二氧化硅的制备

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二氧化硅制备

二氧化硅制备

二氧化硅制备二氧化硅是一种重要的无机化合物,化学式为SiO2。

它在自然界中广泛存在,是许多岩石和矿石的主要成分之一。

二氧化硅也被广泛应用于工业生产和科学研究中。

制备二氧化硅的方法有多种,下面将介绍几种常见的方法。

1. 硅石熔融法硅石熔融法是制备二氧化硅最常用的方法之一。

首先将硅石粉碎成粉末,并加入一定比例的氢氧化钠或氢氧化钾作为熔剂。

然后,在高温下将硅石和熔剂混合熔融,使其反应生成硅酸钠或硅酸钾。

随后,将得到的硅酸钠或硅酸钾溶液与酸反应,生成二氧化硅沉淀。

最后,将沉淀经过过滤、洗涤和干燥等步骤,得到纯净的二氧化硅。

2. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种常用的低温制备二氧化硅的方法。

首先,将适量的硅源(如硅酸酯)溶解在有机溶剂中,形成胶体溶液。

然后,在适当的温度下,通过水解、缩聚等反应,使溶液中的硅源逐渐聚合成二氧化硅凝胶。

最后,将凝胶进行热处理,去除有机物,并得到纯净的二氧化硅。

3. 气相法气相法是一种高温制备二氧化硅的方法。

在这种方法中,将硅源(如硅酸酯)蒸发成气态,然后与氧气反应生成二氧化硅。

反应过程通常在高温和低压下进行,以促进反应的进行。

气相法制备的二氧化硅通常具有较高的纯度和较细的颗粒大小。

4. 水热法水热法是一种在高温高压水环境下制备二氧化硅的方法。

首先,在适当的温度和压力下,将硅源(如硅酸酯)和溶剂(如水)混合,并进行加热。

在水热反应的条件下,硅源会逐渐水解和缩聚,生成二氧化硅。

水热法制备的二氧化硅通常具有较高的纯度和较大的比表面积。

除了以上几种常见的制备方法,还有其他一些方法可以用于制备二氧化硅,如电解法、溶液法等。

每种方法都有其适用的场景和特点。

在工业生产中,根据不同的需求和要求,可以选择合适的制备方法。

二氧化硅是一种重要的无机化合物,具有广泛的应用价值。

通过不同的制备方法,可以得到纯净的二氧化硅,并应用于各个领域,如材料科学、化学工程、电子技术等。

未来,随着科学技术的不断发展,制备二氧化硅的方法也将不断创新和改进,以满足人们对不同性质二氧化硅的需求。

SiO2的制备

SiO2的制备

改进众所周知的Stober 方法[135],通过正硅酸乙脂(TEOS)在含有水(H2O)、氨水(NH3OH)的乙醇混合溶液中水解,制备了不同尺寸(300,500,900 和1200 nm)的二氧化硅(SiO2)微球。

通过这种方法制备的二氧化硅(SiO2)微球单分散、尺寸分布窄、不团聚,尺寸大小依靠反应物的浓度。

典型的实验是混合正硅酸乙脂(TEOS)、水(H2O)、氨水(NH3OH)、乙醇(C2H5OH),在室温下搅拌 4 小时,结果得到白色的SiO2胶体悬浮液。

用离心机把SiO2从悬浮液中离心出来,之后用乙醇洗三次。

比600 nm 大的SiO2,不能直接通过Stober 方法制备,需要种子生长过程。

在种子生长过程,把一定量的SiO2加入NH3,H2O 和C2H5OH 的混合溶液之后,加入TEOS 和水,这个过程与Stober 相似。

表3-1 列出了制备不同尺寸的SiO2的实验条件。

3.2. 2 SiO2@Y2O3:Eu3+ 核壳材料的制备利用Pechini 型溶胶-凝胶法在SiO2球上包覆Y2O3:Eu3+层,制备SiO2@Y2O3:Eu3+核壳发光材料[136-138]。

搀杂的Eu3+的浓度占基质Y2O3中Y3+浓度的5%,这是最优化条件[138]。

称取化学计量比的Y2O3 和Eu2O3 (Y1.9Eu0.1O3),用硝酸溶解,冷却到室温,加入一定量的乙醇和水的混合溶液(其体积比为7:1),加入柠檬酸作为络合剂,柠檬酸与金属离子的摩尔比为2:1,再加入一定量的聚乙二醇(0.08g/ml)作为交联剂, 溶液搅拌2 小时形成溶胶,然后在搅拌的条件下加入SiO2 粒子,搅拌5小时,用离心机把悬浮液离心。

所得试样在100 oC 干燥两个小时,然后以每小时120oC 的升温速度烧结到900 oC,并保留2 小时。

这样的过程反复几次,以增加Y2O3:Eu3+层的厚度。

实验过程如图3-1 所示。

为作对比,把包覆之后的溶胶蒸发形成凝胶,烧结到相应的温度,制备纯的Y2O3:Eu3+粉末。

二氧化硅复合材料的制备及其性能研究

二氧化硅复合材料的制备及其性能研究

二氧化硅复合材料的制备及其性能研究随着科技的进步和人们生活水平的提高,新材料的出现和应用越来越广泛。

二氧化硅复合材料是一种新型的多功能材料,有着广泛的应用前景。

本文将介绍二氧化硅复合材料的制备方法和其性能的研究成果。

一、二氧化硅复合材料制备方法1. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是制备二氧化硅复合材料最常用的方法之一。

该方法的原理是利用无机物(通常是金属盐或瓷土)与水或有机溶剂发生反应,形成胶体(即溶胶),再通过热处理或干燥使溶胶凝胶成固体,最终形成二氧化硅复合材料。

该方法可制备出高质量、高稳定性、高均匀性的材料。

2. 气相沉积法气相沉积法是一种比较先进的制备方法。

该方法将蒸发的硅源和助剂通过气相输送到基板表面,利用热化学反应使其沉积成膜。

同时,通过控制反应条件,如气体流量、反应温度、反应时间等,可控制沉积物的组成和性质。

该方法所制备的材料具有均匀的成分分布、高纯度和较好的结晶性能。

3. 水热法水热法是一种以水为介质的制备方法,其原理是将硅源和其它物质在加热、加压的水环境中反应生成二氧化硅复合材料。

受到水的加热和压力的作用,反应速率加快,生成的晶体颗粒尺寸比较均匀。

该方法具有操作简单、条件温和、成本低等优点。

二、二氧化硅复合材料的性能研究1. 力学性能研究二氧化硅复合材料在力学性能方面表现出很好的优势。

其高强度、高硬度、高模量等性能使其应用于制备高性能工程材料和复合材料。

针对二氧化硅复合材料在力学性能方面的研究成果主要有以下几个方面:(1)研究表明,将一定比例的硬颗粒(如氧化铝、氧化锆等)加入到二氧化硅基材料中,可大大提高其强度和硬度。

(2)采用合适的制备方法,并且控制好颗粒尺寸及分布,可以使材料的力学性能更加优越。

2. 光学性能研究二氧化硅复合材料在光学性能方面也有着很好的应用前景。

其高折射率、低色散和良好的透明度使得其在光电领域具有广泛的应用。

具体相关研究成果如下:(1)研究发现,通过在二氧化硅基材料中加入一定量的光学介质(如TiO2、ZrO2等),可以显著提高材料的折射率。

沉淀法制备二氧化硅.

沉淀法制备二氧化硅.
不要生成胶体?胶体的外观特征大块含水透光有弹性不是颗粒状沉淀最终产品烘不干?胶体的破坏加水稀释降低反应体系粘度保持一定的电解质浓度和ph加热不停搅拌实验控制条件?在此条件下sio2的凝析沉淀速度最大恒温8085oc搅拌磁力搅拌仪一定na浓度15na2so4ph78酚酞?产品sio2含量在8590之间ph的控制?水玻璃和h2so4交替添加控制体系ph值加入水玻璃ph?溶液无色?粉红加入h2so4ph?溶液粉红?无色?ph控制溶液颜色无色?粉红?无色酚酞na2so4h2so4水玻璃水玻璃除杂稀释稀硫酸交替滴加电解质溶液除杂烘干产品检验80ph78实验流程3
• 产品
– SiO2含量在85~90%之间
pH的控制
水玻璃 H2SO4
• 水玻璃和H2SO4交替添
加,控制体系pH值
– 加入水玻璃,pH,溶 液无色粉红 – 加入H2SO4,pH,溶 液粉红无色
酚酞 Na2SO4
• pH控制
– 溶液颜色无色粉红 无色
实验流程
水玻璃
除杂稀释 稀硫酸 产品检验 >80℃ pH=7~8 交替滴加 电解质 溶液
• 3. 性质检验
5. 问题与讨论
• 反应体系中硫酸钠的作用是什么?若不加
硫酸钠,反应结果如何? • 水玻璃溶液和酸液如果不是交替加入对结 果有何影响?
磁力搅拌器的使用
使用方法
• 按电源开关接通电源,电源指示灯亮 • 按搅拌开关,搅拌指示灯亮,调节调速旋
钮,使容器内的搅拌子由慢到快,调节到 所需要的速度 • 调节“加温”旋钮,可调节加热速度,使 用温氧化硅
– 原料为模数3.3、SiO2含量约为28%工业水玻璃
水玻璃
• 组成 • 硅酸聚离子
– 通式Na2O∙mSiO2,m>1,多为液体形式 – 水玻璃中存在不同聚合态的硅酸离子,各种离 子含量的多少取决于SiO2的浓度、碱度 – 一般SiO2量越小,碱浓度越大,则低聚态硅酸 根离子越多。反之,则高聚态硅酸根离子多

二氧化硅模板法

二氧化硅模板法

二氧化硅模板法二氧化硅(SiO2)是一种广泛应用于材料科学和工程领域的重要材料。

在材料制备过程中,常常需要使用特定的模板来控制二氧化硅的结构和形貌。

其中,模板法是一种常用且有效的制备二氧化硅的方法。

本文将重点介绍二氧化硅模板法的基本原理、制备过程和应用领域。

一、基本原理二氧化硅模板法是在特定的模板表面上进行二氧化硅的制备,利用模板的孔道结构来控制二氧化硅的结构和形貌。

模板可以是有机物、无机物或者生物材料,常见的有聚苯乙烯微球、介孔二氧化硅、碳纳米管等。

制备过程中,首先将模板与硅源混合,并加入适量的溶剂和表面活性剂,形成混合溶液。

随后,通过调节反应条件,如温度、反应时间、pH值、溶液浓度等,使得硅源在模板表面发生特定的化学反应,生成二氧化硅。

最后,通过去除模板,可以得到具有特定孔道结构的二氧化硅材料。

二、制备过程1. 选择合适的模板:选择适当的模板对于二氧化硅的结构和形貌具有重要影响。

模板应具有一定的孔道结构,且易于与硅源反应生成二氧化硅。

根据具体需要,可选择不同类型和大小的模板。

2. 模板表面修饰:为了增加模板表面与硅源的反应性,常常需要进行表面修饰。

而常用的表面修饰方法包括聚合物修饰、功能化修饰等。

修饰后的模板能够与硅源更好地结合,提高制备二氧化硅的效果。

3. 反应条件控制:调节反应条件对于获得所需的二氧化硅结构和形貌至关重要。

其中,温度、反应时间、pH值、溶液浓度等是常见且重要的反应条件。

通过合理地调节这些条件,可以实现对二氧化硅结构和形貌的精确控制。

4. 去除模板:经过反应后,模板中的二氧化硅形成了具有孔道结构的材料。

为了得到纯净的二氧化硅样品,需要去除模板。

常用的去除模板的方法包括煅烧、溶解、酸洗等。

选择适当的方法可以有效地去除模板,得到所需的二氧化硅材料。

三、应用领域基于二氧化硅模板法制备的材料在各个领域具有广泛的应用。

以下列举几个典型的应用领域:1. 催化剂载体:制备具有特定孔道结构的二氧化硅材料,可以作为优良的催化剂载体。

沉淀法制备二氧化硅综述

沉淀法制备二氧化硅综述

沉淀法制备二氧化硅综述沉淀法制备二氧化硅是一种常用的制备方法,其基本原理是通过化学反应在溶液中生成沉淀,再将沉淀物进行分离、洗涤、干燥等步骤,最终得到二氧化硅。

下面将对沉淀法制备二氧化硅进行详细综述。

一、基本原理沉淀法制备二氧化硅的化学反应基于硅酸盐与酸反应,生成硅酸沉淀。

其化学方程式可以表示为:xSio2•yH2O+yH+→Sio2+(x+y)H2O其中,x和y是反应物的系数,表示硅酸盐与酸的比例。

通过控制反应物的浓度、温度和反应时间等参数,可以获得不同粒径和纯度的二氧化硅粉末。

二、制备方法沉淀法制备二氧化硅主要包括以下步骤:1.准备原料:通常使用硅酸钠、无机酸(如盐酸和硫酸)作为原料。

也可以使用含有硅酸盐的天然矿物,如海泡石、坡缕石等。

2.化学反应:将硅酸钠或硅酸盐矿物与无机酸混合,在一定温度下反应一定时间,生成硅酸沉淀。

3.分离:将生成的硅酸沉淀与溶液分离,可以采用过滤、沉降等方法。

4.洗涤:将硅酸沉淀洗涤干净,去除其中的杂质。

5.干燥:将洗涤干净的硅酸沉淀进行干燥处理,得到二氧化硅粉末。

6.煅烧:在一定温度下对二氧化硅粉末进行煅烧处理,去除其中的水分和有机物等杂质,得到高纯度的二氧化硅。

三、影响因素沉淀法制备二氧化硅的过程中,影响产品质量的因素主要包括原料质量、反应条件、洗涤和干燥等步骤的操作条件。

具体如下:1.原料质量:原料中杂质的含量会影响最终产品的纯度和质量。

因此,应选择纯度较高的原料进行制备。

2.反应条件:反应温度、反应时间和溶液浓度等因素都会影响硅酸的生成和结晶过程,从而影响最终产品的粒度和纯度。

3.洗涤和干燥:洗涤和干燥过程中的操作条件也会影响产品的纯度和质量。

如洗涤次数、干燥温度和时间等因素都会影响产品的质量。

四、应用领域沉淀法制备的二氧化硅粉末可以应用于许多领域,如陶瓷、玻璃纤维、涂料等领域作为高性能填料,也可以用于制造光学器件、电子材料等领域。

同时,通过控制制备过程中的参数,可以得到不同粒径和纯度的二氧化硅粉末,满足不同领域的需求。

二氧化硅的制备

二氧化硅的制备

纳米二氧化硅颗粒的制备与表征一、实验目的颗粒。

1、学习溶胶—凝胶法制备纳米SiO2颗粒物相分析和粒径测定。

2、利用粒度分析仪对SiO2颗粒进行表征。

3、通过红外光谱仪对纳米SiO24、通过热重分析仪测试煅烧温度。

二、实验原理纳米SiO具有三维网状结构,拥有庞大的比表面积,表面上存在着大量2的羟基基团, 亲水性强, 众多的颗粒相互联结成链状,链状结构彼此又以氢键相互作用,形成由聚集体组成的立体网状结构。

图1 纳米二氧化硅三维网状结构图2 纳米二氧化硅表面上存在着大量的羟基基团溶胶凝胶法(Sol-Gel法):利用活性较高的前驱体作为原料,在含水的溶液中水解,生成溶胶,然后溶胶颗粒间进一步发生相互作用,与溶剂共同生成凝胶,干燥后、煅烧获得前驱体相应的氧化物。

第一步水解:硅烷的水解过程ROH−→-+--2-−Si+OHOSiHOR第二步缩合:硅烷的缩聚过程O−→−-------+SiOH-SiSi+HOSi2OH总反应:ROH--−---+−→Si22+SiOOSi2ORH硅烷的浓度,硅烷溶液的pH 值,溶剂成分,水解时间与温度均会影响到硅烷的水解缩聚过程。

其中,pH 值能影响硅烷溶液的水解缩聚反应速率。

一般认为酸性和碱性条件下均有利于硅烷的水解反应,而碱性条件下更能促进缩聚反应的进行。

因此,选择合理的pH 值能控制硅烷的水解与缩合反应速率。

水含量除了影响硅烷的水解与缩聚反应速率外,还影响其溶解性;而醇溶剂对硅烷分子起到助溶与分散的作用,还起到调节水解速率的作用。

三、仪器及试剂仪器常规玻璃仪器,不同型号移液枪,坩埚,研钵,水浴锅,磁子,磁力搅拌器,烘箱,马弗炉,傅里叶红外光谱仪,差热-热重分析仪,粒度分析仪;试剂乙醇(AR),去离子水,TEOS,1:1 氨水,浓氨水、浓盐酸,精密pH 试纸。

四、实验步骤①Stober 法制备纳米SiO颗粒2取75mL 无水乙醇于烧杯中,加入25mL 去离子水,搅拌使其均匀。

二氧化硅的多孔材料及其在吸附和分离中的应用

二氧化硅的多孔材料及其在吸附和分离中的应用

二氧化硅的多孔材料及其在吸附和分离中的应用二氧化硅是一种重要的材料,在科学研究和工业生产中得到广泛应用。

其中,多孔二氧化硅是一种特殊形态的材料,它拥有许多独特的性质和应用。

本文将介绍多孔二氧化硅的制备、性质以及在吸附和分离方面的应用。

一、多孔二氧化硅的制备1. 溶剂蒸发法溶剂蒸发法是一种制备多孔二氧化硅的常用方法。

这种方法的具体步骤如下:首先,在有机溶剂中加入二氧化硅前驱体,加热搅拌使其充分溶解;然后使其自然蒸发,直到产生固体。

在这个过程中,由于有机溶剂的挥发,产生了很多小孔和大孔,形成了多孔结构。

最后将产生的物质高温煅烧,从而得到纯净的多孔二氧化硅。

2. 模板法模板法是一种将有机物作为模板来制备多孔二氧化硅的方法。

具体步骤为:首先将有机物与二氧化硅前驱体混合;然后通过一系列的化学反应使有机物自身蒸发或氧化分解,在这个过程中,有机物模板留下了一系列的空隙,形成了多孔结构;最后通过高温煅烧将有机物模板去除,得到纯净的多孔二氧化硅。

二、多孔二氧化硅的性质1. 多孔结构多孔二氧化硅的最显著的性质就是它的多孔结构。

这种多孔结构可分为两种类型:介孔和微孔。

介孔的孔径在2-50纳米之间,微孔的孔径小于2纳米。

这些孔隙在多孔二氧化硅中分布均匀,数量众多,能够提供大量的吸附活性位点,从而使得多孔二氧化硅具有很强的吸附能力。

2. 高比表面积多孔二氧化硅的多孔结构使得它的比表面积非常大,通常在100-1000平方米/克之间。

这种巨大的比表面积为多孔二氧化硅带来了许多独特的性质,例如高度的吸附能力和分离效率。

3. 活性位点多孔二氧化硅的多孔结构是由一系列的空隙组成的,这些空隙通常被认为是其活性位点。

这些活性位点能够提供大量的表面反应机会,增强多孔二氧化硅的吸附、吸附分离等性质。

三、多孔二氧化硅在吸附和分离中的应用1. 吸附分离多孔二氧化硅在吸附分离中得到了广泛应用。

它能够选择性地吸附某些分子和离子,从而达到分离和富集的目的。

溶胶凝胶法制备二氧化硅原理

溶胶凝胶法制备二氧化硅原理

溶胶凝胶法制备二氧化硅原理
二氧化硅的溶液凝胶法主要是利用水溶液中的二氧化硅溶胶,将其煮沸,然后加入凝胶剂,在凝结作用下,溶胶逐渐凝固,同时产生了二氧化硅胶体。

该过程一般分为以下几个步骤:
1.向溶液中加入水溶有机络合剂,使其胶凝结,形成胶凝体;
2.在碳酸氢钠、亚硝酸钠、硝酸铵等抗凝剂的存在下,将颗粒胶凝体暂时悬浮于溶液中;
3.进行调温,使胶凝体完全充分弹膨;
4.在碱解的作用下,有机复合物中的有机络合物与水溶液中的氧化物结合,形成硅酸盐,同时形成新的溶液;
5.进行分离,使结晶物与液体分离,然后将晶体洗净去除其他污染,并进行干燥,最终得到二氧化硅粉末。

纳米二氧化硅制备

纳米二氧化硅制备

1.纳米二氧化硅的制备方法到目前为止,纳米二氧化硅的生产方法主要可以分为干法和湿法两种。

干法包括气相法和电弧法,湿法有沉淀法、溶胶-凝胶法、微乳液法、超重力反应法和水热合成法等。

1.1 气相法气相法多以四氯化硅为原料,采用四氯化硅气体在氢氧气流高温下水解制得烟雾状的二氧化硅。

2H2+ O2→2H2OSiCl4+ 2H2O →SiO2+4HCl2H2+ O2+SiCl4 →SiO2+4HCl1.2 沉淀法1.2.1沉淀法是硅酸盐通过酸化获得疏松、细分散的、以絮状结构沉淀出来的SiO2晶体。

Na2SiO3+HCl →H2SO3+NaClH2SO3 →SiO2+ H2O该法原料易得,生产流程简单,能耗低,投资少,但是产品质量不如采用气相法和凝胶法的产品好。

目前,沉淀法制备二氧化硅技术包括以下几类:(1)在有机溶剂中制备高分散性能的二氧化硅;(2)酸化剂与硅酸盐水溶液反应,沉降物经分离、干燥制备二氧化硅;(3)碱金属硅酸盐与无机酸混和形成二氧化硅水溶胶,再转变为凝胶颗粒,经干燥、热水洗涤、再干燥,锻烧制得二氧化硅;(4)水玻璃的碳酸化制备二氧化硅;(5)通过喷雾造粒制备边缘平滑非球形二氧化硅。

1.2.2实验部分以Na2SiO3·9H2O为原料“浓H2SO4”为酸试剂"采用化学沉淀法制备纳米二氧化硅。

(1)原料与试剂:水合硅酸钠,分析纯,无锡市亚盛化工有限公司;浓硫酸,分析纯,国药集团化学试剂有限公司;无水硫酸钠,分析纯,无锡市亚盛化工有限公司;聚乙二醇(PEG)6000,分析纯,无锡市亚盛化工有限公司。

(2)设备与分析仪器:Avatar360型傅立叶变换红外光谱(FT-IR)仪,KBr压片,美国;D/Max型X射线粉末衍射仪,日本理学公司;TEM-2010型高分辨率透射电镜(TEM),日本日立公司;HPPS5001激光粒度分析仪,英国Malvern公司;S-570型扫描电镜(SEM),日本日立公司;紫外可见光吸收仪(UV-Vis),日本日立公司;WDT-20,KCS-20型万能试验机,深圳凯强利试验仪器有限公司;磁力搅拌器、分析天平、抽滤瓶、烘箱、马弗炉。

火成法二氧化硅

火成法二氧化硅

火成法二氧化硅
火成法二氧化硅(也称为火焰成球法)是一种制备球形二氧化硅颗粒的方法。

这种方法涉及将二氧化硅或石英颗粒输送到由燃料气和氧气产生的高温场中,通过高温熔融成无定型颗粒,然后冷却收缩成球,从而制备出纯度高的球形二氧化硅或石英颗粒。

在火焰成球法制备球形二氧化硅颗粒的过程中,颗粒粒径和气体流速是决定二氧化硅颗粒球形化质量的重要参数。

合理的熔化时间是实现二氧化硅颗粒球形化的必要条件。

当熔化时间较长时,二氧化硅颗粒可能会相互碰撞并相互压实,形成不规则颗粒。

而当气体流速过低时,二氧化硅颗粒的球化率百分比可能会下降。

尽管存在这些潜在的挑战,但火焰成球法相对于其他方法来说,制备球形二氧化硅颗粒的过程较容易控制,适合工业化生产,因此被认为是一种具有发展前途的生产球形二氧化硅颗粒的工艺。

SiO2的制备

SiO2的制备

改进众所周知的Stober 方法[135],通过正硅酸乙脂(TEOS)在含有水(H2O)、氨水(NH3OH)的乙醇混合溶液中水解,制备了不同尺寸(300,500,900 和1200 nm)的二氧化硅(SiO2)微球。

通过这种方法制备的二氧化硅(SiO2)微球单分散、尺寸分布窄、不团聚,尺寸大小依靠反应物的浓度。

典型的实验是混合正硅酸乙脂(TEOS)、水(H2O)、氨水(NH3OH)、乙醇(C2H5OH),在室温下搅拌 4 小时,结果得到白色的SiO2胶体悬浮液。

用离心机把SiO2从悬浮液中离心出来,之后用乙醇洗三次。

比600 nm 大的SiO2,不能直接通过Stober 方法制备,需要种子生长过程。

在种子生长过程,把一定量的SiO2加入NH3,H2O 和C2H5OH 的混合溶液之后,加入TEOS 和水,这个过程与Stober 相似。

表3-1 列出了制备不同尺寸的SiO2的实验条件。

3.2. 2 SiO2@Y2O3:Eu3+ 核壳材料的制备利用Pechini 型溶胶-凝胶法在SiO2球上包覆Y2O3:Eu3+层,制备SiO2@Y2O3:Eu3+核壳发光材料[136-138]。

搀杂的Eu3+的浓度占基质Y2O3中Y3+浓度的5%,这是最优化条件[138]。

称取化学计量比的Y2O3 和Eu2O3 (Y1.9Eu0.1O3),用硝酸溶解,冷却到室温,加入一定量的乙醇和水的混合溶液(其体积比为7:1),加入柠檬酸作为络合剂,柠檬酸与金属离子的摩尔比为2:1,再加入一定量的聚乙二醇(0.08g/ml)作为交联剂, 溶液搅拌2 小时形成溶胶,然后在搅拌的条件下加入SiO2 粒子,搅拌5小时,用离心机把悬浮液离心。

所得试样在100 oC 干燥两个小时,然后以每小时120oC 的升温速度烧结到900 oC,并保留2 小时。

这样的过程反复几次,以增加Y2O3:Eu3+层的厚度。

实验过程如图3-1 所示。

为作对比,把包覆之后的溶胶蒸发形成凝胶,烧结到相应的温度,制备纯的Y2O3:Eu3+粉末。

纳米二氧化硅制备方法

纳米二氧化硅制备方法

纳米二氧化硅制备方法
纳米二氧化硅是一种常见的纳米材料,其制备方法有很多种。

下面就让我们来分步骤阐述一下纳米二氧化硅的制备方法。

第一步,制备硅源。

纳米二氧化硅的制备需要用到硅源,可用三氯化硅、硅烷等进行制备。

其中,三氯化硅是一种常用的硅源。

将三氯化硅加入适量的水中,室温下静置数小时,水解出氯化氢,剩下的成硅酸。

此时,筛网过滤得到硅酸粉末,这就是硅源。

第二步,制备二氧化硅溶胶。

将硅源加入适量的水中,搅拌至完全溶解,得到硅酸水溶液。

接下来,在硅酸水溶液中加入一定量的盐酸,并不断搅拌,使硅酸水溶液中的硅酸逐渐转化为二氧化硅溶胶。

溶胶中二氧化硅的浓度越高,所制得的纳米二氧化硅颗粒就越小。

第三步,制备纳米二氧化硅。

将制好的二氧化硅溶胶加入大量的去离子水中,并同时不断搅拌和加热,直至水蒸发完毕,得到纳米二氧化硅。

此时,所得的纳米二氧化硅经过必要的后处理,即可用于实际应用了。

总之,纳米二氧化硅的制备方法主要包括硅源制备、二氧化硅溶胶制备和纳米二氧化硅制备三个步骤。

各个步骤的操作顺序和参数设置对纳米二氧化硅的性质和质量等方面都会有一定的影响。

因此,在实际制备过程中,需要掌握一定的实验技能和知识,才能得到理想的纳米二氧化硅制品。

介孔二氧化硅材料的制备

介孔二氧化硅材料的制备

介孔二氧化硅材料的制备介孔二氧化硅材料是一种具有特殊孔结构和多功能性能的纳米材料,具有广泛的应用前景。

本文将介绍介孔二氧化硅材料制备的几种主要方法。

一、模板法模板法是制备介孔二氧化硅材料的一种常用方法。

其基本原理是用介孔结构的模板作为模板,通过溶胶-凝胶法或溶剂挥发法沉积硅源形成介孔二氧化硅材料,最后去除模板获得介孔结构。

具体的制备步骤如下:1.选择合适的模板,如硅胶和有机高分子等。

2.将模板浸入硅源溶液中,使其吸附硅源。

3.将模板取出放置在空气中干燥或烘干。

4.将硅源溶液在模板表面形成凝胶。

5.将凝胶在高温下焙烧,以去除模板获得介孔二氧化硅材料。

采用模板法制备介孔二氧化硅材料的优点是可以控制孔径和孔分布等结构特征,但是模板的选择和去除会影响制备的效果和成本。

软模板法是一种利用有机高分子作为软模板,控制硅源形态和分子聚集行为,制备介孔二氧化硅材料的方法。

1.将有机高分子和硅源溶液混合,形成胶体混合物。

软模板法制备介孔二氧化硅材料的优点是可控性强,制备出的材料孔径大小均匀,但是材料中可能残留有机物,影响应用性能。

三、溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种将不溶于水的硅酸盐水解成水溶性硅化物,随后进行缓慢的水解、聚合和魔捏成凝胶的反应。

1.将硅酸盐和水混合形成水解产物。

2.将水解产物连续过滤形成凝胶。

3.将凝胶干燥和焙烧即可制备介孔二氧化硅材料。

溶胶-凝胶法制备介孔二氧化硅材料的优点是简单易行,成本低,但是孔径分布范围比较宽,难以控制。

四、溶液中自组装法溶液中自组装法是利用硅烷官能化化合物自聚组合成为介孔二氧化硅材料的方法。

1.将硅烷官能化化合物在有机溶剂中形成聚合物体。

2.将聚合物体在水相中进行混合和剪切,实现自组装形成介孔结构。

溶液中自组装法制备介孔二氧化硅材料的优点是简单易行,无须模板,可以实现孔径组分的均匀分布,但是需要采用对称性分子结构,否则不能形成有序排列的介孔结构。

总之,介孔二氧化硅材料的制备方法众多,各有优缺点,科学家们可以根据自身实验需要选择合适的方法进行制备,以获得适合具体应用的介孔二氧化硅材料。

二氧化硅制备工艺方法

二氧化硅制备工艺方法

二氧化硅制备工艺方法
二氧化硅那可是个神奇的东西!那它咋制备呢?其实有好几种方法呢!比如化学气相沉积法,把含硅的化合物加热气化,然后在特定条件下反应,就像变魔术一样,二氧化硅就出来啦!这过程可得注意温度和压力的控制哦,不然可就乱套啦!要是温度太高,那不得像热锅上的蚂蚁,急得团团转呀?要是压力不对,那可就糟糕透顶啦!那安全性咋样呢?放心吧,只要操作规范,那是相当安全稳定滴!就像坚固的城堡,稳稳当当。

二氧化硅的应用场景可多啦!在橡胶行业,它能增强橡胶的强度,就好比给橡胶穿上了一件超级铠甲。

在涂料里呢,能提高涂料的耐候性,哇塞,这不是超厉害嘛!它的优势也不少呢,比如化学稳定性高,就像个坚强的战士,啥恶劣环境都不怕。

还有良好的绝缘性,简直就是电器产品的好帮手呀!
咱来看看实际案例呗!有个工厂用二氧化硅做橡胶添加剂,那生产出来的橡胶制品,质量杠杠的!耐磨性大大提高,使用寿命也变长啦!这效果,难道不令人惊叹吗?
总之,二氧化硅的制备工艺虽然需要注意一些细节,但只要操作得当,那就是妥妥的好东西呀!它的应用场景广泛,优势明显,实际应用效果也超棒。

所以,二氧化硅绝对值得我们好好利用。

碳化法制备二氧化硅的原理_概述说明以及解释

碳化法制备二氧化硅的原理_概述说明以及解释

碳化法制备二氧化硅的原理概述说明以及解释1. 引言1.1 概述近年来,二氧化硅作为一种重要的功能材料,其在电子行业、建筑材料领域等多个领域均有广泛应用。

碳化法制备二氧化硅是一种常见且有效的方法。

本文旨在对碳化法制备二氧化硅的原理进行概述说明和解释,介绍该方法的步骤与条件,并探讨碳源选择以及反应机理。

1.2 文章结构本文共分为五个部分。

首先是引言部分,对文章的目的和结构进行简要介绍;其次是“碳化法制备二氧化硅原理”部分,详细阐述了碳化法的概念和相关步骤和条件,并进一步探讨了碳源选择和反应机理。

接下来,“碳化法制备二氧化硅的过程详解”部分将从准备工作、实验装置介绍、制备方法步骤以及操作注意事项等方面进行详细说明。

随后,“二氧化硅应用领域及前景展望”部分将探讨二氧化硅在电子行业、建筑材料领域等领域中的应用,并展望其他领域的潜在应用前景。

最后,“结论”部分将对碳化法制备二氧化硅的原理和过程进行总结,同时提出未来研究和发展方向的建议和展望。

1.3 目的本文旨在对碳化法制备二氧化硅的原理进行详细解释,并介绍其步骤、条件以及反应机理。

通过对实验参数对产物性质的影响进行分析,我们将探讨该方法的可行性和优势。

此外,我们还将回顾和展望二氧化硅在不同领域中的应用,并对未来研究及发展方向提出建议。

通过本文的阐述,期望能够为相关领域科研人员提供参考和借鉴,推动碳化法制备二氧化硅技术的进一步发展与应用。

2. 碳化法制备二氧化硅原理2.1 碳化法概述碳化法是一种常用的制备二氧化硅的方法之一。

它是通过在高温环境下,将含有碳源的硅材料与气体中的一氧化碳或甲烷等反应,从而生成二氧化硅的过程。

2.2 碳化法的步骤和条件碳化法的主要步骤包括:首先将含有碳源的硅材料放置于高温反应器中;接着加入适量合适的气体作为反应介质;随后进行高温反应,使得碳源与硅材料发生反应生成二氧化硅。

在进行碳化法制备二氧化硅时,需要注意以下条件:- 温度:由于该反应需要高温才能进行,通常在1300℃至1600℃范围内进行。

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二氧化硅的制备
内部编号:(YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128)
纳米二氧化硅颗粒的制备与表征
一、实验目的
1、学习溶胶—凝胶法制备纳米SiO2 颗粒。

2、利用粒度分析仪对SiO2 颗粒物相分析和粒径测定。

3、通过红外光谱仪对纳米SiO2 颗粒进行表征。

4、通过热重分析仪测试煅烧温度。

二、实验原理
纳米SiO
具有三维网状结构,拥有庞大的比表面积,表面上存在着大量的
2
羟基基团, 亲水性强, 众多的颗粒相互联结成链状,链状结构彼此又以氢键相互作用,形成由聚集体组成的立体网状结构。

图1 纳米二氧化硅三维网状结构
图2 纳米二氧化硅表面上存在着大量的羟基基团
溶胶凝胶法(Sol-Gel法):利用活性较高的前驱体作为原料,在含水的溶液中水解,生成溶胶,然后溶胶颗粒间进一步发生相互作用,与溶剂共同生成凝胶,干燥后、煅烧获得前驱体相应的氧化物。

第一步水解:
硅烷的水解过程ROH

−→
+
-
-2
-
O
OH
Si
H
OR
Si+
-
第二步缩合:
硅烷的缩聚过程O

−→
-
-
-
-
-
-
+
-
O
Si
Si
-
Si
H
+
Si2
OH
HO
总反应:ROH
-
−→

-
-
-
-
+
O
O
Si
22+
Si
H
Si2
OR
硅烷的浓度,硅烷溶液的pH 值,溶剂成分,水解时间与温度均会影响到硅烷的水解缩聚过程。

其中,pH 值能影响硅烷溶液的水解缩聚反应速率。

一般认为酸性和碱性条件下均有利于硅烷的水解反应,而碱性条件下更能促进缩聚反应的进行。

因此,选择合理的pH 值能控制硅烷的水解与缩合反应速率。

水含量除了影响硅烷的水解与缩聚反应速率外,还影响其溶解性;而醇溶剂对硅烷分子起到助溶与分散的作用,还起到调节水解速率的作用。

三、仪器及试剂
仪器常规玻璃仪器,不同型号移液枪,坩埚,研钵,水浴锅,磁子,磁力搅拌器,烘箱,马弗炉,傅里叶红外光谱仪,差热-热重分析仪,粒度分析仪;
试剂乙醇(AR),去离子水,TEOS,1:1 氨水,浓氨水、浓盐酸,精密pH 试纸。

四、实验步骤
①Stober 法制备纳米SiO2 颗粒
取75mL 无水乙醇于烧杯中,加入25mL 去离子水,搅拌使其均匀。

向其中加入10mL TEOS,同时搅拌。

用1:1 氨水溶液调节硅烷溶液的pH 值至7,搅拌10min。

将上述硅烷溶液放入水浴锅中,水温35℃,陈化1h。

向溶液中逐滴加入浓氨水,使其刚好产生果冻状凝胶为止。

静置,至溶液全部转化为凝胶。

前躯体将所得的凝胶捣碎放入烘箱中,烘箱温度为100℃,烘干,即得SiO
2
粉末。

粉末。

将粉末碾碎后在300℃煅烧20min 即得SiO
2
② SiO2颗粒的粒径测试
先将大烧杯中装满水,对大烧杯进行清洗,倒去水。

向大烧杯中装入部分水,测试背景。

将小烧杯中预先搅拌好的二氧化硅浊液倒入大烧杯中,进行充分混合均匀,对其进行粒径分析。

③SiO2颗粒红外光谱测试
将微量的纳米SiO
颗粒样品和约80倍质量的KBr加入到研钵中,在红外灯下
2
研磨至粉状。

将粉末小心的加到带孔的小纸片的铁柱上,在20MPa的压力下压片约1分钟,得到透明的薄膜。

用铁片和磁铁固定住薄膜纸片后,放入傅里叶红外光谱仪中测其红外光谱图。

④ SiO2颗粒的WCT热分析测试
称取未煅烧前的二氧化硅粉末,用WCT热分析系统对其进行测试。

设定升温速率为4.59 ℃/min,测定时间为1小时。

五、实验数据与分析
①二氧化硅颗粒产量
实际产量:2.03 g
理论产量:10 mL×0.933 g·mL-1/208.33 g·mol-1×60.08 g= 2.69 g
实际产率:75.45%
颗粒的粒径分析
② SiO
2
由粒径分布谱图(见附图1)可知,实验制得的二氧化硅主要有两种粒径的
颗粒,粒径均未达到纳米尺度,仅颗粒,分别约为10 μm和90 μm的SiO
2
在微米尺度。

颗粒红外光谱测试
③ SiO
2
从Scifinder上查得的二氧化硅的标准红外光谱图如下。

红外标准光谱图
图 4 SiO
2
从图中可以看出,1095 cm-1强而宽的吸收带为Si-O-Si反对称伸缩振动峰,3450 cm-1处峰是结合水-OH反对称伸缩振动峰,1638 cm-1处附近为水的H-O-H弯曲振动峰,800 cm-1、466 cm-1处的峰属于Si-OH的对称伸缩振动和弯曲振动峰。

从实验制备的二氧化硅粉末(煅烧后)的红外光谱图(见附图2)中可以看出,1106 cm-1强而宽的吸收峰为Si-O-Si反对称伸缩振动峰,3441 cm-1处为结合水-OH反对称伸缩振动峰,1638 cm-1处为水的H-O-H弯曲振动峰,800 cm-1、563 cm-1处的峰为Si-OH的对称伸缩振动和弯曲振动峰。

实验制备测得的红外光谱图与标准的二氧化硅光谱图比较发现,峰位置发生了较小的蓝移,但基本与标准谱图相同。

颗粒的WCT热分析
④ SiO
2
由WCT热分析曲线(附图3)可知,初始温度为T i=16.6℃,初始质量为
m0=14.4293 g。

完全失水后的质量为m1=2.0146 mg,减少的质量占85.03%,即失去的含水量为85.03%。

六、实验结论与讨论
颗粒,产率为75.45%。

实验成功地通过Stber法溶胶-凝胶法制备合成了SiO
2
通过傅里叶红外光谱分析确定了制备得到的二氧化硅颗粒的组成;通过粒径分析仪确定了煅烧后二氧化硅颗粒的粒径,发现大部分颗粒粒径分布在10~90 μm的
进行分粒径范围内,没有达到纳米尺度;通过WCT热分析方法对未煅烧前的SiO
2
析,得出其含水量占85.03%,完全失水温度为104.7℃,所以若烘箱温度低于104.7℃则无法将水除去。

对于实验未成功制得纳米级的SiO
颗粒的原因,分析可能为:凝胶条件的选
2
择并未达到最佳,或者是煅烧温度不合适。

因此,为实现纳米级的二氧化硅颗粒,需进一步探究实验条件。

七、思考题
1、如何确定煅烧温度?
为确定二氧化硅的煅烧温度,需对其进行WCT热分析,从而确定二氧化硅中水被煅烧除去的最低温度。

同时,煅烧温度也取决于所需的粒径大小。

通常粒径要求小,温度则应较低。

2、如何减少二氧化硅颗粒的团聚?
控制好硅烷的浓度,溶液的PH,温度等实验条件。

或者用有机物洗涤,用表面张力小的有机溶剂充分洗涤纳米颗粒,可以置换颗粒表面吸附的水分,减小氢键的作用,减少颗粒聚结的毛细管力,使颗粒不再团聚。

也可加入分散剂。

常用的分散剂类型有无机电解质、有机高聚物、表面活性剂等。

3、团聚与凝胶的区别。

团聚会絮凝沉淀,是因为分子间的范德华力、库仑力等引起的,产生不规则的沉淀,里面不会含有大量的水等物质;凝胶是分子之间连接,形成规则的网状结构,里面包含大量的水分子。

4、纳米颗粒表面修饰改性的基本类型。

纳米颗粒表面修饰改性主要类型有:表面覆盖改性、机械化学改性、外膜层改性、局部活性改性、高能量表面改性等。

5、请设计制备纳米二氧化钛的实验方案。

首先将28mL水与112 mL乙醇按体积比1:4混合,并加入酸或碱调节溶
液pH,得到溶液作为反应介质。

然后将17 mL的前驱体TBT与4 mL乙醇混合,作为反应前驱体,在75℃下滴加到水和乙醇的混合溶剂中,并在滴加完毕后继续在75℃下反应24h,将得到的悬浊液进行高速离心,用水和乙醇洗涤,干燥后即得到Ti0
粉末。

2
光子晶体
1987年E.Yablonovitch在研究如何控制材料自发辐射性质时提出了光子晶
体的概念,指出介电函数在空间的周期性调制能够改变材料中光子状态的模式。

光子晶体中由于光子带隙的存在,产生了很多全新的物理性质和现象,从而显示出非常宽广的发展和应用前景。

当介电系数的变化足够大且变化周期与光波长相当时,光波的色散关系会出现带状结构,此即光子能带结构(Photonic Band structures)。

这些被终止的频率区间称为“光子频率禁带”(Photonic Band Gap,PBG),频率落在禁带中的光或电磁波是无法传播的。

特别需要指出的是,介电系数周期性排列的方向并不等同于带隙出现的方向,在一维光子晶体和二维光子晶体中,也有可能出现全方位的三维带隙结构。

目前,光子晶体已成为物理学和材料科学的研究热点,发展迅速。

在众多光子晶体的制备方法中,胶体晶体模板法制备光子晶体的工艺被认为最为简便和有效,也最有发展和应用前景。

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