南京理工大学模电数电试卷2014
南京理工大学课程考试试卷(学生考试用)
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C
COM
C3C2C1C0 8421BCD
BCD/7_seg
a～g
C
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8421BCD D3D2D1D0 8421BCD
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D
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D
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CP (A) (B)
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电路Ⅱ
六、试分析下图电路的逻辑功能： 1） 分别写出 B2B1B0 为 111 和 101 时逻辑函数 Y 的表达式； （表达式写成 Y（Q2，Q1，Q0，CP）=（Σmi）CP 的格式，其中 mi 为由 Q2、Q1、Q0 构成的最小项） 2） 根据图 （b） 波形， 分别画出 B2B1B0 为 111 和 101 时的输出波形 Y111、 101； Y （计数器初态为 0000） ； 3） 说明该电路的逻辑功能。
Q0 Q1 Q2 Q3
× ↑ × × ↑
同步置数 保持(包括 CO 的状态) 保持(CO=0) 计 数
74161
SRG4 SB SA
0 0 }M 1 3
四位移位寄存器 74194 功能表
CP
RD DSR
C4
1→/2←
RD
0 1 1 1 1
SA × 0 0 1 1
SB × 0 1 0 1
CP × ↑ ↑ ↑ ↑
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共
4
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附录：
RD
LD
ENT
ENP
CP
CTRDIV16 CT=0 M1 M 2 3CT=15 G3 G4 C5/2,3,4+
四位二进制同步加法计数器 74161 功能表
2012~2013模拟电子电路题A详细答案及评分标准
2012年---2013年第二学期《模拟电子技术》期末考试试卷答案姓 名： 学 号： 专业班级：一、填空题(本题共3小题,每空1分,共10分)⒈ 电路如图所示，设二极管D 为理想二极管，则此时A 、B 之间的电压U AB ＝ 15 伏。
⒉ 一共射放大电路及其输出特性曲线如下图所示。
若静态工作点由Q 1移到Q 2位置，则应调整 R b 电阻，如何调 调小 （调大或调小）。
若静态工作点由Q 2移到Q 3位置，则应调整 R c电阻，如何调调小（调大或调小）。
假设该电路出现非线性失真，调整R b ，使其阻值变大后，失真消失，则此失真为 饱和 失真。
⒊ 小功率的直流稳压电源，一般是由 变压器 、 整流电路 、 滤波电路 、 稳压电路 四部分构成。
⒈ PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽⒉ 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
A. UI e S B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I⒊ 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B .反向截止 C .反向击穿⒋ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏⒌ 放大电路中三极管的三个电极为U X ＝－8V ，U Y ＝－7.3V ，U Z ＝0V ，如图所示。
则e 、b 、c 三极为 C 。
⒍ 放大器A u ＝100，输入电阻为10KΩ，当引入反馈系数F u ＝0.09的电压串联负反 馈后，电压放大倍数和输入电阻为 B 。
A. A uf ＝9，R id ＝100 KΩB. A uf ＝10，R id ＝100 KΩC. A uf ＝10，R id ＝90 KΩD. A uf ＝9， R id ＝90 KΩ ⒎ 放大器引入电压并联负反馈后可以稳定 B 。
A. 电压放大倍数B. 互阻放大倍数C. 互导放大倍数 D .电流放大倍数 ⒏ 差动放大器如图所示，则其电压放大倍数为 C 。
模拟电子电路学习基础试题及其答案解析(大学期末考试-题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
2014年南京理工大学电力电子模拟五试题
120 ，负载中反电势幅值 | E | 180V ，电路工作在有源逆变状态。画出负载
电流波形，计算负载电流平均值。 （18 分）
南京理工大学自动化学院 2014 年硕士研究生入学考试 电力电子技术模拟题（五） （150 分）
一、填空题（每个 1 分，共 40 分）
1．晶闸管在以下几种情况下可能误触发导通，这几种情况 有 、 、 、 。 与 之间的接口。 、 、 三部分。 。 。其缺点是输出交流电压的幅值 Um 仅 。按照内部电子与空 。
三、计算题（共74分）
1．晶闸管电流波形如下图，计算负载电流的平均值和有效值，确定晶闸管的额 定电流。 （14分）
iT/A
10 0 2π/3 2π ωt
2．单相桥式整流电路带电阻负载，U2=100V，R=1０Ω， 30 。画出VT1和负载 电压波形，计算负载电压平均值。 （17分） 3．单相半波整流电路中，U2=100V，L=1mH， 60 ，计算Ud、Id，画出负载电 压和电流波形。 （15分） 4．单相交流调压电路中U2=100V，R=1Ω， 90 ，计算负载平均功率和电路功 率因数。(10分) 5．三相桥式整流电路带大电感负载，U2=100V，变压器漏感 LB=1mH，R=5Ω，
2．电力电子器件的驱动电路是
3．按驱动电路类型，电力电子器件可分为 穴两种载流子参与导电情况可分类为 4．GTO 驱动电路一般包括 5．强迫换流常用的两种方式为 6．半桥逆变电路的优点是 为 。 、 、 、 、 、
7．PWM 控制就是对脉冲的________进行调制的技术。PWM 波形可分为
、两种Biblioteka PWM 波形只在单个极性范围内变化的控制方式称________控制方式，三相 桥式 PWM 型逆变电路采用________控制方式。 8．PWM 整流电路可分为________和________两大类 9．斩波电路的三种控制方式为： 10．TCR 的全称是 、 、 。
2014南京理工大学光电检测技术复习题
2014南京理⼯⼤学光电检测技术复习题2014《光电检测技术》复习题⼀、选择题1、关于光度量，正确的是（）A 、e Φ的单位为WB 、I 的单位为cdC 、Φ的单位为lmD 、E 的单位为lx2、关于辐射度量，错误的是（）A 、E e 是描述扩展辐射源向外发射的辐射特性B 、Ie 为从⼀个点光源发出的，给定⽅向上单位⽴体⾓内所辐射出的辐射通量C 、对于理想的散射⾯，有E e= M eD 、Φe 是辐射能的时间变化率3、光电检测系统的核⼼是（）A 、处理电路B 、光电管C 、透镜D 、光电探测器4、关于PMT ，错误的是（）A 、使⽤时不宜⽤强光照B 、抗震性好C 、⼯作电流不宜过⼤D 、选⼤负载电阻来扩展频带5、关于良好的光电发射材料，正确的是（）A 、光吸收系数要⼤B 、溢出深度要⼤C 、材料的溢出功要⼤D 、有⼀定的电导率6、雪崩光电⼆极管是利⽤（）效应制作的器件。
A 、光电发射B 、压电C 、热电D 、内光电7、外光电效应的光电探测器有（）A 、光电三极管B 、光电池C 、PMTD 、雪崩光电⼆极管8、具有光电倍增的器件有（）A 、PMTB 、LEDC 、雪崩光电⼆极管D 、PSD9、探测微弱、响应速率较⾼的光信号，应采⽤（）A 、光电⼆极管B 、PMTC 、热释电探测器D 、光电三极管10、某⼀材料在297K 下其禁带宽度()eV E g 5.0=，该材料制作的光电探测器的截⽌波长为（）A 、2.48微⽶B 、248纳⽶C 、1.24微⽶D 、124纳⽶11、发光强度的单位为（）A 、流明B 、坎德拉C 、勒克斯D 、⽡12、导带是（）A 、满带B 、禁带C 、允许带D 、价带13、弱光注⼊是指（）A 、⾮平衡载流⼦个数多于热平衡载流⼦个数B 、⾮平衡载流⼦个数少于热平衡载流⼦个数C 、⾮平衡载流⼦个数多于热平衡载流⼦多⼦个数D 、⾮平衡载流⼦个数少于热平衡载流⼦多⼦个数14、关于⾮平衡载流⼦中的电⼦和空⽳个数，正确的是（）A 、电⼦和空⽳的个数相等B 、对N 型半导体，电⼦的个数多于空⽳的个数C 、对P 型半导体，电⼦的个数少于空⽳的个数D 、以上都正确15、⼀块半导体样品,有光照时电阻为100欧姆，⽆光照时为10兆欧姆,样品的光电导为（）16、关于光度量，正确的是（）A、Φ的单位为cd B、I的单位为cdeC、Φ的单位为lmD、E的单位为lx17、关于PMT，正确的是（）A、使⽤时不宜⽤强光照B、抗震性好C、⼯作电流不宜过⼤D、选⼤负载电阻来扩展频带18、关于良好的光电发射材料，错误的是（）A、光吸收系数要⼩B、溢出深度要⼩C、材料的溢出功要⼩D、有⼀定的电导率19、内光电效应的光电探测器有（）A、LEDB、PSDC、PMTD、APD20、具有光电倍增的器件有（）A、PMTB、LEDC、APDD、PSD21、关于辐射度量，正确的是（）A、E是描述扩展辐射源向外发射的辐射特性eB、I为从⼀个点光源发出的，给定⽅向上单位⽴体⾓内所辐射出的辐射能eC、M是描述扩展辐射源向外发射的辐射特性eφ是辐射能的时间变化率D、e⼆、名词解释及简答题1、简述光电倍增管的结构？答：光电倍增管由光⼊射窗、光电阴极，电⼦光学输⼊系统(光电阴极到第⼀倍增极D1之间的系统)、⼆次发射倍增系统及阳极等构成。
2011江苏模拟电路试题
2011江苏模拟电路试题2011年江苏模拟电路试题涵盖了模拟电路的基础知识、分析方法以及设计技巧，旨在检验学生对模拟电路原理的掌握程度和应用能力。
以下是一份模拟的2011年江苏模拟电路试题内容：一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，开环增益是：A. 有限的B. 非常大的C. 很小的D. 零2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可变频率3. 一个二极管在正向偏置时，其正向电阻：A. 非常大B. 非常小C. 保持不变D. 无法确定4. 以下哪个电路不是由晶体管构成的？A. 放大器B. 振荡器C. 逻辑门D. 整流器5. 一个理想的电压源具有以下哪个特性？A. 内阻为零B. 内阻无穷大C. 电压随电流变化D. 电流随电压变化6. 以下哪个是负反馈的特点？A. 增加放大器的增益B. 减少放大器的稳定性C. 降低放大器的输出阻抗D. 增加放大器的非线性失真7. 一个理想的电流源具有以下哪个特性？A. 电流恒定不变B. 电压随负载变化C. 电流随负载变化D. 电压恒定不变8. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器9. 一个理想的变压器的变比是：A. 原边与副边的匝数比B. 原边与副边的电流比C. 原边与副边的电压比D. 原边与副边的功率比10. 在模拟电路设计中，温度漂移通常会影响：A. 放大器的增益B. 电源的效率C. 逻辑门的阈值D. 振荡器的频率二、简答题（每题10分，共20分）1. 简述共射放大电路的工作原理，并说明其优点和缺点。
2. 解释什么是差分放大器，并说明其在模拟电路设计中的应用。
三、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个NPN型晶体管，其β值为100，集电极电流为20mA，基极电流为200μA。
计算集电极到发射极的电压（Vce），假设Vbe=0.7V，电源电压Vcc=12V，集电极电阻Rc=1kΩ。
南京理工大学 电子技术基础 考研模拟试题 二
南京理工大学电子技术基础2012年攻读硕士学位研究生模拟试卷（二）（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回）科目名称：电子技术基础 ( 含数字与模拟电路 )第一部分：模拟电路一、填空题 ( 共 10 分，每小题 2 分 )1 、由二极管 D 和正偏直流电源V ，交流信号源υs 及负载 RL 构成的串连电路，当V ＝ 3V 时，测得 RL 上的交流压降 U L＝ 100mV 。
若调节V ＝4V ，其他参数不变，则υL =_______100mV 。
2 、基本放大电路的静态工作电流调得太大，容易产生_______ 失真，这种失真属于_______ 失真。
3 、放大器中的噪声是_______, 是放大器中_______ 所造成的。
放大器的噪声系数 N F的定义是：________ 。
4 、某负反馈放大电路，其开环增益 Ag ＝ 100mS ，反馈系数 Fr ＝ 10KΩ，开环输入电阻R i ＝ 3KΩ，则其闭环输入电阻R if ＝_________ 。
（R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻）5 、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常由________和________ 电路两部分组成。
二、分析与计算题1 ．（ 8 分）对于增强型 n 沟 MOSFET ，1 ）写出其在线性区的伏安特性表达式；2 ）在 V DS＞＞ 2 （ V GS－ V TH）条件下，写出上述伏安特性表达式的近似表达式；3 ）已知 MOSFET 的μn · Cox ＝ 50 μA/V 2 ， V TH＝ 0.7V, 当V GS =2.5V ，求此时该 MOSFET 的等效导通电阻 R ON＝？2 ．（ 10 分）两相同单级放大器组成二级放大器，回答如下问题1 ）在其单级放大器的截止频率处，二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少 dB ？2 ）为保证二级放大器的上限频率为 106 Hz ，下限频率为 156Hz ，计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少？3 ．（ 6 分）一理想运算放大器组成的电路如图所示，试求该电路的输入电阻R i 表达式。
南京理工大学2014微机原理试题
南京理工大学课程考试试卷（学生考试用）一、单项选择题（每题1分，共15分）1.8086/8088 中ES、DI 分别届于°A.EU、BIUB.BIU、EUC.BIU. BIUD.EU、EU2.假设8086微机内存中某单元的物理地址为23456H,英逻借地址表示错误的是°A. 2345： 0006HB. 2300H： 0456HC. 2201H： 1446HD. 2340H： 0046H3.下列指令中，正确的是。
A. MOV CS, CXB.SUB [BX], [100H]C. MOV BX. [BX] C. OUT 100H. AL4.8253的计数器通道有个，器件的端口地址有个。
A.4, 3B.3, 4C.4, 4D. 3, 35.已知（SS） =3000H, （SP） =0100H.执行下列指今后，（SP） =00FEHA・ I NT 21H B. CALL DWARD PTR [DI]C・ JMP BX D. CALL BX6.下而对存储器描述错误的是。
A. PROM是由用户一次性写入的存储器B. DRAM需要定时刷新C. EPROM需用紫外线擦除D.掉电后SRAM中的数据不会丢失7.8086CPU工作在最小模式，竞味着。
A.一片8086CPU,就可以独立构成计算机系统。
B.8086CPU和最少的外围器件构成计算机系统。
C.8086CPU需要和总线控制器配合构成计算机系统。
D.8086计算机系统的三总线都是直接和8086 CPU世违的。
&在8086的最小系统中，当M/IO = 0, VW? =1, RD = °时，CPU完成的操作是。
A.I/O读B. I/O写C.存储器读D.存储器写LOOP AGAINA. REP MOVSBB. REP MOVSWC. REP CMPSBD. REP CMPSW11•传送海量数据时，占用CPU最长时间的传送方法杲oA.中断B.査询C. DMAD.无条件传输12..半导体存储器芯片的引脚有A12~A0、D3〜DO、WE、CE、CS、Vcc、GND等，该芯片的规格是，用该芯片组成一个64KB的存储器，需要个独立的片选信号。
2014年南京理工大学电力电子模拟二试题
三 分析题（共 30 分）
1 简述 Boost 电路的工作原理，画出电路图。（15 分） 2 在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时 的整流电压 ud 波形如何？如果有一个晶闸管被击穿而短路，其他晶闸管受什么 影响？（15 分）
二 计算题（共 90 分）
1 龙门刨床，其工作台由 60KW、220V、305A 的直流电动机拖动，由三相桥式 全控整流电路供电。整流变压器一、二次线电压分别为 380V 和 220V，要求起 动电流限制在 500A。当负载电流降至 10A 时，电流仍保持连续。计算控制角理 论上最小值 及晶闸管的额定值。（15 分）
4 三 相 全 控 桥 ， 反 电 动 势 阻 感 负 载 ， E ＝ 220V,R ＝ 1 Ω ， L= ∞ ， 当 者还应求γ并分别作出 或 情况下分别求 的值，后
波形。（15 分）
5 单相全控桥，反电动势阻感负载，R=1Ω，L=∞，U2=100V，L=0.5mH，当 EM=99V，β=60时求 Ud、Id 和 的值。（20 分）
2 某一电热装置(电阻性负载),要求直流平均电压为 75V,电流为 20A, 采用单 相半波可控整流电路直接从 220V 交流电网供电。计算晶闸管的导通角、负载 电流有效值，并选择晶闸管（考虑安全裕量） 。 （15 分） 3 一单相交流调压器，电源为工频 220V，阻感串联作为负载，其中 R=0.5Ω， L=0.2mH。（25 分） 试求：（1）开通角α的变化范围； （2）负载电流的最大有效值； （3）最大输出功率及此时电源侧的功率因数； （4）当α=∏ /2 时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功 率因数。
南京理工大学自动化学院 20140 分）
一 简答题（每题 6 分，共 30 分）
南京理工大学电子技术基础四套模拟试题
南京理工大学电子技术基础2012年攻读硕士学位研究生模拟试卷（一）（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回）科目名称：电子电路 ( 包括模拟电子技术基础和数字电子技术基础 )Ⅰ . 模拟电路部分 ( 共 75 分 )一、填空题（共 20 分，每空 1 分）1. 在共射、共集、共基三种基本组态电路中，希望工作频率较高的电路是_____ ；希望带负载能力最强的电路是。
2. 集成运算放大器的输入级多采用差动放大电路的原因是_____ ；输出级采用互补对称电路的原因是 _____。
3. 一个完整的串联型稳压电路由_____ 、_____ 、_____ 等四部分组成。
4. 从反馈组态看，同相比例运算电路属于_____ 负反馈；反相比例运算电路属于_____ 负反馈。
5. 理想集成运算放大器的电压放大倍数 A vd = _____；输入电阻 R id=_____ ；输出电阻 R0 =_____ ；共模抑制比 K CMR =_____ 。
6. 正反馈电路形成的正弦波振荡器的频率是根据_____ 条件确定；欲使振荡器能自行建立振荡，满足的条件是_____ ；振荡器的稳幅条件是_____ 。
7. 在桥式整流电路中，负载为纯电阻，如变压器次级的交流电压有效值 V2= 20V ，则整流输出直流电压 V0__________ = V ，而整流二极管所承受的最大反向电压 V RM =_____ V 。
8. 某负反馈放大电路，其开环增益 Ag = 100ms ，反馈系数 F r =10kΩ，开环输入电阻R′i = 3kΩ，则其闭环输入电阻R′if =__________ （R′i、R′if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻）。
二、选择题（在每小题的备选答案中选出一个正确答案，将其号码填在题干的括号内。
每小题 1 分，共 10 分）1. 晶体三极管基极电流I B =0.02mA ，发射极电流I E =1.02mA ，其电流放大系数β、α分别为（）。