CMOS集成电路设计基础
CMOS模拟集成电路设计
CMOS模拟集成电路设计CMOS模拟集成电路是一种基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术实现的集成电路，主要用于设计和制造各种模拟电路，如运放、滤波器、振荡器、功率放大器等。
本文将介绍CMOS模拟集成电路设计的原理、方法和相关技术。
CMOS模拟集成电路的设计原理是基于CMOS技术中的n型和p型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS和PMOS)。
这两种晶体管互补工作在导通和截止之间，通过改变栅极电压来控制电流的流动。
此外，CMOS技术还使用了源沟道结构和金属氧化物半导体(MOS)的结构特性，以提供可靠的电流和电压增益。
CMOS模拟集成电路设计的方法涉及到几个关键的步骤。
首先，设计师需要进行电路架构设计，确定电路所需的功能和性能指标。
然后，根据电路的需求，设计师需要选择和设计适当的基本电路单元，如差分放大器、共源共极放大器等。
接下来，设计师需要利用各种仿真工具对电路进行模拟和验证，以确保电路的稳定性和可靠性。
最后，设计师需要进行版图设计和布线，生成最终的集成电路布局。
在CMOS模拟集成电路设计过程中，设计师需要考虑到多种因素。
首先，设计师需要选择适当的工艺和器件参数，以满足电路性能和功率需求。
其次，设计师需要进行功耗和噪声分析，以优化电路的能耗和信号质量。
此外，设计师还需要考虑温度和工作条件下电路的性能稳定性。
CMOS模拟集成电路设计中的一项重要任务是电路的性能评估和优化。
设计师可以使用各种技术和工具来提高电路的性能，如电流镜设计、电源抑制技术、反相器结构优化等。
此外，设计师还可以通过器件和工艺的改进来提高电路的性能。
总结起来，CMOS模拟集成电路设计是一项复杂的任务，需要设计师具备深厚的电路和器件知识，以及熟练的仿真和设计工具的使用。
通过深入理解电路原理和方法，设计师可以设计出高性能和可靠的模拟集成电路。
在未来，随着CMOS技术的不断发展和改进，CMOS模拟集成电路将在各种应用领域发挥越来越重要的作用。
CMOS电路基础原理
CMOS电路基础原理CMOS（互补金属氧化物半导体）电路是现代电子领域中常用的集成电路设计技术。
它在数字逻辑电路和模拟电路中广泛应用，并且具有低功耗、高集成度以及较强的抗干扰能力等优点。
本文将介绍CMOS电路的基础原理。
一、CMOS电路结构CMOS电路由N沟道金属氧化物半导体场效应管和P沟道金属氧化物半导体场效应管构成。
N沟道和P沟道管具有互补的传输特性，能够有效降低功耗。
CMOS电路结构包括传输门、组合逻辑电路和时钟电路等。
1. 传输门传输门是CMOS电路的基本单元，常见的有与门、或门以及非门等。
与门由一对并联的P沟道和N沟道管组成，当且仅当两个输入信号同时为高电平时，输出为高电平。
或门由一对串联的P沟道和N沟道管组成，当且仅当两个输入信号中至少一个为高电平时，输出为高电平。
非门由两个逆并联的P沟道和N沟道管组成，当输入信号为高电平时，输出为低电平。
2. 组合逻辑电路CMOS电路中的组合逻辑电路包括与非门、异或门等。
与非门由与门和非门级联而成，输入信号经过与门进行与操作，然后再经过非门进行取反操作。
异或门由与非门和异或非门级联而成，输入信号经过与非门进行与非操作，然后再经过异或非门进行异或操作。
3. 时钟电路CMOS电路中的时钟电路包括振荡电路和触发器等。
振荡电路用于产生稳定的时钟信号，常见的电路有RC振荡电路和LC振荡电路等。
触发器用于存储和传输信息，常见的触发器有RS触发器、D触发器以及JK触发器等。
二、CMOS电路工作原理CMOS电路的工作原理基于PN结和MOSFET的特性。
当控制电压施加于PN结时，PN结正向偏置导通，反向偏置截止。
同时，对于MOSFET来说，当栅极电压低于阈值电压时，沟道断开；当栅极电压高于阈值电压时，沟道导通。
CMOS电路中，P沟道MOSFET和N沟道MOSFET的栅极交替连接，形成互补对。
当输入信号为低电平时，P沟道MOSFET导通，N 沟道MOSFET截止；当输入信号为高电平时，P沟道MOSFET截止，N沟道MOSFET导通。
CMOS集成电路设计基础
CMOS集成电路设计基础CMOS（亦称互补金属氧化物半导体）是一种常用的集成电路设计技术，它在数字电路中广泛使用。
本文将详细介绍CMOS集成电路设计的基础知识。
CMOS电路是由PMOS（P型金属氧化物半导体）和NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管组成的。
PMOS和NMOS的工作原理相反，当输入信号为高电平时，PMOS开关导通，NMOS截断；当输入信号为低电平时，PMOS截断，NMOS导通。
通过PMOS和NMOS的结合，可以实现高度集成的数字电路。
CMOS电路的优势主要体现在以下几个方面：1.功耗低：由于CMOS电路只有在切换时才消耗功耗，因此静态功耗基本可以忽略不计。
而且CMOS在开关时的功耗也非常低。
2.噪声低：CMOS电路的输出电平会受到两个晶体管开关阈值的影响，这样可以减小由于电流变化而引起的噪声。
3.集成度高：CMOS电路可以实现非常高的集成度，因为它的结构非常简单，只需要两种类型的晶体管。
1.逻辑门设计：逻辑门是CMOS电路的基本单元，它可以实现与门、或门、非门等逻辑运算。
逻辑门的设计要考虑功耗、速度和面积等因素。
2.布局设计：布局设计是将逻辑门按照一定的规则进行布置，以实现电路的高集成度和高性能。
布局设计需要考虑晶体管的相互影响，以及电路的信号延迟等因素。
3.时序设计：时序设计是指在设计中考虑到电路的时序特性，以满足时序约束。
时序设计需要考虑时钟频率、延迟等因素，以确保电路的正确操作。
4.电源和地设计：CMOS电路需要提供稳定的电源和地，以确保电路的正常运行。
电源和地的设计需要考虑电源噪声、电源提供能力等因素。
总之，CMOS集成电路设计基础知识包括逻辑门设计、布局设计、时序设计和电源地设计等方面。
了解这些基础知识，可以帮助我们理解和设计复杂的CMOS集成电路，提高电路的性能和可靠性。
集成电路版图基础CMOS版图篇
（2）源漏共用── 合并源/漏区，将4个小MOS管并联
(a)形成S-G-D、S-G-D…排列
(b)左起第二个和第四个MOS管的、和漏互换
(c)将相邻S、D重叠
并联后MOS管宽长比与原大尺寸管宽长比 相同；
并联小MOS管个数为N，并联管的宽长比 等于原大尺寸管宽长比的1/N；
栅极串联电阻为原大尺寸管寄生电容的1/N
大面积的栅极与衬底之间有氧化 层隔绝，形成平板电容
栅电压降低
细长的栅极存在串联电阻，导 致栅极两端电压不同
MOS管寄生电容值
CW LC 0
MOS管栅极串联电阻值
RW/LR
S G
D
设计方法 （1）分段──
大尺寸MOS管分段成若干小尺寸MOS管。
(a) MOS管的W/L=200/1
(b) 截成4段（W/L=50/1）
含义 N阱 有源扩散区 P型注入掩膜 N型注入掩膜 多晶硅 引线孔 第一层金属 第二层金属 通孔
注意：
不同软件对图层名称定义不同； 严格区分图层作用。
版图图层名称 cc（或cont）
Via
含义
引线孔（连接金属与多晶硅 或有源区）
通孔（连接第一和第二层金 属）
MOS器件版图图层 ——PMOS
N阱——NWELL P型注入掩模——PSELECT 有源扩散区——ACTIVE 多晶硅栅——POLY 引线孔——CC 金属一——METAL1 通孔一——VIA 金属二——METAL2
a）由源、栅和漏组成的器件；
b）衬底连接。
源区、沟道区和漏区合称为MOS管的 有源区(Active），有源区之外的区域 定义为场区（Fox)。有源区和场区之 和就是整个芯片表面即基片衬底 （SUB）。
模拟cmos集成电路设计知识点总结
模拟cmos集成电路设计知识点总结模拟CMOS集成电路设计是一个涉及多个学科领域的复杂课题，包括电子工程、物理、材料科学和计算机科学等。
以下是一些关键知识点和概念的总结：1. 基础知识：半导体物理：理解半导体的基本性质，如本征半导体、n型和p型半导体等。
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）工作原理：理解MOSFET的基本构造和如何通过电压控制电流。
2. CMOS工艺：了解基本的CMOS工艺流程，包括晶圆准备、热氧化、扩散、光刻、刻蚀、离子注入和退火等步骤。
理解各种工艺参数对器件性能的影响。
3. CMOS电路设计：了解基本的模拟CMOS电路，如放大器、比较器、振荡器等。
理解如何使用SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）进行电路模拟。
4. 噪声：理解电子器件中的噪声来源，如热噪声、散粒噪声和闪烁噪声等。
了解如何减小这些噪声的影响。
5. 功耗：理解CMOS电路中的功耗来源，如静态功耗和动态功耗。
了解降低功耗的方法，如电源管理技术和低功耗设计技术。
6. 性能优化：理解如何优化CMOS电路的性能，如提高速度、减小失真和提高电源效率等。
7. 可靠性问题：了解CMOS电路中的可靠性问题，如闩锁效应和ESD（静电放电）等。
8. 版图设计：了解基本的版图设计规则和技巧，以及如何使用EDA（Electronic Design Automation）工具进行版图设计和验证。
9. 测试与验证：理解如何测试和验证CMOS集成电路的性能。
10. 发展趋势与挑战：随着技术的进步，模拟CMOS集成电路设计面临许多新的挑战和发展趋势，如缩小工艺尺寸、提高集成度、应对低功耗需求等。
持续关注最新的研究和技术进展是非常重要的。
以上是对模拟CMOS集成电路设计的一些关键知识点的总结，具体内容可能因实际应用需求和技术发展而有所变化。
深入学习这一领域需要广泛的知识基础和持续的研究与实践。
CMOS集成电路设计课件
鲁棒设计
鲁棒设计
电路性能随工艺、电源电压、温度而变化
器件模型参数的改变
阈值电压、二级效应参数 工艺角参数 TT、FF、SS、FNSP、SNFP 鲁棒设计电路性能随工艺、源压温度而变化器件模型
电源电压对器件工作区的影响
电压变化范围：20%
温度的范围
室温：25度、或50度 民品、军品
简单电路
单级放大器、差动放大器、电路偏置、电流镜电路
器件
CMOS工艺、器件物理、器件Spice参数、 *版图设计、*电路模拟
模拟集成电路设计步骤
设计要求描述
电路设计
与设计指标比较
模拟集成电路设计步骤要求描述定义与指标比
设计定义 执行设计
仿真
物理层设计 芯片设计
物理层设计 物理层验证 提取寄生参数
芯片制造
磁盘驱动器中的模块电路（C/filter …
磁盘驱动器中的模块电路（3）写发送扰码、RL编
小结
什么是模拟集成电路设计，模拟集成电路设计和分立模拟 电路与数字电路设计的区别，设计的难点。 设计步骤和直观的、层次的、鲁棒的设计。 模拟集成电路的应用、不同的信号带宽和工艺对模拟电路 的影响。 模拟信号处理系统设计和各种典型的模拟电路模块 小结什么是模拟集成电路设计，和分立 VLSI混合模拟信号电路设计举例
考核标准和联系方式
考核标准 平时作业 设计课题 期中练习 期末 联系方式
15% 15% 15% 55%
%5考核标准和联系方式1
导论
1.1 模拟集成电路设计的特点
层次化设计 设计步骤 鲁棒（robust）设计
1.2 模拟集成电路的应用 导论1.模拟集成电路设计的特点层次化2 1.3 模拟信号处理 1.4 混合信号电路举例
模拟cmos集成电路设计
模拟CMOS集成电路设计1. 引言模拟CMOS集成电路设计是现代集成电路设计的重要领域之一。
随着电子技术的不断发展和进步，集成电路在各个领域都有着广泛的应用，尤其是模拟领域。
模拟CMOS集成电路设计是一门综合性学科，需要掌握深厚的电路理论知识和数理基础。
本文将介绍模拟CMOS集成电路设计的基本原理、常用工具和设计流程。
2. 模拟CMOS集成电路基本原理模拟CMOS集成电路是由大量的MOS晶体管和电阻电容等元件组成的电路。
它能够处理连续变化的电压信号，具有很高的放大和处理能力。
模拟CMOS集成电路设计的基本原理包括以下几个方面：2.1 MOSFET的基本原理模拟CMOS集成电路主要采用NMOS和PMOS两种类型的MOSFET。
NMOS晶体管工作在负电压下，电子流的导通；PMOS晶体管工作在正电压下，空穴流的导通。
MOSFET的基本原理和参数是设计模拟CMOS电路的基础。
2.2 CMOS反相放大器CMOS反相放大器是模拟CMOS电路的基本模块。
它能够将输入电压放大并反向输出。
通过设计合适的电路结构和参数，可以实现不同的放大倍数和频率响应。
2.3 模拟CMOS电路的环路增益模拟CMOS电路的环路增益是指电路反馈回路的增益。
环路增益对电路的稳定性和性能有重要影响。
通过选择合适的电路结构和控制参数，可以提高电路的稳定性和性能。
3. 模拟CMOS集成电路设计工具3.1 SPICE仿真工具SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）是一种广泛使用的电路仿真工具。
它能够模拟和分析模拟CMOS电路的性能，帮助设计师进行电路参数优化和性能评估。
3.2 Cadence工具套件Cadence是一套综合性的集成电路设计工具套件。
它包括了原理图设计、布局设计、电路仿真和物理验证等模块，可以实现从概念到最终产品的全流程设计。
3.3 ADS高频仿真工具ADS（Advanced Design System）是一种专业的高频电路仿真工具。
CMOS集成电路设计基础第二版教学设计
CMOS集成电路设计基础第二版教学设计1. 简介本教学设计旨在向学生介绍CMOS集成电路设计的基础知识，包括CMOS电路的基本原理、CMOS工艺流程、CMOS逻辑门设计、镜像电路和放大器设计等方面内容。
本教学设计适用于电子信息工程等相关专业的本科生。
2. 教学目标•理解CMOS电路的基本原理•熟悉CMOS工艺流程•能够使用CMOS逻辑门设计电路•熟悉镜像电路的原理和应用•理解放大器的基本原理和设计方法3. 教学内容和安排3.1 CMOS电路基本原理本部分将重点介绍CMOS电路的全称及其基本原理，采用讲解和讨论相结合的方式进行教学。
通过分析不同类型的CMOS电路的工作原理，学生能了解。
时间内容1学时课程介绍2学时CMOS电路的基本概念3学时CMOS电路的基本原理和特点4学时CMOS电路的应用案例3.2 CMOS工艺流程本部分将介绍CMOS电路的工艺流程，包括淀粉土法、半导体刻蚀、光刻和离子注入等设计中常用的工艺流程。
并通过展示样本，让学生深入认识CMOS电路设计的具体操作。
时间内容1学时CMOS工艺流程介绍2学时淀粉土法3学时半导体刻蚀4学时光刻及离子注入3.3 CMOS逻辑门设计本部分将介绍如何使用CMOS逻辑门进行电路设计，主要包括哪些逻辑门可以使用，如何实现逻辑门的输出以及如何构建复合逻辑门等方面内容。
时间内容1学时CMOS逻辑门基本概念2学时CMOS逻辑门实现原理3学时使用CMOS逻辑门设计电路4学时构建复合逻辑门3.4 镜像电路及放大器设计本部分将介绍镜像电路的基本原理和应用，同时讲解放大器的基本原理和常用的设计方法。
通过实际案例和实验，让学生深入理解镜像电路和放大器的性能和设计。
时间内容1学时镜像电路基本概念2学时镜像电路的应用案例3学时放大器的基本原理4学时放大器设计实验3.5 课程作业课后，将给学生布置一份与本门课程相关的综合作业，使学生在掌握基本理论知识的同时，加强对实际电路设计的理解和能力。
详细的集成电路版图基础介绍-CMOS版图
(4)最小延伸 例如，多晶栅极
须延伸到有源区 外一定长度。
在符合设计规则的前 提下， 争取最小的版图面积
5、阱与衬底连接
通常将PMOS管的衬底接高电位（正压）； NMOS管的衬底接低电位（负压），以保 证电路正常工作
衬底材料导电性较差，为了保证接触的效 果，需要在接触区域制作一个同有源区类 似的掺杂区域降低接触电阻，形成接触区。
大面积的栅极与衬底之间有氧化 层隔绝，形成平板电容
栅电压降低
细长的C W LC0
MOS管栅极串联电阻值
R W / L R
S G
D
设计方法 （1）分段──
大尺寸MOS管分段成若干小尺寸MOS管。
(a) MOS管的W/L=200/1
CMOS集成电路版图基础
定义版图
什么是版图？ 集成电路制造工艺中，通过光刻和刻蚀将
掩膜版上的图形转移到硅片上。这种制造 集成电路时使用的掩膜版上的几何图形定 义为集成电路的版图。 版图要求与对应电路严格匹配，具有完全 相同的器件、端口、连线
一、单个MOS管的版图实现
栅极负责施加控制电压 源极、漏极负 责电流的流进 流出
MOS器件版图图层 ——NMOS
N型注入掩模——NSELECT 有源扩散区——ACTIVE 多晶硅栅——POLY 引线孔——CC 金属一——METAL1 通孔一——VIA 金属二——METAL2
结构图 立体结构和俯视图
多晶硅栅（POLY）
金属一（METAL1）
引线孔（CC）
N型注入掩模 （NSELECT）
a）由源、栅和漏组成的器件；
b）衬底连接。
源区、沟道区和漏区合称为MOS管的 有源区(Active），有源区之外的区域 定义为场区（Fox)。有源区和场区之 和就是整个芯片表面即基片衬底 （SUB）。
CMOS超大规模集成电路设计
CMOS超大规模集成电路设计在CMOS超大规模集成电路设计中，首先需要进行电路的功能设计。
这包括确定电路的输入输出需求，以及所需的逻辑与功能。
根据需求，设计师可以使用逻辑门、时钟、存储器和其他数字电路元件来实现所需的功能。
接下来，设计师需要进行电路的布局设计。
布局设计是将电路的逻辑模型转化为物理结构的过程。
在此过程中，需要将电路中的各个组件（例如晶体管、电容器和电阻器等）合理地放置在芯片上，以最大限度地减小电路的面积、功耗和延迟。
在布局设计完成后，设计师还需要进行电路的布线设计。
布线设计的目标是将电路中的各个组件用金属导线连接起来，以实现信号的传输和电路的功能。
布线设计的关键是考虑信号的延迟和功耗，并通过合理的布线规则来优化电路性能。
在CMOS超大规模集成电路设计中，还需要进行电路的时序和功耗分析。
时序分析是通过考虑信号的传输延迟、时钟周期和时序约束等参数，来评估电路是否满足设计要求。
功耗分析是通过考虑电路中每个组件的功耗，来评估整个电路的功耗消耗情况，并采取相应的优化措施。
最后，在完成电路设计后，设计师还需要对电路进行验证和测试。
验证是通过使用验证工具和模拟器来验证电路的逻辑正确性和功能实现。
测试是通过设计测试电路和测试程序，来测试电路的可靠性和性能，并解决可能存在的问题。
总之，CMOS超大规模集成电路设计是一个复杂而关键的过程。
设计师需要综合考虑电路的功能要求、布局设计、布线设计、时序和功耗分析、验证和测试等多个方面，以实现高性能和高集成度的电路设计。
当前，随着技术的不断进步，CMOS超大规模集成电路设计面临着更多的挑战和机遇，例如，集成度的提高、功耗的降低、可靠性的增强等。
CMOS集成电路设计基础解读
MOS管的电流方程
NMOS在截止区、 线性区、 恒流区的电流方程
0 nCox 2 nCox 2
UGS<UTHN (截止区)
I DN
W L W L
2 UDS<UGS-UTHN [ 2 ( U U ) U U ] GS THN DS DS (线性区) 2 U GS U THN (1 nU DS )
CMOS集成电路设计基础 －MOS器件
MOS器件
G S W 多晶硅 D 氧化层
N＋ P型 衬 底
Lef f Ld raw n
N＋
LD
NMOS管的简化结构
制作在P型衬底上(P-Substrate, 也称bulk或body, 为了区别于源极 S， 衬底以B来表示)， 两个重掺杂N区形成源区和漏区， 重掺 杂多晶硅区(Poly)作为栅极， 一层薄SiO2绝缘层作为栅极与衬底 的隔离。 NMOS管的有效作用就发生在栅氧下的衬底表面——导电沟道 (Channel)上。 由于源漏结的横向扩散， 栅源和栅漏有一重叠长度为LD， 所以 导电沟道有效长度(Leff)将小于版图中所画的导电沟道总长度。 我们将用L表示导电沟道有效总长度Leff， W表示沟道宽度。 宽长比(W/L)和氧化层厚度tox这两个参数对MOS管的性能非常 重要。 而MOS技术发展中的主要推动力就是在保证电性能参数 不下降的前提下， 一代一代地缩小沟道长度L和氧化层厚度tox。
UDS=UGS-UTH 则沟 道在漏区边界上被 夹断， 因此该点电 压称为预夹断电压。 UDS>UGS-UTH 管子工
源区(N＋) 电流
漏区(N＋)
UD S＞UG S－UTH (恒流区)
作在恒流区， 此时若
cmos集成电路设计手册数字篇
CMOS集成电路设计手册数字篇随着信息技术的发展，集成电路作为电子技术的核心部分，其在各个领域的应用越来越广泛。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）集成电路因其低功耗、高集成度和成本低廉等特点，已成为目前最主流的集成电路制造技术之一。
而在CMOS集成电路设计中，数字电路设计是其中的一个重要组成部分。
本文将对CMOS集成电路设计手册中的数字篇进行系统性的介绍和分析，以期为相关从业人员和学习者提供一定的参考和帮助。
一、数字电路设计原理1.1 布尔代数基础布尔代数是数字电路设计的基础，它通过逻辑运算来描述数字信号的行为。
在CMOS数字电路设计中，常用的逻辑运算有与、或、非等。
布尔代数的基本公式有以下几个：- 与运算：C=A*B，当且仅当A和B同时为1时，C才为1。
- 或运算：C=A+B，当A或B中有一个为1时，C即为1。
- 非运算：C=¬A，表示对A进行取反操作。
1.2 逻辑门设计逻辑门是数字电路的基本组成单元，它可以实现特定的逻辑功能。
在CMOS集成电路设计中，常用的逻辑门包括与门、或门、非门等。
逻辑门的设计原理是将多个晶体管按照一定的布局方式组合在一起，以实现不同的逻辑功能。
1.3 时序电路设计时序电路是数字电路中的一个重要部分，它涉及到时钟信号的产生、分配和应用。
在CMOS数字电路设计中，时序电路的设计需要考虑到时钟信号的稳定性、延迟和抖动等因素，以确保数字电路的正常运行。
二、 CMOS数字电路设计流程2.1 电路规格确定在进行CMOS数字电路设计时，首先需要明确电路的功能和性能规格。
这包括电路的输入、输出规定、时序要求以及功耗、面积等指标。
只有明确了电路的规格，才能为后续的设计提供清晰的目标和方向。
2.2 逻辑电路设计在电路规格确定后，接下来是逻辑电路设计。
这一阶段主要包括逻辑功能的定义和实现、逻辑门的选择和布局等工作。
通过对逻辑电路的设计，可以确定电路中需要的逻辑门数量和结构。
CMOS集成电路基础知识
CMOS集成电路基础知识CMOS是ComplementaryMetal-OxideSemiconductor一词的缩写。
在业余电子制作中我们经常会用到它，这里系统、详细的介绍一些CMOS 集成电路基础知识及使用注意事项。
CMOS集成电路的性能及特点功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。
实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。
单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。
工作电压范围宽CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。
国产CC4000系列的集成电路，可在3~18V电压下正常工作。
逻辑摆幅大CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。
当VDD=15V，VSS=0V时，输出逻辑摆幅近似15V。
因此，CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。
抗干扰能力强CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%，保证值为电源电压的30%。
随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成比例增加。
对于VDD=15V的供电电压（当VSS=0V时），电路将有7V 左右的噪声容限。
输入阻抗高CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络，故比一般场效应管的输入电阻稍小，但在正常工作电压范围内，这些保护二极管均处于反向偏置状态，直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流，通常情况下，等效输入阻抗高达103~1011Ω，因此CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。
温度稳定性能好由于CMOS集成电路的功耗很低，内部发热量少，而且，CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性，在温度环境发生变化时，某些参数能起到自动补偿作用，因而CMOS集成电路的温度特性非常好。
cmos模拟集成电路设计基础
cmos模拟集成电路设计基础CMOS模拟集成电路（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Analog Integrated Circuit）是一种基于CMOS技术的模拟电路集成化设计。
以下是CMOS模拟集成电路设计的基础知识：1.CMOS技术：CMOS是一种集成电路制造技术，其中包含两种类型的晶体管：NMOS（N型金属氧化物半导体）和PMOS（P型金属氧化物半导体）。
通过将NMOS和PMOS 晶体管结合，可以实现低功耗、高集成度和高性能的模拟集成电路设计。
2.基本元件：CMOS模拟集成电路设计中使用的基本元件包括晶体管、电容器和电阻器。
NMOS和PMOS晶体管用于实现放大和开关功能，电容器用于存储电荷和控制频率响应，电阻器用于调整电路的工作条件。
3.偏置电路：CMOS模拟集成电路中的偏置电路用于提供恒定和稳定的电流或电压。
它包括电流镜（Current Mirror）电路和电压源（Voltage Reference）电路。
这些电路通过调整电流和电压的偏置，使电路在不同工作条件下具有可靠的性能。
4.放大电路：CMOS模拟集成电路中的放大电路用于增强输入信号的幅度。
放大电路通常由差分放大器（Differential Amplifier）和级联的共尺寸（Common-Source）放大器组成。
放大电路的设计需要考虑输入电阻、增益、带宽和稳定性等因素。
5.反馈电路：CMOS模拟集成电路中的反馈电路用于控制电路的增益和稳定性。
反馈电路通过将一部分输出信号反馈到输入端，调整输入和输出之间的关系，实现精确的控制和稳定性。
6.输出级：CMOS模拟集成电路的输出级用于驱动负载并提供所需的电流或电压。
输出级通常包括驱动电路和输出级晶体管。
7.噪声和功耗：在CMOS模拟集成电路设计中，需要注意噪声和功耗的控制。
减小噪声可以通过优化偏置电路和减小环境干扰来实现。
降低功耗可以通过优化电路结构、选择合适的电源电压和电流等方式来实现。
CMOS集成电路设计基础
UGN
Ui
UDD
UGP
Uo CL
UGN UGP
传输门电路及栅极控制电压波形
CMOS传输门的直流传输特性
CMOS传输门的直流传输特性如图 所示， 它不存在阈值损失问题： (1) 当UGN=“0”， UGP=“1”时， N管、 P管均截止， Uo=0。
(2) 当UGN=“1”, UGP=“0”时， Ui由“0”升高到“1”的过程分为以 下三个阶段(分析中， 设“1”为UDD=5Ｖ， “0”为接地(0 V）， UTHN=|UTHP|=0.9 V):
1. AB段 在AB段， 0<Ui<UTHN, IDN=0, N管截止， P管
非恒流(饱和)导通， 有
Uo=UOH=UDD 2. BC段
UTHN<Ui<Uo+|UTHP| 即
UGDP=|Ui-Uo|<|UTHP|
3. CD段
当Ui进一步增大， 且满足 Uo+|UTHP|≤Ui≤Uo+UTHN
N管和P管的电流相等， 根据电流方程：
延时的定义
环型振荡器
（7）逻辑门的功耗
瞬时功耗: p(t) =v(t)i(t) =Vsupplyi(t)
峰值功耗: Ppeak =Vsupplyipeak
平均功耗:
P
ave
1 T
tT t
p(t)dt V
supply
T
tT t
isuppl(y t)dt
功率延时积
功率延时积（PDP） =E=每操作消耗的能量=Pav×tp
随着Ui进一步增大， 当满足 UDD+UTHP≤Ui≤UDD 时， P管截止， IDP=0, N管维持非饱和导通而导致Uo=0。
CMOS集成电路设计基础1
dUTH 4mV / C dT dUTH 2mV / C dT
重掺杂 轻掺杂
λn、 λp——沟道调制系数， 即UDS对沟道长 度的影响。
NMOS PMOS
n
1 UA
0.01/V
p
1 UA
0.02 /V
式中， UA为厄尔利电压(Early Voltage)
对于典型的0.5 μm工艺的MOS管， 忽略沟道调制效应， 其 主要参数如下表所示
衬底的连接
UDD
G
B
S
D
G
B
S
D
N＋
P＋
P＋
N型 衬 底 (a)
P＋
N＋
N＋
P型 衬 底 (b)
为了使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动而不产生垂直 于衬底的额外电流， 源区、 漏区以及沟道和衬底间必须形成反
偏的PN结隔离， 因此， NMOS管的衬底B必须接到系统的最低 电位点(例如“地”)， 而PMOS管的衬底B必须要接到系统的最 高电位点(例如正电源UDD)。 衬底的连接如图 (a)、 (b)所示。
L、 W尺寸对UTH的影响
在长沟道器件中， 阈值电压UTH与沟道长度L和沟 道宽度W的关系不大； 而在短沟道器件中， UTH与L、 W的关系较大。 UTH随着L的增大而增大， 随着W的 增大而减小。
UTH / V Nsub ＝ 1107 cm－ 3
Nsub ＝ 1106 cm－ 3
0
1
2
3
4
(a)
μp——空穴迁移率(单位电场作用下空穴的迁移速度)。 μp≈500 cm2/s·V
n 1300 2.6 p 500
Cox——单位面积栅电容