N型衬底和P型栅极构成，其电路符号通常表示为一个N型晶体管符号，同时在符号上方标示一个小的圆圈，表示N型晶体管的栅极连接至地端（即VSS）。
NMOS管的电路符号如下所示：[示意图]在电路设计中，PMOS和NMOS管经常一起使用，构成CMOS（互补金属氧化物半导体）电路。
在CMOS电路中，PMOS和NMOS管可以根据逻辑需求进行串联或并联，实现不同的功能。
总结回顾通过本文的介绍，我们了解了PMOS和NMOS管的电路符号以及它们的工作原理。
PMOS管的符号由P型晶体管符号和一个在上方的小圆圈组成，表示栅极连接至电源端；NMOS管的符号由N型晶体管符号和一个在上方的小圆圈组成，表示栅极连接至地端。
在CMOS电路中，PMOS和NMOS管经常一起使用，以实现不同的逻辑功能。
个人观点和理解对于电子电路工程师来说，深入理解PMOS和NMOS管的电路符号及其工作原理至关重要。
掌握这些知识可以帮助工程师更好地设计和分析数字电路，确保电路的可靠性和稳定性。
在实际工作中，我发现对PMOS和NMOS管的电路符号有一个清晰的认识，可以更快速、准确地理解和解决电路设计中的问题。
我建议花一些时间来学习和熟悉这些符号，这将对在电子电路领域取得成功有很大帮助。
在今后的工作中，我将继续深入学习电子电路知识，不断提升自己的技能和能力，为电路设计和分析提供更专业、高质量的支持。
23-场效应晶体管PPT模板
1.5 场效应管的使用注意事项
1．使用场效应管时要注意电压极性，电压和电流的数 值不能超过最大允许值。
2．为了防止栅极击穿，要求一切测试仪器、电烙铁等 都必须有外接地线。焊接时用小功率烙铁，动作要迅速，或 切断电源后利用余热焊接。焊接时，应先焊源极，后焊栅极。
转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压UGS对漏 极电流ID的控制作用。gm的量纲为mA/V，所以，gm又称为 跨导，其定义为：
gm UIDGS（UDS为常数）
（2）输出特性曲线
输出特性曲线是指栅源电压UGS一定时，漏极电流ID与漏 极电压UDS之间的关系曲线ID＝f（UDS）。它可分为三个区： 可变电阻区、恒流区和截止区。
电工电子技术
场效应晶体管*
场效应晶体管（FET）是一种利用输入回路的电场效应 来控制输出回路电流的半导体器件，属于电压控制器件。它 只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型三极管。它具 有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗 小、制造工艺简单和便于集成化等优点。
根据结构不同，场效应管可分为结型场效应管（JFET） 和绝缘栅场效应管（MOS管）。由于MOS管的性能更优越， 发展更迅速，应用更广泛，因此，本节将仅介绍MOS管。
由于耗尽型MOS管自身能形成导电沟道，所以只要有 UDS存在，就会有ID产生。如果加上正的UGS，则吸引到反型 层中的电子增加，沟道加宽，ID增大。如果加上负的UGS，则 此电场将会削弱原来绝缘层中正离子的电场，使吸引到反型 层中的电子减少，沟道变窄，ID减小。若负UGS达到某一值， 则沟道中的电荷将耗尽，反型层消失，管子截止，此时的值 称为夹断电压UGS（off）或UP。
电工电路图中场效应管的符号标识
电工电路图中场效应管的符号标识场效应管（Field-Effect Transistor）简称FET，是一种典型的电压控制型半导体器件，具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点，但容易被静电击穿。
场效应管有三只引脚，分别为漏极（D）、源极（S）、栅极（G）。
在电工电路图中，场效应管以专用的图形符号和电路标识进行体现。
场效应管在电工电路图中的标识通常分为两部分，一部分是图形符号，标识场效应管的类型，一部分是字母+数字，标识该场效应管在电路中的序号及型号等信息。
据图可知，图形符号体现出了场效应管的基本类型；引线由图形符号两端伸出，与电路图中的电路线连通，构成电子线路；电路标识通常提供了场效应管的类别、名称、序号以及场效应管型号等参数信息。
在实际应用中，场效应晶体管的类型多种多样，相对应的图形符号也有所区别，因此，了解不同类型的场效应晶体管的图形符号，对识读电工电路图有重要意义。
如表所示为常见场效应管的图形符号以及外形。
结型场效应管是在一块N型（或P型）半导体材料两边制作P型（或N型）区，从而形成PN结构成。
与中间半导体相连接的两个电极称为漏极Drain（用D表示）和源极Source （用S表示），而把两侧的半导体引岀的电极相连接在一起称为栅极Gat （用G表示）。
结型场效应管是利用沟道两边的耗尽层宽窄，改变沟道导电特性来控制漏极电流的。
绝缘栅型场效应管(MOS)由金属、氧化物、半导体材料制成，通常简称为MOS场效应管。
绝缘栅型场效应管是利用感应电荷的多少，改变沟道导电特性来控制漏极电流的。
它与结型场效应管的外形相同，只是型号标记不同。
MOS场效应管一般被用于音频功率放大，开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路。
在识读电路时，可根据场效应管的电路符号，识读出电路中场效应管的类型，然后再通过电路符号旁的标识信息了解该场效应管的型号以及连接关系等辅助信息，这是完成识图的第一步。
场效应晶体管
Field-Effect Transistors (FETs)
内容提要
1.4.1结型场效应管,原理、输出特性与转移特性 1.4.2绝缘栅型场效应管,原理、输出特性与转移特性 1.4.3场效应管的主要参数 1.4.5场效应管与晶体管的比较
1.4.1结型场效应管的结构和符号
图1.4.11 N沟道耗尽型MOS管结构 示意图、符号及转移特性
图1.4.13 场效应管的符号及特性
1.4.3场效应管的主要参数
直流参数
夹断电压U GS (off ) 开启电压U GS(th)
交饱流和参漏数极电流I DSS
直流输入电阻RGS ( DC )
低频跨导gm
iD uGS
U DS const
图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图
图1.4.3 uDS ＝0时uGS对导电沟道的控制作用
沟道变窄
沟道消失
uDS 0... ?
图1.4.4 UGS(off)< uGS <0且uDS >0的情况
DS间为电阻特性 预夹断
恒流பைடு நூலகம்
gm
iD uGS
图1.4.5 场效应管的输出特性
123
极间电容 Cgs , Cgd , Cds
极限参数
I 最大漏极电流 DM 击穿电压U (BR)DS ,U (BR)GS 最大耗散功率PDM
例 1.4.2 试分析 为0V,8V和10V情况下
uI
uO分别为多少？
uI
如图所示电路,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V， 饱和漏电流IDSS=4mA。 试问，为保证负载电阻RL上的电流为 恒流， RL的取值范围为多少？
场效应晶体管的电路符号
场效应晶体管的电路符号场效应晶体管（field-effect transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大和开关电路中。
它的电路符号如下：1. N沟道场效应晶体管符号：N沟道场效应晶体管（n-channel field-effect transistor，简称nFET）的电路符号由三个主要部分组成：一个直线轴表示源极（source），一个箭头表示漏极（drain），以及附加在直线轴和箭头之间的一条弧线表示栅极（gate）。
该符号用于表示N沟道型场效应晶体管的接线方向和主要结构。
2. P沟道场效应晶体管符号：P沟道场效应晶体管（p-channel field-effect transistor，简称pFET）的电路符号与N沟道型晶体管的符号相似，主要区别在于源极和漏极的位置与箭头反转了。
源极变为箭头，箭头变为直线轴，表示P型半导体。
在电路设计中，常用到场效应晶体管的两种接法，包括共源极接法和共漏极接法。
下面将分别对这两种接法的特点和用途进行详细介绍：共源极接法（source-follower configuration）：1. 特点：在共源极接法中，晶体管的源极与信号源相连，漏极直接通过负载电阻接地。
这种接法的特点是输入电阻较高，输出电阻较低，电压放大系数接近于1。
可以实现电压放大和阻抗匹配功能。
2. 用途：共源极接法常用于信号放大电路中，可以将低电平信号放大为高电平信号，同时提供较低的输出阻抗，以便驱动下级电路。
共漏极接法（drain-follower configuration）：1. 特点：在共漏极接法中，晶体管的漏极直接连接到负载电阻，源极通过电阻与地相连。
这种接法的特点是输入电阻较低，输出电阻较高，电流放大系数接近于1。
2. 用途：共漏极接法常用于电流放大电路中，可以实现电流放大和电阻匹配功能。
常见的应用场景包括光电探测器、放大器和电流源等。
除了以上两种常用接法外，场效应晶体管还可以用于开关电路中。
场效应晶体管电路标识及引脚的识别。
场效应晶体管电路标识及引脚的识别。
场效应晶体管在电路中的标识通常分为两部分：一部分是电路图形符号，表示场效应晶体管的类型；一部分是字母+数字，表示该场效应晶体管在电路中的序号及型号。
如上图所示，电路图形符号可以体现出场效应晶体管的类型，三根引线分别代表栅极(G)、漏极(D)和源极(S)，文字标识通常提供场效应晶体管的名称、序号及型号等信息。
下图为在实际电路中，场效应晶体管标识信息的识读。
1、场效应晶体管型号标识的识别场效应晶体管的类型、参数等是通过直标法标注在外壳上的，识读场效应晶体管型号标识信息需要了解不同国家、地区及生产厂商的命名规则。
1）国产场效应晶体管型号标识的识别国产场效应晶体管的命名方式主要有两种，包含的信息不同。
国产场效应晶体管的命名方式、外形及标识识读方法如下图所示。
2）日产场效应品体管型号标识的识别日产场效应晶体管的命名方式与国产场效应晶体管不同，如下图所示。
日产场效应晶体管的型号标识信息一般由5个部分构成，包括名称、代号、类型、顺序号、改进类型。
下图为典型日产场效应晶体管的外形及标识识读方法。
2、场效应晶体管引脚极性的识别与三极管一样，场效应晶体管也有三个电极，分别是栅极G、源极S和漏极D。
场效应晶体管的引脚排列位置根据品种、型号及功能的不同而不同，识别场效应晶体管的引脚极性在测试、安装、调试等各个应用场合都十分重要。
1）根据型号标识查阅引脚功能一般场效应晶体管的引脚识别主要是根据型号信息查阅相关资料。
首先识别出场效应晶体管的型号，然后查阅半导体手册或在互联网上搜索该型号场效应晶体管的引脚排列，如图所示。
2）根据一般排列规律识别对于大功率场效应晶体管，一般情况下，将印有型号标识的一面朝上放置，从左至右，引脚排列基本为G、D、S极(散热片接D极):采用贴片封装的场效应晶体管，将印有型号标识的一面朝上放置，散热片(上面的宽引脚)是D极，下面的三个引脚从左到右依次是G、D、S 极。
场效应晶体管放大电路优秀课件
-15 -10 -5 O
G PN S
场效应晶体管放大电路优秀课件
uDS +
G
N P
_
uGS
_
4
uGS / V
D iD
+
S
uDS
_
• 另：NPN型晶体管与 PNP型晶体管特性曲线 也以纵轴对称
c iB P iC bN
P iE e
iB =80uA
iC / mA 40
i B 40uA
i B 20 uA
不易受静电影响
易受静电影响
不易大规模集成
适宜大规模和超大规模集成
场效应晶体管放大电路优秀课件
场效应管放大电路
c
D
D
b
G
G
e
S
场效应晶体管放大电路优秀课件
B
S
共源组态基本放大电路
VDD
VDD
R g1
R d C2
Rg1
Rd
C2
C1
VT ID
C1
VT
ui
R g2 U G U S
Rs
Cs
uo
ui
i B 5 uA -3 -2 -1
30
20
10 uCE/ V
O
iB / uA 40
30
20
10
场效应晶体管放大电路优秀课件
0.5
O
u BE / V
晶体管类型 项目
结构
BJ双极T型V晶体S管(FBJTE) T
场效应晶体管(FET)
NPN型 PNP型
结
型：N沟道, P沟道
绝缘栅增强型： N沟道 ,P沟道
Cs
R
MOS场效应晶体管ppt课件
T
q
ln( N A ) ni
0
对于N型半导体，
F
T q
ln( N D ) 0 ni
静电势ψ的定 义如图所示
5
而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数
pP
ni
exp
q F
T
nP
ni
exp
q
T
F
当能带如上图所示向下弯曲时，ψ为正值,表面载流子的浓度 分别为
UDS较小时，导电沟道随UGS的变化
a) UGS< UT 没有沟道 b) UGS> UT 出现沟道 c) UGS>>UT 沟道增厚
23
2. 饱和工作区 此时的电流-电压特性对应与特性图中UGS=5V曲线的AB段。
导电沟道随UDS的变化
a) UDS很小沟道电阻式常数 b) UDS=UDSat开始饱和 c) UDS>>UDSat漏极电流不再增加
实际 MOS 结构的阀值电压为：
UT
U FB
U OX
2 F
QOX QB max COX
2 F
ms
28
4.3.2 影响阀值电压的其他诸因素
1. 栅氧化层厚度与质量的影响 2. 绝缘栅表面态电 荷密度QOX的影响
右图为室温下AI 栅 N 沟(P沟) MOS 的UT 随 NA(ND) 和QOX变化的理 论曲线
理想 MOS 结构的阀值电压为
UT
0
QB max COX
2
F
27
3. 实际 MOS 结构的阀值电压
在实际的 MOS 结构中，存在表面态电荷密度QOX和金属-半导 体功函数差фms。 因此，在实际MOS结构中，必须用一部分栅压去抵消它们的 影响。才能使MOS结构恢复到平带状态，达到理想MOS结构 状态。
第章电力场效应晶体管PPT课件
缓二极管反向恢复时间。
2、结温的影响。
功率MOSFET的结温对CSOA没有直接影响，但是器件的电压和电流直接受结温 高低的影响。
3、线路引线电感的影响。
电路中的引线电感在二极管反向恢复过程会产生反电势，使器件承受很高的峰
值电压。二极管换向速度越快或引线电感越大，器件承受的峰值电压越高。过高的
电压使对器件CSOA的要求更加苛刻。为此，应尽量缩短电路引线，以便使引线电
a) 测试电路 b) 开关过程波形
降时间之和。
up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻， RG—栅极电阻，
RL—负载电阻，RF—检测漏极电流
--
9
6.3
功率MOSFET的主要参数
1、静态参数
1) 通态电阻Ron
在确定的栅压UGS下，由可调电阻区进入饱和区时的直流电阻。
——它是影响最大输出功率的重要参数，在开关电路中决定了输出幅 度和自身损耗的大小。
61mosfet的结构和工作原理62功率mosfet的基本特性63功率mosfet的主要参数64功率mosfet的安全工作区65功率mosfet的栅极驱动电路功率场效应晶体管mosfet也分为结型和绝缘栅型类似小功率fieldeffecttransistorfet但通常主要指绝缘栅型中的mos型metaloxidesemiconductorfet简称功率mosfetpowermosfet结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管staticinductiontransistorsit功率场效应晶体管mosfet电流容量小耐压低一般只适用于功率不超过10kw的功率电子装置
器件在关断过程中承受很高的再加电压，即dUDS/dt 。
——器件的动态dUDS/dt耐量与本身的耐压水平密切相关。耐压越高， dUDS/dt的耐量越大。
场效应晶体管的电路符号及图片识别
场效力管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效力管，是一种下输进阻抗的电压统制型半导体.场效力管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别喊源极S，栅极G，漏极D.之阳早格格创做场效力管电路标记一：场效力管的分类：1、百般场效力管根据其沟讲所采与的半导体资料，可分为N型沟讲战P 型沟讲二种.所谓沟讲，便是电流利讲.2、根据构制战工艺的分歧，场效力管分为结型战绝缘型二大类.结型场效力管的英文是Junction Field Effect Transistor，简称JFET.J FET 又分为N沟讲，P沟讲场效力管.绝缘栅型场效力管：英文是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，缩写为MOSFET，简称MOS管.MOS场效力晶体管又分为N沟耗尽型战巩固型；P沟耗尽型战巩固型四大类.3、按导电办法：耗尽型与巩固型，结型场效力管均为耗尽型，绝缘栅型场效力管既有耗尽型的，也有巩固型的.二：场效力晶体管具备如下特性：（1）输进阻抗下；（2）输进功耗小；（3）温度宁静性佳；（4）旗号搁大宁静性佳，旗号得实小；（5）由于没有存留纯治疏通的少子扩集引起的集粒噪声，所以噪声矮.三：场效力管与晶体管的比较（1）场效力管是电压统制元件，而晶体管是电流统制元件.正在只允许从旗号源与较少电流的情况下，应采用场效力管；而正在旗号电压较矮，又允许从旗号源与较多电流的条件下，应采用晶体管.（2）场效力管是利用普遍载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有普遍载流子，也利用少量载流子导电.被称之为单极型器件.（3）有些场效力管的源极战漏极不妨互换使用，栅压也可正可背，机动性比晶体管佳.（4）场效力管能正在很小电流战很矮电压的条件下处事，而且它的制制工艺不妨很便当天把很多场效力管集成正在一齐硅片上，果此场效力管四：场效力管的主要效率：1.场效力管可应用于搁大.由于场效力管的搁大器输进阻抗很下，果此耦合电容不妨容量较小，没有必使用电解电容器.2.场效力管很下的输进阻抗非常符合做阻抗变更.时常使用于多级搁大器的输进级做阻抗变更.3.场效力管不妨用做可变电阻.4.场效力管不妨便当天用做恒流源.5.场效力管不妨用做电子启闭.五：场效力管佳坏与极性判别:将万用表的量程采用正在RX1K档,用乌表笔接D极,白表笔接S极,用脚共时触及一下G,D极,场效力管应呈瞬时导通状态,即表针晃背阻值较小的位子,再用脚触及一下G,S极, 场效力管应无反应,即表针回整位子没有动.此时应可推断退场效力管为佳管.将万用表的量程采用正在RX1K档,分别丈量场效力管三个管足之间的电阻阻值,若某足与其余二足之间的电阻值均为无贫大时,而且再接换表笔后仍为无贫大时,则此足为G极,其余二足为S极战D极.而后再用万用表丈量S 极战D极之间的电阻值一次,接换表笔后再丈量一次,其中阻值较小的一次,乌表笔接的是S极,白表笔接的是D。
jfet电路符号
JFET电路符号1. 概述JFET（结型场效应晶体管）是一种常用于放大和开关电路中的半导体器件。
它的特点是具有高输入阻抗和低输出阻抗，可在宽范围内调节电流。
为了方便理解和设计电路，JFET被赋予了特定的符号。
2. JFET符号JFET符号由三个主要元素组成：源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。
这些元素用于表示JFET器件中的不同区域和连接方式。
下面是N沟道JFET和P沟道JFET的符号示意图：2.1 N沟道JFET符号N沟道JFET采用负载型结构，其符号如下所示：_____| |D | ||_____| SG在该符号中，源极位于底部，栅极位于顶部，漏极与源极相连。
2.2 P沟道JFET符号P沟道JFET采用补偿型结构，其符号如下所示：_______| |S | ||_______| DG在该符号中，源极位于顶部，栅极位于底部，漏极与源极相连。
3. JFET符号的详细解释JFET符号中的每个元素都代表了特定的区域和功能。
以下是对每个元素的详细解释：3.1 源极（Source）源极是JFET器件中负责提供或输入信号的引脚。
它通常用S来表示。
在电路中，源极连接到电源或信号源，并提供电流或信号。
3.2 栅极（Gate）栅极是JFET器件中负责控制电流流动的引脚。
它通常用G来表示。
通过改变栅极电压，可以控制栅-漏结区域的导电性，从而调节整个JFET器件的电流。
3.3 漏极（Drain）漏极是JFET器件中负责输出信号或从源到漏之间放大信号的引脚。
它通常用D来表示。
漏极连接到负载或其他电路元件，将经过放大或处理后的信号输出。
4. JFET符号使用示例JFET符号在电路图中经常被使用，下面是几个示例：4.1 JFET放大器电路下图展示了一个基本的JFET放大器电路，使用N沟道JFET。
在这个电路中，栅极接收输入信号，源极连接到地，漏极输出放大后的信号。
R1+-------/\/\/\-------+| |_|_ || | |Vg JFET RL|___| || |+--------/\/\/\-------+R24.2 JFET开关电路下图展示了一个简单的JFET开关电路，使用P沟道JFET。
场效应晶体管的电路符号及图片识别
场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。
场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
令狐采学场效应管电路符号一：场效应管的分类：1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。
所谓沟道，就是电流通道。
2、根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。
结型场效应管的英文是Junction Field Effect Transisto r，简称JFET。
JFET 又分为N沟道，P沟道场效应管。
绝缘栅型场效应管：英文是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，缩写为MOSFET，简称MOS管。
MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
3、按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
二：场效应晶体管具有如下特点：（1）输入阻抗高；（2）输入功耗小；（3）温度稳定性好；（4）信号放大稳定性好，信号失真小；（5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
三：场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管四：场效应管的主要作用：1.场效应管可应用于放大。
4种mosfet2种jfet电路符号
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管）是一种高频、低功耗的晶体管，可以用作电路中的开关或电流控制元件。
MOSFET有四种不同的电路符号：N加N，P加N，N加P和P加P。
N加N MOSFET电路符号为三个三角形，其中中间的三角形代表源极，上面的三角形代表漏极，下面的三角形代表控制极。
此外，漏极和控制极之间还有一条直线，表示晶体管的结构中的一个栅极。
P加N MOSFET电路符号同样为三个三角形，但是上面的三角形代表源极，中间的三角形代表漏极，下面的三角形代表控制极。
此外，漏极和控制极之间还有一条对角线，表示晶体管的结构中的一个栅极。
N加P MOSFET电路符号为两个三角形和一个圆圈，其中上面的三角形代表源极，中间的圆圈代表漏极，下面的三角形代表控制极。
此外，漏极和控制极之间还有一条直线，表示晶体管的结构中的一个栅极。
P加P MOSFET电路符号为两个三角形和一个圆圈，其中上面的三角形代表源极，中间的圆圈代表漏极，下面的三角形代表控制极。
此外，漏极和控制极之间还有一条对角线，表示晶体管的结构中的一个栅极。
此外，JFET（Junction Field-Effect Transistor，结参数场效应管）也是一种晶体管，它有两种不同的电路符号：N加N型和P加P型。
N加N型JFET电路符号由三个三角形组成，其中上面的三角形代表源极，中间的三角形代表漏极，下面的三角形代表控制极。
P加P型JFET电路符号同样由三个三角形组成，但是上面的三角形代表源极，中间的三角形代表漏极，下面的三角形代表控制极。
总之，MOSFET有四种不同的电路符号：N加N，P加N，N加P和P加P，而JFET有两种不同的电路符号：N加N型和P加P型。
这些电路符号是电子电路设计的基础，在制定电路图时都需要正确地使用。
nmos常用电路标识
nmos常用电路标识
NMOS（N-通道金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的
场效应晶体管，常用电路标识如下：
1. 原理图符号，在电路原理图中，NMOS常用的符号是一个垂
直的线段代表沟道，并且有一个向内的箭头表示控制端（gate）的
输入。
另外，还有一个连接到源极的箭头和一个连接到漏极的箭头。
2. 逻辑符号，在数字逻辑电路中，NMOS可以用一个带有控制
端和两个输出端的逻辑符号表示，控制端上方通常有一个小圆圈或
者一个斜线来表示负逻辑。
3. 物理布局，在集成电路设计中，NMOS的物理布局通常是一
个沟道区域，连接到源极和漏极的扩散区域，以及控制端的金属线路。
4. 符号标识，在电路图纸或者电路设计文档中，NMOS通常用
标准的符号标识来表示，这有助于工程师和技术人员理解和识别电
路中的NMOS元件。
总的来说，NMOS的常用电路标识包括原理图符号、逻辑符号、物理布局和符号标识，这些标识有助于工程师和技术人员理解和设计NMOS相关的电路。
场效应晶体管的特点
结论：
1．结型场效应管是一个电压控制电流的电压控制 型器件。 2. 所以输入电阻很大。一般可达107~108Ω。
三、结型场效应管的特性曲线和跨导
1. 转移特性曲线 反映栅源电压VGS 对漏极电流 I D 的控制作用。如图 2.2.5所示，若漏源电压一定： 当栅源电压 VGS 0 时，漏极电流 I D I DSS ， I DSS 称为饱 和漏极电流； 当栅源电压VGS 向负值方向变化时，漏极电流I D 逐渐减小；
图2.2.8 N沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理
（3）在 VDS 0 时： 若 VGS VT ，反型层消失，无导电沟道，I D 0 ； 若 VGS VT ，出现反型层即(导电沟道)，D、S之间有 电流 I D 流过； I D 也随之逐渐增大， 若VGS 逐渐增大，导电沟道变宽， 即 VGS控制 I D 的变化。
当VGS 0 ，并逐渐增大此负电压，导致沟道变窄， 使 I D 。实现 VGS对 I D 的控制作用。
夹断电压 VP ：使 I D 0 时的栅源电压VGS 。
图2.2.9 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管
二、绝缘栅场效应管的特性曲线和跨导 以N沟道MOS管为例。 1. 转移特性曲线 N沟道MOS管的转移特性曲线如图2.2.10所示。
（3）击穿区（图中Ⅲ区）
当VDS 增至一定数值后， I D 剧增，出现电击穿。如果对 此不加限制，将损坏管子。因此，管子不允许工作在这个 区域。
图2.2.6 结型场效应管的输出特性曲线
3. 跨导（gm） 反映在线性放大区 VGS 对 I D 的控制能力。单位是μA/V 。 I D (2.2.1) gm VGS
VP 称为夹断 当栅源电压 VGS VP 时，漏极电流 I D 0 ， 电压。
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创作编号：
GB8878185555334563BT9125XW
创作者：凤呜大王*
场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。
场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
场效应管电路符号
一：场效应管的分类：
1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。
所谓沟道，就是电流通道。
2、根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。
结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor，简称JFET。
JFET 又分为N沟道，P沟道场效应管。
绝缘栅型场效应管：英文是 Metal Oxide Semiconductor Field E ffect Transistor，缩写为MOSFET，简称MOS管。
MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
3、按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
二：场效应晶体管具有如下特点：
（1）输入阻抗高；
（2）输入功耗小；
（3）温度稳定性好；
（4）信号放大稳定性好，信号失真小；
（5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
三：场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
四：场效应管的主要作用：
1.场效应管可应用于放大。
由于场效应管的放大器输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
五：场效应管好坏与极性判别:
将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.
将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为
无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D
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创作者：凤呜大王*。